MX2013010220A - Sustrato para celda fotovoltaica. - Google Patents
Sustrato para celda fotovoltaica.Info
- Publication number
- MX2013010220A MX2013010220A MX2013010220A MX2013010220A MX2013010220A MX 2013010220 A MX2013010220 A MX 2013010220A MX 2013010220 A MX2013010220 A MX 2013010220A MX 2013010220 A MX2013010220 A MX 2013010220A MX 2013010220 A MX2013010220 A MX 2013010220A
- Authority
- MX
- Mexico
- Prior art keywords
- substrate
- glass
- mgo
- weight
- content
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000005329 float glass Substances 0.000 claims abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 8
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 5
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 241001174990 Boros Species 0.000 description 1
- -1 CeÜ2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017356 Fe2C Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019738 Limestone Nutrition 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010459 dolomite Substances 0.000 description 1
- 229910000514 dolomite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000006028 limestone Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010434 nepheline Substances 0.000 description 1
- 229910052664 nepheline Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical class [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- NOTVAPJNGZMVSD-UHFFFAOYSA-N potassium monoxide Inorganic materials [K]O[K] NOTVAPJNGZMVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000010865 sewage Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010435 syenite Substances 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03925—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIIBVI compound materials, e.g. CdTe, CdS
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
La invención se refiere a un sustrato para una celda fotovoltaica, incluyendo al menos una hoja de vidrio flotado que tiene al menos un electrodo en una superficie de la misma, caracterizado porque la composición química de dicho vidrio incluye los siguientes componentes en contenidos en peso que varían dentro de los límites definidos en la presente: 69 a 75% de SiO2, 0 a 3% de Al2O3, 11 a 16.2% de CaO + MgO, 0 a 6.5% de MgO, 9 a 12.4% de Na2O, y 0 a 1.5% de K2O.
Description
SUSTRATO PARA CELDA FOTOVOLTAICA
La invención se refiere al campo de sustratos para celdas fotovo 1 t a i ca s . Se refiere, más específicamente, a sustratos para celdas fo tovol taicas que comprenden al menos una hoja de vidrio flotado provisto sobre un lado de al menos un electrodo.
El uso de un material fotovoltaico de película delgada, típicamente hecho de CdTe o Cu(In,Ga)Se2 (CIGS), hace posible reemplazar sustratos de silicio costosos con sustratos que comprenden hojas de vidrio. El material que tiene propiedades fot ovo 1 t a i ca s , y generalmente el electrodo, son depositados como una película delgada mediante procesos de deposición de la evaporación, pulverización, deposición de vapores químicos (CVD) u otro tipo de sublimación (CSS) sobre la hoja de vidrio. El último debe ser generalmente calentado a una temperatura alta, ya sea durante la deposición o después de la deposición (tratamiento de templado, tratamiento de s e 1 eni za ci ón , etc.), y, por lo tanto, se somete a temperaturas del orden de 500°C o más. Estos tratamientos hacen
posible, por ejemplo, mejorar la cr i s t a 1 in i da d de las capas y por lo tanto su conducción de electrones o propiedades fo t o o 1 ta i ca s .
Sin embargo, las temperaturas altas tiene la desventaja de dar origen a una deformación de la hoja de vidrio, cuando está hecha de vidrio estándar de s o s a - ca 1 - s i 1 i ce .
Los vidrios de una resistencia térmica mayor han sido propuestos, pero estos tienen un costo de producción alto, debido por ejemplo al uso de materias primas costosas (por ejemplo, conductores de bario o estroncio) , o particularmente, puntos de fundición altos. Además, algunos de estos vidrios se conducen escasamente a si mismos a la formación del vidrio mediante el proceso de flotado.
Por ejemplo, de las solicitudes EE.UU 2010/0300535 y EE.UU 2011/0017297, se conocen las composiciones de vidrio de tipo a 1 umi nos i 1 i ca to que tienen una resistencia mejorada a las temperaturas altas usadas durante la fabricación de las celdas fo t ovo 1 t a i ca s CIS. Sin embargo, los vidrios de a lumi nos i 1 i cato (o boros il icato ) tienen una habilidad mayor para ser rayados, un peso mayor
debido a una densidad mayor y también un índice refractivo mayor, requiriendo que los fabricantes de las celdas fo tovo 1 ta i ca s modifiquen las configuraciones de enfoque del láser durante los pasos de grabado químico por láser de los electrodos, especialmente electrodos de molibdeno.
El objetivo de la invención es superar estas desventajas, al proponer una composición de vidrio que tiene una resistencia térmica mejorada que la vuelve compatible con los procesos utilizados durante la fabricación de las celdas, con base a los materiales fotovoltaicos de película delgada, particularmente hechas de CdTe o Cu (In, Ga) Se2 (CIGS) , o y adi ci ona lment e haciéndola posible producir un vidrio mediante el proceso de flotado y bajo condiciones económicas muy favorables .
Para éste propósito, un objeto de la invención es un sustrato para una celda fotovoltaica que comprende al menos una hoja de vidrio flotado provisto sobre un lado de al menos un electrodo, caracterizado porque dicho vidrio tiene una composición química que
comprende los siguientes componentes, en un contenido en peso que varia dentro de los limites abajo definidos:
Si02 69-75%
A1203 0-3%
CaO + MgO 11-16.2%
MgO 0-6.5%
Na20 9-12.4%, especialmente 9-12%
K20 0-1.5%.
Mientras sean de tipo s os a- ca 1 - s i 1 i ce , como el vidrio estándar, estas composiciones sorpresivamente hacen posible impartir resistencias térmicas altas a los sustratos de vidrio, caracterizadas en particular por temperaturas de templado más bajas de al menos 30 ° C o mayores a aquellas del vidrio estándar.
La suma de los contenidos en peso de Si02, AI2O3, CaO, MgO, Na20, K20 es preferiblemente al menos 95%, en particular 98%. El contenido de SrO, BaO y/o Zr02 es ventajosamente cero con el fin de no penalizar el costo de la hoja de vidrio. El contenido de óxidos de antimonio y óxidos de arsénico es también ventajosamente cero a medida que estos óxidos no son compatibles con el proceso de
flotado. Los otros componentes de la composición pueden ser impurezas que se originan de las materias primas (especialmente óxido de hierro) o debido a la degradación de los materiales refractarios del horno de fundición o de los agentes de refinación (especialmente SO3) .
La sílice (Si02) es el elemento formador principal del vidrio. En contenidos excesivamente bajos, la resistencia hidrolitica del vidrio, especialmente en un medio básico, sería muy reducida. Por otro lado, los contenidos mayores de 75% conducirían a un incremento altamente perjudicial en la viscosidad del vidrio. El contenido de sílice es preferiblemente al menos 70%, especialmente 71% y/o máximo 74%, especialmente 73%.
El aluminio (AI2O3) hace posible aumentar la resistencia hidrolitica del vidrio y reducir su índice refractivo, la última ventaja siendo particularmente significativa cuando el sustrato es diseñado para constituir el sustrato de lado frontal de la celda f o t o vo 1 t a i ca . El contenido de aluminio es preferiblemente al menos 0.5%, especialmente
1%, 1.5% o 2% y/o máximo 2.5%.
La adición de cal (CaO) tiene la ventaja de disminuir la viscosidad del vidrio a alta temperatura, y por lo tanto, de ahí, facilitar la fundición y la refinación, mientras incrementa la baja temperatura de templado, y por lo tanto la estabilidad térmica. Sin embargo, el incremento en la temperatura de liquidus y en el índice refractivo, que puede ser atribuido a éste óxido, da como resultado que el contenido del mismo sea limitado. La magnesia (MgO) es útil para mejorar la durabilidad química del vidrio y reducir su viscosidad. Sin embargo, los altos contenidos dan como resultado que se intensifiquen los riesgos de de sv it ri f i cae i ón . El contenido de CaO es preferiblemente al menos 8%, o 9% e incluso 10% y/o máximo 13%, especialmente 12%.
La sosa (Na20) es útil para reducir la viscosidad de temperatura alta y la temperatura de liquidus1. Los contenidos que son muy altos, sin embargo, dan como resultado que la resistencia hidrolítica del vidrio y su estabilidad térmica se degraden, mientras que
se incrementa el costo. El potasio (K20) tiene las mismas ventajas y desventajas. El contenido de Na20 es preferiblemente al menos 9.5%, especialmente 10% u 11%, o incluso 11.5% y/o máximo 12%. El contenido de K20 es preferiblemente máximo 1%, especialmente 0.5%, e incluso 0.3%, o 0.1%. De hecho, parecería que el potasio reduce significati amente la baja temperatura de templado del vidrio.
De acuerdo a una primera modalidad preferida, el contenido en peso de gO es máximo 1%, en particular 0.5% e incluso 0.1%. El contenido de CaO es ventajosamente al menos 11.5%, o incluso 12%. El contenido de Na20 es preferiblemente al menos 10%, o incluso 11%. Es ventajosamente máximo 12%. Las composiciones particularmente preferidas comprenden los siguientes componentes, en un contenido en peso que varía dentro de los límites abajo definidos :
Si02 71-74.2%
A1203 0-3%
CaO 11.5-13%
MgO 0-1%
Na20 11-12.4%, especialmente 11-12%
K20 0-1.5%.
De acuerdo a una segunda modalidad preferida, el contenido en peso de MgO es al menos 4%, o incluso 4.5% o 5% y/o al menos 6%. El contenido de CaO es preferiblemente entre 9 y 11%, en particular entre 9 y 10.5%. El contenido de Na20 es venta osamente al menos 9.5%, o incluso 10% y/o máximo 12% u 11%. Las composiciones particularmente preferidas comprenden los siguientes componentes, en un contenido en peso que varia dentro de los limites abajo definidos:
Si02 70-74%
A1203 0-2%
CaO 9-10.5%
MgO 4-6.5%, especialmente 4-6%
Na20 10-11%
K20 0-1%.
De acuerdo a una tercera modalidad, el contenido en peso de CaO es al menos 9%, especialmente 10% y/o máximo 12%, especialmente 11%. El contenido en peso de MgO es preferiblemente al menos 4% y/o máximo 5%. El contenido de Na20 es preferiblemente al menos 11%.
Las composiciones particularmente preferidas comprenden los siguientes componentes, en un contenido en peso que varia dentro de los limites abajo definidos:
Si02 69-72%, especialmente 69-71%
A1203 1-3%, especialmente 1.7-3%
CaO 10-12%, especialmente 10.1-11%
MgO 4-5%
Na20 11-12.4%, especialmente 11.5-12% K20 0-1%, especialmente 0-0.3%.
El vidrio puede ser fundido en hornos continuos, calentado con la ayuda de electrodos y/o con la ayuda de quemadores de sobrecarga y/o sumergidos y/o quemadores posicionados en el cielo del horno de forma que la flama impacte los materiales de temple o el baño de vidrio. Los materiales de temple son generalmente pulverizados y comprenden materiales naturales (arena, feldespato, piedra caliza, dolomita, nefelina sienita, etc.) o materiales sintéticos (carbonato de sodio o carbonato de potasio, sulfato, etc.) . Los materiales de temple se cargan en el horno para entonces someterse a reacciones de fundición en el sentido físico del término y obteniéndose
varias reacciones químicas que conducen a un baño de vidrio. El vidrio fundido, entonces se transporta a un paso de formación durante el cual la hoja de vidrio tomará su forma. La formación se lleva a cabo en una manera conocida mediante el proceso de flotado, es decir, mediante colada del vidrio fundido (que tiene una viscosidad del orden de 3000 poise [ 300000 mi 1 i pa s ca 1 e s · s e gundo ] ) dentro de un baño de estaño fundido. La tira de vidrio obtenida entonces se templa cuidadosamente con el fin de eliminar todas las tensiones dentro de ella, antes de ser cortado a las dimensiones deseadas. El espesor de la hoja de vidrio es típicamente entre 2 y 6 mm, especialmente entre 2.5 and 4 mm .
El electrodo es preferiblemente, en la forma de una película delgada depositada sobre el sustrato (generalmente sobre la totalidad de un lado del sustrato) , directamente en contacto con el sustrato o en contacto con al menos una subcapa. Puede ser una película delgada, transparente y eléctricamente conductiva, por ejemplo basada en óxido de estaño (adulterado con flúor o adulterado con antimonio), en óxido
de zinc (adulterado con aluminio o adulterado con galio) , o basada en óxido de indio y estaño (ITO) . También puede ser una capa metálica delgada, por ejemplo hecha de molibdeno. Las capas transparentes generalmente se utilizan cuando el sustrato es diseñado para formar el sustrato de lado frontal de la celda fotovoltaica, como se explica a mayor detalle en el resto del texto. La expresión "lado frontal" se entiende que significa el lado que la radiación solar traspasa primero.
El electrodo, en forma de película delgada, podrá depositarse en el sustrato por medio de varios procesos de deposición, tales como deposición de vapores químicos (CVD) o deposición por pulverización, especialmente cuando se mejora por un campo magnético (proceso de pulverización magnetrónica) . En el proceso CVD, el haluro o los precursores organometálicos se vaporizan y transportan por un gas vehículo a la superficie del vidrio caliente, en donde se descomponen bajo el efecto del calor para formar la película delgada. La ventaja del proceso CVD es que es posible utilizarlo dentro del proceso de
formación de la hoja de vidrio a través del proceso de flotado. De esta manera, es posible depositar la capa en el momento cuando la hoja de vidrio se encuentra en el baño de estaño, a la salida del baño de estaño, o como alternativa en el horno de enfriamiento, es decir, en el momento cuando la hoja de vidrio es templada con el fin de eliminar las tensiones mecánicas. El proceso CVD es particularmente adecuado para la deposición de capas de óxido de estaño adulterado con flúor o adulterado con antimonio. El proceso de pulverización, preferiblemente, se utilizará por si mismo para la deposición de capas de molibdeno, de óxido de zinc adulterado o como alternativa de ITO.
Otro objeto de la invención es un dispositivo semiconductor que comprende al menos un sustrato de acuerdo a la invención y al menos una película delgada de un material que tiene propiedades fotovoltaicas depositadas sobre dicho al menos un sustrato.
El material que tiene propiedades fo t ovo 1 t a i ca s , preferiblemente, se selecciona de los compuestos tipo CdTe y Cu(In,Ga)Se2
(CIGS) . El término " (In, Ga) " se entiende que significa que el material puede comprender In y/o Ga, en todas las posibles combinaciones de contenido: Ini_xGax, siendo posible para x tomar cualquier valor de 0 a 1. En particular, x puede ser cero (material de tipo CIS) . El material que tiene propiedades fo tovo 1 t a i ca s también puede estar hecho de silicio pol i c r i s t a 1 i no o amorfo.
El material fotovoltaico se deposita en el dispositivo semiconductor, en la parte superior del electrodo, y generalmente en contacto con el último. Varias técnicas de deposición son posibles, entre las cuales se pueden mencionar, como ejemplos, de evaporación, pulverización, deposición de vapores químicos (CVD), deposiciones electrolíticas o como alternativa la sublimación (CSS) . A manera de ejemplo, se puede hacer mención, en el caso de las capas del tipo CIGS, de los procesos de pulverización o de deposición electrolítica (seguido por un paso de seleni zación ) o co-evaporación .
Un electrodo adicional podrá depositarse en (y especialmente en contacto
con) la capa de material fo t ovo 11 a i c o . Podrá ser una película delgada transparente y eléctricamente conductiva, por ejemplo basada en óxido de estaño (adulterado con flúor o adulterado con antimonio) , óxido de zinc (adulterado con aluminio o adulterado con galio), o basada en óxido de indio y estaño (ITO) . Puede ser también una capa metálica, por ejemplo hecha de oro o hecha de una aleación de níquel y aluminio. Las capas transparentes generalmente se utilizan cuando el sustrato es diseñado para formar el sustrato de lado posterior de la celda foto o 1 t a i ca , como se explica a mayor detalle en el resto del texto. Las capas amortiguadoras también podrán insertarse entre la capa de material fotovoltaico y el electrodo adicional. En el caso de materiales del tipo CIGS, podrá encontrarse, por ejemplo, una capa de CdS .
Otro objeto de la invención es una celda fotovoltaica que comprende un dispositivo semiconductor de acuerdo a la invención. Un objeto final de la invención es un módulo fotovoltaico que comprende una pluralidad de celdas f o t ovo 1 t a i ca s de acuerdo a la invención.
Dependiendo de la tecnología utilizada, el sustrato de acuerdo a la invención puede ser sustrato de lado frontal o de lado posterior de la celda fotovoltaica . A manera de ejemplo, en el caso de los materiales fo tovoltaicos basados en capa CIGS, la capa CIGS generalmente se deposita en el sustrato de lado posterior (provisto con su electrodo, típicamente hecho de molibdeno) . Por lo tanto, el sustrato de lado posterior es que entonces tiene una hoja de vidrio que tiene la composición química ventajosa previamente descrita. Por otro lado, en el caso de la tecnología CdTe, el material fotovoltaico frecuentemente se deposita sobre el sustrato de lado frontal, de tal manera que la composición química anteriormente mencionada se utiliza para la hoja de vidrio del sustrato de lado frontal.
La celda fotovoltaica se forma al traer juntos los sustratos de lado frontal y lado posterior, por ejemplo por medio de una intercapa de laminación hecha de un plástico termoendurecible, por ejemplo hecho de PVB, PU o EVA .
De acuerdo a una primera modalidad, la
celda fotovoltaica de acuerdo a la invención comprende, como sustrato de lado frontal, el sustrato de acuerdo a la invención, la composición química de la hoja de vidrio de dicho sustrato adicionalment e comprendiendo óxido de hierro en un contenido en peso de máximo 0.02%, en particular 0.015%. En este caso, es de hecho importante que la transmisión óptica del vidrio sea tan alta como sea posible. La hoja de vidrio preferiblemente no comprende ningún agente que absorba radiación visible o infrarroja (especialmente para una longitud de onda entre 380 y 1000 nm) más que el óxido de hierro (la presencia del cual es inevitable) . En particular, la composición del vidrio preferiblemente no contiene agentes seleccionados de los siguientes agentes, o ninguno de los siguientes agentes: óxidos de elemento de transición tales como CoO, CuO, Cr2Ü3, Mn02, óxidos de tierras raras tales como CeÜ2, La203, Nd203 , o como alternativa agentes colorantes en el estado elemental tales como Se, Ag, Cu, Au . Estos agentes muy comúnmente tienen un efecto colorante, indeseable, muy poderoso, el cual se manifiesta en contenidos
muy bajos, algunas veces alrededor de pocos ppm o menos (1 ppm = 0.0001%) . Todavía con el fin de maximizar la transmisión óptica del vidrio, el redox (definido como la relación entre el contenido de hierro ferroso expresado en la forma de FeO y el contenido total de hierro expresado en la forma de Fe2C>3) es preferiblemente máximo 0.2, en particular 0.1. La hoja de vidrio es preferiblemente de tal manera que su transmisión de energía (TE) calculada de acuerdo a la norma ISO 9050:2003 es mayor que o igual a 90%, en particular 90.5%, o 91% e incluso 91.5%, para un espesor de 3.2 mm . El sustrato de lado frontal podrá proporcionarse, en el lado opuesto que soporta el electrodo, con un revestimiento anti-reflejante, por ejemplo hecho de sílice poroso o comprendiendo una multicapa de películas delgadas alternadas entre las capas de índice refractivo, alto y bajo. Dentro del contexto de esta modalidad, típicamente se hace uso de un sustrato de acuerdo a la invención provisto con un electrodo hecho de ITO y/o hecho de Sn02 adulterado, un material fotovoltaico hecho de CdTe, un electrodo adicional hecho de oro o
hecho de una aleación de níquel y aluminio. El sustrato de lado posterior, preferiblemente, está hecho de vidrio de so sa - ca 1 - s í 1 i ce estándar .
De acuerdo a una segunda modalidad, la celda fotovoltaica de acuerdo a la invención comprende, como sustrato de lado posterior, el sustrato de acuerdo a la invención, la composición química de la hoja de vidrio de dicho sustrato adicionalment e comprendiendo óxido de hierro en un contenido en peso de al menos 0.05%, en particular dentro de un rango que se extiende desde 0.08 hasta 2%, en particular desde 0.08 hasta 0.2%. En el contexto de ésta modalidad, típicamente se hace uso de un sustrato de acuerdo a la invención provisto de un electrodo hecho de molibdeno, un material fotovoltaico hecho de CIGS, un electrodo adicional hecho de ZnO adulterado. Los contenidos altos de óxido de hierro (desde 0.5 hasta 2%) en este caso, podrán corregir la apariencia estética debido a la presencia de molibdeno. El sustrato de lado frontal, preferiblemente, está hecho de vidrio extra claro, de composición de so s a - ca 1 - s i 1 i ce
estándar .
La presente invención se entenderá mejor en la lectura de la descripción detallada de abajo, de las modalidades ejemplares no 1 imitantes .
Las tablas 1 y 2 de abajo, ilustran ciertas composiciones de acuerdo a la invención (Ejemplos 1 a 10) y también una composición estándar (Ejemplo Comparativo Cl) .
Además de la composición química en peso, estas tablas indican las siguientes propiedades físicas:
la baja temperatura de templado, referida como S y expresada en °C,
- la temperatura a la cual el vidrio tiene una viscosidad de 100 poise (10000 milipascales-segundo) , referida como T2 y expresada en °C,
la temperatura a la cual el vidrio tiene una viscosidad de 3162 poise (316200 milipascales-segundo), referida como T3.5 y expresada en °C,
El margen de formación, referido como ?? y expresado en °C, correspondiente a la diferencia entre la temperatura T3.5 y la
temperatura de liquidus.
Tabla 1
Tabla 2
Las composiciones hacen posible obtener vidrios que tienen temperaturas de templado de aproximadamente 30 °C más alta que aquella del vidrio estándar. El resultado de esto es un comportamiento mecánico mejor, y hojas de vidrio que son menos propensas a deformarse durante los pasos de fabricación de celdas solares .
Estas composiciones de vidrio pueden ser producidas mediante el proceso de flotado bajo condiciones buenas, según se confirma por los márgenes de formación positivos. Estas tienen, además, una habilidad limitada de ser rayadas, una baja densidad y un índice refractivo particularmente bien adecuado al proceso de grabado químico de la capa del electrodo de molibdeno.
Claims (15)
1. El sustrato para celda fotovoltaica que comprende al menos una hoja de vidrio flotado provista sobre un lado de al menos un electrodo, caracterizado porque dicho vidrio tiene una composición química que comprende los siguientes componentes, en un contenido en peso que varía dentro de los límites abajo definidos: Si02 69-75%; A1203 0-3%; CaO + MgO 11-16.2%; MgO 0-6.5%; Na20 9-12.4%; K20 0-1.5%.
2. El sustrato de acuerdo a la reivindicación precedente, de tal manera que la suma de los contenidos en peso de Si02, AI2O3, CaO, MgO, Na20, K20 es al menos 95%, en particular 98%.
3. El sustrato de acuerdo a cualquiera de las reivindicaciones precedentes, de tal manera que el contenido en peso de MgO es máximo 1%, en particular 0.5%.
4. El sustrato de acuerdo a la reivindicación precedente, de tal manera que el vidrio tiene una composición química que comprende los siguientes componentes, en un contenido en peso que varía dentro de los límites abajo definidos: Si02 71-74.2%; A1203 0- 3%; CaO 11.5-13%; MgO 0-1%; Na20 11-12.4%, especialmente 11-12%; K20 0-1.5%.
5. El sustrato de acuerdo a las reivindicaciones 1 o 2, de tal manera que el contenido en peso de MgO es al menos 4%.
6. El sustrato de acuerdo a la reivindicación precedente, de tal manera que el vidrio tiene una composición química que comprende los siguientes componentes, en un contenido en peso que varía dentro de los límites abajo definidos: Si02 70-74%; A1203 0-2%; CaO 9-10.5%; MgO 4-6%; Na20 10-11%; KzO 0-1%.
7. El sustrato de acuerdo a la rei indicación 5, de tal manera que el vidrio tiene una composición química que comprende los siguientes componentes, en un contenido en peso que varía dentro de los límites abajo definidos: Si02 69-72%, especialmente 69-71%; A1203 1-3%, especialmente 1.7-3%; CaO 10-12%, especialmente 10.1-11%; MgO 4-5%; Na20 11-12.4%, especialmente 11.5-12%; K20 0-1%.
8. El sustrato de acuerdo a una de las reivindicaciones precedentes, de tal manera que el electrodo es una película delgada hecha de molibdeno o una película delgada, transparente y eléctricamente conductiva, basada en óxido de estaño adulterado con flúor o adulterado con antimonio, en óxido de zinc adulterado con aluminio o adulterado con galio, o basada en óxido de indio y estaño.
9. El dispositivo semiconductor comprendiendo al menos un sustrato de acuerdo a una de las reivindicaciones precedentes y al menos una película delgada de un material que tiene propiedades f otovol taicas depositadas sobre dicho al menos un sustrato.
10. El dispositivo semiconduc or de acuerdo a la reivindicación precedente, de tal manera que el material que tiene propiedades fotovol tai cas se selecciona de compuestos de CdTe y de tipo Cu ( In , Ga ) Se2.
11. La celda fotovoltaica comprendiendo un dispositivo semiconductor de acuerdo a una de las ei indicaciones precedentes del dispositivo.
12. La celda fotovoltaica de acuerdo a la reivindicación anterior, comprendiendo, como sustrato de lado frontal, un sustrato de acuerdo a una de las reivindicaciones 1 a 8, la composición química de la hoja de vidrio de dicho sustrato adicionalmen te comprendiendo óxido de hierro en una cantidad en peso de máximo 0.02%, en particular 0.015%.
13. La celda fotovoltaica de acuerdo a la reivindicación 11, comprendiendo, como sustrato de lado posterior, un sustrato de acuerdo a una de las reivindicaciones 1 a 8, la composición química de la hoja de vidrio de dicho sustrato adicionalmente comprendiendo óxido de hierro en un contenido en peso de al menos 0.05%, en particular dentro de un rango que se extiende desde 0.08 a 2%.
14. La celda fotovoltaica de acuerdo a la reivindicación precedente, de tal manera que el material que tiene propiedades fotovol taicas es un compuesto de tipo de Cu ( I n , Ga ) Se2 , el electrodo siendo una película delgada hecha de mol ibdeno .
15. El módulo fotovoltaico comprendiendo una pluralidad de celdas fotovoltaicas de acuerdo a una de las reivindicaciones precedentes de celdas.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1151937A FR2972446B1 (fr) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | Substrat pour cellule photovoltaique |
PCT/FR2012/050485 WO2012146844A1 (fr) | 2011-03-09 | 2012-03-08 | Substrat pour cellule photovoltaïque |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
MX2013010220A true MX2013010220A (es) | 2013-10-25 |
Family
ID=45937415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
MX2013010220A MX2013010220A (es) | 2011-03-09 | 2012-03-08 | Sustrato para celda fotovoltaica. |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8940996B2 (es) |
EP (1) | EP2683665B1 (es) |
JP (1) | JP6050261B2 (es) |
KR (1) | KR20140064713A (es) |
CN (1) | CN103429544A (es) |
CA (1) | CA2826465A1 (es) |
EA (1) | EA024896B1 (es) |
FR (1) | FR2972446B1 (es) |
MX (1) | MX2013010220A (es) |
WO (1) | WO2012146844A1 (es) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120132269A1 (en) * | 2010-05-20 | 2012-05-31 | Cardinal Fg Company | Glass substrates for high temperature applications |
US9517966B2 (en) | 2011-10-25 | 2016-12-13 | Corning Incorporated | Glass compositions with improved chemical and mechanical durability |
BR112014009921B1 (pt) | 2011-10-25 | 2020-12-29 | Corning Incorporated | composições de vidro com uma melhor durabilidade química e mecânica |
WO2013063292A1 (en) | 2011-10-25 | 2013-05-02 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
RU2691186C2 (ru) | 2011-10-25 | 2019-06-11 | Корнинг Инкорпорейтед | Щелочноземельные алюмосиликатные стеклянные композиции с улучшенной химической и механической стойкостью |
US10273048B2 (en) | 2012-06-07 | 2019-04-30 | Corning Incorporated | Delamination resistant glass containers with heat-tolerant coatings |
WO2014088066A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | 旭硝子株式会社 | 高透過性ガラス |
US9700485B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
US9707154B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-07-18 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
US9839579B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-12-12 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
US9700486B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
US9603775B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-03-28 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
US9707155B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-07-18 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
US9717648B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-08-01 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
US9713572B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-07-25 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
US9707153B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-07-18 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
US9717649B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-08-01 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
US9849066B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-12-26 | Corning Incorporated | Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients |
WO2015000090A2 (de) | 2013-07-04 | 2015-01-08 | Saint-Gobain Glass France | Brandschutzglasscheibe und brandschutzverglasung |
KR101711527B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2017-03-02 | 주식회사 엘지화학 | 화합물 반도체 및 그 제조 방법 |
US11680005B2 (en) * | 2020-02-12 | 2023-06-20 | Owens-Brockway Glass Container Inc. | Feed material for producing flint glass using submerged combustion melting |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2764596B1 (fr) * | 1997-06-17 | 1999-07-09 | Saint Gobain Vitrage | Composition de verre silico-sodo-calcique et leurs applications |
FR2765569B3 (fr) * | 1997-07-01 | 1999-07-16 | Saint Gobain Vitrage | Composition de verre de type silico-sodo-calcique |
JPH11135819A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物薄膜太陽電池 |
WO2001066477A1 (fr) * | 2000-03-06 | 2001-09-13 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Verre plat a coefficient de transmission eleve |
KR100847618B1 (ko) * | 2001-09-05 | 2008-07-21 | 니혼 이타가라스 가부시키가이샤 | 고 투과 글래스판 및 고 투과 글래스판의 제조방법 |
JP2003095691A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 高透過ガラスおよびその製造方法 |
US7037869B2 (en) * | 2002-01-28 | 2006-05-02 | Guardian Industries Corp. | Clear glass composition |
JP2007238398A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ソーダ石灰系ガラス組成物 |
US7560402B2 (en) * | 2006-10-06 | 2009-07-14 | Guardian Industries Corp. | Clear glass composition |
US8334452B2 (en) * | 2007-01-08 | 2012-12-18 | Guardian Industries Corp. | Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like |
FR2911868B1 (fr) * | 2007-01-26 | 2009-03-13 | Saint Gobain Emballage Sa | Procede de fabrication de verre |
US20080185041A1 (en) * | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Guardian Industries Corp. | Method of making a photovoltaic device with antireflective coating containing porous silica and resulting product |
JP2008280189A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 太陽電池用ガラス基板およびその製造方法 |
CN101784494B (zh) * | 2007-08-31 | 2013-01-30 | 旭硝子株式会社 | 玻璃板及其制造方法以及tft面板的制造方法 |
FR2921356B1 (fr) * | 2007-09-21 | 2011-01-21 | Saint Gobain | Composition de verre silico-sodo-calcique |
US8671717B2 (en) * | 2008-03-06 | 2014-03-18 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device having low iron high transmission glass with lithium oxide for reducing seed free time and corresponding method |
GB0810525D0 (en) * | 2008-06-09 | 2008-07-09 | Pilkington Group Ltd | Solar unit glass plate composition |
JP5365983B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2013-12-11 | 日本電気硝子株式会社 | 太陽電池用導電膜付ガラス基板 |
JP2010073551A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 色素増感型太陽電池用基板および色素増感型太陽電池用酸化物半導体電極 |
EP2299536A4 (en) * | 2008-06-17 | 2011-12-21 | Nippon Electric Glass Co | SUBSTRATE FOR SOLAR CELL AND OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE FOR COLOR-SENSITIZED SOLAR CELL |
EA019049B1 (ru) * | 2008-09-01 | 2013-12-30 | Сэн-Гобэн Гласс Франс | Способ получения стекла и полученное стекло |
US20100122728A1 (en) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Fulton Kevin R | Photovoltaic device using low iron high transmission glass with antimony and reduced alkali content and corresponding method |
FR2942623B1 (fr) * | 2009-02-27 | 2012-05-25 | Saint Gobain | Feuille de verre |
DE102009050987B3 (de) * | 2009-05-12 | 2010-10-07 | Schott Ag | Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle |
US9637408B2 (en) * | 2009-05-29 | 2017-05-02 | Corsam Technologies Llc | Fusion formable sodium containing glass |
US8647995B2 (en) * | 2009-07-24 | 2014-02-11 | Corsam Technologies Llc | Fusion formable silica and sodium containing glasses |
JP5642363B2 (ja) * | 2009-08-14 | 2014-12-17 | 日本板硝子株式会社 | ガラス基板 |
CN102574725B (zh) * | 2009-10-19 | 2014-12-17 | 旭硝子株式会社 | 基板用玻璃板、其制造方法及tft面板的制造方法 |
US20120132269A1 (en) | 2010-05-20 | 2012-05-31 | Cardinal Fg Company | Glass substrates for high temperature applications |
-
2011
- 2011-03-09 FR FR1151937A patent/FR2972446B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-05 US US13/411,856 patent/US8940996B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-08 CA CA2826465A patent/CA2826465A1/fr not_active Abandoned
- 2012-03-08 JP JP2013557162A patent/JP6050261B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-08 EA EA201391295A patent/EA024896B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2012-03-08 KR KR1020137023645A patent/KR20140064713A/ko active IP Right Grant
- 2012-03-08 EP EP12713214.0A patent/EP2683665B1/fr not_active Not-in-force
- 2012-03-08 MX MX2013010220A patent/MX2013010220A/es active IP Right Grant
- 2012-03-08 CN CN2012800122953A patent/CN103429544A/zh active Pending
- 2012-03-08 WO PCT/FR2012/050485 patent/WO2012146844A1/fr active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6050261B2 (ja) | 2016-12-21 |
EP2683665B1 (fr) | 2018-05-30 |
US8940996B2 (en) | 2015-01-27 |
EA024896B1 (ru) | 2016-10-31 |
CN103429544A (zh) | 2013-12-04 |
FR2972446B1 (fr) | 2017-11-24 |
EP2683665A1 (fr) | 2014-01-15 |
JP2014508708A (ja) | 2014-04-10 |
CA2826465A1 (fr) | 2012-11-01 |
FR2972446A1 (fr) | 2012-09-14 |
US20120234368A1 (en) | 2012-09-20 |
KR20140064713A (ko) | 2014-05-28 |
WO2012146844A1 (fr) | 2012-11-01 |
EA201391295A1 (ru) | 2014-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8940996B2 (en) | Substrate for photovoltaic cell | |
US20150166402A1 (en) | Glass | |
TWI534115B (zh) | 融合可形成矽石及含鈉玻璃 | |
JP5694935B2 (ja) | ガラスを得るための方法及び得られたガラス | |
CN102548919B (zh) | 具有高耐热性和低加工温度的铝硅酸盐玻璃 | |
JP3929026B2 (ja) | アルカリ土類金属を含有するアルミノ硼珪酸塩ガラス及びこのガラスの用途 | |
US20030087746A1 (en) | Alkali-containing aluminum borosilicate glass and utilization thereof | |
EP1910235A1 (en) | Method of making float glass with transparent conductive oxide (tco) film integrally formed on tin bath side of glass and corresponding product | |
WO2013025451A2 (en) | Fusion formable alkali-free intermediate thermal expansion coefficient glass | |
JP5962663B2 (ja) | 透明導電膜付きガラス板 | |
US20120021185A1 (en) | Glass sheet | |
KR20140061348A (ko) | 에너지 투과율이 높은 플로트 유리 시트 | |
JP6023098B2 (ja) | 半導体デバイスを含む光電池及び光起電モジュール | |
US20150325725A1 (en) | Glass substrate for solar cell | |
US20130053233A1 (en) | Method for producing a sheet of glass | |
WO2013099768A1 (ja) | ガラス基板およびガラス基板の製造方法 | |
WO2013064774A1 (fr) | Substrat pour cellule photovoltaïque |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FG | Grant or registration |