EA024896B1 - Подложка для фотоэлектрической ячейки - Google Patents
Подложка для фотоэлектрической ячейки Download PDFInfo
- Publication number
- EA024896B1 EA024896B1 EA201391295A EA201391295A EA024896B1 EA 024896 B1 EA024896 B1 EA 024896B1 EA 201391295 A EA201391295 A EA 201391295A EA 201391295 A EA201391295 A EA 201391295A EA 024896 B1 EA024896 B1 EA 024896B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- glass
- photovoltaic cell
- substrate
- mdo
- photovoltaic
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000005329 float glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 8
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DEPUMLCRMAUJIS-UHFFFAOYSA-N dicalcium;disodium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Na+].[Na+].[Ca+2].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DEPUMLCRMAUJIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 10,10-dioxo-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]thioxanthen-9-one Chemical compound O=C1c2ccccc2S(=O)(=O)c2ccc(cc12)-c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1ccccc1 FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 235000019738 Limestone Nutrition 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007507 annealing of glass Methods 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010459 dolomite Substances 0.000 description 1
- 229910000514 dolomite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 1
- -1 for example Polymers 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000006028 limestone Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L sodium carbonate Substances [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010435 syenite Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03925—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIIBVI compound materials, e.g. CdTe, CdS
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
Объектом изобретения является подложка для фотоэлектрической ячейки, содержащая по меньшей мере одну пластинку из флоат-стекла, снабженную с одной стороны по меньшей мере одним электродом, отличающаяся тем, что указанное стекло имеет химический состав, содержащий следующие компоненты при массовых содержаниях, изменяющихся в пределах, определенных ниже: SiO- 69-75%, AlO- 0-3%, CaO+MgO - 11-16,2%, MgO - 0-6,5%, NaO - 9-12,4%, KO - 0-1,5%.
Description
(57) Объектом изобретения является подложка для фотоэлектрической ячейки, содержащая по меньшей мере одну пластинку из флоат-стекла, снабженную с одной стороны по меньшей мере одним электродом, отличающаяся тем, что указанное стекло имеет химический состав, содержащий следующие компоненты при массовых содержаниях, изменяющихся в пределах, определенных ниже: §ίθ2 - 69-75%, А12О3 - 0-3%, СаО+МдО - 11-16,2%, М§О - 0-6,5%, На2О - 9-12,4%, К2О 0-1,5%.
024896 Β1
Изобретение относится к области подложек для фотоэлектрических ячеек. Более точно оно касается подложек для фотоэлектрических ячеек, содержащих по меньшей мере одну пластинку из флоат-стекла, снабженную с одной стороны по меньшей мере одним электродом.
Применение фотоэлектрического материала в тонких слоях, типично из СбТс Си(1п,Са)8е2 (СЮС), позволяет заменить дорогостоящие подложки из кремния на подложки, содержащие стеклянные пластинки. Материал с фотоэлектрическими свойствами и обычно электрод наносят в виде тонкого слоя способами осаждения типа испарения катодного напыления, химического осаждения из паровой фазы (СУИ) или сублимации (С88) на стеклянную пластинку. Эта пластинка обычно должна быть нагрета до высокой температуры или во время осаждения или после осаждения (отжиг, селенизация и т.д.) и подвергаться в результате этого температурам порядка 500°С или больше. Эти обработки позволяют, например, улучшить кристалличность слоев и, следовательно, их характеристики электронной проводимости или фотоэлектрические свойства.
Однако высокие температуры представляют неудобство, заключающееся в провоцировании деформации стеклянной пластинки, когда она представляет собой стандартное натриево-кальциевое силикатное стекло.
Было предложено использовать стекла с более высокой термостойкостью, но они имеют высокую себестоимость, благодаря, например, использованию дорогих исходных материалов (содержащих барий или стронций, например), или особенно высокую температуру плавления. Кроме того, некоторые из стекол мало пригодны для формования стекла флоат-способом.
Например, из заявок И8 20100300535 и И8 20110017297 известны составы стекла алюмосиликатного типа, обладающие улучшенной устойчивостью при высоких температурах, используемых при изготовлении фотоэлектрических ячеек (С18). Однако алюмосиликатные (или боросиликатные) стекла обладают низкой устойчивостью к царапанию, более значительной массой вследствие более высокой плотности, а также более высоким показателем преломления, вынуждая производителей фотоэлектрических ячеек изменять настройки фокусировки лазера во время стадий травления лазером электродов, в частности, из молибдена.
Целью изобретения является устранение этих неудобств, предложив состав стекла, обладающего улучшенной термостойкостью, что делает его совместимым со способами, применяемыми при изготовлении ячеек на основе фотоэлектрических материалов в виде тонкого слоя, в частности из СбТе или Си(1п, Са)8е2 (СЮС), позволяющий, кроме того, производить стекло флоат-способом и в очень благоприятных экономических условиях.
Объектом изобретения является подложка для фотоэлектрической ячейки, содержащая по меньшей мере одну пластинку из флоат-стекла, снабженную с одной стороны по меньшей мере одним электродом, отличающаяся тем, что указанное стекло имеет химический состав, содержащий следующие компоненты при массовом содержании, изменяющемся в пределах, определенных ниже:
| зю2 | 69-75% |
| А12О3 | 0-3% |
| СаО+НдО | 11-16,2% |
| МдО | 0-6, 5% |
| Ыа2О | 9-12,4%, в частности, 9-12% |
| К2О | 0-1,5%. |
Все еще оставаясь стеклом натриево-кальциевого силикатного типа, как стандартное стекло, эти составы, позволяющие удивительным образом придать высокую термостойкость стеклянным подложкам, отличаются, в частности, нижними температурами отжига, которые по меньшей мере на 30°С выше температуры отжига стандартного стекла.
Сумма массовых содержаний δίϋ2, А12О3, СаО, МдО, Να2Ο, К2О составляет предпочтительно по меньшей мере 95%, в частности 98%. Содержание 8гО, ВаО и/или 2гО2 преимущественно равно нулю, чтобы не повышалась стоимость стеклянной пластинки. Содержание оксидов сурьмы и мышьяка также выгодно равно нулю, так как эти оксиды несовместимы с флоат-способом.
Другие компоненты состава могут представлять собой примеси, происходящие из исходных материалов (в частности, оксид железа) или в результате разрушения огнеупорных материалов стекловаренной печи или осветляющих агентов (в частности, 8О3).
Диоксид кремния (§Ю2) является основным элементом, образующим стекло. При слишком малых содержаниях гидролитическая стойкость стекла, в частности, в щелочной среде будет очень низкой. С другой стороны, содержания свыше 75% приводят к увеличению вязкости стекла, сильно невыгодной. Содержание диоксида кремния составляет предпочтительно по меньшей мере 70%, в частности 71% и/или самое большее 74%, в частности 73%.
Оксид алюминия (А12О3) позволяет увеличить гидролитическую стойкость стекла и уменьшить его показатель преломления, это последнее преимущество является особенно важным, когда подложка пред- 1 024896 назначена для применения в качестве подложки лицевой стороны фотоэлектрической ячейки. Содержание оксида алюминия составляет предпочтительно по меньшей мере 0,5%, в частности 1, 1,5 или 2% и/или самое большее 2,5%.
Добавка извести (СаО) дает преимущество, заключающееся в уменьшении вязкости стекла при высокой температуре и, следовательно, облегчении его плавления и его осветления, все еще увеличивая нижнюю температуру закалки и, следовательно, термостойкость. Увеличение температуры ликвидуса и показателя преломления, приписываемые этому оксиду, приводят, однако, к ограничению его содержания. Оксид магния (МдО) используют для увеличения химической прочности стекла и уменьшения его вязкости. Высокие содержания приводят, однако, к усилению опасностей расстекловывания. Содержание СаО составляет предпочтительно по меньшей мере 8%, даже 9 и даже 10% и/или самое большее 13%, в частности 12%.
Гидроксид натрия (Να2Ο) используют для уменьшения вязкости при высокой температуре и температуре ликвидуса. Слишком высокие содержания приводят, однако, к ухудшению гидролитической стойкости стекла и его термостойкости, увеличивая при этом стоимость. Гидроксид калия (К2О) обладает теми же самыми преимуществами и неудобствами. Содержание Να2Ο составляет предпочтительно по меньшей мере 9,5%, в частности 10 или 11%, даже 11,5% и/или самое большее 12%. Содержание К2О составляет предпочтительно самое большее 1%, в частности 0,5 и даже 0,3, даже 0,1%. В самом деле, представляется, что гидроксид калия уменьшает значительным образом нижнюю температуру отжига стекла.
Согласно первому предпочтительному варианту осуществления массовое содержание МдО составляет самое большее 1%, в частности 0,5 и даже 0,1%. Содержание СаО составляет преимущественно по меньшей мере 11,5, даже 12%. Содержание №-12О составляет предпочтительно по меньшей мере 10, даже 11%.
Особенно предпочтительные составы содержат следующие компоненты при массовых содержаниях, изменяющихся в пределах, определенных ниже:
| 3ίΟ2 | 71-74,2% |
| А12Оз | 0-3% |
| СаО | 11,5-13% |
| МдО | 0-1% |
| Ыа2О | 11-12,4% |
| К2О | 0-1,5%. |
в частности,
Согласно второму предпочтительному варианту осуществления массовое содержание МдО составляет по меньшей мере 4, даже 4,5 или 5% и/или по меньшей мере 6%. Содержание СаО находится предпочтительно в интервале от 9 до 11%, в частности от 9 до 10,5%. Содержание №-ьО составляет предпочтительно по меньшей мере 9,5, даже 10% и/или самое большее 12 или 11%. Особенно предпочтительные составы содержат следующие компоненты при массовых содержаниях, изменяющихся в пределах, определенных ниже:
| 3102 | 70-74% |
| А12О2 | 0-2% |
| СаО | 9-10,5% |
| МдО | 4-6,5%, в частности 4-6% |
| Ν3.2Ο | 10-11% |
| к2о | 0-1%. |
Согласно третьему варианту осуществления массовое содержание СаО составляет по меньшей мере 9%, в частности 10 и/или самое большее 12%, в частности 11%. Массовое содержание МдО составляет предпочтительно по меньшей мере 4% и/или самое большее 5%. Содержание №-ьО составляет предпочтительно по меньшей мере 11%.
Особенно предпочтительные составы содержат следующие компоненты при массовых содержаниях, изменяющихся в пределах, определенных ниже:
| 3ίο2 | 69-72%, | В | частности, 69-71% |
| А12О3 | 1-3%, в | частности, 1,7-3% | |
| СаО | 10-12%, | В | частности, 10,1-11% |
| МдО | 4-5% | ||
| Ыа2О | 11-12,4% | г | в частности, 11,5-12% |
| К2О | 0-1%, в | частности, 0-0,3% |
- 2 024896
Плавление стекла может быть осуществлено в печах непрерывного действия, нагреваемых при помощи электродов и/или при помощи горелок, воздушных и/или погружных и/или расположенных в своде печи таким образом, чтобы пламя попадало на исходные материалы или на стеклянную ванну. Исходные материалы обычно являются порошкообразными и включают в себя природные материалы (песок, полевой шпат, известняк, доломит, нифелиновый сиенит) или искусственные (карбонат натрия или калия, сульфат натрия). Исходные материалы загружают в печь, затем подвергают реакциям плавления в физическом смысле термина и различным химическим реакциям, приводящим к получению стеклянной ванны. Расплавленное стекло затем направляют на стадию формования, во время которой листовое стекло принимает свою форму. Формование осуществляют известным флоат-способом, то есть выливанием расплавленного стекла (с вязкостью порядка 3000 П) на ванну с расплавленным оловом. Полученную стеклянную ленту затем тщательно отжигают, чтобы устранить все термические напряжения внутри него, перед тем как разрезать на желаемые размеры. Толщина стеклянного листа типично находится в интервале от 2 до 6 мм, в частности от 2,5 до 4 мм.
Электрод предпочтительно находится в форме тонкого слоя, нанесенного на подложку (обычно целиком на всю поверхность подложки), непосредственно в контакте с подложкой или в контакте по меньшей мере с одним подслоем. Электрод может представлять собой тонкий прозрачный и электропроводящий слой, например, на основе оксида олова (легированного фтором или сурьмой), оксида цинка (легированного алюминием или галлием) или на основе оксида олова и индия (ΙΤΟ). Он может также представлять собой тонкий металлический слой, например, из молибдена. Прозрачные слои применяют обычно, когда подложка предназначена для использования в качестве подложки лицевой стороны фотоэлектрической ячейки, как объяснено более детально дальше. Под лицевой поверхностью подразумевают поверхность, через которую в первую очередь проходит солнечное излучение.
Электрод в форме тонкого слоя может быть нанесен на подложку различными способами осаждения, такими как химическое осаждение из паровой фазы (СУЭ) или осаждение катодным распылением, в частности, при содействии магнитного поля (магнетронный способ). В способе СУЭ галогенидные или металлоорганические предшественники испаряют и переносят при помощи газа-носителя до поверхности горячего стекла, где они разлагаются под воздействием тепла с образованием тонкого слоя. Преимущество способа СУЭ заключается в том, что его можно применять в рамках флоат-способа формования листового стекла. Таким образом, можно наносить слой в момент, когда листовое стекло находится на ванне с оловом, на выходе с оловянной ванны или в лере, т.е. в момент, когда листовое стекло отжигают, чтобы снять механические напряжения. Способ СУЭ особенно подходит для нанесения слоев оксида олова, легированного фтором или сурьмой. Способ катодного распыления предпочтительно применяется для нанесения слоев молибдена, легированного оксида цинка или ΙΤΟ.
Другим объектом изобретения является полупроводниковое устройство, содержащее по меньшей мере одну подложку согласно изобретению и по меньшей мере один тонкий слой материала с фотоэлектрическими свойствами, нанесенный на указанную по меньшей мере одну подложку.
Материал с фотоэлектрическими свойствами выбирают предпочтительно среди соединений типа СбТе или Си(1п, Оа)8е2 (С1О8). Под (Ιη, Оа) подразумевают, что материал может содержать Ιη и/или Оа в любых возможных комбинациях содержаний: 1п1-хОах, где х может принимать любое значение от 0 до 1. В частности, х может быть равен нулю (материал типа С18). Материал с фотоэлектрическими свойствами может также представлять собой аморфный или поликристаллический кремний.
Фотоэлектрический материал наносят на полупроводниковое устройство поверх электрода и обычно в контакте с ним. Возможны различные методики нанесения, среди которых можно назвать в качестве примеров испарение, катодное напыление, химическое осаждение из паровой фазы (СУЭ), электролитические осаждения или сублимацию (С88). В качестве примера можно назвать в случае слоев типа С1О8 способы катодного напыления или электролитического осаждения (с последующей стадией селенизации) или совместное испарение.
Дополнительный электрод может быть нанесен на (и, в частности, в контакте с) слой фотоэлектрического материала. Электрод может представлять собой тонкий, прозрачный и электропроводящий слой, например, на основе оксида олова (легированного фтором или сурьмой), оксида цинка (легированного алюминием или галлием) или на основе оксида олова и индия (ΙΤΟ). Он может также представлять собой металлический слой, например, из золота или сплава никеля и алюминия. Прозрачные слои обычно используют, когда подложка предназначена для применения в качестве подложки тыльной стороны фотоэлектрической ячейки, как объяснено далее более детально. Буферные слои могут быть также вставлены между слоем фотоэлектрического материала и дополнительным электродом. В случае материалов типа С1О8 буферным слоем может быть, например, слой С68.
Другим объектом изобретения является фотоэлектрическая ячейка, содержащая полупроводниковое устройство согласно изобретению. Объектом изобретения является, наконец, фотоэлектрический модуль, содержащий множество фотоэлектрических ячеек согласно изобретению.
В зависимости от применяемой технологии подложка согласно изобретению может быть подложкой лицевой стороны или тыльной стороны фотоэлектрической ячейки. В качестве примера в случае фотоэлектрических материалов на основе С1О8 слой С1О8 наносят обычно на подложку тыльной стороны
- 3 024896 (снабженную своим электродом, типично из молибдена). Следовательно, подложка тыльной стороны содержит в этом случае стеклянную пластинку, имеющую благоприятный химический состав, описанный выше. Зато, в случае технологии СйТс. фотоэлектрический материал часто наносят на подложку лицевой стороны, так что упомянутый выше химический состав используют для стеклянной пластинки подложки лицевой стороны.
Фотоэлектрическую ячейку образуют, соединяя подложки лицевой стороны и тыльной стороны, например, при помощи ламинирующей вставки в виде пленки из термоотверждаемой пластмассы, например из ПВБ (РУБ), ПУ (РИ) или ЭВА (ЕУА).
Согласно первому варианту осуществления фотоэлектрическая ячейка согласно изобретению содержит в качестве подложки лицевой стороны подложку согласно изобретению, при этом химический состав стеклянной пластинки указанной подложки содержит, кроме того, оксид железа при массовом содержании самое большее 0,02%, в частности 0,015%. В этом случае, в самом деле, важно, чтобы оптическое пропускание стекла было бы как можно более высоким. Стеклянная пластинка предпочтительно не содержит никаких агентов, поглощающих видимые или инфракрасные лучи (в частности, с длинами волн, находящимися в диапазоне от 380 до 1000 нм), отличных от оксида железа (присутствие которого является неизбежным). В частности, состав стекла предпочтительно не содержит агентов, выбранных среди следующих, или ни одного из следующих агентов: оксиды переходных элементов, такие как СоО, СиО, Сг2О3, МпО2, оксиды редкоземельных элементов, такие как СеО2, Ьа2О3, Νά2Θ3, или красящие агенты в элементном состоянии, такие как 8е, Ад, Си, Аи. Эти агенты часто оказывают очень мощное нежелательное красящее воздействие, проявляющееся при очень низких содержаниях, иногда порядка нескольких ч./млн или меньше (1 ч./млн=0,0001%). Между тем, для того чтобы максимизировать оптическое пропускание стекла, его редокс (определяемый как отношение между содержанием двухвалентного железа, выраженного в форме РеО, и общим содержанием железа, выраженным в форме Ре2О3, составляет предпочтительно самое большее 0,2, в частности 0,1. Стеклянная пластинка является предпочтительно такой, что ее энергетическое пропускание (ТЕ), вычисленное согласно стандарту 1§О 9050:2003, больше или равно 90%, в частности 90,5%, даже 91 и даже 91,5%, при толщине 3,2 мм. Подложка лицевой стороны может быть снабжена со стороны, противоположной стороне, несущей электрод, противоотражающим покрытием, например, из пористого диоксида кремния или содержащим набор тонких чередующихся слоев с высоким и низким показателем преломления. В рамках этого способа осуществления, типично, используют подложку согласно изобретению, снабженную электродом из 1ТО и/или легированного 8пО2, фотоэлектрический материал из СйТе, дополнительный электрод из золота или сплава никеля и алюминия. Подложка тыльной стороны предпочтительно изготовлена из стандартного натриево-кальциевого силикатного стекла.
Согласно второму варианту осуществления фотоэлектрическая ячейка согласно изобретению содержит в качестве подложки тыльной стороны подложку согласно изобретению, при этом химический состав стеклянной пластинки указанной подложки содержит, кроме того, оксид железа при массовом содержании по меньшей мере 0,05%, в частности, находящемся в интервале, изменяющемся от 0,08 до 2%, в частности от 0,08 до 0,2%. В рамках этого способа осуществления, типично, используют подложку согласно изобретению, снабженную электродом из молибдена, фотоэлектрическим материалом из СЮ8, дополнительным электродом из легированного 2пО. Высокие содержания оксида железа (от 0,5 до 2%) могут в этом случае исправить эстетический внешний вид, благодаря присутствию молибдена. Подложка лицевой стороны изготовлена предпочтительно из сверхпрозрачного стекла, такого как стекло стандартного натриево-кальциевого силикатного состава.
Настоящее изобретение будет более понятно при чтении подробного описания следующих ниже примеров осуществления, не носящих ограничительного характера.
Табл. 1 и 2, приведенные ниже, иллюстрируют некоторые составы согласно изобретению (примеры с 1 по 10), а также стандартный состав (сравнительный пример С1).
Помимо массового химического состава в таблицах указаны следующие физические свойства: нижняя температура отжига обозначена δ и выражена в °С, температура, при которой стекло имеет вязкость 100 П, обозначена Т2 и выражена в °С, температура, при которой стекло имеет вязкость 3162 П, обозначена Т3,5 и выражена в °С, интервал формования обозначен ДТ и выражен в °С, соответствующий разности между температурой Т3,5 и температурой ликвидуса.
- 4 024896
Таблица 1
| С1 | 1 | 2 | 3 | 4 | |
| зю2 | 71, 8 | 71,8 | 72, 0 | 72,8 | 70, 9 |
| А13О3 | 0, 6 | 1, 35 | 1,3 | 0, 9 | 1,8 |
| СаО | 9,5 | 9,9 | 10, 0 | 9,8 | 10,0 |
| МдО | 4,0 | 5,5 | 5,6 | 5,7 | 6,2 |
| Ыа?О | 13,7 | 10,5 | 10, 9 | 10,7 | 10,8 |
| К2О | 0 | 0, 75 | 0 | 0 | 0,1 |
| ЗО3 | 0,23 | 0, 22 | 0,23 | 0, 23 | 0, 3 |
| 3 (°С) | 510 | 537 | 542 | 538 | 547 |
| Т2 (°С) | 1421 | 1474 | 1475 | 1463 | 1467 |
| Т3,5 (°С) | 1093 | 1154 | 1155 | 1147 | 1145 |
| ΔΤ (°С) | 78 | 14 | 5 | 17 | 45 |
Таблица 2
| 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | |
| 3ίΟ2 | 73,3 | 72,2 | 73,1 | 73, 4 | 71,3 | 70,1 |
| А12О3 | 1,6 | 1,7 | 1, 95 | 1,8 | 2,0 | 2,1 |
| СаО | 9,6 | 12,8 | 12,6 | 11, 9 | 12,8 | 10, 6 |
| МдО | 4,8 | 0,1 | 0, 3 | 0,9 | 0,1 | 4,3 |
| Ыа2О | 10, 1 | 11,8 | 11, 8 | 11, 6 | 11,4 | 11, 8 |
| К2О | 0, 33 | 1,3 | 0, 06 | 0, 03 | о, 4 | 0,7 |
| £О3 | 0,3 | 0,3 | 0, 3 | 0,3 | 0, 3 | 0,3 |
| 3 (°С) | 542 | 536 | 541 | 539 | 539 | 535 |
| Т2 (°С) | 1513 | 1469 | 1470 | 1432 | 1451 | 1464 |
| Т3,5 (°С) | 1166 | 1132 | 1146 | 1144 | 1133 | 1125 |
| ΔΤ (°С) | 22 | 14 | 35 |
Составы позволяют получить стекла, имеющие нижние температуры отжига, которые приблизительно на 30°С выше температуры отжига стандартного стекла. Из этого следуют лучшие механические свойства, и стеклянные пластинки меньше деформируются во время стадий изготовления солнечных батарей.
Эти составы стекла пригодны для обработки флоат-способом в хороших условиях, о чем свидетельствуют положительные интервалы формования. Кроме того, они показывают низкую способность к царапанию, низкую плотность, а также показатель преломления, особенно хорошо подходящий для способа травления электродного слоя из молибдена.
Claims (10)
- ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ1. Фотоэлектрическая ячейка, содержащая полупроводниковое устройство, содержащее по меньшей мере одну подложку в качестве подложки тыльной стороны фотоэлектрической ячейки и по меньшей мере один тонкий слой с фотогальваническими свойствами, нанесенный на указанную по меньшей мере одну подложку, при этом материал с фотогальваническими свойствами выбран из соединений типа Си(1и,Са)8е2, и подложка содержит по меньшей мере одну пластинку из флоат-стекла, снабженную с одной стороны по меньшей мере одним электродом, отличающаяся тем, что указанное стекло имеет химический состав, содержащий следующие компоненты при массовых содержаниях, изменяющихся в пределах, определенных ниже:- 5 024896
31О2 69-75% А12О2 0-3% СаО+МдО 11-16,2% МдО 0-6,5% Иа2О 9-12,4% К2О 0-1,5%, и химическая композиция листового стекла подложки дополнительно содержит оксид железа с весовым содержанием по меньшей мере 0,05%. - 2. Фотоэлектрическая ячейка по п.1, в которой сумма массовых содержаний δίϋ2. Л120з, СаО, МдО, Να20, К2О составляет по меньшей мере 95%, в частности 98%.
- 3. Фотоэлектрическая ячейка по п.1 или 2, в которой массовое содержание МдО составляет по меньшей мере 1%, в частности 0,5%.
- 4. Фотоэлектрическая ячейка по п.3, в которой стекло имеет химический состав, содержащий следующие компоненты при массовых содержаниях, изменяющихся в пределах, определенных ниже:3ίΟ2 71-74,2%А12О3 0-3%СаО 11,5-13%МдО 0-1%На;С 11-12,4%К2О 0-1,5%.
- 5. Фотоэлектрическая ячейка по п.1 или 2, в которой массовое содержание МдО составляет по меньшей мере 4%.
- 6. Фотоэлектрическая ячейка по п.5, в которой стекло имеет химический состав, содержащий следующие компоненты при массовых содержаниях, изменяющихся в пределах, определенных ниже:
5ίΟ2 70-74% А12О3 0-2% СаО 9-10,5% МдО 4-6% ЫаэО 10-11% К2О 0-1% - 7. Фотоэлектрическая ячейка по п.5, в которой стекло имеет химический состав, содержащий следующие компоненты при массовых содержаниях, изменяющихся в пределах, определенных ниже:
3ίΟ2 69-72% А120з 1-3% СаО 1.0-12% МдО 4-5% Ыа2О 11-12,4% К2О 0-1%. - 8. Фотоэлектрическая ячейка по одному из пп.1-7, в которой электрод представляет собой тонкий слой молибдена.
- 9. Фотоэлектрическая ячейка по любому из пп.1-8, причем химический состав стеклянной пластины указанной подложки содержит оксид железа при массовом содержании, находящемся в интервале, изменяющемся от 0,08 до 2%.
- 10. Фотоэлектрический модуль, содержащий множество фотоэлектрических ячеек по одному из пп.1-9.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1151937A FR2972446B1 (fr) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | Substrat pour cellule photovoltaique |
| PCT/FR2012/050485 WO2012146844A1 (fr) | 2011-03-09 | 2012-03-08 | Substrat pour cellule photovoltaïque |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201391295A1 EA201391295A1 (ru) | 2014-01-30 |
| EA024896B1 true EA024896B1 (ru) | 2016-10-31 |
Family
ID=45937415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201391295A EA024896B1 (ru) | 2011-03-09 | 2012-03-08 | Подложка для фотоэлектрической ячейки |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8940996B2 (ru) |
| EP (1) | EP2683665B1 (ru) |
| JP (1) | JP6050261B2 (ru) |
| KR (1) | KR20140064713A (ru) |
| CN (1) | CN103429544A (ru) |
| CA (1) | CA2826465A1 (ru) |
| EA (1) | EA024896B1 (ru) |
| FR (1) | FR2972446B1 (ru) |
| MX (1) | MX2013010220A (ru) |
| WO (1) | WO2012146844A1 (ru) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120132269A1 (en) * | 2010-05-20 | 2012-05-31 | Cardinal Fg Company | Glass substrates for high temperature applications |
| US9517966B2 (en) | 2011-10-25 | 2016-12-13 | Corning Incorporated | Glass compositions with improved chemical and mechanical durability |
| BR112014009921B1 (pt) | 2011-10-25 | 2020-12-29 | Corning Incorporated | composições de vidro com uma melhor durabilidade química e mecânica |
| WO2013063292A1 (en) | 2011-10-25 | 2013-05-02 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
| RU2691186C2 (ru) | 2011-10-25 | 2019-06-11 | Корнинг Инкорпорейтед | Щелочноземельные алюмосиликатные стеклянные композиции с улучшенной химической и механической стойкостью |
| US10273048B2 (en) | 2012-06-07 | 2019-04-30 | Corning Incorporated | Delamination resistant glass containers with heat-tolerant coatings |
| WO2014088066A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | 旭硝子株式会社 | 高透過性ガラス |
| US9700485B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
| US9707154B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-07-18 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
| US9839579B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-12-12 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
| US9700486B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
| US9603775B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-03-28 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
| US9707155B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-07-18 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
| US9717648B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-08-01 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
| US9713572B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-07-25 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
| US9707153B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-07-18 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
| US9717649B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-08-01 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
| US9849066B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-12-26 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
| WO2015000090A2 (de) | 2013-07-04 | 2015-01-08 | Saint-Gobain Glass France | Brandschutzglasscheibe und brandschutzverglasung |
| KR101711527B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2017-03-02 | 주식회사 엘지화학 | 화합물 반도체 및 그 제조 방법 |
| US11680005B2 (en) * | 2020-02-12 | 2023-06-20 | Owens-Brockway Glass Container Inc. | Feed material for producing flint glass using submerged combustion melting |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2764596A1 (fr) * | 1997-06-17 | 1998-12-18 | Saint Gobain Vitrage | Composition de verre silico-sodo-calcique et leurs applications |
| FR2765569A1 (fr) * | 1997-07-01 | 1999-01-08 | Saint Gobain Vitrage | Composition de verre de type silico-sodo-calcique |
| EP1281687A1 (en) * | 2000-03-06 | 2003-02-05 | Nippon Sheet Glass Company Limited | Flat glass having high transmittance |
| FR2911868A1 (fr) * | 2007-01-26 | 2008-08-01 | Saint Gobain Emballage Sa | Procede de fabrication de verre |
| JP2008280189A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 太陽電池用ガラス基板およびその製造方法 |
| US20090223252A1 (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-10 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device having low iron high transmission glass with lithium oxide for reducing seed free time and corresponding method |
| US20100129944A1 (en) * | 2007-08-31 | 2010-05-27 | Asahi Glass Company, Limited | Glass plate, process for producing it, and process for producing tft panel |
| US20100300535A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Bruce Gardiner Aitken | Fusion formable sodium containing glass |
| US20110017297A1 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Bruce Gardiner Aitken | Fusion formable silica and sodium containing glasses |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11135819A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物薄膜太陽電池 |
| KR100847618B1 (ko) * | 2001-09-05 | 2008-07-21 | 니혼 이타가라스 가부시키가이샤 | 고 투과 글래스판 및 고 투과 글래스판의 제조방법 |
| JP2003095691A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 高透過ガラスおよびその製造方法 |
| US7037869B2 (en) * | 2002-01-28 | 2006-05-02 | Guardian Industries Corp. | Clear glass composition |
| JP2007238398A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ソーダ石灰系ガラス組成物 |
| US7560402B2 (en) * | 2006-10-06 | 2009-07-14 | Guardian Industries Corp. | Clear glass composition |
| US8334452B2 (en) * | 2007-01-08 | 2012-12-18 | Guardian Industries Corp. | Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like |
| US20080185041A1 (en) * | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Guardian Industries Corp. | Method of making a photovoltaic device with antireflective coating containing porous silica and resulting product |
| FR2921356B1 (fr) * | 2007-09-21 | 2011-01-21 | Saint Gobain | Composition de verre silico-sodo-calcique |
| GB0810525D0 (en) * | 2008-06-09 | 2008-07-09 | Pilkington Group Ltd | Solar unit glass plate composition |
| JP5365983B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2013-12-11 | 日本電気硝子株式会社 | 太陽電池用導電膜付ガラス基板 |
| JP2010073551A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 色素増感型太陽電池用基板および色素増感型太陽電池用酸化物半導体電極 |
| EP2299536A4 (en) * | 2008-06-17 | 2011-12-21 | Nippon Electric Glass Co | SUBSTRATE FOR SOLAR CELL AND OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE FOR COLOR-SENSITIZED SOLAR CELL |
| EA019049B1 (ru) * | 2008-09-01 | 2013-12-30 | Сэн-Гобэн Гласс Франс | Способ получения стекла и полученное стекло |
| US20100122728A1 (en) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Fulton Kevin R | Photovoltaic device using low iron high transmission glass with antimony and reduced alkali content and corresponding method |
| FR2942623B1 (fr) * | 2009-02-27 | 2012-05-25 | Saint Gobain | Feuille de verre |
| DE102009050987B3 (de) * | 2009-05-12 | 2010-10-07 | Schott Ag | Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle |
| JP5642363B2 (ja) * | 2009-08-14 | 2014-12-17 | 日本板硝子株式会社 | ガラス基板 |
| CN102574725B (zh) * | 2009-10-19 | 2014-12-17 | 旭硝子株式会社 | 基板用玻璃板、其制造方法及tft面板的制造方法 |
| US20120132269A1 (en) | 2010-05-20 | 2012-05-31 | Cardinal Fg Company | Glass substrates for high temperature applications |
-
2011
- 2011-03-09 FR FR1151937A patent/FR2972446B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-05 US US13/411,856 patent/US8940996B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-08 CA CA2826465A patent/CA2826465A1/fr not_active Abandoned
- 2012-03-08 JP JP2013557162A patent/JP6050261B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-08 EA EA201391295A patent/EA024896B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2012-03-08 KR KR1020137023645A patent/KR20140064713A/ko active IP Right Grant
- 2012-03-08 EP EP12713214.0A patent/EP2683665B1/fr not_active Not-in-force
- 2012-03-08 MX MX2013010220A patent/MX2013010220A/es active IP Right Grant
- 2012-03-08 CN CN2012800122953A patent/CN103429544A/zh active Pending
- 2012-03-08 WO PCT/FR2012/050485 patent/WO2012146844A1/fr active Application Filing
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2764596A1 (fr) * | 1997-06-17 | 1998-12-18 | Saint Gobain Vitrage | Composition de verre silico-sodo-calcique et leurs applications |
| FR2765569A1 (fr) * | 1997-07-01 | 1999-01-08 | Saint Gobain Vitrage | Composition de verre de type silico-sodo-calcique |
| EP1281687A1 (en) * | 2000-03-06 | 2003-02-05 | Nippon Sheet Glass Company Limited | Flat glass having high transmittance |
| FR2911868A1 (fr) * | 2007-01-26 | 2008-08-01 | Saint Gobain Emballage Sa | Procede de fabrication de verre |
| JP2008280189A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 太陽電池用ガラス基板およびその製造方法 |
| US20100129944A1 (en) * | 2007-08-31 | 2010-05-27 | Asahi Glass Company, Limited | Glass plate, process for producing it, and process for producing tft panel |
| US20090223252A1 (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-10 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device having low iron high transmission glass with lithium oxide for reducing seed free time and corresponding method |
| US20100300535A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Bruce Gardiner Aitken | Fusion formable sodium containing glass |
| US20110017297A1 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Bruce Gardiner Aitken | Fusion formable silica and sodium containing glasses |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6050261B2 (ja) | 2016-12-21 |
| EP2683665B1 (fr) | 2018-05-30 |
| US8940996B2 (en) | 2015-01-27 |
| CN103429544A (zh) | 2013-12-04 |
| FR2972446B1 (fr) | 2017-11-24 |
| EP2683665A1 (fr) | 2014-01-15 |
| JP2014508708A (ja) | 2014-04-10 |
| CA2826465A1 (fr) | 2012-11-01 |
| FR2972446A1 (fr) | 2012-09-14 |
| MX2013010220A (es) | 2013-10-25 |
| US20120234368A1 (en) | 2012-09-20 |
| KR20140064713A (ko) | 2014-05-28 |
| WO2012146844A1 (fr) | 2012-11-01 |
| EA201391295A1 (ru) | 2014-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EA024896B1 (ru) | Подложка для фотоэлектрической ячейки | |
| US7743630B2 (en) | Method of making float glass with transparent conductive oxide (TCO) film integrally formed on tin bath side of glass and corresponding product | |
| AU2010275513B2 (en) | Fusion formable silica and sodium containing glasses | |
| US8975199B2 (en) | Fusion formable alkali-free intermediate thermal expansion coefficient glass | |
| JP3929026B2 (ja) | アルカリ土類金属を含有するアルミノ硼珪酸塩ガラス及びこのガラスの用途 | |
| US20030087746A1 (en) | Alkali-containing aluminum borosilicate glass and utilization thereof | |
| US20150166402A1 (en) | Glass | |
| KR101490828B1 (ko) | 고굴절률 유리 | |
| AU2010253784A1 (en) | Fusion formable sodium free glass | |
| CA2797415A1 (en) | Glass substrates for high temperature applications | |
| KR20140053832A (ko) | 유리 조성물 및 유리 조성물을 사용한 태양 전지용 유리 기판, 및 디스플레이 패널용 유리 기판 | |
| JP6023098B2 (ja) | 半導体デバイスを含む光電池及び光起電モジュール | |
| US20150325725A1 (en) | Glass substrate for solar cell | |
| JP5201519B2 (ja) | ディスプレイ基板 | |
| US20120132282A1 (en) | Alkali-free high strain point glass | |
| JP6044772B2 (ja) | 保護膜付きガラス基材 | |
| WO2013099768A1 (ja) | ガラス基板およびガラス基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM |
|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): RU |