JP6061471B2 - 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成形体及び光半導体装置に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。

光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠状の成形体が配置されている。該枠状の成形体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成形体は、リフレクター又はハウジングと呼ばれることがある。

上記成形体を形成するための組成物の一例として、下記の特許文献１には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化触媒と無機充填材とを含む硬化性組成物が開示されている。この硬化性組成物を硬化させた硬化物を１５０℃の高温条件下に５００時間放置した後に測定される光波長４００ｎｍにおける光拡散反射率は８０％以上である。また、上記硬化性組成物では、トランスファー成形時のせん断離型力が１０ショット以内に２００ＫＰａ以下である。

また、下記の特許文献２には、エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤と、カップリング剤と、酸化防止剤とを含む硬化性組成物が開示されている。特許文献２の実施例では、リン系酸化防止剤が用いられている。

下記の特許文献３には、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂と、酸無水物と、酸化防止剤と、硬化触媒と、反射部材と、無機充填材とを含む硬化性組成物が開示されている。特許文献３の実施例では、リン系酸化防止剤及びフェノール系酸化防止剤である２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール（ＢＨＴ）が用いられている。

下記の特許文献４には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と白色顔料とを含む硬化性組成物が開示されている。また、特許文献４では、硬化性組成物を用いたトランスファー成形によって貫通孔が複数形成された光反射層を配線部材上に形成し、上記貫通孔の一方の開口部を上記配線部材で塞いでなる複数の凹部が形成された成形体を得る工程と、光半導体素子を上記凹部内にそれぞれ配置する工程と、上記光反射層の表面を覆うように上記半導体素子が配置された上記凹部に封止樹脂を供給する工程と、上記封止樹脂を介在させることにより、上記光反射層の上記表面から離間させた状態で上記凹部を覆うレンズを配置した後、上記封止樹脂を硬化させる工程と、上記成形体を上記凹部ごとに分割して複数の光半導体装置を得る工程とを備える光半導体装置の製造方法が開示されている。

特開２００９−１４１３２７号公報 特開２００７−２９７６０１号公報 ＷＯ２００７／０１５４２６Ａ１ 特開２０１１−９５１９号公報

特許文献１〜４に記載のような従来の硬化性組成物を用いて枠状の成形体を作製し、該枠状の成形体を用いて光半導体装置を得たときに、得られた光半導体装置において、電極などの金属部にマイグレーションが発生するという問題がある。このため、電極における絶縁抵抗が低下したり、接続されるべき電極間の接続不良が生じたりすることがある。

本発明の目的は、光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置を得たときに、得られた光半導体装置において金属部にマイグレーションが発生し難い光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成形体及び光半導体装置を提供することである。

本発明の広い局面によれば、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含み、該酸化防止剤の分子量が６００以上、２０００未満であり、かつ上記酸化防止剤を構成する原子が、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである、光半導体装置用白色硬化性組成物が提供される。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、上記硬化剤は、酸無水物硬化剤である。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の他の特定の局面では、上記エポキシ化合物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物の内の少なくとも１種を含む。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の別の特定の局面では、上記酸化チタンはルチル型酸化チタンである。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。

本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。

また、本発明の広い局面によれば、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、該リードフレーム上に配置された成形体とを備えており、上記成形体が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られており、上記光半導体装置用白色硬化性組成物が、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含み、該酸化防止剤の分子量が６００以上、２０００未満であり、かつ上記酸化防止剤を構成する原子が、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである、光半導体装置が提供される。

本明細書では、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物に関する発明と、上述した光半導体装置に関する発明との双方が開示される。

本発明に係る光半導体装置は、上記成形体が、上記光半導体素子の側方に配置されており、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含み、更に該酸化防止剤の分子量が６００以上、２０００未満であり、かつ上記酸化防止剤を構成する原子が、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみであるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置において、金属部にマイグレーションが発生するのを抑制できる。

本発明に係る光半導体装置では、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物が用いられているので、金属部にマイグレーションが発生するのを抑制できる。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体を備える光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。 図２は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置用部品の一例を模式的に示す断面図である。 図３は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。

以下、本発明を詳細に説明する。

（光半導体装置用白色硬化性組成物）
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、白色である。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、酸化チタン（Ｃ）と、酸化チタンとは異なる充填材（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）と、酸化防止剤（Ｆ）とを含む。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、酸化防止剤（Ｆ）として、分子量が６００以上、２０００未満であり、かつ炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみで構成されている酸化防止剤（Ｆ１）が用いられる。該酸化防止剤（Ｆ１）を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記成形体は、所定の形状に成形された硬化物である。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を成形して成形体を作製し、該成形体を用いて光半導体装置が得られる。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上述した組成の採用により、特に、特定の上記酸化防止剤（Ｆ１）の使用によって、得られた光半導体装置が通電して長期間使用されても、金属部にマイグレーションが発生し難くなる。このため、電極における絶縁抵抗の低下を抑制でき、接続されるべき電極間の接続不良を抑制できる。従って、光半導体装置の信頼性を高めることができる。上記成形体を得るための光半導体装置用白色硬化性組成物において、上述した組成を採用することにより、特に、特定の上記酸化防止剤（Ｆ１）の使用により、従来酸化防止剤の配合による効果として知られていない新たな効果として、電極などの金属部にマイグレーションが発生し難くなり、例えば電極における絶縁抵抗の低下を抑制できることを、本発明者らは見出した。

また、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上記組成を採用することによって、光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体の光の反射率を高めることができる。得られる成形体は、光の反射率が高いので、光半導体素子から発せられる光が成形体に到達したときに光を効果的に反射させる。このため、光半導体装置から取り出される光の明るさを明るくすることができる。

以下、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれている各成分の詳細を説明する。

［エポキシ化合物（Ａ）］
上記白色硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、エポキシ化合物（Ａ）を含む。エポキシ化合物（Ａ）はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物としてエポキシ化合物（Ａ）を用いることにより、成形体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。エポキシ化合物（Ａ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ化合物（Ａ）の具体例としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、多塩素酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ポリアミン化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、水添型芳香族エポキシ化合物、脂環式骨格を有するエポキシ化合物、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ化合物などが挙げられる。上記多塩素酸化合物としては、フタル酸及びダイマー酸等が挙げられる。上記ポリアミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等が挙げられる。

上記光半導体装置用白色樹脂組成物全体のエポキシ当量は好ましくは５００以上、好ましくは２００００以下である。該エポキシ当量が５００以上であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になり、更に成形体が脆くなり難く、成形体の加工性がより一層良好になる。該エポキシ当量が２００００以下であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になり、更に成形体の強度がより一層高くなる。上記エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に準拠して測定される。

成形体の強度を高め、成形体の加工性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）の内の少なくとも１種を含むことが好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）と脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）との双方を含んでいてもよい。上記白色硬化性組成物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）のみを含んでいてもよく、脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）のみを含んでいてもよい。

成形体の強度及び耐熱性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）を含むことが好ましい。上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

リードフレームと成形体との密着性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）を含むことが好ましい。上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

成形体の耐熱性をより一層高め、かつリードフレームと成形体との密着性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）と脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）との双方を含むことが特に好ましい。

上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、芳香族骨格を有する多塩基酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、及び芳香族骨格を有するグリシジルエーテル型エポキシ化合物等が挙げられる。

上記成形体の強度及び耐熱性をより一層高める観点からは、上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）は、ビスフェノール骨格又はノボラック骨格を有することが好ましい。

上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）のエポキシ当量は、好ましくは４００以上、好ましくは３０００以下である。該エポキシ当量が４００以上であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になる。該エポキシ当量が３０００以下であると、成形体の強度がより一層高くなる。

上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）の具体例としては、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ−（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ジシクロペンタジエンジオキシド、ビニルシクロヘキセンモノオキサイド、１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサン、１，２：８，９−ジエポキシリモネン、ε−カプロラクトン修飾テトラ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）ブタンテトラカルボキシレート、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物等が挙げられる。上記成形体の耐熱性をより一層高める観点から、上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）は、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物（ダイセル化学社製「ＥＨＰＥ−３１５０」）であることが好ましい。

上記エポキシ化合物（Ａ）の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、エポキシ化合物（Ａ）の含有量は好ましくは３重量％以上、より好ましくは５重量％以上、更に好ましくは１０重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは８０重量％以下である。エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記下限以上であると、加熱により白色硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記上限以下であると、成形体の耐熱性がより一層高くなる。

［硬化剤（Ｂ）］
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、硬化剤（Ｂ）を含む。硬化剤（Ｂ）は、エポキシ化合物（Ａ）を硬化させる。硬化剤（Ｂ）として、エポキシ化合物（Ａ）の硬化剤として使用される公知の硬化剤が使用可能である。上記硬化剤（Ｂ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化剤（Ｂ）としては、酸無水物、ジシアンジアミド、フェノール化合物、ヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、トリアジン環を有する化合物、メチル（メタ）アクリレート樹脂又はスチレン樹脂等により形成されたシェルにより、トリフェニルホスフィン（硬化剤）が被覆されている潜在性硬化剤（例えば、日本化薬社製「ＥＰＣＡＴ−Ｐ」及び「ＥＰＣＡＴ−ＰＳ」）、ポリウレア系重合体又はラジカル重合体により形成されたシェルにより、アミンなどの硬化剤が被覆されている潜在性硬化剤（特許第３０３１８９７号公報及び特許第３１９９８１８号公報に記載）、変性イミダゾールなどの硬化剤をエポキシ樹脂中に分散させて閉じ込め、粉砕することにより得られた潜在性硬化剤（旭化成イーマテリアルズ社製「ノバキュアＨＸＡ３７９２」及び「ＨＸＡ３９３２ＨＰ」）、熱可塑性高分子内に硬化剤を分散させ、含有させた潜在性硬化剤（特許第３０９８０６１号公報に記載）、並びにテトラキスフェノール類化合物などにより被覆されたイミダゾール潜在性硬化剤（例えば、日本曹達社製「ＴＥＰ−２Ｅ４ＭＺ」及び「ＨＩＰＡ−２Ｅ４ＭＺ」）等が挙げられる。これら以外の硬化剤（Ｂ）を用いてもよい。

リードフレームと成形体との密着性をより一層高める観点からは、上記硬化剤（Ｂ）は、酸無水物硬化剤を含有することがより好ましい。上記白色硬化性組成物は、酸無水物硬化剤を含むことが好ましい。酸無水物硬化剤の使用により、硬化性を高く維持して、成形体の成形むらをより一層抑制できる。上記酸無水物硬化剤としては、芳香族骨格を有する酸無水物及び脂環式骨格を有する酸無水物の内のいずれも使用可能である。

好ましい上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。

上記酸無水物硬化剤は、二重結合を有さないことが好ましい。二重結合を有さない好ましい酸無水物硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。

上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との配合比率は特に限定されない。エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、硬化剤（Ｂ）の含有量は、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、更に好ましくは２重量部以上、特に好ましくは３重量部以上、好ましくは５００重量部以下、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは１００重量部以下である。

また、上記光半導体装置用白色硬化性組成物中で、エポキシ化合物（Ａ）全体のエポキシ当量と硬化剤（Ｂ）の硬化剤当量との当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）は、０．３：１〜２：１であることが好ましく、０．５：１〜１．５：１であることがより好ましい。上記当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）が上記範囲を満足すると、成形体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。

（酸化チタン（Ｃ））
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は酸化チタン（Ｃ）を含むので、光の反射率が高い成形体を得ることができる。また、上記酸化チタン（Ｃ）の使用によって、酸化チタン（Ｃ）とは異なる充填材のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成形体が得られる。上記光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれている酸化チタン（Ｃ）は特に限定されない。酸化チタン（Ｃ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記酸化チタン（Ｃ）は、ルチル型酸化チタン又はアナターゼ型酸化チタンであることが好ましく、ルチル型酸化チタンであることがより好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、耐熱性及び耐光性により一層優れた成形体が得られる。上記アナターゼ型酸化チタンは、ルチル型酸化チタンよりも、硬度が低い。このため、アナターゼ型酸化チタンの使用により、上記硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。

上記酸化チタン（Ｃ）は、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンを含むことが好ましい。上記酸化チタン（Ｃ）１００重量％中、上記アルミニウム酸化物より表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、１００重量％以下である。上記酸化チタン（Ｃ）の全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成形体の耐熱性がより一層高くなる。

上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製の品番：ＣＲ−５８や、ルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製の品番：Ｒ−６３０等が挙げられる。

上記酸化チタン（Ｃ）は、ケイ素酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンを含むことが好ましい。上記ケイ素酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成形体の耐熱性がより一層高くなる。

上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記酸化チタン（Ｃ）の含有量は、好ましくは３重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは１５重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。酸化チタン（Ｃ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなり、更に成形体の耐熱性が高くなって、成形体が高温に晒されたときに黄変し難くなる。

（充填材（Ｄ））
上記充填材（Ｄ）は、酸化チタンとは異なる充填材である。上記充填材（Ｄ）は特に限定されない。上記充填材（Ｄ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記充填材（Ｄ）として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材（Ｄ）の具体例としては、シリカ、アルミナ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材（Ｄ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記充填材（Ｄ）はシリカであることが好ましい。シリカの使用により、成形体の強度がより一層高くなる。

上記白色硬化性組成物の成形性をより一層高める観点からは、上記充填材（Ｄ）は、平均粒径が１０μｍ以上、５０μｍ以下である充填材を含むことが好ましい。上記白色硬化性組成物の成形性をより一層高める観点からは、上記充填材（Ｄ）は、平均粒径１μｍ以上、１０μｍ未満である充填材を含むことが好ましい。上記白色硬化性組成物の成形性を更に一層高める観点からは、上記充填材（Ｄ）は、平均粒径が１０μｍ以上、５０μｍ以下である第１の充填材と、平均粒径１μｍ以上、１０μｍ未満である第２の充填材とを含むことが特に好ましい。

上記平均粒径とは、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。上記平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ Ｃｏｕｌｔｅｒ社製「ＬＳ１３ ３２０」等が挙げられる。

上記充填材（Ｄ）は、球状充填材を含んでいてもよく、破砕充填材を含んでいてもよく、球状充填材と破砕充填材との双方を含んでいてもよい。

上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記充填材（Ｄ）の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。充填材（Ｄ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、白色硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。充填材（Ｄ）の含有量が上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなる。

（硬化促進剤（Ｅ））
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との反応を促進するために、硬化促進剤（Ｅ）を含む。硬化促進剤（Ｅ）の使用により、上記白色硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成形体の耐熱性を高めることができる。硬化促進剤（Ｅ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化促進剤（Ｅ）としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。

上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア及びトリ−ｎ−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。

上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。

上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。

上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。

上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、４，４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第４級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。フェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートが挙げられる。

上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。

上記白色硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成形体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。

上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化促進剤（Ｅ）との配合比率は特に限定されない。エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、硬化促進剤（Ｅ）の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。

（酸化防止剤（Ｆ））
上記酸化防止剤（Ｆ）としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。

上記フェノール系酸化防止剤の市販品としては、ＩＲＧＡＮＯＸ １０１０、ＩＲＧＡＮＯＸ １０３５、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６、ＩＲＧＡＮＯＸ １１３５、ＩＲＧＡＮＯＸ ２４５、ＩＲＧＡＮＯＸ ２５９、及びＩＲＧＡＮＯＸ ２９５（以上、いずれもＢＡＳＦ社製）、アデカスタブ ＡＯ−３０、アデカスタブ ＡＯ−４０、アデカスタブ ＡＯ−５０、アデカスタブ ＡＯ−６０、アデカスタブ ＡＯ−７０、アデカスタブ ＡＯ−８０、アデカスタブ ＡＯ−９０、及びアデカスタブ ＡＯ−３３０（以上、いずれもＡＤＥＫＡ社製）、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＡ−８０、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＭＤＰ−Ｓ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＢＢＭ−Ｓ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＭ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＳ（Ｆ）、及びＳｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＰ（以上、いずれも住友化学工業社製）、ＨＯＳＴＡＮＯＸ Ｏ１０、ＨＯＳＴＡＮＯＸ Ｏ１６、ＨＯＳＴＡＮＯＸ Ｏ１４、及びＨＯＳＴＡＮＯＸ Ｏ３（以上、いずれもクラリアント社製）、アンテージ ＢＨＴ、アンテージ Ｗ−３００、アンテージ Ｗ−４００、及びアンテージ Ｗ５００（以上、いずれも川口化学工業社製）、並びにＳＥＥＮＯＸ ２２４Ｍ、及びＳＥＥＮＯＸ ３２６Ｍ（以上、いずれもシプロ化成社製）等が挙げられる。

上記リン系酸化防止剤としては、シクロヘキシルフォスフィン及びトリフェニルフォスフィン等が挙げられる。上記リン系酸化防止剤の市販品としては、アデアスタブ ＰＥＰ−４Ｃ、アデアスタブ ＰＥＰ−８、アデアスタブ ＰＥＰ−２４Ｇ、アデアスタブ ＰＥＰ−３６、アデアスタブ ＨＰ−１０、アデアスタブ ２１１２、アデアスタブ ２６０、アデアスタブ ５２２Ａ、アデアスタブ １１７８、アデアスタブ １５００、アデアスタブ Ｃ、アデアスタブ １３５Ａ、アデアスタブ ３０１０、及びアデアスタブ ＴＰＰ（以上、いずれもＡＤＥＫＡ社製）、サンドスタブ Ｐ−ＥＰＱ、及びホスタノックス ＰＡＲ２４（以上、いずれもクラリアント社製）、並びにＪＰ−３１２Ｌ、ＪＰ−３１８−０、ＪＰＭ−３０８、ＪＰＭ−３１３、ＪＰＰ−６１３Ｍ、ＪＰＰ−３１、ＪＰＰ−２０００ＰＴ、及びＪＰＨ−３８００（以上、いずれも城北化学工業社製）等が挙げられる。

上記アミン系酸化防止剤としては、トリエチルアミン、メラミン、エチルジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−トリル−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−キシリル−Ｓ−トリアジン及び第四級アンモニウム塩誘導体等が挙げられる。

上述のように、酸化防止剤（Ｆ）として、各種の酸化防止剤が知られている。上記酸化防止剤（Ｆ）として、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、分子量が６００以上、２０００未満であり、かつ炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみで構成されている酸化防止剤（Ｆ１）が選択して用いられる。すなわち、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、分子量が６００以上、２０００未満であり、かつ炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみで構成されている酸化防止剤（Ｆ１）を含む。上記酸化防止剤（Ｆ１）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記酸化防止剤（Ｆ１）の分子量が６００未満であると、光半導体装置の使用時に金属部におけるマイグレーションが生じやすくなる。上記酸化防止剤（Ｆ１）の分子量が２０００以上であると、成形体の耐熱黄変性が低下する。成形体の耐熱黄変性をより一層高める観点はらは、上記酸化防止剤（Ｆ１）の分子量は好ましくは１８００以下、より好ましくは１５００以下である。

上記酸化防止剤（Ｆ１）を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。これら原子以外の原子が含まれていると、例えば窒素原子、リン原子、硫黄原子等が含まれていると、金属部におけるマイグレーションの発生を十分に抑制することは困難である。

なお、本明細書において、「分子量」とは、上記酸化防止剤（Ｆ１）の構造式から算出される分子量を意味する。

また、金属部におけるマイグレーションの発生をより一層抑制する観点からは、上記酸化防止剤（Ｆ１）はフェノール系酸化防止剤であることが特に好ましい。

上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記酸化防止剤（Ｆ１）の含有量は好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは５重量部以上、好ましくは５０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下である。上記酸化防止剤（Ｆ１）の含有量が上記下限以上及び上限以下であると、光半導体装置において封止剤の変色をより一層抑制でき、光半導体装置から発せられる光度の低下をより一層抑制できる。さらに、上記酸化防止剤（Ｆ１）の含有量が上記下限以上及び上限以下であると、耐熱性により一層優れた成形体が得られる。

（カップリング剤（Ｇ））
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、カップリング剤（Ｇ）をさらに含んでいてもよい。カップリング剤（Ｇ）の使用により、成形体において熱硬化性成分と酸化チタン（Ｃ）と充填材（Ｄ）との接着性が良好になる。カップリング剤（Ｇ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記カップリング剤（Ｇ）としては特に限定されないが、例えば、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤が挙げられる。該シランカップリング剤としては、一般にエポキシシラン系カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、カチオニックシラン系カップリング剤、ビニルシラン系カップリング剤、アクリルシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤及びこれらの複合系カップリング剤が挙げられる。カップリング剤（Ｇ）は、シランカップリング剤であることが好ましい。

上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記カップリング剤（Ｇ）の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、好ましくは５重量％以下である。

（他の成分）
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、必要に応じて、離型剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。

上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外線吸収剤及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。

（光半導体装置用白色硬化性組成物の他の詳細及び光半導体装置用成形体）
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成形体は、光半導体装置用成形体であり、光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。

光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。

光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記成形体は、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましく、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成形体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合（ダイボンディング）するためのダイボンド材とは異なる。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体がリードフレーム及び白色硬化性組成物の内の少なくとも一方を介して連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられることが好ましい。分割の方法としては、金型による打ち抜きや、ダイシングなどの方法が挙げられる。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた分割前成形体の加工性は高いので、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得ても、成形体にクラック及び欠けを生じ難くすることができる。

上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）と酸化チタン（Ｃ）と充填材（Ｄ）と酸化防止剤（Ｆ１）と必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記白色硬化性樹脂組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。１５〜１５０℃で５〜４０分間混練することが好ましく、２０〜１００℃で１０〜３０分間混練することがより好ましい。

本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は所定の形状に成形される。本発明に係る光半導体装置用成形体は、光半導体装置において金属部と接触するように用いられることが好ましく、電極と接触するように用いられることがより好ましい。上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。

上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いて上記光半導体装置用成形体を得る方法としては、圧縮成形法、トランスファー成形法、積層成形法、射出成形法、押出成形法及びブロー成形法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成形法が好ましい。

トランスファー成形法では、例えば、成形温度１００〜２００℃、成形圧力５〜２０ＭＰａ及び成形時間６０〜３００秒の条件で、上記光半導体装置用白色硬化性組成物をトランスファー成形することにより、成形体が得られる。

（光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態）
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置された成形体とを備え、該成形体が、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。

本発明に係る光半導体装置では、上記成形体は、上記光半導体素子の側方に配置されており、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。

図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を断面図及び斜視図で示す。

本実施形態の光半導体装置１は、リードフレーム２と光半導体素子３と第１の成形体４と第２の成形体５とを有する。光半導体素子３は発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されておらず、別の２つの部材である。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されていてもよい。

リードフレーム２上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。また、リードフレーム２上に、第１の成形体４が配置されている。また、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とには、第２の成形体５が配置されている。第１の成形体４の内側に光半導体素子３が配置されている。光半導体素子３の側方に第１の成形体４が配置されており、光半導体素子３を取り囲むように第１の成形体４が配置されている。第１，第２の成形体４，５は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物の硬化物であり、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。従って、第１の成形体４は、光反射性を有し、内面４ａに光反射部を有する。すなわち、第１の成形体４の内面４ａは光反射部である。従って、光半導体素子３の周囲は、第１の成形体４の光反射性を有する内面４ａにより囲まれている。

第１の成形体４の内面４ａは、内面４ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面４ａに到達した矢印Ｂで示す光が内面４ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。

光半導体素子３は、リードフレーム２上に、ダイボンド材６を用いて接続されている。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー７を封止するように、第１の成形体４の内面４ａで囲まれた領域内には、封止剤８が充填されている。

光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。光半導体装置１では、光半導体素子３からリードフレーム２の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第１の成形体４の内面４ａに到達した光が矢印Ｂで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置１から取り出される光の明るさは明るい。

なお、図１に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成形体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。

また、図２に示すように、複数の光半導体装置用部品が連なった分割前光半導体装置用部品１１を用意して、分割前光半導体装置用部品１１を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置用部品を得てもよい。分割前光半導体装置用部品１１は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。個々の光半導体装置用部品得た後、光半導体素子３を搭載し、該光半導体素子３を封止剤８により封止して、光半導体装置１を得てもよい。分割前リードフレーム２Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、リードフレーム２が得られる。分割前第１の成形体４Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第１の成形体４が得られる。分割前第２の成形体５Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第２の成形体５が得られる。

さらに、図３に示すように、複数の分割前光半導体装置が連なった分割前光半導体装置１２を用意して、分割前光半導体装置１２を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置を得てもよい。分割前光半導体装置１２は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。また、図１に示す光半導体装置１と同様に、分割前光半導体装置１２では、分割前リードフレーム２Ａ上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。なお、図２，３では、分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置では、複数の成形体が連なって分割前成形体が形成されているが、複数の成形体が連なっていない分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置を分割して、光半導体装置用部品及び光半導体装置を得てもよい。

以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。

実施例、参考例及び比較例では、以下の材料を用いた。

（エポキシ化合物（Ａ））
１）ＹＤ−０１３（芳香族骨格を有するビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量８５０、新日鐵化学社製）
２）ＹＤＣＮ７０４（芳香族骨格を有するクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０、新日鐵化学社製）
３）ＥＨＰＥ３１５０（脂環式骨格を有するエポキシ樹脂、エポキシ当量１８０、ダイセル化学社製）

（硬化剤（Ｂ））
１）リカシッドＨＨ（ヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製）
２）リカシッドＭＨ−７００（ヘキサヒドロ無水フタル酸とメチルヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物、新日本理化社製）
３）ＤＩＣＹ７（ジシアンジアミド、三菱化学社製）

（酸化チタン（Ｃ））
１）ＣＲ−９０（ルチル型酸化チタン、Ａｌ，Ｓｉにより表面処理されている、石原産業社製）
２）ＣＲ−５８（ルチル型酸化チタン、Ａｌにより表面処理されている、石原産業社製）

（充填材（Ｄ））
１）ＳＥ−４０（球状シリカ、平均粒径３７μｍ、トクヤマ社製）
２）３Ｋ−Ｓ（破砕シリカ、平均粒径３５μｍ、龍森社製）
３）ＭＳＳ−７（球状シリカ、平均粒径７μｍ、龍森社製）
４）ＸＪ−７（破砕シリカ、平均粒径６μｍ、龍森社製）
５）ＢＭＨ−Ｄ（硫酸バリウム、平均粒径３．５μｍ、堺化学社製）

（硬化促進剤（Ｅ））
１）ＳＡ１０２（ＤＢＵ−オクチル酸塩、サンアプロ社製）
２）ＰＸ−４ＥＴ（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオネート、日本化学工業社製）

（酸化防止剤（Ｆ１））
１）Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０（フェノール系酸化防止剤、分子量１１７８、構成原子が炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである、ＢＡＳＦ社製）

（酸化防止剤（Ｆ１）以外の酸化防止剤）
１）Ｉｒｇａｎｏｘ３１１４（フェノール系酸化防止剤、分子量７８４、構成原子が窒素原子を含む、ＢＡＳＦ社製）
２）ＨＣＡ（リン系酸化防止剤、分子量２１６、構成原子がリン原子を含む、三光社製）
３）Ｉｒｇａｎｏｘ１０３５（フェノール系酸化防止剤、分子量６４３、構成原子が硫黄原子を含む、ＢＡＳＦ社製）

（実施例１〜１０、参考例１２及び比較例１〜４）実施例１１は欠番とする
下記表１，２に示す各成分を下記表１，２に示す配合量で配合し、混合機（ラボプラストミルＲ−６０、東洋精機製作所社製）にて１５分間混合し、溶融混練物を得た。溶融混練物を常温で粉砕した後、タブレット化して、白色硬化性組成物を得た。

（評価）
（１）マイグレーション試験
銅素材（ＴＡＭＡＣ １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀メッキを施し、厚み０．２ｍｍのリードフレームを得た。トランスファー成形（成形温度１７５℃、成形時間３分）により上記リードフレーム上に、底面と側面と持つ凹部を有する成形体を得た。得られた成形体を１７０℃で２時間アフターキュアした。

アフターキュア後の成形体の凹部にそれぞれ封止剤を滴下した。封止剤は、シリコーン樹脂１００重量部とＹＡＧ蛍光体３０重量部とを含む。滴下後に、１５０℃で３時間封止剤を硬化させた。最後にリードフレームより切り出しを行い、試験サンプルを得た。

得られた試験サンプルを温度８５℃及び湿度８５％の条件で、５０Ｖの電圧を１０００時間印加した。１０００時間の電圧の印加後に、絶縁抵抗を室温（２３℃）で測定した。測定値からマイグレーション試験を下記の基準で判定した。

[マイグレーション試験の判定基準]
○：絶縁抵抗が１×１０^６Ω以上である
×：絶縁抵抗が１×１０^６Ω未満である

（２）耐熱性
銅素材（ＴＡＭＡＣ １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀メッキを施し、厚み０．２ｍｍのリードフレームを得た。トランスファー成形（成形温度１７５℃、成形時間３分）により上記リードフレーム上に、底面と側面と持つ凹部を有する成形体を得た。得られた成形体を１７０℃で２時間アフターキュアした。

アフターキュア後の成形体に、ＩｎＧａＮを発光層とするサファイヤ基板の青色発光の発光素子を、シリコーン樹脂接着剤を用いて載せた。発光素子とリードフレームとを直径３０μｍの金線ワイヤを用いて電気的に接続した。発光素子が底面に載せられた成形体の凹部にそれぞれ封止剤を滴下した。封止剤は、シリコーン樹脂１００重量部とＹＡＧ蛍光体３０重量部とを含む。滴下後に、１５０℃で３時間封止剤を硬化させた。最後にリードフレームより切り出しを行い、白色発光の光半導体装置を得た。

得られた光半導体装置の光度（耐熱試験前の光度）を、ＯＬ７７０（オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて測定した。その後、リフロー炉（最高温度２６０℃）に３回通し、光半導体装置の光度（耐熱試験後の光度）を測定した。耐熱試験前後の光度から光度保持率を求めた。

光度保持率は、下記式で表される。
光度保持率（％）＝（耐熱試験前の光度）／（耐熱試験後の光度）×１００

（３）リードフレームと成形体との密着性
銅素材（ＴＡＭＡＣ １９４）に、銀メッキを施し、幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ及び厚み０．２ｍｍのリードフレームを得た。トランスファー成形（成形温度１７０℃、成形時間３分）で上記リードフレーム上に、幅８ｍｍ、長さ３０ｍｍ及び厚み１ｍｍの成形体を形成し、１７０℃で２時間アフターキュアを行った。

上記リードフレーム上に形成された成形体を、成形体側を凸側となるようにリードフレームごと折り曲げた。リードフレームと成形体の剥離又は成形体の破壊が起こる折り曲げ角度を評価し、リードフレームと成形体との密着性を下記の基準で判定した。

［リードフレームと成形体との密着性の判定基準］
○○：リードフレームと成形体の剥離又は成形体の破壊が起こる折り曲げ角度が１０度を超える
○：リードフレームと成形体の剥離又は成形体の破壊が起こる折り曲げ角度が５度を超え、１０度以下
×：リードフレームと成形体の剥離又は成形体の破壊が起こる折り曲げ角度が５度以下

結果を下記の表１，２に示す。

１…光半導体装置
２…リードフレーム
２Ａ…分割前リードフレーム
３…光半導体素子
４…第１の成形体
４Ａ…分割前第１の成形体
４ａ…内面
５…第２の成形体
５Ａ…分割前第２の成形体
６…ダイボンド材
７…ボンディングワイヤー
８…封止剤
１１…分割前光半導体装置用部品
１２…分割前光半導体装置

Claims (6)

1. リードフレームと、
   前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、
   前記リードフレーム上に配置された成形体とを備え、
   前記成形体が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られており、
   前記光半導体装置用白色硬化性組成物が、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤と、カップリング剤とを含み、
   前記酸化チタンとは異なる充填材が、平均粒径が１０μｍ以上、５０μｍ以下である第１の充填材と、平均粒径１μｍ以上、１０μｍ未満である第２の充填材とを含み、
   前記酸化防止剤が、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］である、光半導体装置。
2. 前記硬化剤が、酸無水物硬化剤である、請求項１に記載の光半導体装置。
3. 前記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有するエポキシ化合物及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物の内の少なくとも１種を含む、請求項１又は２に記載の光半導体装置。
4. 前記酸化チタンがルチル型酸化チタンである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置。
5. 前記成形体が、前記光半導体素子の側方に配置されており、前記成形体の内面が前記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法であって、
   前記エポキシ化合物と、前記硬化剤と、前記酸化チタンと、前記酸化チタンとは異なる充填材と、前記硬化促進剤と、前記酸化防止剤と、前記カップリング剤とを配合して、光半導体装置用白色硬化性組成物を得る工程と、
   前記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより前記成形体を形成し、前記成形体を備える光半導体装置を得る工程とを備える、光半導体装置の製造方法。

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