JP6045714B1 - ヒューズの製造方法、ヒューズ、回路基板の製造方法及び回路基板 - Google Patents
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Abstract
Description
しかし、特許文献1の技術を小型のヒューズに応用しようとすると、絶縁性樹脂層と金属薄膜の接触界面の表面粗さを100(nm)以下にする必要があるため、実現には多大なコストを要してしまう。
また、前記第1入込部は、フック形状となっていることとしてもよい。
また、前記基板は、ポリイミド基板であることとしてもよい。
1.比較例
1−1.比較例に係るヒューズの構成
1−2.パルス寿命試験
1−3.ヒートサイクル試験
1−4.ヒューズ膜の剥離
1−5.内部端子の剥離
2.ヒューズの構成
3.ヒューズの製造方法
4.変形例
5.回路基板の構成
6.回路基板の製造方法
本発明に係るヒューズについて説明する前に、比較例に係るヒューズについて説明する。以下においては、比較例に係るヒューズの構成について説明した後に、比較例に係るヒューズにおいて発生する諸問題について説明する。
図1は、比較例1に係るヒューズ900の断面模式図である。図2は、ヒューズ900の平面模式図である。図1及び図2に示すように、比較例1に係るヒューズ900は、支持基板910と、ヒューズ膜920と、内部端子930と、オーバーコート940と、外部端子950とを有する。
ヒューズ膜920は、支持基板910の主面912上に形成されている。ヒューズ膜920は導体であり、ここでは銀製である。ヒューズ膜920の長手方向両端は、それぞれ内部端子930に電気的に接続されている。
オーバーコート940は、ヒューズ膜920と内部端子930の一部とを覆う。オーバーコート940は、例えばエポキシ樹脂から成る。
外部端子950は、例えば銀製であり、内部端子930上に内部端子930と接続するように形成されている。
ここで、図3を参照しながら、比較例1に係るヒューズ900のパルス寿命について説明する。
図4は、比較例1に係るヒューズ900の溶断特性曲線を示すグラフである。グラフの横軸は通電時間Tであり、縦軸は通電電流Iである。図4を見ると分かるように、ヒューズ900の溶断特性は、通電時間Tが大きくなるにつれて、通電電流Iが小さくなる傾向を示す。
かかる場合に、ヒューズ900の電流負荷率ηは、Ip/I1となる。このため、電流負荷率ηは、パルス波形の通電電流Ipの大きさに比例する。
比較例1に係るヒューズ900は、周囲環境や使用条件に左右されるが、温度変化を長期間に亘って繰り返し受ける。このようなヒューズ900の信頼性試験として、公知のヒートサイクル試験が行われている。ヒートサイクル試験を行うことで、例えば、ヒューズ900の内部端子930や外部端子950の損傷や異常な抵抗変化の有無等を評価できる。
比較例1に係るヒューズ900は、電流の通電と通電停止とが繰り返されることで、ヒューズ膜920が支持基板910から剥離して溶断することがある。以下において、ヒューズ膜920が支持基板910から剥離するメカニズムについて説明する。
パルス寿命試験時においては、ヒューズ膜920を観察することで、下記の点を確認できた。すなわち、入力数NがN3からN4の区間において、ヒューズ膜920は、支持基板910との接合面から剥離し、剥離した部位において溶断することが判明した。
前述したように、ヒートサイクル試験を行うと、ヒューズ900の抵抗値が大幅に増加する。試験後のヒューズ900を調査したところ、抵抗値の増加の要因として、ヒートサイクル試験時の内部端子930が支持基板910から剥離することが解明された。
このため、ヒューズ900のヒートサイクル試験時の信頼性を高めるためには、内部端子930を支持基板910に強固に接合させることが望ましい。
図7及び図8を参照しながら、本発明の一実施形態に係るヒューズ1の構成について説明する。
図7は、一実施形態に係るヒューズ1の断面模式図である。図8は、ヒューズ1の平面模式図である。
内部端子31d、31eは、ヒューズ膜20の長手方向に沿ってヒューズ膜20の両側に設けられている。内部端子31d、31eの幅及び厚さは、内部端子31a〜31cの幅及び厚さと同じ大きさである。
なお、上記では、第3入込部及び第4入込部の両方が形成されていることとしたが、これに限定されない。第3入込部及び第4入込部の少なくともいずれか一方が形成されていてもよい。
上述した本実施形態のヒューズ1のパルス寿命について、比較例2、3に係るヒューズと対比しながら説明する。ここでは、本実施形態に係るヒューズ1と比較例2、3に係るヒューズについて、同一条件でパルス寿命試験を行った。
図12は、本実施形態に係るヒューズ1と比較例1に係るヒューズ900のパルス寿命試験結果を示すグラフである。図12中の曲線C1は、本実施形態に係るヒューズ1のパルス寿命を示し、曲線C4は、比較例1に係るヒューズ900のパルス寿命を示す。グラフを見ると分かるように、本実施形態に係るヒューズ1のパルス寿命は、比較例1に係るヒューズ900のパルス寿命に比べて大幅に改善されている。
次に、本実施形態のヒューズ1のヒューズ膜20と支持基板10の接合強度について、前述した比較例2、3に係るヒューズと対比しながら説明する。ここでは、接合強度を把握するために、本実施形態に係るヒューズ1と比較例2、3に係るヒューズについて同一条件でテープ剥離試験を行った。
なお、上述したパルス寿命試験と剥離試験の結果から、図11に示すパルス寿命と剥離強度に相関関係があることも確認された。
図13を参照しながら、ヒューズ1の製造方法の一例について説明する。
図13は、ヒューズ1の製造工程を示すフローチャートである。ヒューズ1の製造工程は、図13に示すように、液膜形成工程、乾燥工程、ヒューズ膜・内部端子形成工程、洗浄工程、焼成工程、後工程、検査工程を含む。以下では、工程毎に説明する。
液膜形成工程S102では、集合基板100の主面である表面102(図14参照)上に、金属ナノ粒子が溶媒中に分散された分散液の液膜であるインク膜110を形成する。具体的には、不図示のスピンコータを使用して、金属ナノ粒子を含むインクを集合基板100の表面102全体に所定の厚さだけ形成する。
乾燥工程S104では、集合基板100上のインク膜110を乾燥させる。具体的には、送風加熱炉を使用して、インク膜110を例えば約70℃の温度で約1時間以下の乾燥を行う。これにより、インク膜110中の低沸点の溶媒(例えば、テトラデカンの一部)が蒸発して、集合基板100上に厚さが一様な乾燥したインク膜110(具体的には、ナノ銀インク膜)が形成される。この結果、集合基板100の表面102は、乾燥したインク膜110によって覆われ、大気からは遮断される。
ヒューズ膜・内部端子形成工程においては、集合基板100上のインク膜110にレーザ照射装置によってレーザ光をインク膜110に照射することで、ヒューズ膜及び内部端子を形成する。以下では、ヒューズ膜・内部端子形成工程を説明する前に、レーザ照射装置の構成について説明する。
図15は、レーザ照射装置200の構成の一例を示す模式図である。レーザ照射装置200は、制御部210と、レーザ出力部220と、光学部230と、可動テーブル240と、テーブル駆動装置245と、検出部250とを有する。
ミラー232は、レーザ光の照射方向を調整する。光学フィルター234は、レーザ光の光量を減衰させる機能を有する。光学フィルター234は、例えばND(Neutral Density)フィルターである。レンズ236は、光学フィルター234で減衰されたレーザ光を集光する。
テーブル駆動装置245は、可動テーブル240をX方向及びY方向にそれぞれ独立に移動させる。
検出部250は、例えばCCDカメラであり、集合基板100の位置や集合基板100上のレーザ光の照射状態を検出する。
次に、集合基板100上のインク膜110の隅にレーザ光を照射して、図17に示すようなアライメントマーク115a、115b、115cを形成する(ステップS134)。形成されたアライメントマーク115a〜115cの形状は、例えば略十字状である。ここで、アライメントマーク115a〜115cとは、複数のヒューズ膜及び内部端子を集合基板100に形成する形成位置を調整するための位置調整マークである。
次に、乾燥したインク膜110の表面にレーザ光を照射して、インク膜110を加熱する(ステップS138)。この際、レーザ光を照射する部分は、アライメントマーク115aの位置(原点)に基づいて特定される。すなわち、制御部210は、ヒューズ膜及び内部端子の形状と、アライメントマーク115aの位置を基準としたヒューズ膜及び内部端子の位置とに関するCAD情報をパーソナルコンピュータから受け取って、可動テーブル240の移動及びレーザ光の照射の制御を行う。例えば、制御部210は、約3〜90(mm/sec)の走査速度で、インク膜110の表面に対してほぼ垂直にレーザ光を照射させる。
具体的には、レーザ光が照射されるインク膜110は、主に沸点の高い溶媒と分散剤と銀ナノ粒子とで構成されている。ここで、銀ナノ粒子は、平均粒子径が約15(nm)であり、波長が1064(nm)のレーザ光を吸収する吸収特性を有するため、レーザ光を吸光(プラズモン吸光)して発熱する。これにより、銀ナノ粒子が、温度上昇して例えば500℃に達すると、高沸点の溶媒及び分散剤(一部)が気化する。例えば、溶媒及び分散剤は、蒸発又はガス化(酸化)する。そして、分散剤が気化することで、分散剤と銀ナノ粒子の間の結合も解放される。
また、加熱された表面102の温度は、ガラス転位温度(約420℃)よりも大きくて600℃以下に管理することが望ましい。表面102の温度が、500℃を大幅に超える温度(例えば600℃〜700℃)になると、表面102の炭化が進行してしまうため、表面102を十分に軟化又は溶融できない。同様に、表面102の温度がガラス転位温度に達しない場合にも、表面102を十分に軟化又は溶融できない。
インク膜110中の銀ナノ粒子の吸光反応は、インク膜110の表層で生じる。このため、1回目のレーザ光の照射により、インク膜110の表層において吸光発熱反応が生じて、表層の分散剤の炭化や硬化、及び銀ナノ粒子の焼結が生じる。その後、2回目の照射を行った場合に、炭化又は硬化した分散剤等が障害となって表層の下部に存在する未焼結の銀ナノ粒子へレーザ光が十分に届かないため、集合基板100の表面102を十分に加熱できない。また、表層の下部において生じたガス等が表層に阻まれて十分に大気中へ排出できないため、インク膜110の抵抗率等の物性値を管理することが困難となる。
なお、レーザ光の照射強度及び走査速度の設定については、特にインク膜110の厚さやレーザ光のスポット径も考慮することが望ましい。
インク膜110の表面にレーザ光を照射して表面を加熱する系において、インク膜110の厚さ方向の平均的な熱の及び距離L(L)は、下記の式(3)となる。
また、スポット径φ(L)と走査速度V(L)とを変化させて、インク膜110の厚さt(L)によって集合基板100の表面102が軟化又は溶融する状態の変化を観察した結果、距離L(L)は厚さt(L)と強い相関があることが判明した。すなわち、インク膜110の厚さ方向の平均的な熱の及ぶ距離L(L)は、厚さt(L)を代表しているものと考えられる。
ステップS138の表面102上のインク膜110へのレーザ光の照射後に、例えば所定時間放置することで、インク膜110中の溶融又は焼結した金属ナノ粒子と、軟化又は溶融した表面102とを相互に融合させる(ステップS140)。これにより、表面102上に、図18に示すようにヒューズ膜120及び内部端子群130が形成される。すなわち、インク膜110のうちレーザ光が照射されて加熱された部分が、ヒューズ膜120及び内部端子群130となる。
インク膜110中の溶融又は焼結した金属ナノ粒子は、軟化又は溶融した表面102と接触して、相互に融合した接合界面が形成される。すなわち、金属ナノ粒子及び表面102の表面張力が相互作用して、金属ナノ粒子と表面102とが互いに濡れ合う接合界面を自由に形成する。接合界面が形成されることで、表面102上にヒューズ膜120及び内部端子群130が形成される。
内部端子群130は、ヒューズ膜120のサブ組立体118の長手方向の両端側にて、それぞれヒューズ膜120と接続している。2つの内部端子群130は、それぞれ同一形状の3つの内部端子131a〜131c及び内部端子132a〜132cを含む。また、内部端子群130は、それぞれ離隔した内部端子131a〜131cを接続する内部端子131d、131eと、内部端子132a〜132cを接続する内部端子132d、132eとを含む。
そして、内部端子群130は、ヒューズ膜120と同様に、入込部(具体的には、前述した第3入込部や第4入込部)によって集合基板100に対して強固に接合される。なお、内部端子群130の各内部端子の幅及び厚さは、ヒューズ膜120の幅及び厚さと異なってもよい。また、内部端子群130の形成時のレーザ光の照射条件は、ヒューズ膜120の形成時の照射条件と異なってもよい。
図13に戻り、洗浄工程においては、インク膜110のレーザ光を照射していないインクを洗い流し、乾燥させる。なお、洗浄方法としては、例えばイソプロピルアルコール溶液による超音波洗浄が用いられる。
焼成工程においては、例えば送付炉を使用して、ヒューズ膜120及び内部端子群130が形成された集合基板100を約250℃で1時間焼成する。焼成後に、隣接する内部端子間の電気抵抗Rを測定して、抵抗率ρを求めてもよい。測定結果から、焼成工程後の抵抗率のバラツキは、洗浄工程後の抵抗率のバラツキよりも改善されている。
後工程においては、主にオーバーコート及び外部端子の形成を行う。以下では、図21を参照しながら、後工程の詳細について説明する。
まず、図22に示すように、サブ組立体118上にオーバーコート140を形成する(ステップS152)。オーバーコート140は、前述した原点(アライメントマーク115aの位置)を基準に集合基板100上の各サブ組立体118の位置を割り出して、形成される。
次に、サブ組立体118の長手方向両端部に、図23に示すように、内部端子と接続する外部端子151、152を形成する(ステップS156)。
図21に戻り、オーバーコート140の表面に、図24に示すように捺印を行う(ステップS158)。
図24は、オーバーコート140への捺印を説明するための図である。オーバーコート140の表面に、例えば文字が捺印される。なお、オーバーコート140へ捺印したあと、外部端子151、152にNiメッキ又はSnメッキを施してもよい。
図13に戻り、検査工程においては、ヒューズ1の抵抗等を検査する。検査後に、ヒューズ1は、梱包し出荷される。これにより、本実施形態に係るヒューズ1の一連の製造工程が完了する。
上記では、スピンコータを使用して、金属ナノ粒子を含有するインク膜110を集合基板100の表面102全体に形成することとしたが、これに限定されない。例えば、インクジェットプリンタを使用して、表面102上のヒューズ膜120を形成する部分にインク膜を形成してもよい。
また、上記では、金属ナノ粒子の平均粒子径が約15(nm)であることとしたが、これに限定されない。例えば、金属ナノ粒子の平均粒子径は、例えば3(nm)又は50(nm)であってもよい。
また、上記では、スポット形状が円形であるレーザ光の直径が10(μm)であることとしたが、これに限定されない。レーザ光の直径を、レーザ光の波長や照射強度に応じて調整してもよい。
また、上記では、ヒューズ膜20及び内部端子群31、32の内部端子の厚さを0.1(μm)〜3.0(μm)としたが、これに限定されない。
図25及び図26を参照しながら、本発明の一実施形態に係る回路基板500の構成について説明する。
これに対して、本実施形態に係る回路基板500は、繰り返し屈曲しても、上述した問題の発生を抑制できる構成となっている。
比較例4に係る回路基板は、当該回動基板が組み込まれた機器の回動に応じて屈曲する。そして、回路基板が繰り返し屈曲すると、回路部と基板の接合界面には接合界面に沿う方向にズレ力が繰り返し発生するため、当該ズレ力に起因して回路部が基板の主面からずれてしまい、回路部が基板の主面から剥離してしまう。なお、ズレ力は、接合界面において、接合した二つの部材のうちの曲率半径が大きい部材には圧縮力として、曲率半径が小さい部材には引っ張り力として、それぞれ作用する。すなわち、基板の曲率半径が回路部の曲率半径よりも大きくなる屈曲形態においては、回路部の接合面に引っ張り力が作用し、基板の主面に圧縮力が作用する。
図27を参照しながら、回路基板500の製造方法の一例について説明する。
図27は、回路基板500の製造工程を示すフローチャートである。なお、図13に示すヒューズ1の製造工程と同じ工程については、同様な処理が行われるので、ここでは簡単に説明する。
10 支持基板
12 主面
14 入込部
20 ヒューズ膜
22 入込部
31、32 内部端子群
35 入込部
100 集合基板
102 表面
110 インク膜
120 ヒューズ膜
130 内部端子群
200 レーザ照射装置
500 回路基板
510 基板
512 主面
520 回路部
Claims (17)
- 少なくとも有機物を含む基板の主面上に、金属ナノ粒子が溶媒中に分散された分散液の液膜を形成する液膜形成ステップと、
前記溶媒を気化させるように前記液膜を加熱して、前記金属ナノ粒子を溶融又は焼結させ、かつ前記主面を軟化又は溶融させる加熱ステップと、
前記溶融又は焼結した金属ナノ粒子と、前記軟化又は溶融した主面とを相互に融合させて、前記主面上にヒューズ膜を形成するヒューズ膜形成ステップと、
を備えるヒューズの製造方法。 - 前記加熱ステップにおいて、前記液膜の表面にレーザ光を照射して、前記液膜を加熱する、
請求項1に記載のヒューズの製造方法。 - 前記加熱ステップにおいて、前記主面を、前記金属ナノ粒子及び前記分散液の少なくともいずれか一方によって覆われた状態に維持しながら、軟化又は溶融させる、
請求項2に記載のヒューズの製造方法。 - 前記加熱ステップにおいて前記液膜に対して前記レーザ光を一回走査させて、前記ヒューズ膜形成ステップにおいて前記レーザ光のスポット径に対応する幅、及び走査幅に対応する長さのヒューズ膜を形成する、
請求項2又は3に記載のヒューズの製造方法。 - 前記金属ナノ粒子が前記主面と相互に融合した前記ヒューズ膜を焼成する焼成ステップを更に備える、
請求項2から4のいずれか1項に記載のヒューズの製造方法。 - 前記液膜形成ステップにおいて、前記レーザ光の照射前の前記液膜の第1厚さと、前記レーザ光の照射後の前記ヒューズ膜の前記第1厚さよりも小さい第2厚さとの対応関係に基づいて、前記第1厚さを調整して前記液膜を形成する、
請求項2から5のいずれか1項に記載のヒューズの製造方法。 - 前記加熱ステップにおいて、前記液膜の厚さに応じて、レーザ照射装置による前記レーザ光の照射強度及び走査速度の少なくとも一方を調整して、前記液膜に前記レーザ光を照射する、
請求項2から6のいずれか1項に記載のヒューズの製造方法。 - 前記基板は、前記ヒューズ膜が複数形成される集合基板であり、
前記複数のヒューズ膜の前記集合基板上の形成位置を調整するための位置調整マークを、
前記液膜にレーザ光を照射して形成するマーク形成ステップを更に有し、
前記加熱ステップにおいて、形成された前記位置調整マークの位置に基づいて、前記液膜の表面に前記レーザ光を照射する、
請求項2から7のいずれか1項に記載のヒューズの製造方法。 - 前記加熱ステップにおいて、レーザ照射装置の発振部から発振された前記レーザ光を減衰用の光学フィルターで減衰し、減衰された前記レーザ光を前記液膜に照射する、
請求項2から8のいずれか1項に記載のヒューズの製造方法。 - 前記溶融又は焼結した金属ナノ粒子と、前記軟化又は溶融した主面とを相互に融合させて、前記ヒューズ膜の長手方向両端側と接続する接続端子を形成する接続端子形成ステップを更に備える、
請求項1から9のいずれか1項に記載のヒューズの製造方法。 - 少なくとも有機物を含む基板と、
前記基板の主面に接合されたヒューズ膜と、
前記ヒューズ膜の接合面から前記基板の内部に入り込んでいる第1入込部、及び前記基板の主面から前記ヒューズ膜の内部に入り込んでいる第2入込部の少なくともいずれか一方の入込部と、
を備えるヒューズ。 - 前記第1入込部は、前記基板の内部と係合している、
請求項11に記載のヒューズ。 - 前記第1入込部は、フック形状となっている、
請求項12に記載のヒューズ。 - 前記第1入込部の先端側の幅は、前記第1入込部の根元側の幅よりも大きい、
請求項12又は13に記載のヒューズ。 - 前記基板は、ポリイミド基板である、
請求項11から14のいずれか1項に記載のヒューズ。 - 前記ヒューズ膜の長手方向の両端側にそれぞれ前記ヒューズ膜と接続するように、前記基板の前記主面に接合された接続端子と、
前記接続端子の接合面から前記基板の内部に入り込んでいる第3入込部、及び前記基板の主面から前記接続端子の内部に入り込んでいる第4入込部の少なくともいずれか一方の入込部と、を更に備える、
請求項11から15のいずれか1項に記載のヒューズ。 - 前記接続端子の厚さは、前記ヒューズ膜の厚さと同じ大きさである、
請求項16に記載のヒューズ。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005072622A (ja) * | 2004-11-26 | 2005-03-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 実装基板の製造方法および電子回路素子の実装方法 |
JP2006339105A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Tdk Corp | チップ型ヒューズ素子及びその製造方法 |
JP2007165086A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Tdk Corp | ヒューズ素子及びその製造方法 |
JP2009283783A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Katsuhiro Maekawa | 高密着性金属ナノ粒子焼結体膜の形成方法 |
JP2014132565A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-07-17 | Fujifilm Corp | 導電膜の製造方法、プリント配線基板 |
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---|---|---|---|---|
US5726621A (en) * | 1994-09-12 | 1998-03-10 | Cooper Industries, Inc. | Ceramic chip fuses with multiple current carrying elements and a method for making the same |
US5929741A (en) * | 1994-11-30 | 1999-07-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Current protector |
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US7385475B2 (en) * | 2002-01-10 | 2008-06-10 | Cooper Technologies Company | Low resistance polymer matrix fuse apparatus and method |
US20050148111A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for producing resilient solder joints |
US7732349B2 (en) * | 2004-11-30 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of insulating film and semiconductor device |
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KR101287761B1 (ko) * | 2011-11-10 | 2013-07-18 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그의 제조방법 |
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JP2005072622A (ja) * | 2004-11-26 | 2005-03-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 実装基板の製造方法および電子回路素子の実装方法 |
JP2006339105A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Tdk Corp | チップ型ヒューズ素子及びその製造方法 |
JP2007165086A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Tdk Corp | ヒューズ素子及びその製造方法 |
JP2009283783A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Katsuhiro Maekawa | 高密着性金属ナノ粒子焼結体膜の形成方法 |
JP2014132565A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-07-17 | Fujifilm Corp | 導電膜の製造方法、プリント配線基板 |
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