JP6050261B2 - 半導体デバイスを含む光電池及び該光電池を含む光起電モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、光電池用の基材の分野に関する。より具体的に言えば、それは1つの面に少なくとも1つの電極を備えたフロートガラスの板を少なくとも1つ含む光電池用基材に関する。
薄膜の光起電材料、典型的にはCdTe又はCu(In,Ga)Se2(CIGS)製の材料を用いることは、高価なシリコン基材の代わりにガラスの板を含む基材を用いることを可能にする。光起電力特性を有する材料、及び一般に電極は、蒸着、スパッタリング、化学気相成長(CVD)あるいは昇華(CSS)タイプの被着プロセスによりガラス板上に薄膜として被着させられる。ガラス板は一般に、被着中又は被着後に高温に加熱する必要があり(徐冷処理、セレン化処理など)、その結果ほぼ500℃以上程度の温度にさらされる。これらの処理は、例えば、層の結晶性を向上させ、その結果それらの電子伝導又は光起電力特性を向上させることを可能性にする。
しかし、高温には、ガラス板が標準的なソーダ石灰シリカガラス製である場合その変形を生じさせるという欠点がある。
耐熱性のより高いガラスが提案されているが、それらは例えば高価な原料(例えばバリウム又はストロンチウムキャリヤ)を使用するため、あるいは特に高い融点のために、製造原価が高い。その上、これらの材料のうちの一部はフロート法によるガラスの作製にとってそれら自体を不十分にする。
例えば米国特許出願公開第2010/0300535号明細書及び同第2011/0017297号明細書から知られているのは、CIS光電池の製造中に用いられる高温に対する耐性の改善されたアルミノケイ酸塩タイプのガラス組成物である。しかし、アルミノケイ酸塩(又はホウケイ酸塩)ガラスはより引掻き傷を受けやすく、高い密度のために重量がより大きく、そしてまた屈折率がより高く、光電池の製造者に電極の、特にモリブデン電極のレーザーエッチング工程でレーザーの焦点設定を変更することを要請する。
米国特許出願公開第2010/0300535号明細書 米国特許出願公開第2011/0017297号明細書
本発明の目的は、薄膜光起電材料、特にCdTe又はCu(In,Ga)Se2(CIGS)製の材料をベースとした電池の製造の際に用いられる方法との相性をよくする、また更にフロート法により且つ非常に有利な経済的条件下でガラスを製造するのを可能にする、向上した耐熱性を有するガラス組成物を提案することによって、これらの欠点を克服することである。
この目的のために、本発明が対象とするものの一つは、1つの面に少なくとも1つの電極を備えたフロートガラスの板を少なくとも1枚含む光電池用基材であって、当該ガラスが下記の成分を下記に規定した範囲内で変動する重量含有量でもって含む化学組成を有することを特徴とする光電池用基材である。
SiO2 69〜75%
Al23 0〜3%
CaO+MgO 11〜16.2%
MgO 0〜6.5%
Na2O 9〜12.4%、特に9〜12%
2O 0〜1.5%
標準的なガラスと同じようにソーダ石灰シリカタイプのものであるとは言え、これらの組成物は意外なことに、ガラス基材に高い耐熱性を付与するのを可能にし、そしてそれは特に下方徐冷温度が標準的なガラスのものより少なくとも30℃高いことを特徴とする。
SiO2、Al23、CaO、MgO、Na2O、K2Oの重量含有量の合計は、好ましくは少なくとも95%、特に98%である。ガラス板のコストにとって不利にならないようにするため、SrO、BaO及び/又はZrO2の含有量はゼロであるのが有利である。アンチモン酸化物とヒ素酸化物の含有量も、これらの酸化物はフロート法との相性がよくないので、ゼロであるのが有利である。組成物の他の成分は、原料に由来する不純物(特に酸化鉄)であったり、あるいは溶融炉の耐火材料又は清澄剤の劣化による不純物(特にSO3)であったりする。
シリカ(SiO2)は、ガラスの主要な構成成分である。極端に低い含有量では、ガラスの、特に塩基性媒体中での、耐加水分解性が過度に低下する。他方で、75%より高い含有量では、ガラス粘度の不利な上昇が大きくなる。シリカ含有量は、少なくとも70%、特に71%、及び/又は最大で74%、特に73%、が好ましい。
アルミナ(Al23)は、ガラスの耐加水分解性を上昇させるとともに屈折率を低下させるのを可能にし、後者の利点は基材が光電池の前面基材の構成用である場合に特に重要である。アルミナ含有量は、少なくとも0.5%、特に1%、1.5%又は2%、及び/又は最大で2.5%であるのが好ましい。
石灰(CaO)の添加には、ガラスの高温粘度を低下させ、従ってその溶融と清澄を促進する一方で、下方徐冷温度を上昇させ、その結果熱安定性を増大させるという利点がある。しかし、この酸化物に原因があるとすることができる液相線温度と屈折率の上昇は、その含有量を制限することになる。マグネシア(MgO)は、ガラスの化学的耐久性を向上させるのとその粘度を低下させるのに有効である。しかし、含有量が多くなると、失透が激しくなるという危険をもたらす。CaO含有量は少なくとも8%、又は9%、更には10%、及び/又は最大で13%、特に12%、が好ましい。
ソーダ(Na2O)は、高温粘度と液相線温度を低下させるのに有効である。しかし、含有量が過度に多くなると、ガラスの耐加水分解性とその熱安定性が低下する一方で、コストが上昇するという結果を招く。カリ(K2O)には、同じ利点と欠点がある。Na2O含有量は少なくとも9.5%、特に10%又は11%、あるいは11.5%、及び/又は最大で12%、が好ましい。K2Oの含有量は、最大で1%、特に0.5%、更には0.3%又は0.1%、が好ましい。実際に、それはガラスの下方徐冷温度を有意に低下させるように見える。
第1の好ましい実施形態によれば、MgOの重量含有量は最大で1%、特に0.5%そして更には0.1%である。CaOの含有量は、少なくとも11.5%、あるいは更には12%が有利である。Na2O含有量は、少なくとも10%、あるいは更には11%が好ましい。それは最大で12%が有利である。特に好ましい組成物は、下記の成分を下記に規定した範囲内で変動する重量含有量でもって含む。
SiO2 71〜74.2%
Al23 0〜3%
CaO 11.5〜13%
MgO 0〜1%
Na2O 11〜12.4%、特に11〜12%
2O 0〜1.5%
第2の好ましい実施形態によれば、MgOの重量含有量は少なくとも4%、あるいは更には4.5%又は5%、及び/又は少なくとも6%である。CaOの含有量は9%と11%の間、特に9%と10.5%の間が好ましい。Na2Oの含有量は、少なくとも9.5%、あるいは更に10%、及び/又は最大で12%又は11%が有利である。特に好ましい組成物は、下記の成分を下記に規定した範囲内で変動する重量含有量でもって含む。
SiO2 70〜74%
Al23 0〜2%
CaO 9〜10.5%
MgO 4〜6.5%、特に4〜6%
Na2O 10〜11%
2O 0〜1%
第3の実施形態によれば、CaOの重量含有量は少なくとも9%、特に10%、及び/又は最大で12%、特に11%である。MgOの重量含有量は、少なくとも4%及び/又は最大で5%が好ましい。Na2O含有量は少なくとも11%が好ましい。特に好ましい組成物は、下記の成分を下記に規定した範囲内で変動する重量含有量でもって含む。
SiO2 69〜72%、特に69〜71%
Al23 1〜3%、特に1.7〜3%
CaO 10〜12%、特に10.1〜11%
MgO 4〜5%
Na2O 11〜12.4%、特に11.5〜12%
2O 0〜1%、特に0〜0.3%
ガラスは、連続炉で溶融させ、電極を用い、及び/又はオーバーヘッドバーナー及び/又は浸漬バーナー及び/又は炉のクラウンに配置したバーナーを用いて、火炎がバッチ材料又はガラス浴に効果を及ぼすように加熱される。バッチ材料は、一般に粉状であり、そして天然の材料(砂、長石、石灰石、ドロマイト、霞石閃長岩など)又は合成材料(炭酸ナトリウム又は炭酸カリウム、硫酸ナトリウムなど)を含む。バッチ材料は、炉に装填され、次いで用語の物理的意味における溶融反応と、そしてガラス浴が得られることになる種々の化学反応を受ける。溶融したガラスはその後、ガラス板がその形状を獲得する成形工程に送られる。成形は、フロート法により、すなわち溶融ガラス(ほぼ3000ポアズ程度の粘度を有する)を溶融したスズの浴上に流し込むことにより、既知のやり方で行われる。得られたガラスの帯を、所望の寸法に切断する前にその熱応力を全てなくすために、その後注意深く徐冷する。ガラス板の厚さは一般に2mmと6mmの間であり、特に2.5mmと4mmの間である。
電極は、基材と直接接触し又は少なくとも1つの副層と接触して基材上に(一般には基材の片面の全体を覆って)被着した薄膜の形をとっているのが好ましい。それは、例えば(フッ素をドープされた又はアンチモンをドープされた)酸化スズ、(アルミニウムをドープされた又はガリウムをドープされた)酸化亜鉛、又は酸化インジウムスズ(ITO)を基礎材料とする、透明で電気伝導性の薄膜であることができる。それはまた、例えばモリブデン製の、薄い金属層でもよい。基材が光電池の前面基材の形成用である場合には、下記において更に詳しく説明するように、透明な層が一般に使用される。「前面」というのは、太陽放射線が最初に通過する面を意味するものと理解される。
薄膜の形をした電極は、種々の被着法によって、例えば化学気相成長(CVD)又は、特に磁場により支援される場合のスパッタリングによる被着(マグネトロンスパッタリング法)などによって、基材上に被着させることができる。CVD法では、ハロゲン化物又は有機金属の前駆物質を気化させ、キャリヤガスにより高温ガラスの表面へ送って、それらがそこで熱の作用を受けて分解して薄膜を形成する。CVD法の利点は、フロート法によりガラス板を作製する工程内でそれを使用するのが可能であることである。よって、ガラス板がスズ浴上にあるときに、スズ浴の出口で、さもなければ徐冷炉で、すなわち機械的応力を除去するためガラス板を徐冷するときに、層を被着させることが可能である。CVD法は、フッ素をドープした又はアンチモンをドープした酸化スズの層の被着に特に好適である。スパッタリング法は、モリブデン、ドープされた酸化スズ、あるいはITOの層を被着させるのに使用するのが好ましい。
本発明が対象とするもう一つは、本発明による少なくとも1つの基材と、その少なくとも1つの基材上に被着させた光起電力特性を有する材料の少なくとも1つの薄膜とを含む半導体デバイスである。
光起電力特性を有する材料は、CdTe及びCu(In,Ga)Se2(CIGS)タイプの化合物から選択するのが好ましい。「(In,Ga)」との表現は、材料がIn及び/又はGaを全ての可能な含有量の組み合わせでもって含むことができることを意味する、すなわちIn1-xGaxを意味するものと理解され、xは0から1までの任意の値をとることが可能である。特に、xはゼロであることができる(CISタイプの材料)。光起電力特性を有する材料は、非晶質又は多結晶シリコン製であってもよい。
光起電材料は、半導体デバイス上に、電極の上に、一般には後者と接触して、被着させられる。種々の被着技術が可能であり、それらの中で蒸着、スパッタリング、化学気相成長(CVD)、電解析出、あるいは昇華(CSS)を例として挙げることができる。一例として、CIGSタイプの層の場合には、スパッタリング又は電解析出(セレン化の工程が続く)又は同時蒸着のプロセスを挙げることができる。
光起電材料の層の上に(且つ特にそれと接触して)、追加の電極を被着させてもよい。それは、例えば(フッ素をドープされた又はアンチモンをドープされた)酸化スズ、(アルミニウムをドープされた又はガリウムをドープされた)酸化亜鉛、又は酸化インジウムスズ(ITO)を基礎材料とする、透明で電気伝導性の薄膜であることができる。それはまた、例えば金で製作された又はニッケルとアルミニウムとの合金で製作された、金属層であってもよい。基材が光電池の前面基材製作用である場合には、下記においてより詳しく説明するように、透明な層が一般に使用される。光起電材料の層と追加の電極との間にバッファー層を挿入することもできる。CIGSタイプの材料の場合、それは例えばCdSの層であることができる。
本発明が対象とするもう一つは、本発明による半導体デバイスを含む光電池である。本発明の最終的な対象は、本発明による光電池を複数含む光起電モジュールである。
用いられる技術に応じて、本発明による基材は光電池の前面基材又は背面基材であることができる。一例として、CIGSを基礎材料とする光起電材料の場合は、CIGS層は一般に背面基材(一般にモリブデン製の、電極を装備した)に被着させられる。従ってそれは、この場合、先に説明した有利な化学組成を有するガラスの板を有する背面基材である。他方でCdTe技術の場合は、光起電材料は前面基材に被着されることが多く、その結果前面基材のガラス板のための前述の化学組成が用いられる。
光電池は、例えば、熱硬化性プラスチック製の、例としてPVB、PU又はEVA製の、積層中間層を用い、前面基材と裏面基材を接合することによって製作される。
第1の実施形態によると、本発明による光電池は、前面基材として本発明による基材を含み、この基材のガラス板の化学組成は最大で0.02%、特に0.015%の重量含有量の酸化鉄を更に含む。この場合、実際のところガラスの光透過率はできるだけ高いことが重要である。このガラス板は、酸化鉄(これの存在することは不可避である)以外の可視光又は赤外光(特に波長が380nmと1000nmの間の)を吸収する物質を含まないことが好ましい。特に、ガラスの組成物は次の物質から選ばれる複数の物質を含有せず、又は次の物質のうちのいずれも含有しないことが好ましく、ここで次の物質というのは遷移元素の酸化物、例えばCoO、CuO、Cr23、MnO2などや、希土類の酸化物、例えばCeO2、La23、Nd23などや、あるいは元素状態での着色剤、例えばSe、Ag、Cu、Auなどである。これらの物質は、非常に多くの場合、非常に少ない含有量で、時にはほぼ数ppm以下(1ppm=0.0001%)の含有量で、非常に強力な好ましくない着色作用を示す。更にガラスの光透過率を最大にするために、レドックス(FeOの形で表される第一鉄イオンの含有量とFe23の形で表される鉄の総含有量との比として定義される)は最大で0.2、特に0.1であるのが好ましい。ガラス板は、ISO標準規格9050:2003により計算されたエネルギー透過率(TE)が、3.2mmの厚さについて90%以上、特に90.5%以上、又は91%以上、更には91.5%以上であるようなものが好ましい。前面基材は、電極を支持しているのと反対の面に、例えば多孔質シリカ製の又は高屈折率層と低屈折率層とが交互に位置する薄膜の多層を含む、反射防止被覆を備えていてもよい。この実施形態の範囲内において、ITO製及び/又はドープされたSnO2製の電極、CdTe製の光起電材料、金製又はニッケルとアルミニウムとの合金製の追加の電極を備えた本発明による基材が一般的に用いられる。背面基材は、標準的なソーダ石灰シリカガラスで製作されるのが好ましい。
第2の実施形態によれば、本発明による光電池は背面基材として本発明による基材を含み、この基材のガラス板の化学組成は少なくとも0.05%、特に0.08〜2%、更には0.08〜0.2%の範囲内の重量含有量の酸化鉄を更に含む。この実施形態においては、モリブデン製の電極、CIGS製の光起電材料、ドープされたZnO製の追加の電極を備えた本発明による基材が一般に用いられる。この場合、酸化鉄の大きな含有量(0.5〜2%)がモリブデンの存在に起因する美的外観を補正することができる。前面基材は、標準的なソーダ石灰シリカ組成の、超透明ガラスで製作されるのが好ましい。
本発明は、限定されない典型的実施形態の以下の詳しい説明を読み込むことによってよりよく理解される。
下記の表1と表2は、本発明による特定の組成物(例1〜10)と、そしてまた標準的な組成物(比較例C1)を例示している。
これらの表は、重量による化学組成に加えて、次の物理的特性を示している。
・Sと称され、℃で表される、下方徐冷温度。
・T2と称され、℃で表される、100ポアズの粘度を有するガラスの温度。
・T3.5と称され、℃で表される、3162ポアズの粘度を有するガラスの温度。
・T3.5温度と液相線温度との差に相当する、ΔTと称され℃で表される成形マージン。
Figure 0006050261
Figure 0006050261
これらの組成物は、標準的なガラスのものよりほぼ30℃高い下方徐冷温度を有するガラスを得るのを可能にする。この結果はより良好な機械的挙動であり、そして太陽電池を製造する工程中にあまり変形しないガラス板である。
これらのガラス組成物は、正の成形マージンによって証明されるように、良好な条件下でのフロート法により製造することができる。それらは更に、引掻き傷がつきにくく、密度が低く、屈折率がモリブデン電極層をエッチングするためのプロセスに特に好適である。

Claims (10)

  1. 半導体デバイスを含む光電池であり、当該半導体デバイスは少なくとも1つの基材を当該光電池の背面基材として含むとともに、当該少なくとも1つの基材上に被着された光起電力特性を有する材料の少なくとも1つの薄膜を含み、当該光起電力特性を有する材料はCu(In,Ga)Se 2 タイプの化合物から選ばれていて、当該基材が1つの面に少なくとも1つの電極を備えたフロートガラスの板を少なくとも1枚含んでいる光電池であって、当該ガラスが下記の成分を下記に規定した範囲内で変動する重量含有量でもって含む化学組成を有しており、
    SiO2 69〜75%
    Al23 0〜3%
    CaO+MgO 11〜16.2%
    MgO 0〜6.5%
    Na2O 9〜12.4%
    2O 0〜1.5%
    当該基材のガラス板の化学組成が少なくとも0.05%の重量含有量の酸化鉄を更に含んでいることを特徴とする、半導体デバイスを含む光電池
  2. SiO2、Al23、CaO、MgO、Na2O、K2Oの重量含有量の合計が少なくとも95%である、請求項1記載の光電池
  3. MgOの重量含有量が最大で1%である、請求項1又は2記載の光電池
  4. 前記ガラスが下記の成分を下記に規定した範囲内で変動する重量含有量でもって含む化学組成を有する、請求項3記載の光電池
    SiO2 71〜74.2%
    Al23 0〜3%
    CaO 11.5〜13%
    MgO 0〜1%
    Na2O 11〜12.4%
    2O 0〜1.5%
  5. MgOの重量含有量が少なくとも4%である、請求項1又は2記載の光電池
  6. 前記ガラスが下記の成分を下記に規定した範囲内で変動する重量含有量でもって含む化学組成を有する、請求項5記載の光電池
    SiO2 70〜74%
    Al23 0〜2%
    CaO 9〜10.5%
    MgO 4〜6%
    Na2O 10〜11%
    2O 0〜1%
  7. 前記ガラスが下記の成分を下記に規定した範囲内で変動する重量含有量でもって含む化学組成を有する、請求項5記載の光電池
    SiO2 69〜72%
    Al23 1〜3%
    CaO 10〜12%
    MgO 4〜5%
    Na2O 11〜12.4%
    2O 0〜1%
  8. 前記電極がモリブデン製の薄膜である、請求項1〜7の1つに記載の光電池
  9. 当該基材のガラス板の化学組成が0.08〜2%の範囲内の重量含有量の酸化鉄を含んでいる、請求項1〜8の1つに記載の光電池。
  10. 請求項1〜9の1つに記載の光電池を複数含んでいる光起電モジュール。
JP2013557162A 2011-03-09 2012-03-08 半導体デバイスを含む光電池及び該光電池を含む光起電モジュール Expired - Fee Related JP6050261B2 (ja)

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