JP6044012B2 - 検出対象部位の検出システム - Google Patents
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Description
前記励起光を受光することで蛍光を発する無機系の蛍光物質、
検出対象部位で反射した照明光を撮像する第1の撮像手段、
前記蛍光物質が発する蛍光を撮像する第2の撮像手段、を少なくとも含み、
前記照明手段が照射する照明光及び励起光の波長領域λ1の上限をλ1Max、前記第2の撮像手段が撮像できる波長領域λ2の下限をλ2MIN、とした場合、
λ1Max<λ2MIN
の関係を満たすことを特徴とする検出対象部位の検出システム。
(2)前記第2の撮像手段が撮像できる波長領域λ2は、撮像手段が有する感度領域であることを特徴とする前記(1)に記載の検出対象部位の検出システム。
(3)前記λ2が850〜1700nmであることを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の検出対象部位の検出システム。
(4)前記第2の撮像手段がInGaAsカメラ、ゲルマニウムカメラ、ビジコンカメラから選ばれることを特徴とする前記(1)〜(3)の何れか1に記載の検出対象部位の検出システム。
(5)前記蛍光物質が、Ybイオン、Ndイオン、Erイオンから選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする前記(1)〜(4)の何れか1に記載の検出対象部位の検出システム。
(6)前記照明手段の照明光及び励起光を照射するための光源が、別々の光源であることを特徴とする前記(1)〜(5)の何れか1に記載の検出対象部位の検出システム。
(7)前記第1の撮像手段がSiカメラであることを特徴とする前記(1)〜(6)の何れか1に記載の検出対象部位の検出システム。
また、蛍光物質が発する蛍光を撮像する撮像手段、及び腹腔内で反射した可視光を撮像する撮像手段を別々に設けることで、波長透過フィルター、及び該波長透過フィルターと励起光及び照明光との同期手段を設ける必要が無く、システムを簡単且つ小型化することが可能である。
Nd、YbNdを含む蛍光物質を、以下の手順で作製した。
(Ndを含む蛍光物質)
Nd2O3が1mol%、Bi2O3が49.5mol%、B2O3が49.5mol%となるように原料粉末を秤量し、アルミナ坩堝に投入した。続いて、大気雰囲気の電気炉を用いて1250℃で10分間溶融した。その後、融液を鋳型に流し出し、直径6mmのNdを含む蛍光物質(以下「Ndマーカー」と記載する。)を作製した。作製したNdマーカーは、850〜950nm及び1030〜1130nmの蛍光を示した。
Yb2O3が1mol%、Nd2O3が4mol%、Bi2O3が47.5mol%、B2O3が47.5mol%となるように原料粉末を秤量し、アルミナ坩堝に投入した。続いて、大気雰囲気の電気炉を用いて1250℃で10分間溶融した。その後、融液を鋳型に流し出し直径6mmのYbNdを含む蛍光物質(以下「YbNdマーカー」と記載する。)を作製した。作製したYbNdマーカーは、900〜1130nmの蛍光を示した。
図3は、本実施例で用いた実験系の概略を示す図で、各符号と用いた装置は以下のとおりである。
101 励起光ガイド:MOLITEX社、LGC1−5L
102 励起光源:浜松ホトニクス社製、L10452−04、波長808nm
103 照明光ガイド:MOLITEX社、LGC1−5L
104 照明光源:林時計工業社製、LA−100USW、ハロゲンランプ
105 蛍光物質:上記のとおり作成されたNdマーカー、YbNdマーカー
106 遮蔽物:ハム、厚さ約1mm/枚
107 コールドミラー:MBM−VIS−NIR
108 IR85フィルター:ITF−50S−85IR
109 Siカメラ:ACTRAY社製、ARTCM 150P−5
(又は Electrooptic,Ltd製、CONTER IR)
110 InGaAsカメラ:浜松ホトニクス社製、C10633−13
ハムを0枚、励起光源を0mAで蛍光の撮像を行った。なお、蛍光物質を視認できるように、蛍光灯の照明下で撮像を行った。図4(1)は、Siカメラの撮像結果を示す写真で、図4(2)は、InGaAsカメラの撮像結果を示す写真である。Siカメラと比較して、InGaAsカメラでは、Ndマーカー及びYbNdマーカーの蛍光がより強く撮像された。ハムが無い状態で撮像された蛍光に違いがあることから、近赤外波長領域では、SiカメラよりInGaAsカメラの方が、感度が高いことが確認された。なお、上記で合成された蛍光物質は、近赤外波長(約808nm)以外にも、可視光波長(約530、590nm)にも励起波長のピークがあることから、蛍光灯により励起された蛍光を撮像したものである。
ハムを0枚、励起光源を200mAで蛍光の撮像を行った。図5(1)は、Siカメラの撮像結果を示す写真で、図5(2)は、InGaAsカメラの撮像結果を示す写真である。何れのカメラも強い蛍光が撮像された。
ハムを10枚、励起光源を200mAで蛍光の撮像を行った。図6(1)は、Siカメラの撮像結果を示す写真で、図6(2)は、InGaAsカメラの撮像結果を示す写真である。Siカメラでは蛍光は撮像されず、散乱光と思われる薄い明かりが撮像された。一方、InGaAsカメラでは蛍光が撮像された。
ハムを10枚、励起光源を500mAで蛍光の撮像を行った。図7(1)は、Siカメラの撮像結果を示す写真で、図7(2)は、InGaAsカメラの撮像結果を示す写真である。Siカメラでは蛍光は撮像されず、散乱光と思われる強い明かりが撮像された。一方、InGaAsカメラでは、実施例3の励起光源200mAの場合と比較して、強い蛍光が撮像された。
蛍光物質の上にハム1枚を乗せ、励起光源とハロゲンランプを、(1)励起光○:照明光○、(2)励起光○:照明光×、(3)励起光×:照明光○、(4)励起光×:照明光×、の4通りの組み合わせで照射し、それぞれを、Siカメラ及びInGaAsカメラで撮像した。図8は、それぞれぞれの組み合わせの撮像結果を示すもので、(1)〜(4)の左側はSiカメラでの撮像結果、右側はInGaAsカメラの撮像結果を示す。
ハムを3枚にした以外は、実施例5と同様に実施した。図9は、それぞれぞれの組み合わせの撮像結果を示すもので、(1)〜(4)の左側はSiカメラでの撮像結果、右側はInGaAsカメラの撮像結果を示す。
蛍光物質を使用しない以外は実施例5と同様に実施した。図10は、それぞれぞれの組み合わせの撮像結果を示すもので、(1)〜(4)の左側はSiカメラでの撮像結果、右側はInGaAsカメラの撮像結果を示す。
蛍光物質を使用しない以外は実施例6と同様に実施した。図11は、それぞれぞれの組み合わせの撮像結果を示すもので、(1)〜(4)の左側はSiカメラでの撮像結果、右側はInGaAsカメラの撮像結果を示す。
Claims (7)
- 検出対象部位を照射する照明光及び励起光を照射する照明手段、
前記励起光を受光することで蛍光を発する無機系の蛍光物質、
検出対象部位で反射した照明光を撮像する第1の撮像手段、
前記蛍光物質が発する蛍光を撮像する第2の撮像手段、を少なくとも含み、
前記照明手段が照射する照明光及び励起光の波長領域λ1の上限をλ1Max、前記第2の撮像手段が撮像できる波長領域λ2の下限をλ2MIN、とした場合、
λ1Max<λ2MIN
の関係を満たすことを特徴とする検出対象部位の検出システム。 - 前記第2の撮像手段が撮像できる波長領域λ2は、撮像手段が有する感度領域であることを特徴とする請求項1に記載の検出対象部位の検出システム。
- 前記λ2が850〜1700nmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の検出対象部位の検出システム。
- 前記第2の撮像手段がInGaAsカメラ、ゲルマニウムカメラ、ビジコンカメラから選ばれることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の検出対象部位の検出システム。
- 前記蛍光物質が、Ybイオン、Ndイオン、Erイオンから選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の検出対象部位の検出システム。
- 前記照明手段の照明光及び励起光を照射するための光源が、別々の光源であることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の検出対象部位の検出システム。
- 前記第1の撮像手段がSiカメラであることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の検出対象部位の検出システム。
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