JP6049141B2 - 可視透過率の高い無ヒ素スピネルガラスセラミック - Google Patents
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Description
本出願は、その内容が依拠され、ここに全て引用される、２０１０年１１月４日に出願された欧州特許出願第１０３０６２０７．１号の米国法典第３５編第１１９条の下での優先権の恩恵を主張するものである。
（委託研究に関する供述）
本発明は、「太陽光発電(Solaire Photovoltaique)」というプログラムの下でＰＯＬＹＳＩＶＥＲＲＥプロジェクトに関する助成ＡＮＲ−０７−ＰＳＰＶ−００４−０５の下での「フランス国立研究機構」からの助成金により一部が資金供給された。
本発明は、「太陽光発電(Solaire Photovoltaique)」というプログラムの下でＰＯＬＹＳＩＶＥＲＲＥプロジェクトに関する助成ＡＮＲ−０７−ＰＳＰＶ−００４−０５の下での「フランス国立研究機構」からの助成金により一部が資金供給された。
本開示は、主結晶相としてスピネル固溶体を含有する透明ガラスセラミック材料、対応する前駆体アルミノケイ酸塩ガラス、この透明ガラスセラミック材料から製造された物品、並びにそのような物品を製造する方法、およびそのようなガラスセラミック材料から製造された板を含む構造、およびそのような構造を含む電子装置または光電装置に関する。
透明なスピネルガラスセラミックは、４００〜１０００ｎｍの範囲で高い透過率を示し、環境に優しい（ヒ素およびアンチモンを含まない）。それらのガラスセラミックは、その前駆体のアルミノケイ酸塩ガラスが適切な液相線（低い液相線温度およびこの温度での高い粘度）を示す限りでは、工業的に容易に得られる。
いくつかの透明なスピネルガラスセラミックは、興味深い歪み点および熱膨張係数も示す。それらのガラスセラミックは、例えば、高品質の単結晶または多結晶シリコン薄膜の高温成長のための適切な基板である。そのような薄膜を上に備えたそのような基板を含む構造は、光起電装置、フラットパネル装置および液晶装置に使用できる。
スピネルガラスセラミックは、数多くの従来技術文献に開示されてきた。
特許文献１には、亜鉛スピネルを含む透明ガラスセラミック物品が開示されている。前駆体ガラスの組成は核形成剤としてＺｒＯ2を含み、従来、Ａｓ2Ｏ3などの清澄剤がバッチ材料中に含まれるであろう。
特許文献２は、亜鉛尖晶石を含有する透明ガラスセラミックに関する。前駆体ガラスの組成は、核形成剤としてＴｉＯ2を含有する。微量のＺｒＯ2が、結晶化製品の性質に悪影響を与えずに、組成中に含まれるであろう。それにもかかわらず、ＴｉＯ2がはるかに効率的な核形成剤であるので、ＺｒＯ2は核形成剤として不必要であると説明されている。さらに、ＺｒＯ2は、ガラス中にＴｉＯ2よりもはるかに溶けにくいので、その存在は、ガラス中の未溶融粒子および／または失透の虞をもたらし、より高い溶融温度を必要とする。ガラスの品質を改善するために、Ａｓ2Ｏ3および／またはＳｂ2Ｏ3などの清澄剤がバッチに加えられるであろう。
特許文献３には、微細粒スピネル型結晶を含有する高弾性率ガラスセラミックが記載されている。核形成効率は、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2およびＮｉＯなどの成分の存在、および高レベルのＡｌ2Ｏ3の存在により向上する。
特許文献４には、主結晶相としてスピネルを含有する透明ガラスセラミックが記載されている。前駆体ガラスの組成は、核形成剤としてＴｉＯ2および／またはＺｒＯ2を含有する。Ａｓ2Ｏ3またはＳｂ2Ｏ3などの清澄剤が、前駆体ガラス組成に加えられてもよい。
特許文献４の発明者であるL.R.Pinckneyは、非特許文献１にも、高い歪み点を示すそのような透明なスピネルガラスセラミックを開示した。記載されたガラスセラミックは、変形せずに、１０００℃での熱処理に耐えることができる。L.R.Pinckneyは、ＴｉＯ2と共に（ヒ素は含まず）溶融された前駆体ガラスにより、灰色を示し、それゆえ全ての可視範囲での透過率が低いガラスセラミックが得られることを観察した。そのような低い透過率は、光起電用途などにおけるこれらのガラスセラミックの使用に対する障害である。何故ならば、その透過率により、シリコンに到達できる光の量が低減するからである。L.R.Pinckneyは、Ｔｉ3+におけるチタンの部分的還元が、可視における非常に強力な吸収の原因であることを示唆している。実際に、その成長作用に加え、ヒ素は漂白剤の役割も果たすようである。
特許文献５には、主結晶相としてスピネル、サファイアまたはコージエライトを含有するガラスセラミックが記載されている。そのガラスセラミックは、フロート法により前駆体ガラスを形成し、次いで、形成されたガラスをセラミック化することによって得ることができる。Ｂ2Ｏ3は、前駆体ガラスの組成の必須成分である。Ｐ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｎＯ2およびＴａ2Ｏ5が核形成剤として提案されている。ＳｎＯ2も清澄剤として提案されている。
特許文献６にも、主結晶相としてスピネルを含有するガラスセラミックが記載されている。ＴｉＯ2が好ましい核形成剤として開示されている。これは多量に使用してもよい。
the Journal of Non-Crystalline Solids, 255 (1999), pp. 171-177
そのような文脈において、本出願の発明者等は、（ｉ）どのような毒性の清澄剤も含まず（Ａｓ2Ｏ3およびＳｂ2Ｏ3を含まない）、（ｉｉ）可視および近ＩＲにおける高い透過率を示す（そのような高い透過率は、光起電用途または同等の用途の場合、非常に重要である：そのように上層として使用されるガラスセラミックは、最大の太陽エネルギーをシリコン層に到達させられる）、すなわち、（１ｍｍの厚さで）４００〜４５０ｎｍの範囲の波長について少なくとも５０％（４００〜４５０ｎｍの範囲の波長について好ましくは７０％超）、４５０〜５２０ｎｍの範囲の波長について８０％超、および５２０〜１０００ｎｍの範囲の波長について８５％超の透過率を示す、および（ｉｉｉ）その前駆体ガラスが、１５００℃未満の液相線および７００ｄＰａ・ｓ超の液相線での粘度を示す、スピネルガラスセラミックを提供する技術的課題を検討した。
ここに開示された透明スピネルガラスセラミックは、高い歪み点（８５０℃超、より好ましくは８７５℃超、最も好ましくは９００℃超）、並びに３０〜４０×１０-7／Ｋ範囲のＣＴＥ（２５〜３００℃）も示すことが有利である。その有利な特徴は、それらのガラスセラミックが、半導体から製造された層、特に結晶性シリコン層の基板として使用されることが目的とされている場合、特に有利である。したがって、そのＣＴＥは、シリコンに対して比較的近い熱的一致を提供し、その高い歪み点のために、高温（＞８５０℃）での成長により高品質の結晶性シリコンを製造するための基板としてそれらのガラスセラミックを使用できる。
なお、ここに開示されたガラスセラミックは、上述した５つの条項（半導体から製造された層、特に結晶性シリコン層の基体として特に適しているように）に関してより特別に開発されてきたことを留意されたいが、本開示は、最初の３つの条項のみに適合し、他の状況で使用できるガラスセラミックも包含することにも留意されたい。そのような透明なスピネルガラスセラミックは、容易に得られ、毒性の清澄剤を含まず、それ自体で興味深い。
酸化スズは、アルミノケイ酸塩ガラスにおける清澄のための、見込みのあるヒ素代用物である。しかしながら、適切な液相線を有するガラスから得られ、高い透過率を有するガラスセラミックの組成に酸化スズを含むことは、全く明白ではなかった。先に説明したように、ヒ素を除去すると、可視範囲の強い吸収がもたらされ、酸化チタンを除去し、それを酸化ジルコニウムで置換すると、透明であるが、許容できない液相線（＞１５００℃）を有する材料がもたらされる。さらに、チタンを含有するガラスセラミックは、おそらくは、原料により不純物としてもたらされる鉄とチタンとの間の電荷移動の存在のために、４００〜４５０ｎｍの範囲に強い吸収を有する傾向にある。この吸収は、酸化スズが加えられると強調される。
実際に、発明者等は、意外なことに、低レベルの鉄と共に、核形成剤としてのＴｉＯ2およびＺｒＯ2の共存により、適切な透明スピネルガラスセラミックを得る際のＡｓ2Ｏ3の代用物としてＳｎＯ2を使用できることを発見した。
したがって、ＡｓとＳｂを含まず、主結晶相としてスピネル固溶体を含有する透明ガラスセラミック材料がここに開示される。特徴として、この材料の組成（質量パーセントで表して）は、避けられない微量を除いて、Ａｓ2Ｏ3およびＳｂ2Ｏ3を含まず、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2およびＺｒＯ2、並びに１００ｐｐｍ未満のＦｅ2Ｏ3を含む。
透明材料は、ここでは、４００〜４５０ｎｍの範囲の波長について少なくとも５０％（４００〜４５０ｎｍの範囲の波長について好ましくは７０％超）、４５０〜５２０ｎｍの範囲の波長について８０％超、および５２０〜１０００ｎｍの範囲の波長について８５％超の透過率を示す材料を意味し、そのような透過率は、１ｍｍの厚さの材料を通して測定される。
この材料中に観察される主結晶相は、式（Ｚｎ，Ｍｇ）Ａｌ2Ｏ4のスピネル固溶体である（この固溶体中にチタンや鉄などの他の元素が入ることは不可能ではない）。これは、結晶物質の少なくとも７５％（質量％で）を占める。本発明の材料内に存在する他の結晶相は、例えば、スリランカイトや石英であって差し支えない。スピネル晶子の平均径は一般に１０ｎｍ未満である。
特徴として、この材料の組成は、透過率の高いスピネルガラスセラミックを生成するように、清澄剤としてＳｎＯ2を、核形成剤としてＴｉＯ2とＺｒＯ2の両方を、および１００ｐｐｍ未満のＦｅ2Ｏ3を含む。
４種類の先に特定した成分は、以下の表示範囲内で質量組成中に存在することが有利である：
０．１〜２（好ましくは、０．１５〜０．８）％のＳｎＯ2、
２〜４（好ましくは２〜３）％のＴｉＯ2、
３〜４．５％のＺｒＯ2、および
１００ｐｐｍ未満のＦｅ2Ｏ3。
０．１〜２（好ましくは、０．１５〜０．８）％のＳｎＯ2、
２〜４（好ましくは２〜３）％のＴｉＯ2、
３〜４．５％のＺｒＯ2、および
１００ｐｐｍ未満のＦｅ2Ｏ3。
ＳｎＯ2は清澄剤として効率的である。この成分は、核形成剤としての役割を果たし、酸化チタンのレベルを制限するのに役立つようである。この成分は、０．１〜２質量％の表示レベルで存在することが有利であり、０．１５〜０．８質量％の表示レベルで存在することが非常に有利である。清澄効率と吸収の両方が、酸化スズのレベルと共に増加する。
ＴｉＯ2は、表示範囲内で有利に（非常に有利に）存在する。この成分は、核形成剤として十分に効率的であり（そうでなければ、前記材料は透明ではない）、強い吸収の原因ではないべきである。
ＺｒＯ2は表示範囲内で有利に存在する。この成分は、核形成剤として十分に効率的であり、失透の原因となってはいけない。開示されたガラスは、１５００℃未満の液相線温度、および７００ｄＰａ・ｓ超の液相線での粘度を示す。
ＴｉＯ2とＺｒＯ2の表示範囲の組合せが特に適している。ＳｎＯ2とＴｉＯ2の表示の好ましい範囲（非常に有利な変形）は互いに関係ないことに留意すべきである。
鉄は、原料により導入されるかもしれない不純物である。鉄は、吸収を制限するために１００ｐｐｍ未満の濃度で存在し得る。そのレベルは、８０ｐｐｍ未満が有利であり、６０ｐｐｍ未満が非常に有利である。
好ましい変形例によれば、ガラスセラミック材料は、酸化物の質量パーセントで表して、４５〜６５％のＳｉＯ2、１４〜２８％のＡｌ2Ｏ3、４〜１３％のＺｎＯ、０〜８％のＭｇＯ、０〜８％のＢａＯ、０．１〜２％のＳｎＯ2、２〜４％のＴｉＯ2、３〜４．５％のＺｒＯ2、および１００ｐｐｍ未満のＦｅ2Ｏ3から実質的になり、ＺｎＯ＋ＭｇＯ≧８％である。
組成が、化合物（酸化物）の所定のリスト「から実質的になる」と表示されている。これは、ガラスセラミック材料中、列挙された化合物（酸化物）の合計が少なくとも９５質量％、一般に、少なくとも９８質量％であることを意味する。そのガラスセラミック材料中に他の化合物（明らかに、要求される性質、より詳しくは透明性に強く有害に作用しない他の化合物）が少量見つかるかもしれないことは排除できない。それゆえ、ＣｅＯ2の存在は、（いわば）排除され（ガラスセラミックの組成は一般にＣｅＯ2を含まない）、またＢ2Ｏ3の際立った存在も排除される（ガラスセラミックの組成は一般にＢ2Ｏ3を含まない）。
ガラスセラミックの歪み点に関して、その組成は、有利には、５５質量％超のＳｉＯ2を含み、その組成内で、モル比（Ｒ2Ｏ＋ＲＯ）／Ａｌ2Ｏ3は０．５から１．５であり、式中、Ｒ2Ｏは、アルカリ酸化物のモル数の合計であり、ＲＯは、アルカリ土類酸化物にＺｎＯを加えたモル数の合計である。そのような組成を有するガラスセラミックは、一般に、少なくとも８７５℃（少なくとも９００℃）の高い歪み点を有する。
Ａｌ2Ｏ3は、結晶の主成分の１つである。この成分は、十分な結晶化を確実にする最小量かつ、許容できないムライトの失透を生じるほど多くはない量で、それゆえ、先に示された好ましい範囲で存在し得る。
ＺｎＯおよびＭｇＯも結晶の構成成分である。したがって、最小量を含ませることができる。多すぎるレベルでは、ＭｇＯは透明性にとって有害である。先に示された好ましい値は、それを考慮している。
ＢａＯは残留ガラス中に残る。良好な透明性を有するのに役立つが、その量は、十分な結晶化度および高い歪み点を維持するように制限されるべきであり、それゆえ、先に表示された好ましい範囲であることが観察された。
当業者は、ここに開示されたガラスセラミックが非常に興味深いことを気付いたであろう。
ここに開示される前駆体ガラスおよびガラスセラミックは環境にやさしい（ヒ素とアンチモンを含まない）。それら前駆体ガラスは容易に形成される。
ここに開示されるガラスセラミックは、透明であり、４００ｎｍ超で高い透過率を示し、このことは、高い歪み点と相まって、それらガラスセラミックを光電池の上層として適したものとする。
このガラスセラミックのいくつかは、単結晶または多結晶半導体層の高温成長を支援するのに特に適している。そのような成長は、ガラスセラミック材料上に形成された種層のエピタキシャル厚膜化にあるであろう。この種層は、アルミニウム誘起結晶化またはアルミニウム誘起層交換によって形成される大きい粒子の多結晶シリコン層であるか（O. Nast, T. Puzzer, L.M. Koschier, A.B. Sproul, S.R. Wenham, Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 3214）、または単結晶シリコン層であろう（国際公開第２００８／１２１２６２号パンフレット）。そのような層のエピタキシャル厚膜化は、８００℃超の温度で行われることが有利であり、１０００℃超の温度で行われることが有利である（I. Gordon et al., Solar Energy Materials & Solar Cells 94 (2010) 381-385）。高品質の多結晶シリコン層を達成する別の手段は、先に成長させた多結晶シリコン層の高温での急速焼き鈍しを行うことである（B. Rau et al., Materials Science and Engineering B 159-160 (2009) 329-332）。
光電池は通常、上層と少なくとも１つの半導体吸収層との間に位置する少なくとも１つの透明導電層を備えている。そのような透明導電層により、半導体吸収層中で生成した電荷担体の収集が可能になる一方で、光子のほとんどが半導体吸収層に到達することができる。透明導電層は、透明導体酸化物層であってよく、またはより有利には、種層のエピタキシャル厚膜化の場合に、高ドープ層であれば、それ自体が種層であってよい。透明導電層は通常、４００ｎｍ未満の波長で著しい吸収を有し、これにより、収集可能な電荷担体が生成されない。したがって、上層は、４００ｎｍ超の波長で高い透過率を有することが好ましいであろう。種層が導電層としても働く、エピタキシャル厚膜化の好ましい場合、この半透明の導電層は通常、約４５０ｎｍまでの波長で著しい吸収を有する。この場合、上層は、４５０ｎｍ超の波長で高い透過率を有することが好ましいであろう。このようにして、本発明のガラスセラミックは、光電池の上層として特に適している。
第２の主題によれば、本開示は、上述したガラスセラミック材料の前駆体であるアルミノケイ酸塩ガラス材料に関する。そのようなガラス材料は、先に示した組成（ガラスセラミックについて）を有することが有利である。その組成内で、酸化ジルコニウムのレベルは、失透を制限するために十分に低いレベルに維持することができる。ＴｉＯ2およびＺｒＯ2の存在により、その要件を満たすことができる。
本発明は、上述したガラスセラミック材料から製造された物品にも関する。そのようなガラスセラミック物品は、どのような形状を示しても、どのような使用を目的としてもよい。それらの物品が板であることが有利である。そのような板は一般に０．５から４ｍｍの範囲の厚さを有する。そのような板は、半導体薄膜の支持体（基板）として使用されることが有利である。
さらに別の実施の形態によれば、本開示は、上述したガラスセラミック材料から製造された物品を製造する方法に関する。そのような方法は、ガラス化できる原料のバッチ混合物であって、清澄剤としてＳｎＯ2を含有するバッチ混合物を溶融する工程、その後、得られた溶融ガラスを清澄する工程、得られた清澄済み溶融ガラスを冷却すると同時に、そのガラスを目的とする物品の所望の形状に成形する工程、および形成されたガラスをセラミック化する工程を連続的に有してなり、前記バッチ混合物は、上述したガラスセラミック材料の前駆体である。
この方法は、適切な鉱物バッチ混合物（有利には、より正確に上述した量で、清澄剤としてＳｎＯ2を、核形成剤としてＴｉＯ2およびＺｒＯ2を、１００ｐｐｍ未満のＦｅ2Ｏ3を含む）に、スピネルガラスセラミックを提供する適切な熱処理で特徴的に行われる。
セラミック化処理は一般に、２つの工程：核形成工程（７００〜８５０℃の範囲）および結晶成長工程（８５０〜１０５０℃の範囲）を含む。これらの工程の各々について、少なくとも１時間を要する。
この方法の形成工程は、板を製造するために行われることが有利である。それゆえ、この工程は、圧延（ローラの間を通す）またはフロート法にあることが非常に有利である。製造された板は一般に、０．５から４ｍｍの厚さを有する。
上述した方法により製造されたどの板も、より一般には、ガラスセラミックのどの板も、その板に加え、半導体から製造された少なくとも１つの層（その上に配置された）を含む構造の一部であることが適している。そのような構造はさらに別の主題を構成する。
最後に、本開示は、そのような構造（ガラスセラミック板＋半導体から製造された少なくとも１つの層）を備えた電子装置および光電装置に関する。そのような装置は、光起電装置、フラットパネルディスプレイ装置、液晶ディスプレイ装置であってよい。そのリストは決して網羅的ではない。
当業者には、スピネルガラスセラミック材料の大きな利点が理解される。それらの材料は、Ａｓ2Ｏ3およびＳｂ2Ｏ3を含まず、容易に得られ、高温に耐えることもできる。それゆえ、それらの材料は、結晶性シリコン薄膜の完璧な支持体を構成することができる。
本発明を、ここで、非限定的様式で、以下の実施例（１から６）により説明する。その実施例は、所定の比較例（ＡからＤ）と比べられる。
本開示を、これらの比較例（ＡおよびＢ）と実施例（１および３）のいくつかの完全な透過率曲線（波長の関数として）を示す添付図面により説明する。
１ｋｇの前駆体ガラスのバッチを製造するために、下記の表１の第一部に示された比率（酸化物として表された質量比）の原料を注意深く混合した。その原料は、不純物（微量で）、より詳しくは微量のＦｅ2Ｏ3を含むことに留意されたい。
これらの混合物を白金坩堝内に入れ（溶融および清澄のため）、１６５０℃で４時間に亘り溶融した。
溶融後、そのガラスを６ｍｍの厚さに圧延し、７２０℃で１時間に亘り焼き鈍しした。
次いで、以下のサイクルにしたがって、セラミック化を行った：
１５０分間で８００℃に加熱；
１２０分間に亘り８００℃を維持；
４０分間で１０００℃に加熱；
２４０分間に亘り１０００℃を維持。
１５０分間で８００℃に加熱；
１２０分間に亘り８００℃を維持；
４０分間で１０００℃に加熱；
２４０分間に亘り１０００℃を維持。
積分球を備えた分光偏光計（これにより、全透過率、すなわち、直接＋拡散の透過率を測定することができる）により、１ｍｍ厚の研磨サンプルに透過率測定を行った。「Ｔ８０％」、「Ｔ８５％」および「Ｔ９０％」の列（以下の表１の第二部の）は、８０％、８５％および９０％の透過率値にそれぞれ到達した波長（ｎｍ）を与えている。値がより低いほうが良い。
０．５ｃｍ3の容積を有する前駆体ガラス片について、液相線温度を測定した。これらのガラス片に以下の処理を施した：
１５５０℃に予熱した炉に導入；
３０分間に亘り１５５０℃を維持；
温度を、１０℃／分で試験温度まで低下させる；
１７時間に亘り試験温度を維持；
サンプルの空気焼き入れ。
１５５０℃に予熱した炉に導入；
３０分間に亘り１５５０℃を維持；
温度を、１０℃／分で試験温度まで低下させる；
１７時間に亘り試験温度を維持；
サンプルの空気焼き入れ。
結晶の存在を光学顕微鏡により観察した。以下の表１において、温度範囲（および関連する粘度範囲）が液相線として与えられている。最高温度は、結晶が観察されなかった試験の最低温度に相当する；最低温度は、結晶が観察された試験の最高温度に相当する。液相線温度で失透する結晶相の性質も示されている。
歪み点は、ビーム曲げ(beam bending)粘度測定法により測定した。
温度範囲２５〜３００℃に亘り線熱膨張係数（ＣＴＥ）を膨張計測によって測定した。
例Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは本発明に属さない。それらは比較例である。
比較例ＡのガラスはＡｓ2Ｏ3を含有する。このガラスは、特許文献４によるガラスである。
比較例Ｂのガラスは、比較例Ａのガラスの組成とほぼ同じ組成を有する。しかしながら、その組成にはＡｓ2Ｏ3は含まれない。先に説明したように、このガラスは低い透過率を示す。
比較例Ｃのガラスは、ヒ素を含有しないが、比較例Ｂのガラスよりも低いレベルのチタンを含有する。その透過率は、高くなったが、それでも低い。
比較例Ｄのカラスは、比較例Ｃよりも低いレベルで鉄を含む。このガラスは、高い透過率を示すが、比較例Ａ（Ａｓ2Ｏ3）の透過率よりもまだはるかに低い。
例１〜６は本発明の実施例である。例１が好ましい。
添付図面は、例Ｂの透過率が低く、例Ａ、１および３の透過率が、４５０ｎｍ超の任意の波長で８０％より高く、５２０ｎｍ超の任意の波長で８５％より高いことを明示している。この図面は、例１の透過率が、４００ｎｍ超の任意の波長で８０％より高いので、特に興味深いことも示している。
Claims (3)
- 主結晶相としてスピネル固溶体を含有する透明ガラスセラミック材料であって、
避けられない微量を除いて、Ｂ２Ｏ３、Ａｓ2Ｏ3およびＳｂ2Ｏ3を含まず、酸化物の質量パーセントで表して、４５〜６５％のＳｉＯ 2 、１４〜２８％のＡｌ 2 Ｏ 3 、４〜１３％のＺｎＯ、２．５０〜８％のＭｇＯ、２．１２〜８％のＢａＯ、０．１〜２％のＳｎＯ 2 、２〜４％のＴｉＯ 2 、３〜４．５％のＺｒＯ 2 、および１００ｐｐｍ未満のＦｅ 2 Ｏ 3 から実質的になり、ＺｎＯ＋ＭｇＯ≧８％である組成を有するガラスセラミック材料。 - 前記組成中、酸化物の質量パーセントで表して、ＳｎＯ2 の含有量が０．１５〜０．８％、またはＴｉＯ2 の含有量が２〜３％、またはその両方である、請求項１記載のガラスセラミック材料。
- 前記組成が８０ｐｐｍ未満のＦｅ2Ｏ3を含む、請求項１記載のガラスセラミック材料。
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| TWI726720B (zh) | 2014-11-04 | 2021-05-01 | 美商康寧公司 | 深不易碎的應力分佈及其製造方法 |
| CN105601115A (zh) * | 2014-11-19 | 2016-05-25 | 成都光明光电股份有限公司 | 以尖晶石为主的微晶玻璃及其制备方法 |
| CN111348835A (zh) * | 2014-11-19 | 2020-06-30 | 成都光明光电股份有限公司 | 高硬度透明微晶玻璃及其制备方法 |
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| US11267747B2 (en) | 2015-03-24 | 2022-03-08 | Corning Incorporated | High strength, scratch resistant and transparent glass-based materials |
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| CN105347685B (zh) * | 2015-12-03 | 2019-01-04 | 成都光明光电有限责任公司 | 微晶玻璃及其制备方法 |
| KR102029948B1 (ko) | 2015-12-11 | 2019-10-08 | 코닝 인코포레이티드 | 금속 산화물 농도 구배를 포함하는 융합-형성가능한 유리계 제품 |
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| US11192818B2 (en) * | 2017-11-30 | 2021-12-07 | Corning Incorporated | Ion exchangeable, transparent gahnite-spinel glass ceramics with high hardness and modulus |
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| CN110240410A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-17 | 黄俊力 | 一种尖晶石微晶玻璃及其制备方法 |
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Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3681102A (en) | 1970-03-27 | 1972-08-01 | Corning Glass Works | Transparent glass-ceramic articles comprising zinc spinel |
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| US5476821A (en) * | 1994-11-01 | 1995-12-19 | Corning Incorporated | High modulus glass-ceramics containing fine grained spinel-type crystals |
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| DE69915428T2 (de) * | 1998-10-27 | 2005-02-17 | Corning Inc. | Glaskeramiken mit niedriger Ausdehnung |
| DE10346197B4 (de) * | 2003-09-30 | 2006-02-16 | Schott Ag | Glaskeramik, Verfahren zur Herstellung einer solchen und Verwendung |
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| WO2005066990A2 (de) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Schott Ag | Verwendungen von glaskeramiken |
| DE502006004506D1 (de) * | 2006-03-20 | 2009-09-24 | Schott Ag | Transparente, farblose Lithium-Aluminosilikat-Glaskeramikplatte mit blickdichter, farbiger Unterseitenbeschichtung |
| DE502006007025D1 (de) * | 2006-03-20 | 2010-07-08 | Schott Ag | Lithium-Aluminium-Silikatglas mit kurzen Keramisierungszeiten |
| WO2007144875A1 (en) | 2006-06-13 | 2007-12-21 | D&D Salomon Investment Ltd. | Glass-ceramic materials having a predominant spinel-group crystal phase |
| FR2909374B1 (fr) * | 2006-11-30 | 2016-11-25 | Soc En Nom Collectif Dite : Eurokera | Vitroceramiques de beta-quartz, transparentes et incolores, a faible teneur en tio2; articles en lesdites vitroceramiques ; verres precurseurs, procedes d'elaboration |
| WO2008121262A2 (en) | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Corning Incorporated | Glass-ceramic-based semiconductor-on-insulator structures and method for making the same |
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