JP6034536B2 - ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板 - Google Patents
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Description
本発明は、ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板に関し、詳しくは光硬化性を有しアルカリ性溶液で現像可能なソルダーレジスト組成物、及びこのソルダーレジスト組成物から形成されたソルダーレジスト層を備える被覆プリント配線板に関する。
近年、民生用及び産業用のプリント配線板におけるソルダーレジスト層の形成方法として、印刷配線板の高配線密度化に対応するため、スクリーン印刷法に代わって、解像性及び寸法精度等に優れた現像可能なソルダーレジスト組成物を用いる方法が大きな位置を占めてきている。
また、近年、携帯端末、パーソナルコンピュータ、テレビジョン等の液晶ディスプレイのバックライト、照明器具の光源などに用いられる発光ダイオード等の光学素子を、ソルダーレジスト層が被覆形成されたプリント配線板に直接実装することが増えてきている。更に、光学素子が実装されているプリント配線板におけるソルダーレジスト層に酸化チタンを含有させてソルダーレジスト層を白色化させることで、発光素子から発せられた光をソルダーレジスト層で効率良く反射させることもおこなわれている(日本国特許出願公開番号2012−78414参照)。
しかし、ソルダーレジスト組成物に酸化チタンを含有させると、このソルダーレジスト組成物を露光させて硬化させる際に、酸化チタンが光を反射或いは吸収することで、ソルダーレジスト組成物が硬化しにくいことがある。特にソルダーレジスト組成物が大量の酸化チタンを含有すると、ソルダーレジスト組成物から形成されるソルダーレジスト層を表面から深部にわたって硬化させることが困難となる。ソルダーレジスト層の深部が充分に硬化しないと、現像時の解像性が悪化したり、ソルダーレジスト層が加熱された場合にプリント配線板とソルダーレジスト層との熱膨張係数の相違によって部分的に応力が集中してクラックが発生したりするという、不良を招きやすい。
また、ソルダーレジスト組成物を含有するソルダーレジスト層は脆くなりやすく、このため、ソルダーレジスト層に機械的加工が施される際などにソルダーレジスト層にクラックが生じやすい。
更に、ソルダーレジスト層には、耐光性、耐熱性及び耐熱変色性が高いことも要求される。
本発明は上記事由に鑑みてなされたものであり、ソルダーレジスト組成物を光硬化させてソルダーレジスト層を作製するにあたり、ソルダーレジスト層を表層から深部にわたって充分に硬化させうると共にソルダーレジスト層が脆くなることを抑制でき、更にソルダーレジスト層に高い耐光性、耐熱性及び耐熱変色性を付与できるソルダーレジスト組成物、及びこのソルダーレジスト組成物から形成されたソルダーレジスト層を備える被覆プリント配線板を提供することを目的とする。
本発明に係るソルダーレジスト組成物は、(A)カルボキシル基含有樹脂、(B)エポキシ化合物、(C)酸化チタン、(D)光重合開始剤、及び(E)酸化防止剤を含有し、前記(B)成分が、下記式(1)で表されるハイドロキノン型エポキシ化合物を含有し、前記(D)成分が、(D1)ビスアシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤及び(D2)α−ヒドロキシアルキルフェノン系光重合開始剤を含有し、前記(E)成分の融点が50〜150℃の範囲内である。
式(1)において、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立にメチル基、水素原子又はt−ブチル基である。
本発明に係る被覆プリント配線板は、プリント配線板と、前記プリント配線板を被覆するソルダーレジスト層とを備え、前記ソルダーレジスト層が前記ソルダーレジスト組成物の硬化物を含む。
本発明によれば、ソルダーレジスト組成物を光硬化させてソルダーレジスト層を作製するにあたり、ソルダーレジスト層を表層から深部にわたって充分に硬化させうると共にソルダーレジストが脆くなることを抑制でき、更にソルダーレジスト層に高い耐光性、耐熱性及び耐熱変色性を付与できる。
また、本発明によれば、表層から深部にわたって充分に硬化し、クラックが抑制され、更に高い耐光性、耐熱性及び耐熱変色性を有するソルダーレジスト層を備えるプリント配線板が得られる。
本発明を実施するための形態について説明する。尚、以下の説明において、「(メタ)アクリル」とは、「アクリル」と「メタクリル」のうち少なくとも一方を意味する。例えば、(メタ)アクリレートは、アクリレートとメタクリレートとのうち少なくとも一方を意味する。
本実施形態に係るソルダーレジスト組成物は、(A)カルボキシル基含有樹脂、(B)エポキシ化合物、(C)酸化チタン、(D)光重合開始剤、及び(E)酸化防止剤を含有する。(B)成分は、下記式(1)で表されるハイドロキノン型エポキシ化合物を含有する。(D)成分は、(D1)ビスアシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤及び(D2)α−ヒドロキシアルキルフェノン系光重合開始剤を含有する。前記(E)成分の融点が50〜150℃の範囲内である。
式(1)において、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立にメチル基、水素原子又はt−ブチル基である。
また、本実施形態に係る被覆プリント配線板は、ソルダーレジスト組成物の光硬化物からなるソルダーレジスト層を備える。
本実施形態では、ソルダーレジスト組成物中の式(1)で示されるハイドロキノン型エポキシ化合物が芳香環を一つのみ有するため、このハイドロキノン型エポキシ化合物を含むソルダーレジスト層が熱又は光によって分解しても、共役結合の長大化が生じにくい。また、ハイドロキノン型エポキシ化合物は窒素原子及び硫黄原子を有さない。これらのために、ソルダーレジスト層が変色しにくい。更に、ハイドロキノン型エポキシ化合物は二官能であり、エーテル結合を有するため、ソルダーレジスト層の脆さが軽減され、柔軟性が付与される。このため、ソルダーレジスト層に機械的加工が施される場合のソルダーレジスト層のクラックや、ソルダーレジスト層が加熱された場合に基材部分とレジスト層との熱膨張係数の相違によって起こる熱クラックが抑制される。
更に、ハイドロキノン型エポキシ化合物は芳香環を有するため、ソルダーレジスト層の耐熱性を向上できる。また、ハイドロキノン型エポキシ化合物の融点は138〜145℃程度と高い。そのためソルダーレジスト組成物を60〜80℃程度の比較的低温で加熱することで乾燥塗膜を形成する際には、(A)成分(カルボキシル基含有樹脂)とハイドロキノン型エポキシ化合物とは反応しにくい。このため、乾燥塗膜中では(A)成分が未反応のまま残留しやすく、このため乾燥塗膜を露光してから現像することで被膜を得る際の高いアルカリ現像性が確保できる。
また、ソルダーレジスト組成物が式(1)で表されるハイドロキノン型エポキシ化合物を含有すると、ソルダーレジスト組成物から形成される乾燥塗膜のタック性が抑制される。ソルダーレジスト組成物がハイドロキノン型エポキシ化合物だけでなく、更に高融点のエポキシ化合物も含有すると、乾燥塗膜のタック性が更に抑制される。
更に現像後の被膜を適宜の温度、例えば150℃で加熱する場合には、被膜中のハイドロキノン型エポキシ化合物が軟化又は溶融しやすいため、被膜中でハイドロキノン型エポキシ化合物が関与する熱硬化反応が進みやすい。このため、耐熱性が高い被膜が得られる。
また、上記の通り、(D)成分が(D1)成分(ビスアシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤)及び(D2)成分(α−ヒドロキシアルキルフェノン系光重合開始剤)を含有する。(D1)成分は380nmよりも長い波長の活性エネルギ―線の吸収性が高い。このため、ソルダーレジスト組成物は、(D1)成分を含有することで、酸化チタンを含有するにもかかわらず、高い光硬化性を有する。更に、露光されると(D1)成分はフォトブリーチング効果によって脱色されるため、(D1)成分はソルダーレジスト層を着色させにくい。このため(D1)成分は、ソルダーレジスト層の光反射性を阻害しにくい。
また、光硬化時にソルダーレジスト層の表層は酸素阻害を受けやすいため、(D1)成分単独ではソルダーレジスト層の表層を十分に硬化させることは困難である。しかし、本実施形態ではソルダーレジスト組成物が(D2)成分及び(E)成分も含有するため、酸素阻害が抑制されて、ソルダーレジスト層が表面から深部にわたって十分に硬化しやすい。ソルダーレジスト層が表層から深部にわたって充分に硬化すると、ソルダーレジスト層の均質性が高くなる。このため、はんだ付け工程、リフロー工程等でソルダーレジスト層が熱により変形して応力が生じても、ソルダーレジスト層内で応力が分散されやすくなり、このためソルダーレジスト層にクラックが生じにくくなる。また、ソルダーレジスト組成物が(E)成分を含有することで、ソルダーレジスト層が高温又は光にさらされても、着色が生じにくく、このためソルダーレジスト層の光反射率の低下及び黄変を防止できる。
更に、ソルダーレジスト組成物が(E)成分を含有することで、ソルダーレジスト組成物中の架橋反応及び分解反応の抑制効果が得られる。このため、ソルダーレジスト組成物に(E)成分を含有させると、(E)成分の濃度に応じたソルダーレジスト組成物の架橋反応性を得ることができ、これによりソルダーレジスト層中の架橋の程度を適度にコントロールできる。これにより、ソルダーレジスト層の密着性を向上することができる。
また、ソルダーレジスト組成物が式(1)で表されるハイドロキノン型エポキシ化合物を含有すると共に(E)成分を含有すると、ソルダーレジスト層に適度な柔軟性が付与されると共にソルダーレジスト層のプリント配線板との密着性が向上する。更に、ソルダーレジスト層の耐メッキ液性等の各種レジスト性能も良好になる。
従って、本実施形態では、ソルダーレジスト組成物を光硬化させてソルダーレジスト層を作製するにあたり、ソルダーレジスト層を表層から深部にわたって充分に硬化させうると共にソルダーレジストが脆くなることを抑制でき、更にソルダーレジスト層に高い耐光性、耐熱性及び耐熱変色性を付与できる。
本実施形態に係るソルダーレジスト組成物について、更に詳しく説明する。
(A)成分は、ソルダーレジスト組成物から形成される塗膜に、アルカリ性溶液による現像性、すなわちアルカリ現像性を付与できる。
(A)成分は、カルボキシル基を有し光重合性を有さない化合物(以下、(A1)成分という)を含有できる。
(A1)成分は、例えばカルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物を含むエチレン性不飽和単量体の重合体を含有する。エチレン性不飽和単量体にはカルボキシル基を有さないエチレン性不飽和化合物が更に含まれていてもよい。
カルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物は、適宜のポリマー及びプレポリマーを含有することができ、例えばエチレン性不飽和基を1個のみ有する化合物を含有できる。より具体的には、カルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物は、例えばアクリル酸、メタクリル酸、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトン(n≒2)モノアクリレート、クロトン酸、桂皮酸、2−アクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−アクリロイルオキシエチルフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、2−アクリロイルオキシプロピルフタル酸、2−メタクリロイルオキシプロピルフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、β−カルボキシエチルアクリレート、2−アクリロイルオキシエチルテトラヒドロフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルテトラヒドロフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、及び2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸からなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。カルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物は、エチレン性不飽和基を複数有する化合物を含有することもできる。より具体的には、例えばカルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物は、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、及びジペンタエリスリトールペンタメタクリレートからなる群から選択されるヒドロキシル基を有する多官能の(メタ)アクリレートに、二塩基酸無水物を反応させて得られる化合物を含有できる。これらの化合物は一種単独で使用され、或いは複数種が併用される。
カルボキシル基を有さないエチレン性不飽和化合物は、カルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物と共重合可能な化合物であればよい。カルボキシル基を有さないエチレン性不飽和化合物は、芳香環を有する化合物と、芳香環を有さない化合物のうち、いずれも含有できる。
芳香環を有する化合物は、例えば2−(メタ)アクリロイロキシエチル−2−ヒドロキシエチルフタレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールベンゾエート(メタ)アクリレート、パラクミルフェノキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、EO変性クレゾール(メタ)アクリレート、エトキシ化フェニル(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート(n=2〜17)、ECH変性フェノキシ(メタ)アクリレート、フェノキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシヘキサエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、EO変性トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、PO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、ECH変性フタル酸ジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンベンゾエート(メタ)アクリレート、EO変性フタル酸(メタ)アクリレート、EO,PO変性フタル酸(メタ)アクリレート、N−フェニルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−ビニルカルバゾール、スチレン、ビニルナフタレン、及び4−ビニルビフェニルからなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。
芳香環を有さない化合物は、例えば直鎖又は分岐の脂肪族、或いは脂環族(但し、環中に一部不飽和結合を有してもよい)の(メタ)アクリル酸エステル、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート、アルコキシアルキル(メタ)アクリレート等;及びN−シクロヘキシルマレイミド等のN−置換マレイミド類からなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。芳香環を有さない化合物は、更にポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート等の、1分子中にエチレン性不飽和基を2個以上有する化合物を含有してもよい。これらの化合物は一種単独で使用され、或いは複数種が併用される。これらの化合物はソルダーレジスト層の硬度及び油性の調節が容易である等の点で好ましい。
(A1)成分を得るために用いられる化合物の種類、比率等は、(A1)成分の酸価が適当な値となるように適宜選択される。(A1)成分の酸価は20〜180mgKOH/gの範囲内であることが好ましく、35〜165mgKOH/gの範囲内であれば更に好ましい。
カルボキシル基含有樹脂は、カルボキシル基及び光重合性官能基を有する光重合性カルボキシル基含有樹脂(以下、(A2)成分という)を含有することもできる。光重合性官能基は、例えばエチレン性不飽和基である。
(A2)成分は、例えば一分子中に二個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物(a1)における前記エポキシ基のうち少なくとも一つに、カルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物(a2)が反応し、それにより生成した二級の水酸基に多価カルボン酸及びその無水物から選択される少なくとも一種の化合物(a3)が付加した構造を有する樹脂(以下、第一の樹脂(a)という)を、含有できる。
エポキシ化合物(a1)は、例えばクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA−ノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、及び脂環式エポキシ樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物を含有できる。
エポキシ化合物(a1)が、エポキシ基を備える化合物(p1)を含むエチレン性不飽和化合物(p)の重合体を含有してもよい。この重合体の合成に供されるエチレン性不飽和化合物(p)は、エポキシ基を備える化合物(p1)のみを含有してもよく、エポキシ基を備える化合物(p1)とエポキシ基を備えない化合物(p2)とを含有してもよい。
エポキシ基を備える化合物(p1)は、適宜のポリマー及びプレポリマーから選択される化合物を含有できる。具体的には、エポキシ基を備える化合物(p1)は、アクリル酸のエポキシシクロヘキシル誘導体類、メタクリル酸のエポキシシクロヘキシル誘導体類、アクリレートの脂環エポキシ誘導体、メタクリレートの脂環エポキシ誘導体、β−メチルグリシジルアクリレート、及びβ−メチルグリシジルメタクリレートからなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。特に、エポキシ基を備える化合物(p1)が、汎用されて入手が容易なグリシジル(メタ)アクリレートを含有することが好ましい。
エポキシ基を備えない化合物(p2)は、エポキシ基を備える化合物(p1)と共重合可能な化合物であればよい。エポキシ基を備えない化合物(p2)は、例えば2−(メタ)アクリロイロキシエチルフタレート、2−(メタ)アクリロイロキシエチル−2−ヒドロキシエチルフタレート、2−(メタ)アクリロイロキシプロピルフタレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールベンゾエート(メタ)アクリレート、パラクミルフェノキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、EO変性クレゾール(メタ)アクリレート、エトキシ化フェニル(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート(重合度n=2〜17)、ECH変性フェノキシ(メタ)アクリレート、フェノキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシヘキサエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、EO変性トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、PO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、ECH変性フタル酸ジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンベンゾエート(メタ)アクリレート、EO変性フタル酸(メタ)アクリレート、EO,PO変性フタル酸(メタ)アクリレート、ビニルカルバゾール、スチレン、N−フェニルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、3−マレイミド安息香酸N−スクシンイミジル、直鎖状或いは分岐を有する脂肪族又は脂環族(但し、環中に一部不飽和結合を有してもよい)の(メタ)アクリル酸エステル、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート、アルコキシアルキル(メタ)アクリレート、及びN−置換マレイミド類(例えばN−シクロヘキシルマレイミド)からなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。
エポキシ基を備えない化合物(p2)が、更に一分子中にエチレン性不飽和基を二個以上備える化合物を含有してもよい。この化合物が使用され、その配合量が調整されることで、ソルダーレジスト層の硬度及び油性が容易に調整される。一分子中にエチレン性不飽和基を二個以上備える化合物は、例えばポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、及びペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートからなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。
エチレン性不飽和化合物(p)が、例えば溶液重合法、エマルション重合法等の公知の重合法により重合することで、重合体が得られる。溶液重合法の具体例として、エチレン性不飽和化合物(p)を適当な有機溶剤中で、重合開始剤の存在下、窒素雰囲気下で加熱攪拌する方法並びに共沸重合法が、挙げられる。
エチレン性不飽和化合物(p)の重合のために使用される有機溶剤は、例えばメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、及びトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、及び酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の酢酸エステル類、及びジアルキルグリコールエーテル類からなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。
エチレン性不飽和化合物(p)の重合のために使用される重合開始剤は、例えばジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド等のハイドロパーオキサイド類、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ−(t−ブチルパーオキシ)−ヘキサン等のジアルキルパーオキサイド類、イソブチリルパーオキサイド等のジアシルパーオキサイド類、メチルエチルケトンパーオキサイド等のケトンパーオキサイド類、t−ブチルパーオキシビバレート等のアルキルパーエステル類、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート等のパーオキシジカーボネート類、アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物、並びにレドックス系の開始剤からなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。
エチレン性不飽和化合物(a2)は、適宜のポリマー及びプレポリマーからなる群から選択される化合物を含有できる。エチレン性不飽和化合物(a2)は、エチレン性不飽和基を一個のみ有する化合物を含有できる。エチレン性不飽和基を一個のみ有する化合物は、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、桂皮酸、2−アクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−アクリロイルオキシエチルフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、β−カルボキシエチルアクリレート、2−アクリロイルオキシプロピルフタル酸、2−メタクリロイルオキシプロピルフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−アクリロイルオキシエチルテトラヒドロフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルテトラヒドロフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、及び2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸からなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。エチレン性不飽和化合物(a2)は、エチレン性不飽和基を複数個備える化合物を更に含有できる。エチレン性不飽和基を複数個備える化合物は、例えばペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート等のヒドロキシル基を備える多官能アクリレート、並びに多官能メタクリレートに二塩基酸無水物を反応させて得られる化合物からなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。
特にエチレン性不飽和化合物(a2)が、アクリル酸及びメタクリル酸のうち少なくとも一方を含有することが好ましい。この場合、アクリル酸及びメタクリル酸に由来するエチレン性不飽和基は特に光反応性に優れるため、第一の樹脂(a)の光反応性が高くなる。
エチレン性不飽和化合物(a2)の使用量は、エポキシ化合物(a1)のエポキシ基1モルに対してエチレン性不飽和化合物(a2)のカルボキシル基が0.4〜1.2モルの範囲内となる量であることが好ましく、特に前記カルボキシル基が0.5〜1.1モルの範囲内となる量であることが好ましい。
多価カルボン酸及びその無水物からなる群から選択される化合物(a3)は、例えばフタル酸、テトラヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸、メチルナジック酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、コハク酸、メチルコハク酸、マレイン酸、シトラコン酸、グルタル酸、イタコン酸等のジカルボン酸;シクロヘキサン−1,2,4−トリカルボン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸等の三塩基酸以上の多価カルボン酸;並びにこれらの多価カルボン酸の無水物からなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。
化合物(a3)は、第一の樹脂(a)に酸価を与えることで、ソルダーレジスト組成物に希アルカリ水溶液による再分散、再溶解性を付与することを主たる目的として使用される。化合物(a3)の使用量は、第一の樹脂(a)の酸価が好ましくは30mgKOH/g以上、特に好ましくは60mgKOH/g以上となるように調整される。また、化合物(a3)の使用量は、第一の樹脂(a)の酸価が好ましくは160mgKOH/g以下、特に好ましくは130mgKOH/g以下となるように調整される。
第一の樹脂(a)が合成される際に、エポキシ化合物(a1)とエチレン性不飽和化合物(a2)との付加反応、並びにこの付加反応による生成物(付加反応生成物)と化合物(a3)との付加反応を進行させるにあたっては、公知の方法が採用され得る。例えばエポキシ化合物(a1)とエチレン性不飽和化合物(a2)との付加反応にあたっては、エポキシ化合物(a1)の溶剤溶液にエチレン性不飽和化合物(a2)を加え、更に必要に応じて熱重合禁止剤及び触媒を加えて攪拌混合することで、反応性溶液が得られる。この反応性溶液を常法により好ましくは60〜150℃、特に好ましくは80〜120℃の反応温度で反応させることで、付加反応生成物が得られる。熱重合禁止剤としてはハイドロキノンもしくはハイドロキノンモノメチルエーテル等が挙げられる。触媒としてベンジルジメチルアミン、トリエチルアミン等の第3級アミン類、トリメチルベンジルアンモニウムクロライド、メチルトリエチルアンモニウムクロライド等の第4級アンモニウム塩類、トリフェニルホスフィン、トリフェニルスチビンなどが挙げられる。
付加反応生成物と化合物(a3)との付加反応を進行させるにあたっては、付加反応生成物の溶剤溶液に化合物(a3)を加え、更に必要に応じて熱重合禁止剤及び触媒を加えて撹拌混合することで、反応性溶液が得られる。この反応性溶液を常法により反応させることで、第一の樹脂(a)が得られる。反応条件はエポキシ化合物(a1)とエチレン性不飽和化合物(a2)との付加反応の場合と同じ条件でよい。熱重合禁止剤及び触媒としては、エポキシ化合物(a1)とカルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物(a2)との付加反応時に使用された化合物をそのまま使用できる。
(A2)成分は、カルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物を含むエチレン性不飽和単量体の重合体におけるカルボキシル基の一部にエポキシ基を有するエチレン性不飽和化合物を反応させることで得られる、カルボキシル基含有(メタ)アクリル系共重合体樹脂(第二の樹脂(b)という)を含有してもよい。エチレン性不飽和単量体には必要に応じてカルボキシル基を有さないエチレン性不飽和化合物も含まれていてもよい。
第二の樹脂(b)は、芳香環含有(メタ)アクリル系共重合樹脂を含有してもよい。すなわち、(A)成分が芳香環含有(メタ)アクリル系共重合樹脂を含有してもよい。この場合、ソルダーレジスト層の耐熱性が特に向上する。尚、芳香環含有(メタ)アクリル系共重合樹脂とは、(メタ)アクリル系共重合樹脂のうち、芳香環を有するものをいう。エチレン性不飽和単量体が芳香環を含有する化合物を含む場合、芳香環含有(メタ)アクリル系共重合樹脂が得られる。
第二の樹脂(b)を得るためのカルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物は、適宜のポリマー及びプレポリマーを含有できる。例えばカルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物は、エチレン性不飽和基を1個のみ有する化合物を含有できる。より具体的には、カルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物は、例えばアクリル酸、メタクリル酸、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトン(n≒2)モノアクリレート、クロトン酸、桂皮酸、2−アクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−アクリロイルオキシエチルフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、β−カルボキシエチルアクリレート、2−アクリロイルオキシプロピルフタル酸、2−メタクリロイルオキシプロピルフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−アクリロイルオキシエチルテトラヒドロフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルテトラヒドロフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、及び2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸からなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。カルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物は、エチレン性不飽和基を複数有する化合物を含有することもできる。より具体的には、例えばカルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物は、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、及びジペンタエリスリトールペンタメタクリレートからなる群から選択されるヒドロキシル基を有する多官能の(メタ)アクリレートに、二塩基酸無水物を反応させて得られる化合物を含有できる。これらの化合物は一種単独で使用され、或いは複数種が併用される。
第二の樹脂(b)を得るためのカルボキシル基を有さないエチレン性不飽和化合物は、カルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物と共重合可能な化合物であればよい。カルボキシル基を有さないエチレン性不飽和化合物は、芳香環を有する化合物と、芳香環を有さない化合物のうち、いずれも含有できる。カルボキシル基を有さないエチレン性不飽和化合物が芳香環を有する化合物を含有する場合、芳香環含有(メタ)アクリル系共重合樹脂が得られる。
芳香環を有する化合物は、例えば2−(メタ)アクリロイロキシエチル−2−ヒドロキシエチルフタレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールベンゾエート(メタ)アクリレート、パラクミルフェノキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、EO変性クレゾール(メタ)アクリレート、エトキシ化フェニル(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート(n=2〜17)、ECH変性フェノキシ(メタ)アクリレート、フェノキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシヘキサエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、EO変性トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、PO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、ECH変性フタル酸ジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンベンゾエート(メタ)アクリレート、EO変性フタル酸(メタ)アクリレート、EO,PO変性フタル酸(メタ)アクリレート、N−フェニルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−ビニルカルバゾール、スチレン、ビニルナフタレン、及び4−ビニルビフェニルからなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。
芳香環を有さない化合物は、例えば直鎖又は分岐の脂肪族、或いは脂環族(但し、環中に一部不飽和結合を有してもよい)の(メタ)アクリル酸エステル、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート、アルコキシアルキル(メタ)アクリレート等;及びN−シクロヘキシルマレイミド等のN−置換マレイミド類からなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。芳香環を有さない化合物は、更にポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート等の、1分子中にエチレン性不飽和基を2個以上有する化合物を含有してもよい。これらの化合物は一種単独で使用され、或いは複数種が併用される。これらの化合物はソルダーレジスト層の硬度及び油性の調節が容易である等の点で好ましい。
第二の樹脂(b)を得るためのエポキシ基を有するエチレン性不飽和化合物としては、適宜のポリマー又はプレポリマーが挙げられる。このエポキシ基を有するエチレン性不飽和化合物の具体例として、アクリル酸又はメタクリル酸のエポキシシクロヘキシル誘導体類;アクリレート又はメタクリレートの脂環エポキシ誘導体;β−メチルグリシジルアクリレート、β−メチルグリシジルメタクリレート等が挙げられる。これらの化合物は一種単独で使用され、或いは複数種が併用される。特に、汎用されて入手が容易なグリシジル(メタ)アクリレートが用いられることが好ましい。
(A2)成分は、カルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物とヒドロキシル基を有するエチレン性不飽和化合物とを含むエチレン性不飽和単量体の重合体におけるヒドロキシル基の一部又は全部にエチレン性不飽和基及びイソシアネート基を有する化合物を付加して得られる樹脂(以下、第三の樹脂(c)という)を含有してもよい。エチレン性不飽和単量体には必要に応じてカルボキシル基及びヒドロキシル基を有さないエチレン性不飽和化合物が含まれていてもよい。
第三の樹脂(c)を得るためのカルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物は、例えば上述の第二の樹脂(b)を得るためのカルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物と同じでよい。
第三の樹脂(c)を得るためのヒドロキシル基を有するエチレン性不飽和化合物の具体例としては、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、シクロヘキサンジメタノールモノ(メタ)アクリレート、2−(メタ)アクリロイロキシエチル−2−ヒドロキシエチルフタレート、カプロラクトン(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート;ヒドロキシブチルビニルエーテル;ヒドロキシエチルビニルエーテル;及びN−ヒドロキシエチル(メタ)アクリルアミドが挙げられる。
第三の樹脂(c)を得るためのエチレン性不飽和基及びイソシアネート基を有する化合物の具体例としては、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート(具体例として昭和電工株式会社;品番「カレンズAOI」)、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(具体例として昭和電工株式会社;品番「カレンズMOI」)、メタクリロイルオキシエトキシエチルイソシアネート(具体例として昭和電工株式会社;品番「カレンズMOI−EG」)、カレンズMOIのイソシアネートブロック体(具体例として昭和電工株式会社;品番「カレンズMOI一BM」)、カレンズMOIのイソシアネートブロック体(具体例として昭和電工株式会社;品番「カレンズMOI−BP」)、及び1,1−(ビスアクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネート)(具体例として昭和電工株式会社;品番「カレンズBEI」)が挙げられる。
(A2)成分全体の重量平均分子量は、800〜100000の範囲内であることが好ましい。この範囲内において、ソルダーレジスト組成物に特に優れた感光性と解像性とが付与される。
(A2)成分全体の酸価は30mgKOH/g以上であることが好ましく、この場合、ソルダーレジスト組成物に良好な現像性が付与される。この酸価は60mgKOH/g以上であれば更に好ましい。また、(A2)成分全体の酸価は180mgKOH/g以下であることが好ましく、この場合、ソルダーレジスト組成物から形成される被膜中のカルボキシル基の残留量が低減し、被膜の良好な電気特性、耐電蝕性及び耐水性等が維持される。この酸価は150mgKOH/g以下であれば更に好ましい。
(B)成分(エポキシ化合物)は、ソルダーレジスト組成物に熱硬化性を付与できる。
上記の通り、(B)成分は式(1)で表されるハイドロキノン型エポキシ化合物を含有する。(B)成分全体に対して、式(1)で表されるハイドロキノン型エポキシ化合物は3〜100質量%の範囲内であることが好ましい。この場合、ソルダーレジスト層が脆くなることを特に抑制してソルダーレジスト層に柔軟性が付与できると共に、ソルダーレジスト層に特に高い耐光性、耐熱性及び耐熱変色性を付与できる。
(B)成分は、式(1)で表されるハイドロキノン型エポキシ化合物に加えて、ハイドロキノン型エポキシ化合物以外の化合物(以下、第二化合物という)を含有してもよい。
第二化合物は、1分子中に少なくとも2個のエポキシ基を有することが好ましい。エポキシ化合物は、溶剤難溶性エポキシ化合物であってもよく、汎用の溶剤可溶性エポキシ化合物であってもよい。
第二化合物の種類は特に限定されないが、特に第二化合物はフェノールノボラック型エポキシ樹脂(具体例としてDIC株式会社製の品番EPICLON N−775)、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(具体例としてDIC株式会社製の品番EPICLON N−695)、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(具体例として三菱化学株式会社製の品番jER1001)、ビスフェノールA−ノボラック型エポキシ樹脂(具体例としてDIC株式会社製の品番EPICLON N−865)、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(具体例として三菱化学株式会社製の品番jER4004P)、ビスフェノールS型エポキシ樹脂(具体例としてDIC株式会社製の品番EPICLON EXA−1514)、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂(具体例として三菱化学株式会社製の品番YX4000)、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂(具体例として日本化薬株式会社製の品番NC−3000)、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂(具体例として新日鉄住金化学株式会社製の品番ST−4000D)、ナフタレン型エポキシ樹脂(具体例としてDIC株式会社製の品番EPICLON HP−4032、EPICLON HP−4700、EPICLON HP−4770)、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ターシャリーブチルカテコール型エポキシ樹脂(具体例としてDIC株式会社製の品番EPICLON HP−820)、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(具体例としてDIC製の品番EPICLON HP−7200)、アダマンタン型エポキシ樹脂(具体例として出光興産株式会社製の品番ADAMANTATE X−E−201)、ビフェニルエーテル型エポキシ樹脂(具体例として新日鉄住金化学株式会社製の品番YSLV−80DE)、特殊二官能型エポキシ樹脂(具体例として、三菱化学株式会社製の品番YL7175−500、及びYL7175−1000;DIC株式会社製の品番EPICLON TSR−960、EPICLON TER−601、EPICLON TSR−250−80BX、EPICLON 1650−75MPX、EPICLON EXA−4850、EPICLON EXA−4816、EPICLON EXA−4822、及びEPICLON EXA−9726;新日鉄住金化学株式会社製の品番YSLV−120TE)、及び前記以外のビスフェノール系エポキシ樹脂からなる群から選択される一種以上の成分を含有することが好ましい。
第二化合物は、トリグリシジルイソシアヌレートを含有してもよい。トリグリシジルイソシアヌレートとしては、特にS−トリアジン環骨格面に対し3個のエポキシ基が同一方向に結合した構造をもつβ体が好ましく、或いはこのβ体と、S−トリアジン環骨格面に対し1個のエポキシ基が他の2個のエポキシ基と異なる方向に結合した構造をもつα体との混合物が好ましい。
但し、ソルダーレジスト層の脆さを特に効果的に抑制して柔軟性を付与すると共に変色を特に効果的に抑制するためには、第二化合物が、トリグリシジルイソシアヌレートを含有しないこと、すなわちソルダーレジスト組成物がトリグリシジルイソシアヌレートを含有しないことが、好ましい。
第二化合物がリン含有エポキシ樹脂を含有することも好ましい。この場合、ソルダーレジスト組成物の硬化物の難燃性が向上する。リン含有エポキシ樹脂としては、リン酸変性ビスフェノールF型エポキシ樹脂(具体例としてDIC株式会社製の品番EPICLON EXA−9726、及びEPICLON EXA−9710)、新日鉄住金化学株式会社製の品番エポトートFX−305等が挙げられる。
(C)成分(酸化チタン)は、ソルダーレジスト組成物から形成されるソルダーレジスト層を白色に着色することで、ソルダーレジスト層に高い光反射性を付与できる。(C)成分は、例えばルチル型酸化チタンとアナターゼ型酸化チタンのうち、一方又は両方を含有できる。特に酸化チタンが、触媒活性が低いと共に熱安定性の高いルチル型酸化チタンを含有することが好ましい。ルチル型酸化チタンは工業的には塩素法又は硫酸法で製造される。本実施形態では、ルチル型酸化チタンは、塩素法で製造されたルチル型酸化チタンと硫酸法で製造されたルチル型酸化チタンとのうち一方又は両方を含有できる。
本実施形態では、上記の通り(D)成分(光重合開始剤)が、(D1)ビスアシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤及び(D2)α−ヒドロキシアルキルフェノン系光重合開始剤を含有する。
(D1)成分(ビスアシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤)は、例えばビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−2,5−ジメチルフェニルフォスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−4−プロピルフェニルフォスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−1−ナフチルフォスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジメトキシベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルフォスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,5−ジメチルフェニルフォスフィンオキサイド、ビス−(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド、及び(2,5,6−トリメチルベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルフォスフィンオキサイドからなる群から選択される一種以上の成分を含有できる。特に(D1)成分がビス−(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイドを含有することが好ましく、ビス−(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイドのみを含有することも好ましい。これらの場合、ソルダーレジスト層の着色が更に抑制される。
(D2)成分(α−ヒドロキシアルキルフェノン系光重合開始剤)は、例えばα−ヒドロキシアルキルフェノンとα−ヒドロキシアルキルフェノンのアルキルエステルとのうち、少なくとも一方を含有する。より具体的には、(D2)成分は、例えば2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、及び2−ヒロドキシ−1−{4−[4−(2−ヒドロキシ−2−メチル−プロピオニル)−ベンジル]フェニル}−2−メチル−プロパン−1−オンからなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有できる。
(D)成分は、(D1)成分及び(D2)成分のみを含有することが好ましい。但し、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で、(D)成分は、(D1)成分及び(D2)成分に加えて、ベンゾインとそのアルキルエーテル類;アセトフェノン、ベンジルジメチルケタール等のアセトフェノン類;2−メチルアントラキノン等のアントラキノン類;2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、4−イソプロピルチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン類;ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’−メチルジフェニルスルフィド等のベンゾフェノン類;2,4−ジイソプロピルキサントン等のキサントン類;2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン等の窒素原子を含む化合物;2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド(DAROCUR TPO)、2,4,6−トリメチルベンゾイル−エチル−フェニル−フォスフィネート(SPEEDCURE TPO−L)等のモノアシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤;並びに1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニチオ)−2−(O−ベンゾイルオキシム)](IRGACURE OXE 01)、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−1−(0−アセチルオキシム)(IRGACURE OXE 02)からなる群から選択される一種以上の成分を含有してもよい。
但し、(D)成分が、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド等のモノアシルフォスフィンオキサイドを含有しないことが好ましい。(D)成分が、(D1)成分と(D2)成分を含有する場合、モノアシルフォスフィンオキサイドはソルダーレジスト層の深部の硬化性を阻害する。このため、(D)成分がモノアシルフォスフィンオキサイドを含有しない場合は、ソルダーレジスト層の深部の硬化性が特に高くなる。
(D)成分全体に対して、(D1)成分及び(D2)成分の合計は、5〜100質量%の範囲内であることが好ましい。この場合、ソルダーレジスト層の光硬化性が特に高い。(D1)成分及び(D2)成分の合計が7〜100質量%の範囲であればより好ましく、9〜100質量%の範囲内であれば更に好ましく、70〜100%であれば、特に好ましい。
また、(D1)成分及び(D2)成分の合計に対して、(D1)成分は1〜99質量%の範囲内であることが好ましい。この場合、ソルダーレジスト層を表面から深部にわたって、非常に均一性の高い良好な硬化性が得られる。(D1)成分が5〜60質量%の範囲であればより好ましく、10〜40質量%の範囲内であれば更に好ましい。
ソルダーレジスト組成物は、更に公知の光重合促進剤、増感剤等を含有してもよい。例えばソルダーレジスト組成物は、p−ジメチル安息香酸エチルエステル、p−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、2−ジメチルアミノエチルベンゾエート等を含有してもよい。
(E)成分(酸化防止剤)は、上記の通り、ソルダーレジスト層の耐熱変色性の向上に寄与すると共に、ソルダーレジスト層を表面から深部にわたって十分に硬化させることにも寄与し、更に密着性の向上に寄与する。
(E)成分の融点は50〜150℃の範囲内であることが好ましい。融点が50℃以上であると、ソルダーレジスト組成物を加熱して乾燥させる際、及びソルダーレジスト組成物から形成された被膜を加熱して硬化させる際に、ソルダーレジスト組成物又は被膜からの(E)成分のブリードアウトを抑制できる。また融点が150℃以下であると、ソルダーレジスト組成物から形成された塗膜表面に(E)成分の結晶が浮き出ることを抑制でき、ソルダーレジスト層の表面の均一性が悪化することを抑制できる。
(E)成分は、例えばヒンダードフェノール系酸化防止剤であるBASF社製のIRGANOX 245(融点76〜79℃)、IRGANOX 259(融点104〜108℃)、IRGANOX 1035(融点63〜67℃)、IRGANOX 1098(融点156〜161℃)、IRGANOX 1010(融点110〜125℃)、IRGANOX 1076(融点50〜55℃)及びIRGANOX 1330(融点240〜245℃)、ADEKA社製のアデカスタブAO−20(融点220〜222℃)、アデカスタブAO−30(融点183〜185℃)、アデカスタブAO−40(融点210〜214℃)、アデカスタブAO−50(融点51〜54℃)、アデカスタブAO−60(110〜130℃)、アデカスタブAO−80(110〜120℃)、アデカスタブAO−330(融点243〜245℃)、シプロ化成社製SEENOX224M(融点129〜132℃)、及びSEENOX326M(融点241〜249℃)、並びに住友化学社製スミライザーGA−80(融点≧110℃)、スミライザーMDP−S(融点≧128℃)、川口化学工業社製アンテージBHT(融点≧69℃)、アンテージW−300(融点≧205℃)、アンテージW−400(融点≧120℃)、及びアンテージW−500(融点≧120℃)のうち、少なくとも一種の成分を含有できる。特に、(E)成分がIRGANOX 1010(融点110〜125℃)を含有することが好ましい。
ソルダーレジスト組成物は、(F)光重合性化合物を含有してもよい。(F)成分は、ソルダーレジスト組成物に光硬化性を付与する。光重合性化合物は、光重合性モノマー及び光重合性プレポリマーからなる群から選択される一種以上の化合物を含有する。
光重合性モノマーは、例えばエチレン性不飽和基を有する。光重合性モノマーは、例えば2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等の単官能(メタ)アクリレート;並びにジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ε―カプロラクトン変性ジペンタエリストールヘキサアクリレート等の多官能(メタ)アクリレートからなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。
光重合性モノマーが、リン含有化合物(リン含有光重合性化合物)を含有することも好ましい。この場合、ソルダーレジスト組成物の硬化物の難燃性が向上する。リン含有光重合性化合物は、例えば2−メタクリロイロキシエチルアシッドホスフェート(具体例として共栄社化学株式会社製の品番ライトエステルP−1M、及びライトエステルP−2M)、2−アクリロイルオキシエチルアシッドフォスフェート(具体例として共栄社化学株式会社製の品番ライトアクリレートP−1A)、ジフェニル−2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート(具体例として大八工業株式会社製の品番MR−260)、並びに昭和高分子株式会社製のHFAシリーズ(具体例としてジペンタエリストールヘキサアクリレートとHCAとの付加反応物である品番HFAー6003、及びHFA−6007、カプロラクトン変性ジペンタエリストールヘキサアクリレートとHCAとの付加反応物である品番HFAー3003、及びHFA−6127等)からなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。
光重合性プレポリマーとしては、光重合性モノマーを重合させて得られるプレポリマーに、エチレン性不飽和基を付加したプレポリマーや、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート、アルキド樹脂(メタ)アクリレート、シリコーン樹脂(メタ)アクリレート、スピラン樹脂(メタ)アクリレート等のオリゴ(メタ)アクリレートプレポリマー類等が挙げられる。
(F)成分が、ε―カプロラクトン変性ジペンタエリストールヘキサアクリレート(具体例として日本化薬株式会社製KAYARAD DPCA−20、DPCA−40、DPCA−60、DPCA−120)、ε−カプロラクトン変性トリス−(2−アクリロキシエチル)イソシアヌレート(具体例として新中村化学工業株式会社製NKエステルA−9300−1CL)等の、カプロラクトン変性(メタ)アクリレートモノマーを含有することが特に好ましい。この場合、ソルダーレジスト層が脆くなることを特に効果的に抑制できる。
ソルダーレジスト組成物は、有機溶剤を含有してもよい。有機溶剤は、ソルダーレジスト組成物の液状化又はワニス化、粘度調整、塗布性の調整、造膜性の調整などの目的で使用される。
有機溶剤は、例えばエタノール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ヘキサノール、エチレングリコール等の直鎖、分岐、2級或いは多価のアルコール類;メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;スワゾールシリーズ(丸善石油化学社製)、ソルベッソシリーズ(エクソン・ケミカル社製)等の石油系芳香族系混合溶剤;セロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類;カルビトール、ブチルカルビトール等のカルビトール類;プロピレングリコールメチルエーテル等のプロピレングリコールアルキルエーテル類;ジプロピレングリコールメチルエーテル等のポリプロピレングリコールアルキルエーテル類;酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル類;並びにジアルキルグリコールエーテル類からなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。
ソルダーレジスト組成物中の有機溶剤の割合は、ソルダーレジスト組成物から形成される塗膜を乾燥させる際に有機溶剤が速やかに揮散するように、すなわち有機溶剤が乾燥膜に残存しないように、調整されることが好ましい。特に、ソルダーレジスト組成物全体に対して、有機溶剤が0〜99.5質量%の範囲内であることが好ましく、15〜60質量%の範囲内であれば更に好ましい。尚、有機溶剤の好適な割合は、塗布方法などにより異なるので、塗布方法に応じて割合が適宜調節されることが好ましい。
本発明の主旨を逸脱しない限りにおいて、ソルダーレジスト組成物は、上記成分以外の成分を更に含有してもよい。
例えば、ソルダーレジスト組成物は、カプロラクタム、オキシム、マロン酸エステル等でブロックされたトリレンジイソシアネート系、モルホリンジイソシアネート系、イソホロンジイソシアネート系及びヘキサメチレンジイソシアネート系のブロックドイソシアネート;メラミン樹脂、n−ブチル化メラミン樹脂、イソブチル化メラミン樹脂、ブチル化尿素樹脂、ブチル化メラミン尿素共縮合樹脂、ベンゾグアナミン系共縮合樹脂等のアミノ樹脂;前記以外の各種熱硬化性樹脂;光硬化性エポキシ(メタ)アクリレート;ビスフェノールA型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、脂環型等のエポキシ樹脂に(メタ)アクリル酸を付加して得られる樹脂;並びにジアリルフタレート樹脂、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂等の高分子化合物からなる群から選択される一種以上の樹脂を含有してもよい。
ソルダーレジスト組成物がエポキシ化合物を含有する場合、ソルダーレジスト組成物は、更にエポキシ化合物を硬化させるための硬化剤を含有してもよい。硬化剤は、例えば、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、4−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−(2−シアノエチル)−2−エチル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体;ジシアンジアミド、ベンジルジメチルアミン、4−(ジメチルアミノ)−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メトキシ−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メチル−N,N−ジメチルベンジルアミン等のアミン化合物;アジピン酸ヒドラジド、セバシン酸ヒドラジド等のヒドラジン化合物;トリフェニルホスフィン等のリン化合物;酸無水物;フェノール;メルカプタン;ルイス酸アミン錯体;及びオニウム塩からなる群から選択される一種以上の成分を含有できる。これらの成分の市販品の例として、四国化成株式会社製の2MZ−A、2MZ−OK、2PHZ、2P4BHZ、2P4MHZ(いずれもイミダゾール系化合物の商品名)、サンアプロ株式会社製のU−CAT3503N、U−CAT3502T(いずれもジメチルアミンのブロックイソシアネート化合物の商品名)、DBU、DBN、U−CATSA102、U−CAT5002(いずれも二環式アミジン化合物及びその塩)が挙げられる。
ソルダーレジスト組成物は、密着性付与剤を含有してもよい。密着性付与剤としては、例えばグアナミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、メラミン、並びに2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン、2−ビニル−4,6−ジアミノ−S−トリアジン、2−ビニル−4,6−ジアミノ−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物等のS−トリアジン誘導体が、挙げられる。
ソルダーレジスト組成物は、硬化促進剤;白色以外の着色剤;シリコーン、アクリレート等の共重合体;レベリング剤;シランカップリング剤等の密着性付与剤;チクソトロピー剤;重合禁止剤;ハレーション防止剤;難燃剤;消泡剤;界面活性剤;高分子分散剤;並びに硫酸バリウム、結晶性シリカ、ナノシリカ、カーボンナノチューブ、タルク、ベントナイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の無機フィラーからなる群から選択される一種以上の成分を含有してもよい。
ソルダーレジスト組成物中の成分の量は、ソルダーレジスト組成物が光硬化性を有しアルカリ性溶液で現像可能であるように、適宜調整される。
(A)成分は、ソルダーレジスト組成物の固形分量に対して5〜85質量%の範囲内であれば好ましく、10〜75質量%の範囲内であればより好ましく、10〜40質量%の範囲内であれば更に好ましい。
(B)成分は、ソルダーレジスト組成物の固形分量に対して1.5〜85質量%の範囲内であることが好ましく、1.5〜60質量%の範囲内であればより好ましく、2〜40質量%の範囲内であれば更に好ましい。
(C)成分は、ソルダーレジスト組成物中のカルボキシル基含有樹脂100質量部に対して、15〜500質量部の範囲内であることが好ましい。また、酸化チタンは、ソルダーレジスト組成物の樹脂分量に対して3〜220質量%の範囲内であることが好ましく、10〜180質量%の範囲内であれば更に好ましい。
(D)成分は、ソルダーレジスト組成物の固形分量に対して0.1〜30質量%の範囲内であることが好ましく、1〜28質量%の範囲内であれば更に好ましい。
(E)成分は、ソルダーレジスト組成物の固形分量に対して0.005〜15質量%の範囲内であることが好ましく、0.05〜10質量%の範囲内であれば更に好ましい。
(F)成分は、ソルダーレジスト組成物の固形分量に対して1〜45質量%の範囲内であれば好ましく、2〜40質量%の範囲内であればより好ましく、5〜30質量%の範囲内であれば更に好ましい。
尚、固形分量とは、ソルダーレジスト組成物からソルダーレジスト層を形成する過程で揮発する溶剤など成分を除いた、全成分の合計量のことである。また樹脂分量とは、ソルダーレジスト組成物中のカルボキシル基含有樹脂、光重合性化合物及び熱硬化性成分の合計量のことである。
上記のようなソルダーレジスト組成物の原料が配合され、例えば三本ロール、ボールミル、サンドミル等を用いる公知の混練方法によって混練されることにより、ソルダーレジスト組成物が調製され得る。
保存安定性等を考慮して、ソルダーレジスト組成物の原料の一部を混合することで第一剤を調製し、原料の残部を混合することで第二剤を調製してもよい。すなわち、ソルダーレジスト組成物は、第一剤と第二剤とを備えてもよい。例えば、原料のうち光重合性化合物及び有機溶剤の一部及び熱硬化性成分を予め混合して分散させることで第一剤を調製し、原料のうち残部を混合して分散させることで第二剤を調製してもよい。この場合、適時必要量の第一剤と第二剤とを混合し混合液を調製し、この混合液からソルダーレジスト層を形成できる。
本実施形態によるソルダーレジスト組成物は、例えばプリント配線板にソルダーレジスト層を形成するために適用される。
以下に、本実施形態によるソルダーレジスト組成物を用いてプリント配線板上にソルダーレジスト層を形成する方法の一例を示す。本例では、光硬化性と熱硬化性とを兼ね備えるソルダーレジスト組成物からソルダーレジスト層を形成する。
まず、プリント配線板を用意し、このプリント配線板上にソルダーレジスト組成物から塗膜を形成する。例えばプリント配線板の表面上にソルダーレジスト組成物を塗布して湿潤状態の塗膜(湿潤塗膜)を形成する。ソルダーレジスト組成物の塗布方法は、公知の方法、例えば浸漬法、スプレー法、スピンコート法、ロールコート法、カーテンコート法、及びスクリーン印刷法からなる群から選択される。続いて、必要に応じてソルダーレジスト組成物中の有機溶剤を揮発させるために、例えば60〜120℃の範囲内の温度下で湿潤塗膜を乾燥させて、乾燥後の塗膜(乾燥塗膜)を得る。本実施形態では、上述の通り光重合開始剤が特定の三種の成分を含有することで、乾燥塗膜のタック性が抑制される。
尚、プリント配線板上に塗膜を形成するにあたっては、予め適宜の支持体上にソルダーレジスト組成物を塗布してから乾燥することで乾燥塗膜を形成し、この乾燥塗膜をプリント配線板に重ねてから、乾燥塗膜とプリント配線板に圧力をかけることで、プリント配線板上に乾燥塗膜を設けてもよい(ドライフィルム法)。
続いて、プリント配線板上の乾燥塗膜にネガマスクを直接又は間接的に当てがってから、ネガマスクへ向けて活性エネルギー線を照射することで、ネガマスクを介して塗膜を露光する。ネガマスクは、活性エネルギー線を透過させる露光部と活性エネルギー線を遮蔽する非露光部とを備え、露光部はソルダーレジスト層のパターン形状と合致する形状を有する。ネガマスクとして、例えばマスクフィルムや乾板等のフォトツールなどが用いられる。露光のための光は、ソルダーレジスト組成物の組成に応じて選択されるが、本実施形態では紫外線である。紫外線の光源は、例えばケミカルランプ、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、LED及びメタルハライドランプからなる群から選択される。
尚、露光方法として、ネガマスクを用いる方法以外の方法が採用されてもよい。例えばレーザ露光等による直接描画法が採用されてもよい。スクリーン印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の適宜の印刷手法でソルダーレジスト組成物を塗布することで適宜のパターン状の塗膜を形成してから、この塗膜全体を露光してもよい。
本実施形態では、このように乾燥塗膜を紫外線で露光すると、上述の通り、乾燥塗膜の表層から深部にわたって効率良く光硬化反応が進む。
乾燥塗膜の露光後、プリント配線板からネガマスクを取り外してから、乾燥塗膜に現像処理を施すことで、乾燥塗膜における露光されていない部分を除去する。そうすると、プリント配線板の第一の表面上及び第二の表面上に乾燥塗膜の露光された部分が、ソルダーレジスト層として残存する。
現像処理では、ソルダーレジスト組成物の組成に応じた適宜の現像液を使用できる。現像液の具体例として、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、炭酸アンモニウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液、炭酸水素カリウム水溶液、炭酸水素アンモニウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化アンモニウム水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、水酸化リチウム水溶液などのアルカリ性溶液が挙げられる。現像液として、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等の有機アミンを使用することもできる。これらの現像液のうち、一種のみが用いられても、複数種が併用されてもよい。現像液がアルカリ性溶液である場合、その溶媒は、水のみであっても、水と低級アルコール類等の親水性有機溶媒との混合物であってもよい。
ソルダーレジスト組成物が熱硬化性成分を含有する場合には、必要に応じ、ソルダーレジスト層に加熱処理を施すことでソルダーレジスト層を熱硬化させてもよい。加熱処理の条件は、例えば加熱温度120〜180℃の範囲内、加熱時間30〜90分間の範囲内である。これにより、ソルダーレジスト層の強度、硬度、耐薬品性等の性能が向上する。
また、必要に応じ、ソルダーレジスト層に加熱処理を施した後、更にソルダーレジスト層に紫外線を照射してもよい。この場合、ソルダーレジスト層の光硬化反応を更に進行させることができる。これにより、ソルダーレジスト層のマイグレーション耐性が更に向上する。
以上により、プリント配線板とこのプリント配線板を部分的に被覆するソルダーレジスト層とを備える被覆プリント配線板が得られる。本実施形態では、ソルダーレジスト層は、表層から深部にわたって充分に硬化されている。
以下、本発明の実施例について説明する。但し、本発明は下記の実施例のみに制限されることはない。
[カルボキシル基含有樹脂溶液の準備]
還流冷却器、温度計、窒素置換基用ガラス管及び攪拌機を取り付けた四つ口フラスコ中に、メタクリル酸75質量部、メチルメタクリレート85質量部、スチレン20質量部、ブチルメタクリレート20部、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル430質量部、及びアゾビスイソブチロニトリル5質量部を加えた。この四つ口フラスコ内の液を窒素気流下で75℃で5時間加熱して重合反応を進行させることで、濃度32%の共重合体溶液を得た。
還流冷却器、温度計、窒素置換基用ガラス管及び攪拌機を取り付けた四つ口フラスコ中に、メタクリル酸75質量部、メチルメタクリレート85質量部、スチレン20質量部、ブチルメタクリレート20部、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル430質量部、及びアゾビスイソブチロニトリル5質量部を加えた。この四つ口フラスコ内の液を窒素気流下で75℃で5時間加熱して重合反応を進行させることで、濃度32%の共重合体溶液を得た。
この共重合体溶液に、ハイドロキノン0.1質量部、グリシジルメタクリレート50質量部、及びジメチルベンジルアミン0.8質量部を加え、80℃で24時間加熱することで付加反応を進行させた。これにより、カルボキシル基及びエチレン性不飽和基を有する化合物の37%溶液を得た。この溶液の固形分酸価は120mgKOH/gであった。
[ソルダーレジスト組成物の調製]
後掲の表に示す成分を配合して得られる混合物を3本ロールで混練することで、ソルダーレジスト組成物を得た。尚、表に示される成分の詳細は次の通りである。
・光重合開始剤(IRGACURE 819);ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、BASF社製、品番IRGACURE 819。
・光重合開始剤(IRGACURE 1173);2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、BASF社製、品番IRGACURE 1173。
・光重合開始剤(IRGACURE 184);1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、BASF社製、品番IRGACURE184。
・光重合開始剤(IRGACURE TPO):2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、BASF社製、品番IRGACURE TPO。
・酸化チタンCR−90;塩素法で製造されたルチル型酸化チタン、石原産業株式会社製、品番CR−90。
・酸化チタンR−79;硫酸法で製造されたルチル型酸化チタン、堺化学工業株式会社製、品番R−79。
・エポキシ化合物YDC−1312;式(1)で表されるハイドロキノン型エポキシ化合物(2,5−ジ−tert−ブチルハイドロキノンジグリシジルエーテル)、新日鉄住金化学株式会社製、品番YDC−1312。
・エポキシ化合物;クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、DIC株式会社製、品名エピクロンN−665。
・エポキシ化合物YX−4000;ビフェニル型エポキシ樹脂、三菱化学株式会社製、品番YX−4000。
・エポキシ化合物TEPIC−H;トリグリシジルイソシアヌレート、日産化学工業株式会社製、品番TEPIC−H。
・酸化防止剤IRGANOX 1010;ヒンダードフェノール系酸化防止剤、BASF社製の品名IRGANOX 1010、融点115℃。
・酸化防止剤IRGANOX 1330;ヒンダードフェノール系酸化防止剤、BASF社製の品名IRGANOX 1330、融点242℃。
・有機溶剤;メチルプロピレンジグリコール、日本乳化剤社製、品番MFDG。
・光重合性モノマーDPHA:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、日本化薬株式会社製、品名KAYARAD DPHA。
・光重合性モノマーDPCA−20;カプロラクトン変性(メタ)アクリレートモノマー、日本化薬株式会社製、品名KAYARAD DPCA−20。
・消泡剤:信越シリコーン株式会社製、品番KS−66。
・メラミン;日産化学工業株式会社製、微粉メラミン。
後掲の表に示す成分を配合して得られる混合物を3本ロールで混練することで、ソルダーレジスト組成物を得た。尚、表に示される成分の詳細は次の通りである。
・光重合開始剤(IRGACURE 819);ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、BASF社製、品番IRGACURE 819。
・光重合開始剤(IRGACURE 1173);2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、BASF社製、品番IRGACURE 1173。
・光重合開始剤(IRGACURE 184);1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、BASF社製、品番IRGACURE184。
・光重合開始剤(IRGACURE TPO):2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、BASF社製、品番IRGACURE TPO。
・酸化チタンCR−90;塩素法で製造されたルチル型酸化チタン、石原産業株式会社製、品番CR−90。
・酸化チタンR−79;硫酸法で製造されたルチル型酸化チタン、堺化学工業株式会社製、品番R−79。
・エポキシ化合物YDC−1312;式(1)で表されるハイドロキノン型エポキシ化合物(2,5−ジ−tert−ブチルハイドロキノンジグリシジルエーテル)、新日鉄住金化学株式会社製、品番YDC−1312。
・エポキシ化合物;クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、DIC株式会社製、品名エピクロンN−665。
・エポキシ化合物YX−4000;ビフェニル型エポキシ樹脂、三菱化学株式会社製、品番YX−4000。
・エポキシ化合物TEPIC−H;トリグリシジルイソシアヌレート、日産化学工業株式会社製、品番TEPIC−H。
・酸化防止剤IRGANOX 1010;ヒンダードフェノール系酸化防止剤、BASF社製の品名IRGANOX 1010、融点115℃。
・酸化防止剤IRGANOX 1330;ヒンダードフェノール系酸化防止剤、BASF社製の品名IRGANOX 1330、融点242℃。
・有機溶剤;メチルプロピレンジグリコール、日本乳化剤社製、品番MFDG。
・光重合性モノマーDPHA:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、日本化薬株式会社製、品名KAYARAD DPHA。
・光重合性モノマーDPCA−20;カプロラクトン変性(メタ)アクリレートモノマー、日本化薬株式会社製、品名KAYARAD DPCA−20。
・消泡剤:信越シリコーン株式会社製、品番KS−66。
・メラミン;日産化学工業株式会社製、微粉メラミン。
[評価試験]
(1)テストピースの作製
厚み35μmの銅箔を備えるガラスエポキシ銅張積層板を用意した。このガラスエポキシ銅張積層板にエッチングを施して導体配線を形成することで、プリント配線板を得た。このプリント配線板の一面全体にソルダーレジスト用樹脂組成物をスクリーン印刷により塗布することで、塗膜を形成した。この塗膜を80℃で20分加熱することで乾燥させた。乾燥後の塗膜(乾燥塗膜)の厚みは20μmであった。この乾燥塗膜の表面上にネガマスクを直接当てた状態で、ネガマスクに向けてメタルハライドランプを搭載した露光装置を用いて紫外線を照射することで、露光量450mJ/cm2の条件で乾燥塗膜を選択的に露光した。続いて、乾燥塗膜からネガマスクを取り外してから、乾燥塗膜に炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像処理を施すことで、乾燥塗膜のうち露光により硬化した部分を、プリント配線板上にソルダーレジスト層として残存させた。このソルダーレジスト層を更に150℃で60分間加熱して熱硬化させた。これによりソルダーレジスト層を備えるテストピースを得た。
(1)テストピースの作製
厚み35μmの銅箔を備えるガラスエポキシ銅張積層板を用意した。このガラスエポキシ銅張積層板にエッチングを施して導体配線を形成することで、プリント配線板を得た。このプリント配線板の一面全体にソルダーレジスト用樹脂組成物をスクリーン印刷により塗布することで、塗膜を形成した。この塗膜を80℃で20分加熱することで乾燥させた。乾燥後の塗膜(乾燥塗膜)の厚みは20μmであった。この乾燥塗膜の表面上にネガマスクを直接当てた状態で、ネガマスクに向けてメタルハライドランプを搭載した露光装置を用いて紫外線を照射することで、露光量450mJ/cm2の条件で乾燥塗膜を選択的に露光した。続いて、乾燥塗膜からネガマスクを取り外してから、乾燥塗膜に炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像処理を施すことで、乾燥塗膜のうち露光により硬化した部分を、プリント配線板上にソルダーレジスト層として残存させた。このソルダーレジスト層を更に150℃で60分間加熱して熱硬化させた。これによりソルダーレジスト層を備えるテストピースを得た。
このテストピースに対して、次の評価試験をおこなった。
(2)タック性評価
テストピースの作製時において、露光後の乾燥塗膜からネガマスクを取り外す際に、乾燥塗膜とネガマスクとの間の剥離抵抗の程度、及びネガマスクを取り外した後の乾燥塗膜の状態を確認し、その結果を次のように評価した。
A:露光前の乾燥塗膜を指触すると全く粘着を感じず、露光後にネガマスクを取り外した後の乾燥塗膜にはネガマスクの痕は認められなかった。
B:露光前の乾燥塗膜を指触すると少し粘着を感じ、露光後にネガマスクを取り外した後の乾燥塗膜にはネガマスクの痕が認められた。
C:露光前の乾燥塗膜を指触すると顕著な粘着を感じ、露光後にネガマスクを取り外すと乾燥塗膜が毀損した。
テストピースの作製時において、露光後の乾燥塗膜からネガマスクを取り外す際に、乾燥塗膜とネガマスクとの間の剥離抵抗の程度、及びネガマスクを取り外した後の乾燥塗膜の状態を確認し、その結果を次のように評価した。
A:露光前の乾燥塗膜を指触すると全く粘着を感じず、露光後にネガマスクを取り外した後の乾燥塗膜にはネガマスクの痕は認められなかった。
B:露光前の乾燥塗膜を指触すると少し粘着を感じ、露光後にネガマスクを取り外した後の乾燥塗膜にはネガマスクの痕が認められた。
C:露光前の乾燥塗膜を指触すると顕著な粘着を感じ、露光後にネガマスクを取り外すと乾燥塗膜が毀損した。
(3)ダム残り評価
線幅/線間が0.2mm/0.3mm、厚みが40μmの銅製の導体配線を備えるプリント配線板を用意した。また、幅50μm、75μm、100μm及び125μmのソルダーダムを形成するためのマスクパターンを有するネガマスクを使用した。これらのプリント配線板とネガマスクとを用いる以外は、テストピースを作製する場合と同じ条件で、プリント配線板上に厚み40μmのソルダーダムを形成した。
線幅/線間が0.2mm/0.3mm、厚みが40μmの銅製の導体配線を備えるプリント配線板を用意した。また、幅50μm、75μm、100μm及び125μmのソルダーダムを形成するためのマスクパターンを有するネガマスクを使用した。これらのプリント配線板とネガマスクとを用いる以外は、テストピースを作製する場合と同じ条件で、プリント配線板上に厚み40μmのソルダーダムを形成した。
このソルダーダムに対してセロハン粘着テープ剥離試験を行うことで、剥離せずにプリント配線板上に残存するソルダーダムの最小幅を調査した。この最小幅が小さい程、ソルダーダムの深部の硬化の程度が高いと評価できる。
(4)感光性評価(残存ステップ段)
各実施例及び比較例における液状ソルダーレジスト組成物から形成された乾燥塗膜に、露光用テストマスク(日立化成工業社製のステップタブレットPHOTEC21段)を直接当てがい、減圧密着させた。続いて、メタルハライドランプを搭載したオーク社製の減圧密着型両面露光機(型番ORC HMW680GW)を用い、露光用テストマスクを介して乾燥塗膜に照射エネルギー密度450mJ/cm2の条件で紫外線を照射した。続いて現像液(濃度1質量%の炭酸ナトリウム水溶液)を用いて乾燥塗膜を現像した。この場合の残存ステップ段数で、乾燥塗膜の感光性を評価した。
各実施例及び比較例における液状ソルダーレジスト組成物から形成された乾燥塗膜に、露光用テストマスク(日立化成工業社製のステップタブレットPHOTEC21段)を直接当てがい、減圧密着させた。続いて、メタルハライドランプを搭載したオーク社製の減圧密着型両面露光機(型番ORC HMW680GW)を用い、露光用テストマスクを介して乾燥塗膜に照射エネルギー密度450mJ/cm2の条件で紫外線を照射した。続いて現像液(濃度1質量%の炭酸ナトリウム水溶液)を用いて乾燥塗膜を現像した。この場合の残存ステップ段数で、乾燥塗膜の感光性を評価した。
(5)耐めっき性
市販品の無電解ニッケルめっき浴及び無電解金めっき浴を用いて、テストピースのめっきを行い、めっきの状態を観察した。またソルダーレジスト層に対してセロハン粘着テープ剥離試験をおこなうことでめっき後のソルダーレジスト層の密着状態を観察した。その結果を次に示すように評価した。
市販品の無電解ニッケルめっき浴及び無電解金めっき浴を用いて、テストピースのめっきを行い、めっきの状態を観察した。またソルダーレジスト層に対してセロハン粘着テープ剥離試験をおこなうことでめっき後のソルダーレジスト層の密着状態を観察した。その結果を次に示すように評価した。
方法は次の通りである。
A: 外観の変化、セロハン粘着テープ剥離試験時の剥離、めっきの潜り込みのいずれも全く認められなかった。
B:外観変化は認められず、セロハン粘着テープ剥離試験時においても剥離も生じなかったが、ソルダーレジスト層の末端部分に極めてわずかながら、めっきの潜り込みが認められた。
C:外観変化は認められないが、セロハン粘着テープ剥離試験時に一部剥離が認められた。
D:ソルダーレジスト層の浮きが認められ、セロハン粘着テープ剥離試験時に剥離が認められた。
A: 外観の変化、セロハン粘着テープ剥離試験時の剥離、めっきの潜り込みのいずれも全く認められなかった。
B:外観変化は認められず、セロハン粘着テープ剥離試験時においても剥離も生じなかったが、ソルダーレジスト層の末端部分に極めてわずかながら、めっきの潜り込みが認められた。
C:外観変化は認められないが、セロハン粘着テープ剥離試験時に一部剥離が認められた。
D:ソルダーレジスト層の浮きが認められ、セロハン粘着テープ剥離試験時に剥離が認められた。
(6)耐クラック性評価
テストピースをカッターで切断し、続いて切断面付近でソルダーレジスト層に対してセロハン粘着テープ剥離試験を行い、試験後にソルダーレジスト層を観察した。その結果を次に示すように評価した。
A:ソルダーレジスト層にクラックが確認されず、セロハン粘着テープ剥離試験によるソルダーレジスト層の剥離も確認されない。
B:ソルダーレジスト層に僅かにクラックが確認されるが、セロハン粘着テープ剥離試験によるソルダーレジスト層の剥離は確認されない。
C:ソルダーレジスト層に大きなクラックが確認されるが、セロハン粘着テープ剥離試験によるソルダーレジスト層の剥離は確認されない。
D:セロハン粘着テープ剥離試験によるソルダーレジスト層の剥離が確認される。
テストピースをカッターで切断し、続いて切断面付近でソルダーレジスト層に対してセロハン粘着テープ剥離試験を行い、試験後にソルダーレジスト層を観察した。その結果を次に示すように評価した。
A:ソルダーレジスト層にクラックが確認されず、セロハン粘着テープ剥離試験によるソルダーレジスト層の剥離も確認されない。
B:ソルダーレジスト層に僅かにクラックが確認されるが、セロハン粘着テープ剥離試験によるソルダーレジスト層の剥離は確認されない。
C:ソルダーレジスト層に大きなクラックが確認されるが、セロハン粘着テープ剥離試験によるソルダーレジスト層の剥離は確認されない。
D:セロハン粘着テープ剥離試験によるソルダーレジスト層の剥離が確認される。
(7)表面外観評価
テストピースにおけるソルダーレジスト層の外観を目視で観察し、その結果を次のように評価した。
A:ソルダーレジスト層表面に微小粒子やブリード等の不良が認められず、表面が均一である。
B:ソルダーレジスト層表面に微小粒子やブリード等の不良が認められるか、又は表面の外観が凹凸、艶むら等によって不均一である。
テストピースにおけるソルダーレジスト層の外観を目視で観察し、その結果を次のように評価した。
A:ソルダーレジスト層表面に微小粒子やブリード等の不良が認められず、表面が均一である。
B:ソルダーレジスト層表面に微小粒子やブリード等の不良が認められるか、又は表面の外観が凹凸、艶むら等によって不均一である。
(8)耐熱クラック性評価
厚みが40μmの銅製の導体配線を備えるプリント配線板を用意した。このプリント配線板上に、上記のテストピースの場合と同じ条件でソルダーレジスト層を形成した。
厚みが40μmの銅製の導体配線を備えるプリント配線板を用意した。このプリント配線板上に、上記のテストピースの場合と同じ条件でソルダーレジスト層を形成した。
フラックスとしてLONCO3355−11(ロンドンケミカル社製の水溶性フラックス)を用い、まずプリント配線板上のソルダーレジスト層上にフラックスを塗布した。続いて、プリント配線板を280℃の溶融はんだ浴に10秒間浸漬してから水洗する工程を1サイクルとする処理を、3サイクルおこなった後、ソルダーレジスト層の外観を観察し、その結果を次に示すように評価した。
A:ソルダーレジスト層にクラック(ひび割れ)が認められない。
B:ソルダーレジスト層の導体配線との界面付近に僅かにクラックが認められる。
C:ソルダーレジスト層にはっきりとクラックが認められる。
A:ソルダーレジスト層にクラック(ひび割れ)が認められない。
B:ソルダーレジスト層の導体配線との界面付近に僅かにクラックが認められる。
C:ソルダーレジスト層にはっきりとクラックが認められる。
(9)耐熱変色性評価
作製した直後のテストピースにおけるソルダーレジスト層の、L*a*b*表色系におけるb*値を、コニカミノルタセンシング株式会社製の分光測色計(型番CM−600d)を用いて測定した。続いて、テストピースを250℃、5分の条件で熱処理した後、再びソルダーレジスト層のb*値を測定した。熱処理後のソルダーレジスト層のb*値から熱処理前のソルダーレジスト層のb*値を減じて得られる値(Δb*)を算出し、その結果を次に示すように評価した。
A:Δb*値が2.0未満。
B:Δb*値が2.0以上2.5未満。
C:Δb*値が2.5以上3.0未満。
D:Δb*値が3.0以上。
作製した直後のテストピースにおけるソルダーレジスト層の、L*a*b*表色系におけるb*値を、コニカミノルタセンシング株式会社製の分光測色計(型番CM−600d)を用いて測定した。続いて、テストピースを250℃、5分の条件で熱処理した後、再びソルダーレジスト層のb*値を測定した。熱処理後のソルダーレジスト層のb*値から熱処理前のソルダーレジスト層のb*値を減じて得られる値(Δb*)を算出し、その結果を次に示すように評価した。
A:Δb*値が2.0未満。
B:Δb*値が2.0以上2.5未満。
C:Δb*値が2.5以上3.0未満。
D:Δb*値が3.0以上。
(10)耐光変色評価
テストピースにおけるソルダーレジスト層の、L*a*b*表色系におけるb*値を、コニカミノルタセンシング株式会社製の分光測色計(型番CM−600d)で測定した。続いて、テストピースにおけるソルダーレジスト層に50J/cm2の条件でメタルハライドランプを搭載した露光装置を用いて紫外線を照射した後、再びソルダーレジスト層の、L*a*b*表色系におけるb*値を測定した。紫外線照射後のソルダーレジスト層のb*値から紫外線照射前のソルダーレジスト層のb*値を差し引いた値(Δb*)を算出し、その結果を次に示すように評価した。
A:Δb*値が2.0未満。
B:Δb*値が2.0以上2.5未満。
C:Δb*値が2.5以上3.0未満。
D:Δb*値が3.0以上。
テストピースにおけるソルダーレジスト層の、L*a*b*表色系におけるb*値を、コニカミノルタセンシング株式会社製の分光測色計(型番CM−600d)で測定した。続いて、テストピースにおけるソルダーレジスト層に50J/cm2の条件でメタルハライドランプを搭載した露光装置を用いて紫外線を照射した後、再びソルダーレジスト層の、L*a*b*表色系におけるb*値を測定した。紫外線照射後のソルダーレジスト層のb*値から紫外線照射前のソルダーレジスト層のb*値を差し引いた値(Δb*)を算出し、その結果を次に示すように評価した。
A:Δb*値が2.0未満。
B:Δb*値が2.0以上2.5未満。
C:Δb*値が2.5以上3.0未満。
D:Δb*値が3.0以上。
(11)反射率
テストピースにおけるソルダーレジスト層の、視感反射率を表すCIE表色法における刺激値Yを、測定した。この値Yを反射率の代用特性とする。分光測色計はコニカミノルタセンシング株式会社製の型番CM−600dを使用し、標準調整には分光反射率係数が既知である常用標準白色面を使用した。
テストピースにおけるソルダーレジスト層の、視感反射率を表すCIE表色法における刺激値Yを、測定した。この値Yを反射率の代用特性とする。分光測色計はコニカミノルタセンシング株式会社製の型番CM−600dを使用し、標準調整には分光反射率係数が既知である常用標準白色面を使用した。
(12)密着性評価
JIS D0202の試験方法に従って、テストピースのソルダーレジスト層に碁盤目状にクロスカットを入れ、次いでセロハン粘着テープによるピーリング試験後の剥がれの状態を目視により観察した。その結果を次に示すように評価した。
A:100個のクロスカット部分のうちの全てに全く変化が見られない。
B:100個のクロスカット部分のうち1箇所に僅かに浮きを生じた。
C:100個のクロスカット部分のうち2〜10箇所に剥がれを生じた。
D:100個のクロスカット部分のうち11〜100箇所に剥がれを生じた。
JIS D0202の試験方法に従って、テストピースのソルダーレジスト層に碁盤目状にクロスカットを入れ、次いでセロハン粘着テープによるピーリング試験後の剥がれの状態を目視により観察した。その結果を次に示すように評価した。
A:100個のクロスカット部分のうちの全てに全く変化が見られない。
B:100個のクロスカット部分のうち1箇所に僅かに浮きを生じた。
C:100個のクロスカット部分のうち2〜10箇所に剥がれを生じた。
D:100個のクロスカット部分のうち11〜100箇所に剥がれを生じた。
(13)鉛筆硬度
テストピースにおけるソルダーレジスト層の鉛筆硬度を、三菱ハイユニ(三菱鉛筆社製)を用いて、JIS K5400に準拠して測定した。
テストピースにおけるソルダーレジスト層の鉛筆硬度を、三菱ハイユニ(三菱鉛筆社製)を用いて、JIS K5400に準拠して測定した。
Claims (6)
- (A)カルボキシル基含有樹脂、(B)エポキシ化合物、(C)酸化チタン、(D)光重合開始剤、及び(E)酸化防止剤を含有し、
前記(B)成分が、下記式(1)で表されるハイドロキノン型エポキシ化合物を含有し、
前記(D)成分が、(D1)ビスアシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤及び(D2)α−ヒドロキシアルキルフェノン系光重合開始剤を含有し、
前記(E)成分の融点が50〜150℃の範囲内である、
ソルダーレジスト組成物。
- (F)光重合性モノマーを含有する請求項1に記載のソルダーレジスト組成物。
- 前記(F)成分がカプロラクトン変性(メタ)アクリレートモノマーを含有する請求項2に記載のソルダーレジスト組成物。
- 前記(D)成分がモノアシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤を含有しない請求項1乃至3のいずれか一項に記載のソルダーレジスト組成物。
- 前記(A)成分が芳香環含有(メタ)アクリル系共重合樹脂を含有する請求項1乃至4のいずれか一項に記載のソルダーレジスト組成物。
- プリント配線板と、前記プリント配線板を被覆するソルダーレジスト層とを備え、前記ソルダーレジスト層が請求項1乃至5のいずれか一項に記載のソルダーレジスト組成物の硬化物を含む被覆プリント配線板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/006157 WO2016092595A1 (ja) | 2014-12-10 | 2014-12-10 | 液状ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板 |
JPPCT/JP2014/006157 | 2014-12-10 | ||
PCT/JP2015/004079 WO2016092717A1 (ja) | 2014-12-10 | 2015-08-17 | ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6034536B2 true JP6034536B2 (ja) | 2016-11-30 |
JPWO2016092717A1 JPWO2016092717A1 (ja) | 2017-04-27 |
Family
ID=54192555
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015509237A Active JP5775239B1 (ja) | 2014-12-10 | 2014-12-10 | 液状ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板 |
JP2016507921A Active JP6034536B2 (ja) | 2014-12-10 | 2015-08-17 | ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板 |
JP2015561787A Active JP5997852B1 (ja) | 2014-12-10 | 2015-08-17 | 感光性樹脂組成物、ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015509237A Active JP5775239B1 (ja) | 2014-12-10 | 2014-12-10 | 液状ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015561787A Active JP5997852B1 (ja) | 2014-12-10 | 2015-08-17 | 感光性樹脂組成物、ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9835944B2 (ja) |
EP (3) | EP3054350B1 (ja) |
JP (3) | JP5775239B1 (ja) |
KR (3) | KR101685520B1 (ja) |
CN (3) | CN105517648B (ja) |
ES (1) | ES2770707T3 (ja) |
HK (1) | HK1223588A1 (ja) |
TW (4) | TWI538925B (ja) |
WO (3) | WO2016092595A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2014
- 2014-12-10 US US14/651,193 patent/US9835944B2/en active Active
- 2014-12-10 JP JP2015509237A patent/JP5775239B1/ja active Active
- 2014-12-10 KR KR1020167003793A patent/KR101685520B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-10 WO PCT/JP2014/006157 patent/WO2016092595A1/ja active Application Filing
- 2014-12-10 CN CN201480003728.8A patent/CN105517648B/zh active Active
- 2014-12-10 EP EP14866816.3A patent/EP3054350B1/en not_active Not-in-force
- 2014-12-29 TW TW103146118A patent/TWI538925B/zh active
- 2014-12-29 TW TW105115063A patent/TWI599625B/zh active
-
2015
- 2015-08-17 EP EP15867418.4A patent/EP3109701B1/en active Active
- 2015-08-17 ES ES15868034T patent/ES2770707T3/es active Active
- 2015-08-17 EP EP15868034.8A patent/EP3232267B1/en active Active
- 2015-08-17 US US15/124,469 patent/US20170017152A1/en not_active Abandoned
- 2015-08-17 CN CN201580066803.XA patent/CN107003606A/zh active Pending
- 2015-08-17 CN CN201580015114.6A patent/CN106133600B/zh active Active
- 2015-08-17 US US15/532,978 patent/US10151976B2/en active Active
- 2015-08-17 JP JP2016507921A patent/JP6034536B2/ja active Active
- 2015-08-17 KR KR1020167025281A patent/KR101741036B1/ko active IP Right Grant
- 2015-08-17 WO PCT/JP2015/004080 patent/WO2016092718A1/ja active Application Filing
- 2015-08-17 JP JP2015561787A patent/JP5997852B1/ja active Active
- 2015-08-17 KR KR1020177013381A patent/KR101867460B1/ko active IP Right Grant
- 2015-08-17 WO PCT/JP2015/004079 patent/WO2016092717A1/ja active Application Filing
- 2015-08-28 TW TW104128459A patent/TWI612385B/zh active
- 2015-08-28 TW TW104128458A patent/TWI637238B/zh active
-
2016
- 2016-10-12 HK HK16111770.5A patent/HK1223588A1/zh unknown
-
2017
- 2017-11-07 US US15/805,756 patent/US10527937B2/en not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161027 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6034536 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |