JP6050595B2 - 化合物半導体基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
[Si基板]
Si基板は、一般に単結晶を成長できるものであれば特に制限されず、Siの単結晶基板が好ましく用いられる。単結晶基板は、半絶縁性基板であっても良いし、ドナー不純物やアクセプタ不純物によって、n型やp型にドーピングされた導電性基板であっても良い。
本実施形態において、第1の化合物半導体層はGaAs1-xSbx(0≦x≦1)層である。
本実施形態において、第2の化合物半導体層は、GaAs1-ySby(0<y≦1)層である。
まず、Si(111)基板の表面の有機物、金属等の汚染物質を除去した後、濃度1.0wt%のフッ化水素水溶液を用いて表面の酸化膜を除去して、水素終端処理を行った。
まず、実施例1と同様に、Si(111)基板の表面の有機物、金属等の汚染物質を除去した後、濃度1.0wt%のフッ化水素水溶液を用いて表面の酸化膜を除去して、水素終端処理を行った。
まず、実施例1と同様に、Si(111)基板の表面の有機物、金属等の汚染物質を除去した後、濃度1.0wt%のフッ化水素水溶液を用いて表面の酸化膜を除去して、水素終端処理を行った。
まず、実施例1と同様に、Si(111)基板の表面の有機物、金属等の汚染物質を除去した後、濃度1.0wt%のフッ化水素水溶液を用いて表面の酸化膜を除去して、水素終端処理を行った。
実施例3、4に対する比較例1について述べる。
実施例3、4に対する比較例2について述べる。
実施例3、4に対する比較例3について述べる。
まず、Si(111)基板の表面の有機物、金属等の汚染物質を除去した後、濃度1.0wt%のフッ化水素水溶液を用いて表面の酸化膜を除去して、水素終端処理を行った。
101 Si基板
102 第1の化合物半導体層
103 第2の化合物半導体層
Claims (8)
- Si基板上に第1の化合物半導体層を形成する工程と、
前記第1の化合物半導体層上に、前記第1の化合物半導体層を形成するときよりも高温で、第2の化合物半導体層を形成する工程と
を備える化合物半導体基板の製造方法であって、
前記第1の化合物半導体層は、GaAs1-xSbx(0≦x≦0.1)層であり、
前記第2の化合物半導体層は、GaAs1-ySby(0<y≦0.1)層であり、
前記第2の化合物半導体層を形成する工程は、Ga原料とAs原料とSb原料とを同時に照射する工程であり、
前記第2の化合物半導体層を形成する工程において、前記Sb原料の分子線強度と、前記第2の化合物半導体層の形成速度が1時間当たり1μmとなるために必要な前記Ga原料の分子線強度との比が1以上であることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。 - 前記第1の化合物半導体層は、GaAs層であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体基板の製造方法。
- 前記第2の化合物半導体層の形成速度は、1時間当たり0.05μm以上0.3μm以下
であることを特徴とする請求項1または2に記載の化合物半導体基板の製造方法。 - 前記As原料は、As2分子であることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の化合物半導体基板の製造方法。
- 前記As原料は、As4分子をクラッキングすることにより生成されることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の化合物半導体基板の製造方法。
- Si基板と、
前記Si基板上に形成された、第1の化合物半導体層と、
前記第1の化合物半導体層上に形成された、第2の化合物半導体層と
を備えた化合物半導体基板であって、
前記第1の化合物半導体層は、GaAs1-xSbx(0≦x≦0.1)層であり、
前記第2の化合物半導体層は、GaAs1-ySby(0<y≦0.1)層であり、
前記第2の化合物半導体層の、前記Si基板の面方位と同じ面に対応するX線回折ピークのロッキングカーブの、FWHM値は、700秒以下であり、且つ
前記第2の化合物半導体層の10μm四方の領域における、表面粗さの二乗平均値Rrms値は、3nm以下であることを特徴とする化合物半導体基板。 - 前記第1の化合物半導体層は、GaAs層であり、
前記第2の化合物半導体層の、前記Si基板の面方位と同じ面に対応するX線回折ピークのロッキングカーブの、FWHM値は、600秒以下であり、且つ
前記第2の化合物半導体層の10μm四方の領域における、表面粗さの二乗平均値Rrms値は、3nm以下であることを特徴とする請求項6に記載の化合物半導体基板。 - 前記第1の化合物半導体層は、GaAs層であり、
前記第2の化合物半導体層の、前記Si基板の面方位と同じ面に対応するX線回折ピークのロッキングカーブの、FWHM値は、500秒以下であり、且つ
前記第2の化合物半導体層の10μm四方の領域における、表面粗さの二乗平均値Rrms値は、2nm以下であることを特徴とする請求項6に記載の化合物半導体基板。
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