JP2014192465A - 電気回路配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ焼結によって形成された導電膜からなる電気回路配線上に、湿式処理をすることなく、密着性に優れた絶縁膜を形成することができる電気回路配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】第２のレーザ光による金属酸化物粒子を含む第２の膜のレーザ焼結によって形成された導電膜からなる電気回路配線を有する基板上に、レーザパワーが５．０〜１４．０Ｗである第１のレーザ光のエネルギを吸収する絶縁材料として金属酸化物粒子を含む第１の膜が形成された、第１のレーザ光を透過する支持体を、導電膜と第１の膜とが対面するように重ね、支持体の側から第１のレーザ光を照射して、金属酸化物粒子からなる絶縁層を第１の膜から電気回路配線上に転写して形成する。
【選択図】図３

Description

本発明は、電気回路配線基板の製造方法に係り、詳しくは、連続発振レーザ光の照射により基板上に形成された電気回路配線上にレーザ熱転写により絶縁層を形成することにより電気回路配線基板を製造する電気回路配線基板の製造方法に関する。

従来、電気回路配線等が形成されたプリント配線基板に絶縁膜等の保護膜を形成する方法としては、プリント配線基板にソルダーレジスト被膜の形成する方法が行われている。このようなソルダーレジスト被膜の形成としては、スクリーン印刷技術が従来から用いられており、使用される熱硬化型ソルダーレジストとしては、主として印刷性の理由からビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂が用いられている（例えば、特許文献１及び２参照）。
また、本出願人は、基板上のめっき配線上に、レーザ露光により絶縁膜を転写するための感光性ソルダーレジストフィルム及び永久パターン形成方法を提案している（例えば、特許文献３参照）。この特許文献３に開示の方法では、フィルム上の感光性ソルダーレジスト層にパターンレーザ露光し、転写、現像(ウエット）して、絶縁膜を形成している。

一方、基板上に、電気回路配線を構成する金属膜等の導電膜を形成する方法として、金属粒子や金属酸化物粒子の分散体を印刷法により基板に塗布し、光照射処理して焼結させることによって導電膜や回路基板における配線等の電気的導通部位を形成する技術が知られている（例えば、特許文献４及び５参照）。
上記方法も、特許文献３に開示の従来のめっき処理や従来の高熱・真空プロセス（スパッタ）による配線作製法に比べて、簡便・省エネルギ・省資源であることから次世代エレクトロニクス開発において大きな期待を集めている。
例えば、特許文献４においては、基板の表面上に酸化銅ナノ粒子を含有するフィルムを堆積させ、フィルムの少なくとも一部を露光して、露光部分を導電性にする方法が開示されている。
また、特許文献５（特に、実施例）においては、金属または複合金属からなるコロイド粒子を含有する微粒子層に所定の条件（線速、出力など）でレーザ照射を行う導電パターンの形成方法が開示されている。

なお、半導体素子の製造の分野において、半導体層や電極層や絶縁層を、レーザ光を用いた熱転写（レーザ熱転写）によって基板上に形成する方法も提案されている（例えば、特許文献６参照）。
特許文献６に開示のレーザ熱転写による半導体層や電極層や絶縁層の形成は、レーザ光が透過可能な支持体上に全面的にアブレーション層や光熱変換層を介して形成された半導体材料や導電材料や絶縁材料からなる転写層（半導体層、導電層，絶縁層）を持つドナー基板を用いて行われている。特許文献１には、また、ドナー基板にアブレーション層や光熱変換層を設ける代わりに、ブレーション可能な材料や光熱変換材料を含有する転写層を直接基板上に形成したドナー基板を用いることも開示されている。
このようなレーザ熱転写による半導体層や電極層や絶縁層の形成では、予めドナー基板を作製する必要があるものの、被処理基板への半導体層や電極層や絶縁層の形成に、真空プロセスや湿式プロセスは不要であり、半導体層や電極層や絶縁層を形成する工程の簡略化等を図ることができる。

特開昭５０（１９７５）−６４０８号公報 特開２０１３−８９８６号公報 特開２００６−２８５１７８号公報 特表２０１０−５２８４２８号公報 特開２００４−１４３５７１号公報 特開２００７−３５７４２号公報

ところで、特許文献４及び５に開示のレーザ光等の露光焼結による電気回路配線の形成においても、近年、低コスト化の観点から、酸化銅粒子など金属酸化物粒子を含む組成物を用いて導電特性に優れる金属を含有する導電膜を形成する方法の開発が要求されている。
また、近年、電子機器の小型化、高機能化の要求に対応するため、プリント配線板などにおいては配線のより一層の微細化及び高集積化が進んでいる。それに伴って、基板と導電膜との密着性のより一層の向上も要求されている。

また、半導体基板やプリント配線基板等の実装において、従来のめっき処理や、スパッタ等の高熱・真空プロセスで形成された導電パターンであっても、特許文献４及び５に開示のレーザ光等の露光焼結による導電パターンであっても、これを回路基板として使用するには、はんだ付け等のプロセスが必要であり、現実には、特許文献１、２及び３に開示されているようなソルダーレジストがないと実装が困難である。

このような特許文献１及び２に開示の従来のソルダーレジストを導電パターン上に塗布して硬化させるには、塗布機や硬化機が必要である。また、従来のソルダーレジストを導電パターン上にスクリーン印刷でパターニングして塗布するには、印刷用原版を起こす必要がある。
しかしながら、小規模な回路作成の現場において、塗布機や硬化機等の装置を揃えたり、印刷用原版を外注するのは、効率的でなかったり、コストがかかるという問題があった。
また、特許文献３に開示の感光性ソルダーレジストフィルムを用いる場合には、湿式現像処理が必要なるため、処理が面倒であり、簡便・省エネルギ・省資源であるとは言えないという問題があった。

また、特許文献６に開示のレーザ熱転写による電極層及び絶縁層の形成方法を用いることにより、特許文献１、２及び３に開示の問題点はある程度解消できるものの、ドナー基板の転写される導電層及び絶縁層と基板との間にアブレーション層や光熱変換層を形成しておく必要があり、コストがかかり、また、簡便・省エネルギ・省資源でないという問題があった。
また、アブレーション材料や光熱変換材料は、有機バインダーと赤外域の波長の光を吸収するカーボンや赤外吸収色素であり、転写される導電層を構成する導電材料として開示されているクロムやＡｇ等の金属や導電性高分子等とも異なり、絶縁層を構成する絶縁材料として開示されているポリビニルフェノール（ＰＶＰ）とも異なるため、ドナー基板にアブレーション層や光熱変換層を形成せずに、導電層及び絶縁層にアブレーション材料や光熱変換材料を含有させる場合であっても、コストがかかり、簡便・省エネルギ・省資源でないし、基板と導電層との密着性や、導電層と絶縁層の密着性が十分に図れない場合があるという問題があった。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、レーザ焼結によって形成された導電膜からなる電気回路配線上に、湿式処理をすることなく密着性に優れた絶縁膜を形成することができる電気回路配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、上記目的に加え、このような絶縁膜を電気回路配線上に、湿式処理を不要として、低コストで、簡便にかつ省エネルギ、かつ省資源を図りながら形成することができ、その結果、電気回路配線上に絶縁膜を形成した電気回路配線基板を、低コストで、簡便にかつ省エネルギ、かつ省資源を図りながら製造することができる電気回路配線基板の製造方法を提供することを他の目的とする。
また、本発明は、さらに、金属酸化物から金属への還元が効率よく進行し、基板に対する密着性に優れた電気回路配線を製造することができる電気回路配線基板の製造方法を提供することを他の目的とする。

本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討した結果、金属酸化物粒子を含む前駆体膜をレーザ焼結することによって形成された導電膜からなる電気回路配線上に、前駆体膜と同じ金属酸化物粒子をレーザのエネルギを吸収する光熱変換性能を持つ絶縁材料として含む絶縁膜をレーザ熱転写することにより、上記課題を解決し、上記目的を達成できること知見し、本発明に至ったものである。

すなわち、本発明の電気回路配線基板の製造方法は、レーザパワーが５．０〜１４．０Ｗである第１のレーザ光のエネルギを吸収する絶縁材料として金属酸化物粒子を含む第１の膜が形成された、第１のレーザ光を透過する支持体を、第２のレーザ光による、金属酸化物粒子を含む第２の膜のレーザ焼結によって形成された導電膜からなる電気回路配線を有する基板上に、導電膜と第１の膜とが対面するように重ね、支持体の側から第１のレーザ光を照射して、金属酸化物粒子からなる絶縁層を第１の膜から電気回路配線上に転写して形成することを特徴とする。

ここで、電気回路配線は、第２のレーザ光によってレーザパターニングされたものであることが好ましい。
また、第１のレーザ光は、支持体と電気回路配線との距離を一定に維持しながら支持体の側から第１の膜に照射されることが好ましい。
また、第１のレーザ光のエネルギは、支持体の変形を生じさせないエネルギであることが好ましい。
また、第２のレーザ光の波長が１．０〜１２．０μｍで、そのレーザパワーが０．６〜４．０Ｗであり、第１のレーザ光の波長が１．０〜１２．０μｍで、そのレーザパワーが６．０〜１２．０Ｗであることが好ましい。

また、基板は、ポリイミドを含み、支持体は、ポリカーボネートを含むことが好ましい。
また、第２の膜の厚みは、５．０〜２０μｍであり、第１の膜の厚みは、２０〜４０μｍであり、絶縁層の厚みは、１０〜２０μｍであることが好ましい。
また、金属酸化物粒子に含まれる金属原子が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｔｌ、Ｃｒ、Ｖ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ及びＡｌからなる群から選択される少なくとも一つの金属元素であることが好ましく、また、金属原子は、Ｃｕであることがより好ましい。
また、絶縁層は、電気回路配線上に一様に形成されることが好ましく、または、電気回路配線に応じて導電膜上にパターニングされて形成されることが好ましい。

また、絶縁層は、支持体側から第１の膜に対して、第１のレーザ光である連続発振レーザ光を相対的に走査させつつ照射し、第１のレーザ光の照射領域における第１の膜を支持体から剥離し、第１の膜の金属酸化物粒子を電気回路配線上に転写することによって形成されたものであることが好ましい。
ここで、第１のレーザ光の走査の速度が８００〜１５００ｍｍ/ｓであり、第１の膜の膜面の一地点あたりの照射時間が５０〜１００μｓであることが好ましい。

また、電気回路配線は、金属酸化物粒子を含む分散液を基板上に塗布して、金属酸化物粒子を含む前駆体膜を形成した後、前駆体膜に対して、第２のレーザ光である連続発振レーザ光を相対的に走査させつつ照射し、第２のレーザ光の照射領域における金属酸化物粒子を還元した金属を含有する導電膜を形成することにより得られたものであることが好ましい。
ここで、第２のレーザ光の走査の速度が５〜４０ｍｍ／ｓであり、前駆体膜表面の一地点あたりの照射時間が１．５〜１２ｍｓであることが好ましい。

なお、本発明者らは、特許文献４及び５を参照して、酸化銅粒子に代表される金属酸化物粒子を含む層に対して、連続発振レーザ光を所定のパターン状に走査することにより導電膜の作製を行ったところ、特許文献５で具体的に開示される条件では、金属酸化物粒子の還元が十分に進行せず、得られる層の基板に対する密着性も劣ることが確認された。
また、本発明のプリント配線基板は、本発明の製造方法により製造された電気回路配線基板であることを特徴とする。

本発明によれば、レーザ焼結によって形成された導電膜からなる電気回路配線上に、湿式処理をすることなく密着性に優れた絶縁膜を形成することができる。
また、本発明によれば、上記効果に加え、このような絶縁膜を電気回路配線上に、湿式処理を不要として、低コストで、簡便にかつ省エネルギ、かつ省資源を図りながら形成することができ、その結果、電気回路配線上に絶縁膜を形成した電気回路配線基板を、低コストで、簡便にかつ省エネルギ、かつ省資源を図りながら製造することができる。
さらに、本発明によれば、金属酸化物から金属への還元が効率よく進行し、基板に対する密着性に優れた電気回路配線を製造することができる。

本発明に係る電気回路配線基板の製造方法の一例を説明するための概念図である。 図２は、図１に示す電気回路配線基板の製造方法に用いられるドナー基板の一実施形態を示す模式的部分断面図である。 （Ａ）〜（Ｅ）は、それぞれ図１に示す電気回路配線基板の製造方法の一実施形態の手順を説明するための模式的部分断面図である。 図１に示す電気回路配線基板の製造方法に用いられる被処理基板作製プロセスの配線形成用レーザ光の照射工程の一実施形態を示す模式的斜視図である。

以下に、本発明に係る電気回路配線基板の製造方法を添付の図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、従来技術に対する本発明に係る電気回路配線基板の製造方法（以下、本発明法ともいう）の特徴について説明する。
上述したように、本発明の特徴は、電気回路配線を被覆する絶縁層形成に、電気回路配線を構成する導電膜形成と同じ金属酸化物粒子を含む膜を用いる点と、絶縁層形成のための転写用膜では、導電膜形成のための前駆体膜でレーザ焼結によって金属に還元される金属酸化物粒子を、還元せずに転写用レーザ光のエネルギを吸収する絶縁材料として用いると共に、自分自身が絶縁層を構成する絶縁材料として用いてレーザ熱転写によって転写する点にある。転写された絶縁層には、絶縁性、被覆性、均一性、密着性等が要求されるために、本発明では転写用レーザ光の種類や状態や照射の条件を制御している。例えば、より具体的には、転写用レーザ光の波長、走査速度、照射時間及びレーザパワー等を、所定値に制御する。このように条件を制御することにより、所望の効果が得られる。

図１は、本発明に係る電気回路配線基板の製造方法の一実施形態を説明するための概念図である。
まず、図１に示すように、ドナー基板２０の、転写用レーザ光２８を透過する支持体２２上に形成された金属酸化物粒子を含む転写用膜（被照射物）２４を被処理基板１０の電気回路配線（導電膜）１４上、詳しくは、導電膜１４及び前駆体膜１６からなる配線層１８上に重ね、転写用レーザ光学系２６（以下、単に、レーザ光学系２６ともいう）から出射される連続発振レーザ光である転写用レーザ光２８（以下、単に、レーザ光２８ともいう）を支持体２２側から照射すると、金属酸化物が、転写用レーザ光２８のエネルギを吸収し、例えば、光熱変換して熱エネルギに変換し、転写用膜２４、即ち転写用膜２４内の金属酸化物自身を支持体２２から剥離し、電気回路配線１４上に転写して絶縁層３２（図３（Ｄ)参照）を形成することが行われる。しかし、転写用レーザ光２８の照射の状態によっては、転写が十分に行われなかったり、ドナー基板２０の支持体２２が変形したりして、被覆性や均一性が不十分となり、絶縁性や密着性等が不十分となる。転写用レーザ光２８の種類や状態によっては、金属酸化物粒子を還元してしまい、絶縁層３２自体の絶縁性が失われ、絶縁層３２としての機能を果たさなくなってしまう。このため、金属酸化物粒子の適切な転写が行われるように、転写用レーザ光２８の種類や状態や照射の条件を制御している。
その結果、電気回路配線上に形成される絶縁層の絶縁性、被覆性、均一性、密着性等が向上する。また、被処理基板の電気回路配線の導電膜以外の前駆体膜は、絶縁層と同じ金属酸化物が含まれているので、前駆体膜と絶縁層との界面付近で両者の金属酸化物が混じり合うことにより絶縁層の密着性が向上する。

本発明の電気回路配線基板の製造方法の好適実施形態は、予め準備されたドナー基板の支持体上の転写用膜を、被処理基板の電気回路配線に重ね合わせる工程（重ね合わせ工程）と、転写用膜に支持体側から転写用レーザ光を照射する工程（第１照射工程）との少なくとも２つを有する。
なお、本発明においては、ドナー基板及び被処理基板を予め準備する際に、ドナー基板として、既に支持体上に転写用膜が形成された、予め作製されたドナー基板を用いても良いが、重ね合わせ工程の前に支持体上に転写用膜を形成してドナー基板を作製する工程（ドナー基板作製工程）を行っても良い。なお、電気回路配線が形成された被処理基板としても、既に基板状に電気回路配線が形成された、予め作製された被処理基板を用いても良いが、重ね合わせ工程の前に、基板上に電気回路配線を形成して被処理基板を作製するプロセス（被処理基板作製プロセス）を行っても良い。
以下に、本発明法の上記ドナー基板作製工程、被処理基板作製プロセス、重ね合わせ工程及び第１照射工程の各工程及びプロセスで使用される材料・手順について、図２、図３及び図４を参照してそれぞれ詳述する。
図２は、図１に示す電気回路配線基板の製造方法に用いられるドナー基板の一実施形態を示す模式的部分断面図であり、図３（Ａ）〜図３（Ｅ）は、それぞれ図１に示す電気回路配線基板の製造方法の一実施形態の手順を説明するための模式的部分断面図であり、図４は、図１に示す電気回路配線基板の製造方法に用いられる被処理基板作製プロセス、特に、基板上に電気回路配線を形成する配線形成用レーザ光の照射工程の一実施形態を示す模式的斜視図である。

［ドナー基板作製工程］
ドナー基板２０を予め準備する工程であるドナー基板作製工程は、金属酸化物の粒子を含む分散液を支持体２２上に塗布して、金属酸化物の粒子を含む転写用膜２４を形成する工程である。本工程を実施することにより、図１及び図２に示すように、転写用レーザ光２８が照射される転写用膜２４が支持体２２上に形成されたドナー基板２０を作成することができる。
以下では、まず、本工程で使用される材料について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。

（金属酸化物粒子）
金属酸化物粒子としては、金属原子を含む酸化物の粒子であって、レーザ焼結によって還元されて金属粒子からなる導電膜を形成できると共に、絶縁性を有し、転写用レーザ光のエネルギを吸収して熱エネルギに変換、即ち光熱変換でき、自身のアブレーションを生じさせ、自身の転写が可能となるが、転写用レーザ光の照射エネルギでは還元されないものであれば、その種類は限定されない。中でも、導電膜の形成性及び光熱変換性が優れる点で、金属酸化物粒子が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｔｌ、Ｃｒ、Ｖ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ及びＡｌからなる群から選択される少なくとも一つの金属元素を含むことが好ましく、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏからなる群から選択される少なくとも一つの金属元素を含むことがより好ましい。
特に、レーザ焼結によって還元されやすく、生成した金属が比較的安定であり、かつ、転写用レーザ光のエネルギを吸収し易く、アブレーションによる転写を容易に可能とし、その状態では絶縁性が良好に保たれるので、酸化銅粒子がさらに好ましい。
なお、「酸化銅」とは、酸化されていない銅を実質的に含まない化合物であり、具体的には、Ｘ線回折による結晶解析において、酸化銅由来のピークが検出され、かつ金属由来のピークが検出されない化合物のことを指す。銅を実質的に含まないとは、限定的ではないが、銅の含有量が酸化銅粒子に対して１質量％以下であることをいう。
酸化銅としては、酸化銅（Ｉ）または酸化銅（ＩＩ）が好ましく、安価に入手可能であること、低抵抗であることから酸化銅（ＩＩ）であることがさらに好ましい。

金属酸化物粒子の平均粒子径は特に制限されないが、２００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましい。下限も特に制限されないが、１０ｎｍ以上が好ましい。
平均粒子径が１０ｎｍ以上であれば、粒子表面の活性が高くなりすぎず、取扱い性に優れ、安定した絶縁性を維持できるため好ましい。また、２００ｎｍ以下であれば、金属酸化物粒子を含有する溶液を塗布すること、例えば、インクジェット用インクとして用い印刷法により全面、若しくは電気回路配線の配線パターンに応じた転写用膜の形成を行うことが容易となると共に、レーザ焼結による金属への還元が十分となり、得られる導電層の導電性が良好であるにもかかわらず、レーザ熱転写においては、安定した絶縁性を維持できるため好ましい。
なお、平均粒子径は、平均一次粒径のことを指す。平均粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察または走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察により、少なくとも５０個以上の金属酸化物粒子の粒子径（直径）を測定し、それらを算術平均して求める。なお、観察図中、金属酸化物粒子の形状が真円状でない場合、長径を直径として測定する。

（金属酸化物粒子を含む分散液）
分散液には、上記金属酸化物粒子が含まれる。また、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。溶媒は、金属酸化物粒子の分散媒として機能する。
溶媒の種類は特に制限されないが、例えば、水や、アルコール類、エーテル類、エステル類などの有機溶媒などを使用することができる。なかでも、金属酸化物粒子の分散性がより優れる点から、水、１〜３価のヒドロキシル基を有する脂肪族アルコール、この脂肪族アルコール由来のアルキルエーテル、この脂肪族アルコール由来のアルキルエステル、またはこれらの混合物が好ましく用いられる。
なお、分散液には、必要に応じて、他の成分（例えば、バインダー樹脂、金属粒子など）が含まれていてもよい。

（支持体）
本工程においてドナー基板に使用される支持体としては、転写用膜を支持することができ、転写用レーザ光を透過することができ、転写用レーザ光が照射されても変形しがたいものであれば、特に制限的ではなく、従来公知のものを用いることができる。支持体に使用される材料としては、例えば、樹脂、ガラス等が挙げられる。この支持体は、転写用レーザ光を透過することができれば良く、転写用レーザ光の透過率は、特に制限的ではないが、例えば、５０％以上であるのが好ましく、より好ましくは７０％以上であるのが良い。
より具体的には、ポリカーボネート、低密度ポリエチレン樹脂、高密度ポリエチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート）、ポリアセタール樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、セルロース誘導体等の樹脂基板；ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、シリカガラス、石英ガラス等のガラス基板；ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の無機基板等が挙げられる。これらの中でも、樹脂基板が好ましく使用される。

中でも、支持体となる樹脂基板としては、例えば、ポリカーボネート、ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、ナイロン、ポリブタジエン、ポリビニルベンジルクロライドからなる群から選択される少なくとも一つを有する樹脂基板が好ましい。特に、ポリカーボネートがより好ましい。
このような樹脂基板を支持体に使用すると、支持体が転写用レーザ光（特に、波長９．０〜１２．０μｍのレーザ光。例えば、炭酸ガスレーザ等）を吸収することがほとんどなく、支持体が高温となることがなく、変形することがない。結果として、転写用レーザ光のエネルギを支持体上の転写用膜内の金属酸化物に効率よく吸収させることができ、転写用膜内の金属酸化物を効率よく適切に剥離転写させることができ、被処理基板の電気回路配線上に絶縁性、被覆性、均一性、密着性等の良好な絶縁層を形成することができる。

（工程の手順）
上記分散液を支持体上に付与して転写用膜を形成するが、分散液を付与する方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スプレー塗布法、スピンコーティング法、インクジェット法などの塗布法が挙げられる。
塗布の形状は特に制限されず、支持体全面を覆う面状であっても、パターン状（例えば、配線状、ドット状）であってもよい。
本工程においては、必要に応じて、分散液を支持体２２へ塗布した後に乾燥処理を行い、溶媒を除去してもよい。乾燥処理の方法としては温風乾燥機などを用いることができ、温度としては、金属酸化物粒子の還元が生じないような温度が好ましく、４０℃〜２００℃で加熱処理を行なうことが好ましく、５０℃以上１５０℃未満で加熱処理を行なうことがより好ましく、７０℃〜１２０℃で加熱処理を行うことがさらに好ましい。

（転写用膜）
転写用膜は、金属酸化物粒子を含み、後述する転写用レーザ光の照射により金属酸化物粒子が転写用レーザ光の光エネルギを吸収して熱エネルギに光熱変換して、金属酸化物粒子自身のアブレーションを生じさせ、金属酸化物粒子自身を被処理基板の電気回路配線上に剥離転写させて、絶縁層となるものである。即ち、転写用膜は、絶縁層を形成する転写用ソルダーレジストとして機能するものである。
転写用膜には金属酸化物粒子が含まれ、特に、主成分として含まれることが好ましい。ここで主成分とは、転写用膜全質量中、金属酸化物粒子の占める質量が８０質量％以上であることを意図し、８５質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
転写用膜には、アブレーション性付与のために金属酸化物粒子以外の成分（例えば、バインダー樹脂）が含まれていてもよい。

転写用膜の厚みは特に制限されず、形成される絶縁膜の用途に応じて適宜最適な厚みが選択される。なかでも、後述する光照射による金属酸化物粒子の剥離転写がより優れる点で、５．０〜２００μｍが好ましく、１０．０〜１００μｍがより好ましく、２０．０〜４０．０μｍがさらに好ましい。
なお、転写用膜は基板全面に設けられていてもよく、パターン状に設けられていてもよい。
こうして、本工程においては、支持体２２上に転写用膜が形成されたドナー基板２０を作成することができる。

［被処理基板作製プロセス］
本発明法において、基板上に電気回路配線１４が形成された被処理基板１０を作製する被処理基板作製プロセスは、ドナー基板２０の転写用膜２４と同じ金属酸化物粒子を含む分散液を基板１２上に塗布して、金属酸化物粒子を含む前駆体膜１６を形成する駆体膜形成工程と、図４に示すように、配線形成用レーザ光学系４２から出射された連続発振レーザ光である配線形成用レーザ光４４（以下、単にレーザ光４４ともいう）を前駆体膜１６に照射して前駆体膜１６に含まれる金属酸化物粒子を還元した金属からなる導電膜１４を形成して電気回路配線１４とする工程（第２照射工程）との少なくとも２つを有するものである。本プロセスは、基板１２上に、前駆体膜１６に含まれる金属酸化物粒子の還元金属からなる導電膜１４からなる電気回路配線１４と、レーザ光４４が照射されず、金属酸化物粒子が還元されずにそのまま残った前駆体膜１６とを有する被処理基板１０を作成するものである。
こうして、本プロセスにおいては、図３（Ａ）に示すように、基板１２上に電気回路配線１４が形成された被処理基板１０を作成することができるが、この被処理基板作製プロセスについては、後に詳述するので、ここでは、詳細な説明を省略する。

［重ね合わせ工程］
重ね合わせ工程は、図３（Ｂ）に示すように、上記被処理基板作製プロセス等で予め作製された被処理基板１０の電気回路配線１４を含む配線層１８と、上記ドナー基板作製工程等で予め作製されたドナー基板２０の転写用膜２４とを、対面するように所定間隔を離間させて位置させることにより、被処理基板１０の配線層１８（電気回路配線１４）上にドナー基板２０の転写用膜２４を重ね合わせる工程である。
ここで、図３（Ｂ）に示す例では、一例として、ドナー基板２０と被処理基板１０とは、配線層１８（電気回路配線１４）と転写用膜２４とが所定間隔を離間した状態で重ね合わせられているが、本発明はこれに限定されず、配線層１８と転写用膜２４とが接触した状態で重ね合わせられていても良い。なお、この際におけるドナー基板２０と被処理基板１０とを接触させるか離間させるか、また、離間させる際の間隔は、転写用膜２４の種類、レーザ光２８の種類、強度（レーザパワー）、照射条件、被処理基板１０の構成、特に導電膜（電気回路配線）１４及び前駆体膜１６からなる配線層１８等に応じて、適宜、設定すればよい。

なお、ドナー基板２０と被処理基板１０とを接触して離間させて重ね合わせる場合には、配線層１８の表面と転写用膜２４の表面との距離が全面的に亘って等しくなるように、ドナー基板１０と被処理基板１０とを対面させて重ね合わせるのが好ましい。特に、被処理基板１０の配線層１８の表面に凹凸がある場合には、例えば、配線層１８の導電膜（電気回路配線）１４と前駆体膜１６とで高さが異なる場合には、凹凸の少ない方、例えば、前駆体膜１６の表面と、転写用膜２４の表面との距離が、全面的に等しくなるように、ドナー基板２０と被処理基板２０とを位置させるのが良い。
また、ドナー基板２０と被処理基板１０とを接触して重ね合わせて積層する場合でも、離間して対面させる場合でも、配線層１８の表面と、転写用膜２４の表面との距離が、全面的に等しくなるようにドナー基板２０と被処理基板１０とを対面させるのが好ましい。すなわち、この場合には、ドナー基板２０と被処理基板１０との対向面が、全面的に密着するように積層するのが好ましい。
これにより、転写用膜２４の金属酸化物粒子の後述するレーザ熱転写（図３（Ｃ）参照）を、ドナー基板２０（転写用膜２４の表面）の全面で均一に行って、全面的に均一かつ適正な絶縁層３２（図３（Ｄ）及び（Ｅ）参照）を形成して、高品質な電気回路配線基板３０を、より安定して製造することが可能になる。

［第１照射工程］
第１照射工程は、図３（Ｃ)に示すように、上記重ね合わせ工程で被処理基板１０の配線層１８の導電膜（電気回路配線）１４上に重ね合わせられたドナー基板２０の転写用膜２４に対して、転写用レーザ光学系２６（以下、単に、レーザ光学系２６という）から出射される転写用レーザ光２８を相対的に走査させつつドナー基板２０の支持体２２側から照射して、図３（Ｄ)に示すように、レーザ光２８の照射領域内の転写用膜２４を被処理基板１０の電気回路配線１４上に剥離転写して絶縁層を３２形成する剥離転写工程である。詳しくは、レーザ光２８の照射領域における転写用膜２４内の金属酸化物がレーザ光２８の光エネルギを吸収して熱エネルギに光熱変換し、転写用膜２４内の金属酸化物自身を、例えばアブレーションによって、支持体２２から剥離させ、被処理基板１０の電気回路配線１４を覆うように、配線層１８の導電膜１４及び前駆体膜１６上に転写して絶縁層を３２形成する。
こうして、図３（Ｅ)に示すように、基板１２上の電気回路配線１４を覆うように、配線層１８（導電膜１４及び前駆体膜１６）上に密着された絶縁層３２を持つ電気回路配線基板３０を製造することができる。こうして製造された電気回路配線基板３０においては、絶縁性、被覆性、均一性、密着性等に優れた絶縁層３２を持つものである。

本工程では、レーザ光学系２６からドナー基板２０に支持体２２側からレーザ光２８を照射して、転写される転写用膜２４に応じてレーザ光２８を変調しつつ、図示しない走査機構により、レーザ光学系２６と、重ね合わされたドナー基板２０及び被処理基板１０とを相対的に移動させることにより、レーザ光２８でドナー基板２０の転写用膜２４を２次元的に走査する。
図示例においては、一例として、図示しない走査機構により、図中矢印ｘ方向にレーザ光２８を走査（矢印ｘ方向に走査線を画成＝主走査）した後、矢印ｘ方向と直交するｙ方向（図３（Ｃ）の紙面に垂直な方向）に所定量だけレーザ光Ｌを移動（副走査）して、再度、図中矢印ｘ方向にレーザ光Ｌを走査することを繰り返すことにより、レーザ光２８でドナー基板２０を２次元的に走査することができる。

図３（Ｃ)は、例えば、図示しない走査機構により、レーザ光学系２６を移動させて、レーザ光２８でドナー基板２０の転写用膜２４を２次元的に走査する例であるが、本発明はこれに限定されず、レーザ光と被照射物である転写用膜２４とを相対的に走査させることができれば、如何なる走査機構を用いても良い。
例えば、被照射物である重ね合わされたドナー基板２０及び被処理基板１０をレーザ光２８の走査面である転写用膜２４の表面に対して水平方向に移動可能なｘ−ｙ軸ステージ上に載置して、レーザ光学系２６及びレーザ光２８を固定した状態でステージを移動させることにより、レーザ光２８によって転写用膜２４の表面に走査させる方法等が挙げられる。

もちろん、レーザ光２８と、被照射物である転写用膜２４とが共に移動する態様であってもよい。例えば、レーザ光学系２６に図示しない光偏向器等を設け、図３（Ｃ)に示すように、レーザ光２８を矢印ｘ方向（若しくは、矢印ｘ方向に直交するｙ方向）に偏向（主走査）しつつ、レーザ光学系２６とドナー基板１０及び被処理基板２０とを、矢印ｙ方向（もしくは、ｘ方向）に相対的に移動することにより、レーザ光２８によって２次元的にドナー基板を走査してもよい。
また、レーザ光２８の２次元的な走査によってレーザ熱転写を行う本発明によれば、レーザ光２８のオン／オフ（ｏｎ／ｏｆｆ）制御やレーザパワー（強度）の調節など、レーザ光２８の変調を行うことによって、被処理基板２０の所望の位置、即ち、電気回路配線１４の位置に、電気回路配線１４の配線パターンに応じたパターンを持つ絶縁層３２を形成できる。

（絶縁層）
ここで、絶縁層３２は、被処理基板１０の電気回路配線１４の導電膜１４を絶縁できるように覆うものであるので、少なくとも配線層１８の導電膜１４及びその周辺の前駆体膜１６上に形成される必要があるが、電気回路配線１４を絶縁できるように覆うことができれば、その形状は特に制限的ではなく、電気回路配線１４の配線パターンに応じたパターンを持つ形状であっても良いし、直線状であっても、曲線状であってもよく、配線層１８の全面を覆う形状であってもよい。
本発明において形成される絶縁層３２の厚みは、特に制限されず、使用される用途に応じて適宜最適に調整される。なかでも、プリント配線基板等の電気回路配線基板の用途の点からは、５〜４０μｍであるのが好ましく、１０〜２０μｍであるのがより好ましい。その理由は、５μｍ未満では、薄くなり過ぎて、絶縁性、被覆性、均一性が不足し、絶縁膜３２としての機能を十分に果たすことができない恐れがあり、４０μｍ超では、厚くなり過ぎて、実装時に部品と干渉するからである。
なお、絶縁層３２の厚みは、絶縁層３２の任意の点における厚みを３箇所以上測定し、その値を算術平均して得られる値（平均値）である。

（転写用レーザ光学系）
本発明に用いられる転写用レーザ光学系２６は、ドナー基板２０の転写用膜２４を、その中の金属酸化物粒子を還元することなく剥離転写できるレーザ光２８を出射するものである。このようなレーザ光学系２６としては、所定の照射条件を満たす連続発振レーザ光を照射することができれば、特に制限的ではなくどのようなものでも良いが、例えば、レーザ光２８を照射するレーザ光源、各種のレンズやミラー等の光学素子、レーザ光の変調手段などを組み合わせてなる、公知のレーザ光学系（レーザビーム光学系）を用いることができる。もちろん、公知のレーザ光源等を含むレーザ照射装置から構成される光学系や、このようなレーザ光学系を持つ公知のレーザ光照射装置を用いることができる。
本発明に用いられるレーザ２８を出射するレーザ光源としては、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＮ系等の半導体レーザ、Ｎｄ:ＹＡＧレーザ、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザ、色素レーザ、ルビーレーザ等の固体レーザ、Ｈｅ-Ｎｅ、Ｈｅ-Ｘｅ、Ｈｅ-Ｃｄ、ＣＯ₂、Ａｒ等の気体レーザ、自由電子レーザ等を挙げることができる。なかでも、ＣＯ₂レーザ（炭酸ガスレーザ）が好ましい。
例えば、このようなレーザを持つレーザ光照射装置としては、キーエンス社ＭＤ−Ｖ９９００Ａシリーズなどを挙げることができる。

レーザ光２８の波長は、特に制限的ではなく、転写用膜２４内の金属酸化物粒子が光のエネルギを吸収して熱エネルギに光熱変換して、例えば、金属酸化物粒子を還元することなく、そのままアブレーション状態として、金属酸化物粒子含む転写用膜２４を被処理基板１０の電気回路配線１４上に剥離転写して絶縁層３２を形成できれば、どのような波長であっても良いが、例えば、熱エネルギに変換され易い赤外光を用いることができる。中でも、レーザ光２８の波長は、１．０μｍ以上が好ましく、１．０〜１２μｍがより好ましく、９．０〜１２μｍがさらに好ましい。上記範囲であれば、金属酸化物粒子が還元することなく、アブレーション状態となり、金属酸化物粒子含む転写用膜２４の剥離転写が進行しやすい。

本工程において、レーザ光２８のレーザパワーは、ドナー基板２０の転写用膜２４内の金属酸化物粒子にレーザ光の光エネルギを吸収させて熱エネルギに光熱変換させ、金属酸化物粒子を還元することなく、そのままアブレーション状態として、転写用膜２４を剥離転写できる点で、５．０〜１４Ｗである必要があり、６．０〜１２Ｗであるのが好ましい。
その理由は、レーザ光のレーザパワーが５．０Ｗ未満の場合には、転写用膜２４内の金属酸化物粒子に吸収されるレーザ光のエネルギが不足し、転写用膜２４の剥離転写を適切に行うことができない恐れがあり、１４Ｗ超の場合には、過加熱となり、転写用膜２４内の金属酸化物粒子に吸収されるレーザ光のエネルギが過大となり、金属酸化物粒子の還元が生じ、形成される絶縁層３２自体の絶縁性が劣化したり、支持体２が変形したりして、転写用膜２４の剥離転写を適切に行うことができない恐れがあり、いずれの場合も、絶縁性、被覆性、均一性、密着性等に優れた絶縁層３２を形成することができないからである。

本工程において、レーザ光２８の走査の速度は、５００〜２０００ｍｍ／ｓであるのが好ましく、８００〜１５００ｍｍ／ｓであるのがより好ましい。その理由は、２０００ｍｍ／ｓ超では、転写用膜２４内の金属酸化物粒子に吸収されるレーザ光のエネルギが不足し、転写用膜２４の剥離転写を適切に行うことができない恐れがあり、５００ｍｍ／ｓ未満では、転写用膜２４内の金属酸化物粒子に吸収されるレーザ光のエネルギが過大となり、金属酸化物粒子の還元が生じ、形成される絶縁層３２自体の絶縁性が劣化したり、支持体２が変形し、転写用膜２４の剥離転写を適切に行うことができない恐れがあり、いずれの場合も、絶縁性、被覆性、均一性、密着性等に優れた絶縁層３２を形成することができないからである。

本工程において、転写用膜２４の膜面の一地点あたりのレーザ光２８の照射時間は、１０．０〜５００μｓであるのが好ましく、５０〜１００μｓであるのがより好ましい。その理由は、１０．０μｓ未満では、転写用膜２４内の金属酸化物粒子に吸収させるレーザ光のエネルギが不足し、転写用膜２４の剥離転写を適切に行うことができない恐れがあり、５００μｓ超では、転写用膜２４内の金属酸化物粒子に吸収されるレーザ光のエネルギが過大となり、金属酸化物粒子の還元が生じ、形成される絶縁層３２自体の絶縁性が劣化したり、支持体２が変形し、転写用膜２４の剥離転写を適切に行うことができない恐れがあり、いずれの場合も、絶縁性、被覆性、均一性、密着性等に優れた絶縁層３２を形成することができないからである。転写用膜２４の膜面は、支持体２２との接着面としても、開放された表面としても良い。
ここで、照射時間は、レーザ光が照射される転写用膜２４の膜面上の任意の一地点においてレーザ光２８が照射される時間を意味する。照射時間は、レーザ光２８の走査速度とそのビーム径より計算できる。例えば、転写用膜２４の膜面上に照射されるレーザ光２８の走査する方向におけるビーム径の幅が６０μｍで、その走査速度が２ｍ／ｓである場合、照射時間は３０μｓと計算される。

なお、本工程におけるレーザ光２８のより好ましいレーザ照射条件としては、レーザ光２８のレーザパワーをＸ軸（横軸）とし、レーザ光２８の走査速度をＹ軸（縦軸）とする２次元ＸＹ座標において、レーザパワーＸ及び走査速度Ｙが、図４で表される４つの線分で囲まれた範囲内に存在することが好ましい。レーザパワーＸ及び走査速度Ｙが図示例の範囲内にある場合、レーザ光２８が照射される転写用膜２４の金属酸化物粒子に吸収されるレーザ光のエネルギが適切なものとなり、絶縁性、被覆性、均一性、密着性等に優れた絶縁層３２を形成することができる。
転写用膜２４の膜面に照射されるレーザ光２８のビームスポット径は、特に制限されず、形成される膜の幅に応じて適宜調整される。例えば、導電膜をプリント配線基板の配線として用いる場合、細線な配線を形成できる点で、ビームスポット径は、３０〜１５０μｍが好ましく、５０〜１００μｍがより好ましい。
また、転写用膜２４の膜面におけるレーザ光２８のエネルギ密度、即ちビームスポットのエネルギ密度は、３．０〜５０Ｊ／ｃｍ²であるのが好ましく、５．０〜２５Ｊ／ｃｍ²であるのがより好ましい。

これにより、より確実に転写用膜２４をレーザ熱転写して、適正な絶縁層３２を形成し、目的とする性能を確実に発現する電気回路配線基板３０を、安定して製造することが可能になる。

上記のレーザ光の照射処理を実施する雰囲気は、特に制限されず、大気雰囲気下、不活性雰囲気下、または還元性雰囲気下などが挙げられる。なお、不活性雰囲気とは、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素等の不活性ガスで満たされた雰囲気であり、また、還元性雰囲気とは、水素、一酸化炭素等の還元性ガスが存在する雰囲気を指す。
なお、レーザ光２８の最適な照射条件としては、上述したレーザ光２８の走査速度（線速）、レーザ光２８の強度（レーザパワー）、レーザ光２８のビームスポット径、そのエネルギ密度、支持体１２におけるレーザ光２８の透過率、転写用膜２４の厚さ、絶縁層３２の厚さ等に応じて、それらの組み合わせに適正なレーザ熱転写が可能な照射条件を、適宜、設定しても良い。

本工程において製造された電気回路配線基板をプリント配線基板として構成する場合、絶縁層３２の表面に、更に、他の絶縁層（絶縁樹脂層、層間絶縁膜、ソルダーレジスト等）を積層して、その表面にさらなる配線（金属パターン）を形成してもよい。
絶縁膜の材料は特に制限されないが、例えば、エポキシ樹脂、アラミド樹脂、結晶性ポリオレフィン樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂、フッ素含有樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、全フッ素化ポリイミド、全フッ素化アモルファス樹脂など）、ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶樹脂など挙げられる。
これらの中でも、密着性、寸法安定性、耐熱性、電気絶縁性等の観点から、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、または液晶樹脂を含有するものであることが好ましく、より好ましくはエポキシ樹脂である。具体的には、味の素ファインテクノ（株）製、ＡＢＦ ＧＸ−１３などが挙げられる。

また、配線保護のために用いられる絶縁層の材料の一種であるソルダーレジストについては、例えば特開平１０−２０４１５０号公報や、特開２００３−２２２９９３号公報等に詳細に記載され、これらの公報に記載の材料を本発明にも適用しても良い。ソルダーレジストは、市販品を用いてもよく、具体的には、例えば、太陽インキ製造（株）製ＰＦＲ８００、ＰＳＲ４０００（商品名）、日立化成工業（株）製 ＳＲ７２００Ｇ、などが挙げられる。
上記で得られた電気回路配線基板は、種々の用途に使用することができる。例えば、プリント配線基板、ＴＦＴ、ＦＰＣ、ＲＦＩＤなどが挙げられる。

次に、上述した被処理基板作製プロセスについて、詳細に説明する。
上述したように、本被処理基板作製プロセスは、基板上に電気回路配線が形成された被処理基板を作成するプロセスであり、前駆体膜を形成する工程（前駆体膜形成工程）と、前駆体膜に配線形成用連続発振レーザ光を照射する工程（照射工程）との少なくとも２つを有する。
本プロセスの特徴は、絶縁膜３２を形成するための転写用膜２４内の金属酸化物粒子と同一の金属酸化物粒子を含む前駆体膜１６に配線形成用レーザ光４４を照射して導電膜１４を形成する点と、配線形成用レーザ光４４の照射条件（レーザパワー、走査速度、及び照射時間等）、並びにレーザ光４４と被照射物である前駆体膜１６との走査条件を制御する点が挙げられる。より具体的には、後者では、走査速度、照射時間及びレーザパワーを所定値以上に制御する。このように条件を制御することにより、所望の効果が得られる機構は以下のように説明される。
まず、転写用膜２４と同じ金属酸化物粒子を含む前駆体膜（被照射物）に対して、配線形成用レーザ光を照射すると、金属酸化物から金属の還元反応が進行する。しかし、配線形成用レーザ光を照射し過ぎると、生成した金属が再度金属酸化物へと戻ってしまう。これは、金属酸化物が配線形成用レーザ光を吸収して金属への還元反応が一旦進行したとしても、冷却時の冷却速度が遅いと再び酸化銅へ逆戻りしてしまうためと推測される。そこで、レーザパワーや走査速度等の照射条件を制御することにより、酸化銅への逆戻りが進行しないように制御している。
さらに、所定照射量以上の配線形成用レーザ光を前駆体膜に照射することにより、前駆体膜の一部が加熱溶融されて基板と界面付近で両者が混じり合うことにより、製造される電気回路配線と基板との間にアンカー構造が形成され、電気回路配線の密着性が向上する。
以下に、各工程で使用される材料・手順についてそれぞれ詳述する。

［前駆体膜形成工程］
前駆体膜形成工程は、金属酸化物粒子を含む分散液を基板１２上に塗布して、金属酸化物粒子を含む前駆体膜１６を形成して、配線形成用基板４０を作製する工程である。本工程を実施することにより、後述する配線形成用レーザ光４４が照射される前駆体膜１６が基板１２上に形成される。
本工程で使用される材料について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
上述したように、本前駆体膜形成工程において、基板１２上に形成される前駆体膜１６は、ドナー基板２０の支持体２２上に形成される転写用膜２４と同一の金属酸化物粒子を含むものであるので、本前駆体膜形成工程は、支持体２２上に転写用膜２４を形成するドナー基板作製工程と、前駆体膜１６が基板１２上に形成されるのに対し、転写用膜２４が支持体２２上に形成される点以外は、基本的に同様な構成を有するので、同様な部分については説明を省略し、相違している部分を主に説明する。

（基板）
本工程で使用される基板としては、公知のものを用いることができる。基板に使用される材料としては、例えば、樹脂、紙、ガラス、シリコン系半導体、化合物半導体、金属酸化物、金属窒化物、木材、またはこれらの複合物が挙げられる。
より具体的には、上述したドナー基板の支持体に用いられる樹脂基板と同様な樹脂基板；非塗工印刷用紙、微塗工印刷用紙、塗工印刷用紙（アート紙、コート紙）、特殊印刷用紙、コピー用紙（ＰＰＣ用紙）、未晒包装紙（重袋用両更クラフト紙、両更クラフト紙）、晒包装紙（晒クラフト紙、純白ロール紙）、コートボール、チップボール、段ボール等の紙基板；上述したドナー基板の支持体に用いられるガラス基板と同様なガラス基板；アモルファスシリコン、ポリシリコン等のシリコン系半導体基板；ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ等の化合物半導体基板；銅板、鉄板、アルミ板等の金属基板；アルミナ、サファイア、ジルコニア、チタニア、酸化イットリウム、酸化インジウム、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ネサ（酸化錫）、ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化錫）、フッ素ドープ酸化錫、酸化亜鉛、ＡＺＯ（アルミドープ酸化亜鉛）、ガリウムドープ酸化亜鉛、窒化アルミニウム、炭化ケイ素等のその他無機基板；紙−フェノール樹脂、紙−エポキシ樹脂、紙−ポリエステル樹脂等の紙−樹脂複合物、ガラス布−エポキシ樹脂、ガラス布−ポリイミド系樹脂、ガラス布−フッ素樹脂等のガラス−樹脂複合物等の複合基板等が挙げられる。これらの中でも、ポリエステル樹脂基板、ポリエーテルイミド樹脂基板、紙基板、ガラス基板が好ましく使用される。

なかでも、基板としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、セルロースエステル、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、シリコーン、ポリビニルエチルエーテル、ポリサルファイド、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、及びポリアクリレートからなる群から選択される少なくとも一つを有する樹脂基板が好ましい。
このような樹脂基板を使用すると、基板がレーザ光（特に、波長２μｍ以上のレーザ光。例えば、炭酸ガスレーザ）を吸収することがほとんどなく、基板が高温となることがない。結果として、レーザ光を吸収して還元生成された金属の急冷が効率よく進行し、酸化銅への戻りを抑制することができる。

（工程の手順）
本工程では、基板１２と支持体２２の違いはあるが、上記転写用膜２４の形成の場合と同様に、上記分散液を基板１２上に付与して前駆体膜１６を形成する。
本工程においては、必要に応じて、分散液を基板１２へ塗布した後に乾燥処理を行い、溶媒を除去してもよい。残存する溶媒を除去することにより、後述する第２照射工程において、溶媒の気化膨張に起因する微小なクラックや空隙の発生を抑制することができ、導電膜１４の導電性及び導電膜１４と基板１２との密着性の点で好ましい。

（前駆体膜）
前駆体膜は、転写用膜に含まれる金属酸化物粒子と同じ金属酸化物粒子を含み、後述する光照射により金属酸化物粒子が金属に還元され、導電膜になる。
前駆体膜には、金属酸化物粒子が含まれ、特に、主成分として含まれることが好ましい。ここで主成分とは、前駆体膜全質量中、金属酸化物粒子の占める質量が８０質量％以上であることを意図し、８５質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
前駆体膜には、金属酸化物粒子以外の成分（例えば、バインダー樹脂）が含まれていてもよい。

前駆体膜の厚みは特に制限されず、形成される導電膜の用途に応じて適宜最適な厚みが選択される。なかでも、後述する光照射による金属酸化物粒子の還元効率がより優れる点で、０．５〜２００μｍが好ましく、１．０〜１００μｍがより好ましく、５．０〜２０μｍがさらに好ましい。
なお、前駆体膜は基板全面に設けられていてもよく、パターン状に設けられていてもよい。

［第２照射工程］
第２照射工程は、図４に示すように、上記前駆体膜形成工程で得られた配線形成用基板４０上の前駆体膜に対して、配線形成用レーザ光４４を相対的に走査させつつ照射して、レーザ光４４の照射領域における金属酸化物粒子を還元して金属を含有する導電膜１４を形成する導電膜形成工程である。レーザ光４４の照射を行うことにより、金属酸化物粒子がレーザ光４４の光エネルギを吸収して金属酸化物から金属への還元反応が進行すると共に、吸収されたレーザ光４４の光エネルギが熱に変換（光熱変換）され、前駆体膜１６内部に熱が浸透することにより、内部においても金属酸化物から金属への還元反応が進行する。つまり、上記処理を施すことにより、金属酸化物粒子が還元されて得られる金属粒子同士が互いに融着してグレインを形成し、さらにグレイン同士が接着・融着して導電膜１４を形成する。

図４には、基板１２上に配置された前駆体膜１６に対して、レーザ光学系４２からレーザ光４４を照射する実施形態を示す。図４においては、図示しない走査機構によりレーザ光源４２を矢印の方向に移動させ、前駆体膜１６の表面を２次元的に走査させつつ、前駆体膜１６の表面の所定の領域に照射を行う。レーザ光４２が照射された領域では、金属酸化物から金属への還元反応が進行し、金属を含む導電膜１４が形成され、基板１２上に前駆体膜１６と導電膜１４とが形成されている被処理基板１０が作製される。

図４において、導電膜１４は、直線状のパターンであるが、その形状は、図４に示す実施形態に限定されず、例えば、曲線状であってもよく、基板１２全面に渡って導電膜１６が形成されてもよい。
図４には、図示しない走査機構によりレーザ光学系４２が移動される実施形態が例示されているが、本実施形態に限定されず、図３（Ｃ）に示す上述した第１照射工程の場合と同様に、レーザ光４４と被照射物である前駆体膜１６とが相対的に走査されればよい。なお、レーザ光と被照射物との相対的走査や変調に関しては、図３（Ｃ）に示すレーザ光２８及び被照射物である転写用膜２４を、それぞれ図４に示すレーザ光４４及び被照射物である前駆体膜１６に置き換えればよい。

（配線形成用レーザ光学系）
本発明に用いられる配線形成用レーザ光学系４２は、配線形成用基板４０の前駆体膜１６内の金属酸化物粒子を還元できるレーザ光４４を出射するものである。このようなレーザ光学系４２としては、所定の照射条件を満たす連続発振レーザ光を照射することができれば、特に制限的ではなくどのようなものでも良いが、例えば、レーザ光４４を照射するレーザ光源を含むものであれば、上述した転写用レーザ光学系２６と同様に、公知のレーザ光学系を用いることができ、公知のレーザ光照射装置を用いることができる。
レーザ光４４の波長は特に制限されず、金属酸化物粒子が吸収を有する波長であればよく、紫外光から赤外光まで任意のものを選択できる。なかでも、レーザ光４４の波長は１．０μｍ以上が好ましく、３．０μｍ以上がより好ましく、５．０μｍ以上がさらに好ましく、９．０μｍ以上が特に好ましい。上記範囲であれば、金属酸化物粒子の還元がより進行しやすい。上限は特に制限されないが、装置の性能の点から、通常、３０μｍ以下が好ましく、１２μｍ以下がより好ましい。
したがって、レーザ光４４の波長は、１．０〜１２μｍとするのがより良い。
本発明に用いられるレーザ４４を出射するレーザ光源としては、上述した転写用レーザ光学系２６と同様なレーザ光源を用いることができるが、ＣＯ₂レーザ（炭酸ガスレーザ）が好ましく、例えば、キーエンス社ＭＬＺ−９５００シリーズなどを挙げることができる。

本工程において、走査の速度は１．０ｍｍ／ｓ以上であるのが良く、前駆体膜１６中において金属酸化物から金属への還元がより効率よく進行すると共に、生産性がより優れる点で、１．５ｍｍ／ｓ以上が好ましく、２．０ｍｍ／ｓ以上がより好ましく、５．０ｍｍ／ｓ以上がさらに好ましい。ここで、走査の速度が１．０ｍｍ／ｓ未満では、制御が難しく、材料自体が蒸発などをしてしまう場合がある。
一方、走査の速度の上限は特に制限的ではないが、５０ｍｍ／ｓ以下であるのが好ましく、４０ｍｍ／ｓ以下であるのがより好ましい。走査の速度が５０ｍｍ／ｓ超の場合、前駆体膜中において金属酸化物から金属への還元が十分に進行せず、結果として導電特性に劣る導電膜が得られる。
以上から、走査の速度は、５．０〜４０ｍｍ／ｓとするのがより良い。

本工程において、連続発振レーザ光のレーザパワーは０．６Ｗ以上であるのが良く、前駆体膜中において金属酸化物から金属への還元がより効率よく進行すると共に、導電膜の密着性がより優れる点で、０．７Ｗ以上が好ましく、０．８Ｗ以上がより好ましい。上限は、特に制限されないが、材料自体の蒸発をより抑制できる点で、１００Ｗ以下が好ましく、５０Ｗ以下がより好ましく、１０Ｗ以下がさらに好ましく、５Ｗ以下が特に好ましく、４．０Ｗ以下が最も好ましい。
連続発振レーザ光のレーザパワーが０．６Ｗ未満の場合、前駆体膜中において金属酸化物から金属への還元が十分に進行しない、または、導電膜の密着性に劣る。
以上から、レーザパワーは、０．６〜４Ｗとするのがより良い。

本工程において、前駆体膜表面の一地点あたりの照射時間は１．０ｍｓ以上であるのが良く、前駆体膜中において金属酸化物から金属への還元がより効率よく進行すると共に、導電膜の密着性がより優れる点で、１．５ｍｓ以上が好ましく、３．０ｍｓ以上がより好ましく、４．０ｍｓ以上がさらに好ましい。
また、上限は特に制限されないが、１０００ｍｓ以下が好ましく、５００ｍｓ以下がより好ましく、１００ｍｓ以下がさらに好ましく、１２ｍｓ以下が特に好ましい。長すぎると、制御が難しく、材料自体が蒸発などをしてしまう場合がある。
以上から、照射時間は、１．５〜１２ｍｓとするのがより良い。
ここで、照射時間は、連続発振レーザ光が照射される前駆体膜表面上の任意の一地点における連続発振レーザ光が照射される時間を意味する。照射時間は、走査速度とビーム径より計算できる。例えば、前駆体膜表面上に照射される連続発振レーザ光の走査する方向におけるビーム径の幅が６０μｍで、その走査速度が２ｍ／ｓである場合、照射時間は３０μｓと計算される。

前駆体膜表面に照射される連続発振レーザ光のビーム径は特に制限されず、形成される導電膜の幅に応じて適宜調整される。例えば、導電膜をプリント配線基板の配線として用いる場合、細線な配線を形成できる点で、ビーム径は５〜１０００μｍが好ましく、９〜５００μｍがより好ましく、２０〜２００μｍがさらに好ましい。
上記光照射処理を実施する雰囲気は、特に制限されず、大気雰囲気下、不活性雰囲気下、または還元性雰囲気下などが挙げられる。なお、不活性雰囲気とは、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素等の不活性ガスで満たされた雰囲気であり、また、還元性雰囲気とは、水素、一酸化炭素等の還元性ガスが存在する雰囲気を指す。

（導電膜）
上記工程を実施することにより、金属を含有する導電膜（金属膜）が得られる。例えば、金属酸化物粒子として酸化銅粒子を使用した場合は、金属銅を含有する導電膜が得られる。
導電膜の膜厚は特に制限されず、使用される用途に応じて適宜最適な膜厚が調整される。なかでも、プリント配線基板用途の点からは、０．０１〜２００μｍが好ましく、０．１〜１００μｍがより好ましく、５．０〜２０μｍがさらに好ましい。
なお、膜厚は、導電膜の任意の点における厚みを３箇所以上測定し、その値を算術平均して得られる値（平均値）である。
導電膜の体積抵抗値は、導電特性の点から、１×１０^-4Ωｃｍ以下が好ましく、１×１０^-5Ωｃｍ以下がより好ましい。
体積抵抗値は、導電膜の表面抵抗値を四探針法にて測定後、得られた表面抵抗値に膜厚を乗算することで算出することができる。

導電膜は基板の全面、または、パターン状に設けられてもよい。パターン状の導電膜は、プリント配線基板などの導体配線（配線）として有用である。
パターン状の導電膜を得る方法としては、上記分散液をパターン状に基板に付与して、上記連続発振レーザ光照射処理を行う方法や、基板全面に設けられた導電膜をパターン状にエッチングする方法や、基板全面に設けられた前駆体膜にパターン状に連続発振レーザ光を照射する方法などが挙げられる。
なお、エッチングの方法は特に制限されず、公知のサブトラクティブ法、セミアディティブ法などを採用できる。
導電膜をパターン状に設けた場合、必要に応じて、連続発振レーザ光が照射されていない前駆体膜の未照射領域を除去してもよい。未照射領域の除去方法は特に制限されず、酸などのエッチング溶液を使用してエッチングする方法が挙げられる。

以上、本発明の電気回路配線基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は、上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろんである。

以下、本発明の電気回路配線基板の製造方法を実施例に基づいて具体的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

（実施例）
まず、本発明法を実施するため、電気回路配線を持つ被処理基板を作製して、評価を行った。
バーコータを用いて、Novacentrix社製酸化銅インク（ＩＣＩ−０２０）をポリイミド基板（厚さ：１２５μｍ）に付与して塗膜（厚さ：４０μｍ）を形成後、塗膜を有する基板をホットプレート上に載置し、１００℃で１０分間乾燥処理を施して溶媒を除去して、前駆体膜（厚さ：２０μｍ）付き配線形成用基板を作製した。
次に、こうして作製された配線形成用基板の前駆体膜を、キーエンス社製ＭＬ−Ｚ９５５０Ｔを用い、その炭酸ガスレーザ（波長９．３μｍ）から出射される走査方向のビーム径の幅が６０μｍの配線形成用レーザ光によって、そのレーザパワー、走査速度（線速）、及び照射時間を変えて、６０μｍピッチで走査して、ライン／スペース＝６０μｍ／６０μｍの導電膜を形成し、形成された導電膜からなる電気回路配線を持つ複数種類の被処理基板を作製した。
こうして作製された複数種類の被処理基板の導電性及び密着性を評価した。
その結果を表１に示す。

なお、被処理基板の導電膜の導電性及び密着性は、以下のように評価した。
（導電性評価）
導電性は、四端子法により測定し算出した体積抵抗率（Ω・ｃｍ）として求めた。具体的には、導電膜の体積抵抗率は、先ず焼成後の導電膜の厚さについて、ＳＥＭ（電子顕微鏡Ｓ８００：日立製作所社製）を用いて導電膜断面から導電膜の厚さを直接計測し、次に四端子法による比抵抗測定器（ロレスタ：三菱化学社製）を用い、この測定器に上記実測した導電膜の厚さを入力して測定した。
体積抵抗率が１０^-4Ωｃｍ以下であった場合を「Ａ」とし、１０^-4Ωｃｍ超であった場合を「Ｂ」とした。
（密着性評価）
得られた被処理基板の導電膜の面に、カッターナイフで碁盤目状に縦１１本、横１１本の切り込みを入れて合計１００個の正方形の升目を刻み、日東電工（株）製のポリエステル粘着テープ“ＮＯ．３１Ｂ”を圧着して密着試験を行い、剥がれの有無を目視で観察した。剥がれがない場合を「Ａ」、剥がれがある場合を「Ｂ」とした。

表１に示すように、本発明法に従った実施例１〜６においては、導電性及び密着性に優れる導電膜が形成された被処理基板が作製された。
一方、比較例１〜３では、走査速度が遅いため、比較例４〜５では、走査速度が速いため、導電膜の導電性及び密着性の少なくとも一方が劣る被処理基板しか作製されなかった。

こうして作製された実施例１〜６の被処理基板の中で、配線形成用レーザ光のレーザパワー、走査速度(線速）、及び照射時間が、それぞれ０．８Ｗ、５ｍ／ｓ、及び１２μｓであった実施例１の被処理基板を用いて、被処理基板の導電膜からなる電気回路配線上に絶縁膜を形成して本発明法による電気回路配線基板を製造して、評価を行った。
まず、バーコータを用いて、前駆体膜形成に用いた酸化銅インクと同じNovacentrix社製酸化銅インク（ＩＣＩ−０２０）をポリカーボネート支持体（厚さ：０．６ｍｍ）に付与して塗膜（厚さ：４０μｍ）を形成後、塗膜を有する支持体をホットプレート上に載置し、１００℃で１０分間乾燥処理を施して溶媒を除去して、転写用膜（厚さ：２０μｍ）付きドナー基板を作製した。

次に、こうして作製されたドナー基板を、転写用膜と電気回路配線を構成する導電膜とを間隔（０．５ｍｍ）を開けて対面させて、被処理基板上に重ね合わせて積層し、キーエンス社製ＭＤ−Ｚ９９００ＷＡを用い、その炭酸ガスレーザ（波長１０６４ｎｍ）から出射される走査方向のビーム径の幅が６０μｍの転写用レーザ光によって、そのレーザパワー、及び走査速度（線速）を変えて、被処理基板上に形成された電気回路配線の配線パターンに合わせて、ドナー基板の支持体側から転写用膜を走査して、電気回路配線を構成する導電膜上に転写用膜を剥離転写して、導電膜を覆うように転写用膜内の酸化銅粒子からなる絶縁膜（厚さ：１５μｍ）を形成し、電気回路配線上に絶縁膜が被覆された複数種類の電気回路配線基板を製造した。
こうして製造された複数種類の電気回路配線基板の絶縁膜の被覆性及び転写性を評価した。
その結果を表１に示す。

なお、電気回路配線基板の絶縁膜の被覆性及び転写性は、以下のように評価した。
（被覆性評価）
製造された電気回路配線基板において、絶縁膜が導電膜を被覆している状態を目視で観察した。完全に覆うことができている場合には、「Ａ」、略覆うことができている場合には、「Ｂ」、導電膜が露出して覆えていない場所がある場合には「Ｃ」と評価した。
（転写性評価）
電気回路配線基板の製造後のドナー基板の支持体の変形の状態を目視で観察した。支持体の変形が全くない場合には、ドナー基板と被処理基板との間隔（距離）の変化が全く無く均一な転写が生じているので、「Ａ」、支持体の変形がほとんどない場合には、ドナー基板と被処理基板との間隔（距離）の変化がほとんど無く略均一な転写が生じているので、「Ｂ」、支持体に変形がある場合には、ドナー基板と被処理基板との間隔（距離）が変わり、位置ずれやボケが生じているので、「Ｃ」と評価した。
その結果を表２に示す。

表２に示すように、本発明法の実施例である本発明例１〜３では、被覆性及び転写性に優れる絶縁膜が形成された電気回路配線基板が製造できた。
一方、比較例６では、レーザパワー大きくて、高熱となり、ドナー基板の支持体に変形が生じ、位置ずれやボケが生じ、絶縁膜の転写性が劣化した電気回路配線基板が、比較例７では、レーザパワーが小さいため、絶縁膜から電気回路配線の導電膜が露出する場所があり、絶縁膜の被覆性が劣化した電気回路配線基板が作製された。
以上の結果から、本発明の効果は明らかである。

１０ 被処理基板
１２ 基板
１４ 導電膜
１６ 前駆体膜
１８ 配線層
２０ ドナー基板
２２ 支持体
２４ 転写用膜
２６、４２ レーザ光学系
２８ 転写用レーザ光
３０ 電気回路配線基板
３２ 絶縁膜
４０ 配線形成基板
４４ 配線形成用レーザ光

Claims (14)

1. レーザパワーが５．０〜１４．０Ｗである第１のレーザ光のエネルギを吸収する絶縁材料として金属酸化物粒子を含む第１の膜が形成された、前記第１のレーザ光を透過する支持体を、第２のレーザ光による、前記金属酸化物粒子を含む第２の膜のレーザ焼結によって形成された導電膜からなる電気回路配線を有する基板上に、前記導電膜と前記第１の膜とが対面するように重ね、前記支持体の側から前記第１のレーザ光を照射して、前記金属酸化物粒子からなる絶縁層を前記第１の膜から前記電気回路配線上に転写して形成することを特徴とする電気回路配線基板の製造方法。
2. 前記電気回路配線は、前記第２のレーザ光によってレーザパターニングされたものである請求項１に記載の電気回路配線基板の製造方法。
3. 前記第１のレーザ光は、前記支持体と前記電気回路配線との距離を一定に維持しながら前記支持体の側から前記第１の膜に照射される請求項１または２に記載の電気回路配線基板の製造方法。
4. 前記第１のレーザ光のエネルギは、前記支持体の変形を生じさせないエネルギである請求項３に記載の電気回路配線基板の製造方法。
5. 前記第１のレーザ光の波長が１．０〜１２．０μｍで、そのレーザパワーが６．０〜１２．０Ｗであり、前記第２のレーザ光の波長が１．０〜１２．０μｍで、そのレーザパワーが０．６〜４．０Ｗである請求項１〜４のいずれかに記載の電気回路配線基板の製造方法。
6. 前記基板は、ポリイミドを含み、前記支持体は、ポリカーボネートを含む請求項１〜５のいずれかに記載の電気回路配線基板の製造方法。
7. 前記第２の膜の厚みは、１０μｍ以上であり、前記第１の膜の厚みは、２０〜４０μｍであり、前記絶縁層の厚みは、１０〜２０μｍである請求項１〜６のいずれかに記載の電気回路配線基板の製造方法。
8. 前記金属酸化物粒子に含まれる金属原子が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｔｌ、Ｃｒ、Ｖ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ及びＡｌからなる群から選択される少なくとも一つの金属元素である請求項１〜７のいずれかに記載の電気回路配線基板の製造方法。
9. 前記金属原子は、Ｃｕである請求項８に記載の電気回路配線基板の製造方法。
10. 前記絶縁層は、前記電気回路配線上に一様に形成される請求項１〜９のいずれかに記載の電気回路配線基板の製造方法。
11. 前記絶縁層は、前記電気回路配線に応じて前記導電膜上にパターニングされて形成される請求項１〜９のいずれかに記載の電気回路配線基板の製造方法。
12. 前記第１の膜は、前記金属酸化物の粒子を含む分散液を前記支持体上に塗布することにより形成される請求項１〜１１のいずれかに記載の電気回路配線基板の製造方法。
13. 前記絶縁層は、前記支持体側から前記第１の膜に対して、前記第１のレーザ光を相対的に走査させつつ照射し、前記第１のレーザ光の照射領域における前記第１の膜を前記支持体から剥離し、前記第１の膜の前記金属酸化物粒子を電気回路配線上に転写することによって形成されたものであり、
    前記第１のレーザ光の走査の速度が８００〜１５００ｍｍ/ｓであり、前記第１の膜の膜面の一地点あたりの照射時間が５０〜１００μｓである請求項１〜１２のいずれかに記載の電気回路配線基板の製造方法。
14. 前記電気回路配線は、前記金属酸化物粒子を含む分散液を前記基板上に塗布して、前記金属酸化物粒子を含む前記前駆体膜を形成した後、前記前駆体膜に対して、前記第２のレーザ光を相対的に走査させつつ照射し、前記第２のレーザ光の照射領域における前記金属酸化物粒子を還元した金属を含有する前記導電膜を形成することにより得られたものであり、
    前記第２のレーザ光の走査の速度が５〜４０ｍｍ／ｓであり、前駆体膜表面の一地点あたりの照射時間が１．５〜１２ｍｓである請求項１〜１３のいずれかに記載の電気回路配線基板の製造方法。

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