JP6050367B2 - 触媒電極を作製する方法 - Google Patents
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Description
本出願は、開示が全体で本明細書に参考として組み込まれている、2011年10月10日に出願の米国特許仮出願第61/545409号の利益を主張する。
少なくともPt及びIrをナノ構造化ホイスカー上にスパッタリング(物理蒸着の形態)して、それぞれ任意の順序でPt及びIrを含む複数の交互層を提供する工程、及び
それぞれPt及びIrを含む複数の交互層の少なくとも一部を、少なくとも部分的に、少なくとも2kPa(一部の実施形態では、少なくとも5kPa、10kPa、又は更に少なくとも20kPa)の絶対酸素分圧の酸素を含む雰囲気中で、ラジエーションアニーリング(例えば、レーザーアニーリング)する工程を含む、触媒電極を作製する方法を記述する。一部の実施形態では、このPt及びIrは10:1〜1:10の範囲の原子比で存在する。典型的には、Irを含む層は、少なくとも30原子%(一部の実施形態では、少なくとも40、50、60、70、80、90、95、又は更に100原子%)のIrを含有する。
少なくともPt及びIrをナノ構造化ホイスカー上にスパッタリングして、それぞれ任意の順序でPt及びIrを含む複数の交互層を提供し、ここでこの複数の交互層の少なくとも一部が最大20オングストローム厚(一部の実施形態では、15、10、5オングストローム未満、又は更に2オングストローム未満厚)である工程を含む、触媒電極を作製する方法を記述する。一部の実施形態では、このPt及びIrは5:1〜1:5の範囲の原子比で存在する。典型的には、Irを含む層は、少なくとも30原子%(一部の実施形態では、少なくとも40、50、60、70、75、80、90、又は更に100原子%)のIrを含有する。
少なくともPt、Ir、及びRuをナノ構造化ホイスカー上にスパッタリングして、それぞれ任意の順序でPt、Ir、及びRuを含む複数の交互層を提供する工程を含む、触媒電極を作製する方法を記述する。一部の実施形態では、このPt、Ir、及びRuは、0.1:5:5〜10:0.05:0.05mの原子比で存在する。一部の実施形態では、この方法は、例えば、直前のパスから0.25mmずらした5つの連続パスで表面上を約7.5m/秒で走査する間に30μ秒パルスの形で20kHzの繰り返し速度で送達される30.7Wの平均ビーム出力及び1mmの平均ビーム幅を有する10.6μm波長のCO2レーザーにより、このナノ構造化薄膜触媒を少なくとも部分的に空気中で、少なくとも20mJ/mm2の入射エネルギーフルエンスの照射によりラジエーションアニーリング(例えば、レーザーアニーリング)する工程を更に含む。典型的には、Ptを含む層は、少なくとも10原子%(一部の実施形態では、少なくとも20、25、30、40、50、60、70、75、80、90、又は更に100原子%)のPtを含有する。典型的には、Irを含む層は、少なくとも5原子%(一部の実施形態では、少なくとも10、20、25、30、40、50、60、70、75 80、90、又は更に100原子%)のIrを含有する。典型的には、Ruを含む層は、少なくとも5原子%(一部の実施形態では、少なくとも10、20、25、30、40、50、60、70、75、80、90、又は更に100原子%)のRuを含有する。
それぞれ任意の順序でPt及びIr(又は他のアノード触媒)を含む複数の交互層をその上に有するナノ構造化ホイスカーを含むアノード触媒及びカソードを含む膜電極アセンブリを準備する工程;
この触媒に接触する水を提供する工程;及び
この膜電極アセンブリ(すなわち、アノード対カソード)に充分な電流を与える電位を付与して、このカソード及びアノード上でこの水の少なくとも一部を水素及び酸素に変換する工程を含む、方法により水から発生させることができる。典型的には、Ptを含む層は、少なくとも30原子%(一部の実施形態では、少なくとも40、50、60、70、75、80、90、又は更に100原子%)のPtを含有する。典型的には、Irを含む層は、少なくとも10%(一部の実施形態では、少なくとも20、25、30、40、50、60、70、75、80、90、又は更に100原子%)のIrを含有する。
任意の順序でPt及びIr(又は他のアノード触媒)を含むその上に多数の交互層を有するナノ構造化ホイスカーを含むアノード触媒及びカソードを含む膜電極アセンブリを準備する工程;
このアノード触媒に接触する水を提供する工程;及び
この膜電極アセンブリ(すなわち、アノード対カソード)に充分な電流を与える電位を付与して、このカソード及びアノード上でこの水の少なくとも一部を水素及び酸素に変換する工程を含む方法による。一部の実施形態では、このPt、Ir、及びRuは、0.1:5:5〜10:0.05:0.05の範囲の原子比で存在する。
1A.触媒電極を作製する方法であって:
少なくともPt及びIrをナノ構造化ホイスカー上にスパッタリングして、それぞれ任意の順序でPt及びIrを含む複数の交互層を提供する工程;及び
それぞれPt及びIrを含む複数の交互層の少なくとも一部を、少なくとも部分的に、少なくとも2kPa(一部の実施形態では、少なくとも5kPa、10kPa、又は更には少なくとも20kPa)の絶対酸素分圧の酸素を含む雰囲気中で、ラジエーションアニーリング(例えば、レーザーアニーリング)する工程を含む、方法。
2A.上記ラジエーションアニーリングが少なくとも20mJ/mm2の入射エネルギーフルエンスで少なくとも一部行われる、実施形態1Aに記載の方法。
3A.上記Pt及びIrが、10:1〜1:10の範囲の原子比で存在する、実施形態1A又は2Aに記載の方法。
4A.上記Ptが第1のターゲットからスパッタリングされ、及び上記Irが第2のターゲットからスパッタリングされる、実施形態1A〜3Aのいずれか一項に記載の方法。
5A.上記Pt及びIrの少なくとも一部が共通のターゲットからスパッタリングされる、実施形態1A〜3Aのいずれか一項に記載の方法。
6A.上記複数の交互層が最大1mg/cm2の触媒金属を合計で含む、実施形態1A〜5Aのいずれか一項に記載の方法。
7A.上記複数の交互層が0.15mg/cm2のPtを合計で含む、実施形態1A〜6Aのいずれか一項に記載の方法。
8A.上記複数の交互層がIrを含む最外層を有する、実施形態1A〜7Aのいずれか一項に記載の方法。
9A.上記複数の交互層の少なくとも一部が少なくとも1つの遷移金属又はこれらの酸化物を更に含む、実施形態1A〜8Aのいずれか一項に記載の方法。
10A.上記ホイスカーが支持体に取り付けられている、実施形態1A〜9Aのいずれか一項に記載の方法。
11A.上記支持体が膜であり、及び上記方法が、上記ナノ構造化ホイスカーを膜に取り付けるのに先立ちカチオン不純物を除去するために、酸洗浄を更に含む、実施形態10Aに記載の方法。
12A.上記支持体がその表面の少なくとも1つの上に微細構造を有する、実施形態10Aに記載の方法。
1B.触媒電極を作製する方法であって:
少なくともPt及びIrをナノ構造化ホイスカー上にスパッタリングして、それぞれ任意の順序でPt及びIrを含む複数の交互層を提供し、上記複数の交互層の少なくとも一部が最大20(一部の実施形態では、15、10未満、又は更には5未満)オングストローム厚である工程を含む、方法。
2B.上記スパッタリングがアルゴン及び酸素の混合物を少なくとも含む雰囲気中で少なくとも部分的に行われ、及びスパッタリングチャンバー中へのアルゴン:酸素流量の比が少なくとも113sccm/7sccmである、実施形態1Bに記載の方法。
3B.上記Pt及びIrが1:5〜5:1の範囲の原子比で存在する、実施形態1B又は2Bのいずれか一項に記載の方法。
4B.上記Ptが第1のターゲットからスパッタリングされ、及び上記Irが第2のターゲットからスパッタリングされる、実施形態1B〜3Bのいずれか一項に記載の方法。
5B.上記Pt及びIrの少なくとも一部が共通のターゲットからスパッタリングされる、実施形態1B〜3Bのいずれか一項に記載の方法。
6B.上記複数の交互層が最大1mg/cm2の触媒金属を合計で含む、実施形態1B〜5Bのいずれか一項に記載の方法。
7B.上記複数の交互層が0.15mg/cm2のPtを合計で含む、実施形態1B〜6Bのいずれか一項に記載の方法。
8B.上記複数の交互層がIrを含む最外層を有する、実施形態1B〜7Bのいずれか一項に記載の方法。
9B.上記複数の交互層の少なくとも一部が少なくとも1つの遷移金属又はこれらの酸化物を更に含む、実施形態1B〜8Bのいずれか一項に記載の方法。
10B.上記ホイスカーが支持体に取り付けられている、実施形態1B〜9Bのいずれか一項に記載の方法。
11B.上記支持体が膜であり、及び上記方法が、上記ナノ構造化ホイスカーを膜に取り付けるのに先立ちカチオン不純物を除去するために、酸洗浄を更に含む、実施形態10Bに記載の方法。
12B.上記支持体がその表面の少なくとも1つの上に微細構造を有する、実施形態10Bに記載の方法。
1C.触媒電極を作製する方法であって:
少なくともPt、Ir及びRuをナノ構造化ホイスカー上にスパッタリングして、それぞれ任意の順序でPt、Ir及びRuを含む複数の交互層を提供する工程を含む、方法。
2C.上記ナノ構造化薄膜触媒を少なくとも一部空気中で照射により少なくとも20mJ/mm2の入射エネルギーフルエンスでラジエーションアニーリング(例えば、レーザーアニーリング)することを更に含む、実施形態1Cに記載の方法。
3C.上記複数の交互層の三層組が、Pt、Ru、及びIrの順番でそれぞれ含む、実施形態1C又は2Cのいずれかに記載の方法。
4C.上記複数の交互層の三層組が、Ir、Pt、及びRuの順番でそれぞれ含む、実施形態2C又は3Cのいずれかに記載の方法。
5C.上記複数の交互層の三層組が、Ir、Ru、及びPtの順番でそれぞれ含む、実施形態2C又は3Cのいずれかに記載の方法。
6C.上記複数の交互層の三層組が、Ru、Pt、及びIrの順番でそれぞれ含む、実施形態2C又は3Cのいずれか一記載の方法。
7C.上記複数の交互層の三層組が、Ru、Ir、及びPtの順番でそれぞれ含む、実施形態2C又は3Cのいずれかに記載の方法。
8C.上記層の少なくとも一部が最大50オングストロームの厚さである、実施形態1C〜7Cのいずれか一項に記載の方法。
9C.上記Pt、Ir、及びRuが0.1:5:5〜10:0.05:0.05の範囲の原子比で存在する、実施形態1C〜8Cのいずれか一項に記載の方法。
10C.上記Ptが第1のターゲットからスパッタリングされ、上記Irが第2のターゲットからスパッタリングされ、及び上記Ruが第3のターゲットからスパッタリングされる、実施形態1C〜9Cのいずれか一項に記載の方法。
11C.上記Pt、Ir、及びRuの少なくとも2つの少なくとも一部が共通のターゲットからスパッタリングされる、実施形態1C〜9Cのいずれか一項に記載の方法。
12C.上記複数の交互層が最大1mg/cm2の触媒金属を合計で含む、実施形態1C〜11Cのいずれか一項に記載の方法。
13C.上記複数の交互層が0.15mg/cm2のPtを合計で含む、実施形態1C〜12Cのいずれか一項に記載の方法。
14C.上記複数の交互層がIr又はその酸化物の少なくとも1つを含む最外層を有する、実施形態1C〜13Cのいずれか一項に記載の方法。
15C.上記複数の交互層の少なくとも一部が少なくとも1つの遷移金属又はこれらの酸化物を更に含む、実施形態1C〜14Cのいずれか一項に記載の方法。
16C.上記ホイスカーが支持体に取り付けられている、実施形態1C〜15Cのいずれか一項に記載の方法。
17C.上記支持体が膜であり、及び上記方法が、上記ナノ構造化ホイスカーを膜に取り付けるのに先立ちカチオン不純物を除去するために、酸洗浄を更に含む、実施形態16Cに記載の方法。
18C.上記支持体がその表面の少なくとも1つの上に微細構造を有する、実施形態16Cに記載の方法。
1D.水から水素及び酸素を発生させる方法であって、上記方法が:
それぞれ任意の順序でPt及びIr(又は他のアノード触媒)を含む複数の交互層をその上に有するナノ構造化ホイスカーを含むアノード触媒、及びカソードを含む膜電極アセンブリを準備する工程;
上記触媒に接触する水を提供する工程;及び
上記膜電極アセンブリ(すなわち、アノード対カソード)に充分な電流を与える電位を付与して、上記カソード及びアノード上で上記水の少なくとも一部を水素及び酸素に変換する工程を含む、方法。
2D.Ruを含む層を更に含む、実施形態1Dに記載の方法。
3D.上記複数の交互層の三層組が、Pt、Ru、及びIrの順番でそれぞれ含む、実施形態1D又は2Dのいずれかに記載の方法。
4D.上記複数の交互層の三層組が、Ir、Pt、及びRuの順番でそれぞれ含む、実施形態1D又は2Dのいずれかに記載の方法。
5D.上記複数の交互層の三層組が、Ir、Ru、及びPtの順番でそれぞれ含む、実施形態1D又は2Dのいずれかに記載の方法。
6D.上記複数の交互層の三層組が、Ru、Pt、及びIrの順番でそれぞれ含む、実施形態1D又は2Dのいずれかに記載の方法。
7D.上記複数の交互層の三層組が、Ru、Ir、及びPtの順番でそれぞれ含む、実施形態1D又は2Dのいずれかに記載の方法。
8D.上記層の少なくとも一部が最大50オングストロームの厚さである、実施形態1D〜7Dのいずれか一項に記載の方法。
9D.上記Pt、Ir、及びRuが0.1:5:5〜10:0.05:0.05の範囲の原子比で存在する、実施形態1D〜8Dのいずれか一項に記載の方法。
10D.上記複数の交互層が最大2mg/cm2の触媒金属を合計で含む、実施形態1D〜9Dのいずれか一項に記載の方法。
11D.上記複数の交互層が0.15mg/cm2のPtを合計で含む、実施形態1D〜10Dのいずれか一項に記載の方法。
12D.上記複数の交互層がIr、Ru、又はその酸化物の少なくとも1つを含む最外層を有する、実施形態1D〜11Dのいずれか一項に記載の方法。
13D.上記複数の交互層の少なくとも一部が少なくとも1つの遷移金属又はこれらの酸化物を更に含む、実施形態1D〜12Dのいずれか一項に記載の方法。
参照により全体として本明細書に組み込まれている、米国特許第4,812,352号(Debe)に詳述されているように、名目厚さ200nmの微細構造化転写ポリマー基材(MCTS)の上に昇華真空被覆した、ペリレン赤色顔料(「PR149」としても知られているC.I.Pigment Red 149(Clariant(Charlotte,NC)から入手))の層をサーマルアニーリングすることにより、ナノ構造化ホイスカーを作製した。
ナノ構造化ホイスカー(上述のような作製した)の層の上に触媒膜をスパッタリングコーティングすることにより、ナノ構造化薄膜(NSTF)触媒層を作製した。
上述の触媒被覆ホイスカーを、米国特許第5,879,827号(Debeら)で詳述した方法を用いて、プロトン交換膜(PEM)の一方の表面(1/2−CCM)又は両方の表面(フルCCM)上に転写することにより、触媒被覆膜(CCM)を作製した。触媒転写を、3M Company(St.Paul,MN)により製造、販売されている、名目等価重量850及び厚さ35μm(作製したまま使用)のペルフルオロスルホン酸膜、又は等価重量1100の7mil(175μm)厚の膜(商品名「NAFION 117」でE.I.du Pont de Nemours(Wilmington,DE)から入手)のいずれかの上に高温ロールラミネーションにより行った。商品名「NAFION 117」で入手した膜を酸で予備洗浄して、カチオン不純物を除去した。CCMを850等価重量PEM(3M Companyから入手可能)により作製し、高温ロール温度を350°F(177℃)とし、及びラミネーターロールがニップで合体するようにフィードするガスライン圧力を、150〜180psi(1.03MPa〜1.24MPa)の範囲とし、他方膜(「NAFION 117」)に対しては、高温ロール温度を350°F(177℃)とし、及びラミネーターロールがニップで合体するようにフィードするガスライン圧力を、120〜150psi(0.83MPa〜1.03MPa)の範囲とした。触媒を被覆したMCTSを13.5cm×13.5cmの正方形の形状に予備切断し、より大きな正方形のPEMの片面又は両面上で挟んだ。の触媒被覆MCTSをPEMの片面又は両面上に付けたPEMを、2mil(50μm)厚のポリイミドフィルムと外面上に被覆した紙との間に配置し、その後重ねたアセンブリを高温ロールラミネーターのニップに1.2ft/分(37cm/分)の速度で通した。アセンブリがなお温かい間にニップに通した直後、ポリイミド及び紙の層を急いで取り除き、PEM表面にくっついた触媒被覆ホイスカーを残しながら、CCM(又は1/2−CCM)からCr被覆MCTS基材を手で剥離した。
次いで、上述のように作製したフルCCMをH2/O2電解装置の単一のセルで試験した。フルCCMを、適切なガス拡散層と共にクアッドサーペンチン流れ場の50cm2試験セル(Fuel Cell Technologies(Albuquerque,NM)から入手)の中に直接に設置した。アノード側の標準グラファイト流れ場ブロックを、同一の寸法及び電解装置運転時の高いアノードに耐える流れ場設計のPtをメッキしたTi流れ場ブロックで置き換えた。抵抗18MΩの精製した水をアノードに300mL/分で供給した。320A/15W電源(商品名「HP 6950L/T60」の下でHewlett Packard Company(Palo Alto,CA)から入手)をセルに加え、印加したセル電圧又は電流密度の制御に使用した。性能が安定化するまで、セルを90℃及び4A/cm2で4時間以上運転することにより、セルをコンディショニングした。
上述のように作製したPEM(「NAFION 117」)系1/2−CCMを2mg/cm2の市販の触媒ブラックを付けた標準電極を対向電極として取り付けたほかは、フルCCMの試験方法に従って試験した。上述で作製した1/2−CCMをカソードとして試験する場合には、アノードとして使用される標準電極はPtIr−ブラックを含むものとした。上述で作製した1/2−CCMをアノードとして試験する場合には、カソードとして使用される標準電極はPt−ブラックを含むものとした。
上述したように作製したナノ構造化ホイスカーを、純粋なAr中でナノ構造化薄膜(NSTF)触媒層の一般的な作製方法に従って純粋なPtコーティングでスパッタリングコートした。純粋なPtを装填量0.2mg/cm2で堆積した。酸洗浄した膜(「NAFION 117」)を用いて得られたNSTF−Pt触媒層付きのフルCCMを上述の高温ロールラミネーション法により作製した。フルCCMを50cm2電解装置セルに搭載し、フルCCMの一般的な試験方法に従って試験して、図2に示す分極曲線20を得た。
PtIr合金コーティングを純粋なAr中でナノ構造化ホイスカー上にスパッタリング堆積したことを除いて、比較例Bを比較例Aと同一の方法で作製した。PtIr合金はPt50Ir50であり、16オングストロームの二層厚さに堆積した。触媒コーティングは、Pt:Irの二層を50:50原子比で合計Pt装填量0.15mg/cm2まで含有した。酸で洗浄した膜(「NAFION 117」)を用い、得られたNSTF−Pt50Ir50触媒層を用い、CCMの一般的な作製方法に従って1/2−CCMを作製した。標準カソードが2mg/cm2 Pt−ブラックである、膜(「NAFION 117」)系1/2−CCMの一般的な試験方法を用いて、得られた1/2−CCMをアノードとして試験した。比較例Bに対して得られた分極曲線21を図2に示す。
比較例Cを作製するために、最初に、16オングストロームの二層厚として堆積されたPt50Ir50合金を含有するNSTF触媒層を作製した。得られたNSTF触媒層は、比較例Bに対して上述したようにPt:Ir 50:50原子比の二層及び0.15mg/cm2 Pt装填量を有するものであった。次いで、NSTF触媒層の作製に対して上述した方法を用いて、純粋なAr中でスパッタリングコーティングすることにより、Pt68Co29Mn3合金を含有する第2のNSTF触媒層を作製した。Pt及びCo10Mn1の2つの連続ターゲットを使用して、最大0.15mg/cm2のPt装填量の5nmの厚さの二層を形成した。フルCCMをCCMの作製に対して上述した高温ロールラミネーション法により作製した。第1及び第2のNSTF触媒層を酸で洗浄した膜(「NAFION 117」)のいずれかの面に貼り合わせた。フルCCMを、フルCCMの試験に対して上述した方法を用いて試験した。比較例Cに対して得られた分極曲線22を図2に示す。
アノード上に2mg/cm2のPtIr−ブラック及びカソード上に2mg/cm2のPt−ブラックを付けた膜(「NAFION 117」)上のフルCCMを作製し、フルCCMの試験に対する方法を用いて試験した(ベースラインとして使用される)。生成分極曲線23を図2に示す。
実施例1 NSTF触媒を比較例B(NSTF−Pt50Ir50合金について述べたようにナノ構造化ホイスカー上16オングストロームの二層厚さ及び0.15mg/cm2のPt装填量で作製した)。次いで、開示が参照により全体として本明細書に組み込まれている2010年4月26日出願の米国特許出願シリアル番号第61/328,064号で記述されているレーザー走査システム及び配置を用いて、触媒層を空気中外周圧力でレーザーアニーリングした。CO2レーザー走査速度は4.5m/秒であり、パルス長は30μ秒であり、走査繰り返し速度は20kHzであり、「ハッチ」又は試料にわたっての各走査の間のビームの変位は0.25mmであり、スポットの大きさは250μmであり、及び室力設定は最大出力の52%であった。平均ビーム出力は30.7Wであった。
CCMの一般的な作製方法に従ってレーザーアニーリングした触媒を35μm厚の850等価重量のPEM(3M Company)上に貼り合わせ転写することにより、1/2−CCMを作製した。得られた1/2−CCMを、等価重量792、厚さ100μm及び標準カソード2mg/cm2 Pt−ブラックの膜(「NAFION 117」)により作製した別の1/2−CCMにPEM対PEMで350°F(177℃)で接合した。次いで、完成したCCMをフルCCMの試験方法に従って試験した。生成分極曲線25dを図2に示す。実施例1に対する曲線を35で表示した、一定電流密度での電圧対時間曲線のプロットを図3に示す。
NSTF触媒層の作製について上述した方法を用いて、実施例2のNSTF触媒(NSTF−Pt50(Ir25Ru25))を堆積した。3つの別のターゲットからPt、Ir、及びRuを相対流量113sccm及び7sccmのO2入りのAr中でスパッタリングすることにより、実施例2のNSTF触媒層を作製した。得られたNSTF触媒層は0.15mgPt/cm2の触媒装填量を有し、及び各三層は10オングストロームの厚さであった。
スパッタリングをチャンバーの中へのO2の追加流れを添加せずに純粋なAr中で行ったことを除いて、実施例3を実施例2と同一の方法(実施例2と同一の触媒組成物及び装填量)で作製した。加えて、レーザーアニーリングを4% H2入りのN2の大気圧以下の圧力(200Torr(26.7KPa))の実質的に酸素を含まない環境で行ったこと、及びレーザー出力を最大の48%としたことの顕著な差異を除いて、実施例3のNSTF触媒層を実施例1におけるようにレーザーアニーリングした。実施例3のNSTF触媒層を1/2−CCMとし、実施例1と同一の方法で試験した。生成分極曲線27を図2に示す。実施例3に対する曲線を37で表示した、一定電流密度での電圧対時間曲線のプロットを図3に示す。
Claims (4)
- 触媒電極を作製する方法であって:
少なくともPt及びIrをナノ構造化ホイスカー上にスパッタリングし、Pt及びIrをそれぞれ任意の順序で含む複数の交互層を提供する工程、及び
Pt及びIrをそれぞれ含む前記複数の交互層の少なくとも一部を、少なくとも部分的に、少なくとも2kPaの絶対酸素分圧の酸素を含む雰囲気中で、ラジエーションアニーリングする工程、
を含む、方法。 - 前記ラジエーションアニーリングする工程が、少なくとも20mJ/mm2の入射エネルギーフルエンスで、少なくとも部分的に行われ、かつ、前記Pt及び前記Irが、10:1〜1:10の範囲の原子比で存在する、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の交互層の少なくとも一部分が、20オングストローム以下の厚さである、請求項1に記載の方法。
- 触媒電極を作製する方法であって:
少なくともPt、Ir、及びRuをナノ構造化ホイスカー上にスパッタリングして、Pt、Ir、及びRuをそれぞれ任意の順序で含む複数の交互層を提供する工程、及び
Pt、Ir、及びRuをそれぞれ含む前記複数の交互層の少なくとも一部を、少なくとも部分的に、少なくとも2kPaの絶対酸素分圧の酸素を含む雰囲気中で、ラジエーションアニーリングする工程、
を含む、方法。
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