JP6031076B2 - 新規化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法 - Google Patents

Description

本発明は、新規化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法に関する。

特許文献１には、メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、メタクリル酸３−ヒド
ロキシ−１−アダマンチル及びα−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンを、５０：
２５：２５のモル比で仕込み、重合させてなる樹脂と、トリフェニルスルホニウム１−（
（３−ヒドロキシアダマンチル）メトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナートか
らなる酸発生剤と、２，６−ジイソプロピルアニリンからなるクエンチャーと、溶剤とか
らなるレジスト組成物が記載されている。
また、特許文献２には、メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル及びｐ−アセトキ
シスチレンを、２０：８０のモル比で仕込み、重合させた後、塩基で加水分解してなる樹
脂と、メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル及びｐ−アセトキシスチレンを、３０
：７０のモル比で仕込み、重合させた後、塩基で加水分解してなる樹脂と、トリフェニル
スルホニウム トリイソプロピルベンゼンスルホナートからなる酸発生剤と、Ｎ−（エチ
ルスルホニルオキシ）スクシンイミドからなる酸発生剤と、２，６−ジイソプロピルアニ
リンからなるクエンチャーと、溶剤とからなるレジスト組成物が記載されている。

特開２００６−２５７０７８号公報 特開２００４−１０９９５９号公報

従来の化合物では、該化合物を含むレジスト組成物を用いて形成されるパターンの解像
度及びフォーカスマージンが必ずしも満足できるものではない場合があった。

本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ−Ｐａ）で表される化合物。
［式（Ｉ−Ｐａ）中、
Ｘ^Ｐａは、単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を表す。
Ｒ^Ｐａは、単結合、炭素数４〜３６の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の２
価の芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子ま
たはカルボニル基で置換されていてもよい。
Ｙ^Ｐａは、重合性基を表す。
Ｚ^Ｐａ＋は有機カチオンを表す。］

［２］Ｚ^Ｐａ＋が、式（ＩＸａ）で表されるカチオンである［１］記載の化合物。

［式（ＩＸａ）中、
Ｐ^Ｂ、Ｐ^Ｃ及びＰ^Ｄは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の
脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数４〜３６の脂環式炭化水素基、置換基を
有していてもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素
数３〜３６の複素環基を表すか、Ｐ^Ｂ、Ｐ^Ｃ及びＰ^Ｄのうちの２つが互いに結合して環を
形成し、該脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、硫黄原子、
酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。］

［３］Ｒ^Ｐａが、単結合又は式（ＩＶ）で表される基である［１］又は［２］記載の化
合物。

［４］上記［１］〜［３］のいずれか記載の化合物に由来する構造単位を有する重合体
。
［５］上記［４］記載の重合体及び酸発生剤を含むレジスト組成物。
［６］上記［１］〜［３］のいずれか記載の化合物及び／又は該化合物に由来する構造
単位を有する重合体と、酸発生剤とを含むレジスト組成物。
［７］さらに塩基性化合物を含む［５］又は［６］記載のレジスト組成物。

［８］（１）上記［５］〜［７］のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する
工程、
（２）塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、
（５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパタ
ーン形成方法。

本発明の化合物によれば、該化合物を含むレジスト組成物を用いて、優れた解像度及び
フォーカスマージンを有するパターンを形成することができる。

本明細書では、特に断りのない限り、同様の置換基を有するいずれの化学構造式も、炭
素数を適宜選択しながら、後述する具体的な各置換基を適用することができる。直鎖状、
分岐状又は環状いずれかをとることができるものは、特記ない限りそのいずれをも含み、
また、同一の基において、直鎖状、分岐状及び／又は環状の部分構造が混在していてもよ
い。立体異性体が存在する場合は、それらの立体異性体の全てを包含する。
さらに、「（メタ）アクリル」とは、「ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＯ−」又は「ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ
₃）−ＣＯ−」の構造を少なくとも１種を有することを意味し、「（メタ）アクリレート
」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少な
くとも１種」並びに「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種」を意味する。

本発明の化合物は、式（I−Ｐａ）で表される化合物（以下「化合物（Ｉ−Ｐａ）」と
いう場合がある）である。

［式（Ｉ−Ｐａ）中、
Ｘ^Ｐａは、単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を表す。
Ｒ^Ｐａは、単結合、炭素数４〜３６の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の２
価の芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子ま
たはカルボニル基で置換されていてもよい。
Ｙ^Ｐａは、重合性基を表す。
Ｚ^Ｐａ＋は有機カチオンを表す。］

化合物（Ｉ−Ｐａ）のアニオンについて説明する。
アルキレン基としては、例えば、メチレン基、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラ
メチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ｓｅｃ−ブチレン基及びｔｅｒｔ−ブチ
レン基などが挙げられる。
Ｘ^Ｐａは、単結合であることが好ましい。

２価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、
シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、
シクロノニレン基、シクロデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、イソボル
ニレン基などのシクロアルキレン基が挙げられる。
２価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アントラニ
レン基等が挙げられる。

Ｒ^Ｐａとしては、単結合又は炭素数４〜３６の２価の脂環式炭化水素基が好ましい。
なかでも、Ｒ^Ｐａは、単結合、式（ＩＶ）で表される基又は式（ＩＶａ）で表される基
であることが好ましく、単結合又は式（ＩＶ）で表される基であることがより好ましい。

重合性基としては、ビニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルオキ
シ基又はメタクリロイルオキシ基等が挙げられ、ビニル基、アクリロイルオキシ基又はメ
タクリロイルオキシ基が好ましい。

化合物（Ｉ−Ｐａ）のアニオンとしては、例えば、下記のもの等が挙げられる。

化合物（Ｉ−Ｐａ）は、スルホニウム塩、ヨードニウム塩及びカルボン酸とヒドロキシ
イミド骨格を有する化合物との脱水縮合反応により生成されるカルボキシイミド化合物で
あることが好ましく、なかでもスルホニウム塩であることがより好ましい。

化合物（Ｉ−Ｐａ）のカチオンについて説明する。
化合物（Ｉ−Ｐａ）における有機カチオンＺ^Ｐａ＋としては、例えば、式（ＩＸａ）、
式（ＩＸｂ）、式（ＩＸｃ）又は式（ＩＸｄ）で表されるカチオン等が挙げられる。

［式（ＩＸａ）中、
Ｐ^Ｂ、Ｐ^Ｃ及びＰ^Ｄは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の
脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数４〜３６の脂環式炭化水素基、置換基を
有していてもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素
数３〜３６の複素環基を表すか、Ｐ^Ｂ、Ｐ^Ｃ及びＰ^Ｄのうちの２つが互いに結合して環を
形成し、該脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、硫黄原子、
酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。
式（ＩＸｂ）中、
Ｐ^４及びＰ^５は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は
炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｘ４及びｘ５は１〜５の整数である。
式（ＩＸｃ）中、
Ｐ^６及びＰ^７は、互いに独立に、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のシ
クロアルキル基を表すか、Ｐ^６とＰ^７とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する
。
Ｐ^８は、水素原子を表し、Ｐ^９は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシ
クロアルキル基又は置換されていてもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基を表すか、
Ｐ^８とＰ^９とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
式（ＩＸｄ）中、
Ｐ^１０〜Ｐ^２１は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又
は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｅは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
ｍは、０又は１を表す。］

脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロ
ピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−
ヘキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基など
の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シ
クロデシル基、ノルボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、イソボルニ
ル基などのシクロアルキル基が挙げられる。

芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基等のア
リール基が挙げられる。
複素環基としては、下記の基が挙げられる。

Ｐ^Ｂ、Ｐ^Ｃ及びＰ^Ｄのうちの２つが一緒になって形成する環としては、脂環又は芳香環
のいずれでもよい。
ここで脂環とは、脂環式炭化水素の１つの炭素原子が硫黄原子で置き換わった基、芳香
環とは、芳香族炭化水素の１つの炭素原子が硫黄原子で置き換わった基、さらにこれら炭
素原子が酸素原子又は硫黄原子が置き換わった基が挙げられる。

Ｐ^Ｂ、Ｐ^Ｃ及びＰ^Ｄにおける脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基
及び複素環基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、炭素数１〜１２のアル
キル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１２
のアラルキル基、グリシジルオキシ基又は炭素数２〜４のアシル基等が挙げられる。なか
でも、ハロゲン原子、特に、フッ素原子が好ましい。
ここで、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキ
シ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基
、ｎ−ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、２−エチルヘキトキシ基、ノニルオ
キシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。
アラルキル基としては、例えば、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、トリチル
、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、アセチル、プロピオニル、ブチリル等が挙げられる。 Ｐ^Ｂ、Ｐ^Ｃ
及びＰ^Ｄが形成する環としては、硫黄原子を少なくとも１つ含む環であればよく、テトラ
ヒドロチオフェニウム環等が例示される。

Ｐ^６とＰ^７とが一緒になって形成する環としては、硫黄原子を少なくとも１つ含有する
複素環が挙げられる。例えば、テトラヒドロチオフェニウム環が好ましい。
Ｐ^９における芳香族炭化水素基の置換基としては、炭素数１〜１２のアルキル基等が挙
げられる。
Ｐ^８とＰ^９とが一緒になって形成する環としては、以下の基などが挙げられる。
ここで、＊は硫黄原子との結合手を示す。

前記の式（ＩＸａ）で表されるカチオンの中でも、例えば、式（ＩＸａａ）で表される
カチオン等が好ましい。
［式（ＩＸａａ）中、
Ｐ^１〜Ｐ^３は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭
素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｘ１、ｘ２及びｘ３は１〜５の整数である。
Ｐ^１、Ｐ^２及びＰ^３が一緒になって環を形成してもよい。］

ここでの環は、脂環、芳香環のいずれでもよい。

式（ＩＸａａ）で表されるカチオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げら
れる。

式（ＩＸａａ）で表されるカチオンの中でも、式（ＩＸａａａ）で表されるカチオンが
、その製造が容易であること等の理由により、好ましい。

［式（ＩＸａａａ）中、
Ｐ^２２、Ｐ^２３及びＰ^２４は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のア
ルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表すか、互いに結合して環を形成する。
ｘ２２、ｘ２３及びｘ２４は１〜５の整数である。］
ここでの環は、脂環、芳香環のいずれでもよい。

前記式（ＩＸｂ）で表されるカチオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げ
られる。

前記式（ＩＸｃ）で表されるカチオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げ
られる。

前記式（ＩＸｄ）で表されるカチオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げ
られる。

上記カチオンのうち、トリアリールスルホニウムカチオンが好ましい。

具体的には、式（ＩＩＢ−１）〜式（ＩＩＢ−９６）で表されるカチオンが好ましい。

化合物（Ｉ−Ｐａ）としては、式（Ｉ−Ｐａ１’）〜式（Ｉ−Ｐａ５’）で表される化
合物が挙げられる。

［［式（Ｉ−Ｐａ１’）〜式（Ｉ−Ｐａ４’）中、
Ｒ^ｅは、水素原子又はメチル基を表す。
Ｐ^２２、Ｐ^２３及びＰ^２４は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のア
ルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表すか、互いに結合して環を形成する。
ｘ２２、ｘ２３及びｘ２４は１〜５の整数である。］

化合物（Ｉ−Ｐａ）として、具体的には以下の化合物が挙げられる。

化合物（Ｉ−Ｐａ）のアニオン、つまり、カルボン酸塩は、例えば、スルホニウムヒド
ロキシド、ヨードニウムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシドとカルボン酸とを適当
な溶剤中で、反応させることによって合成できる。スルホニウムヒドロキシド、ヨードニ
ウムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシドは、スルホニウムヨージド、ヨードニウム
ヨージド、アンモニウムヨージドを、適当な溶剤中で、酸化銀と反応させることによって
得られる。
また、化合物（Ｉ−Ｐａ）のカチオンは、当該分野で公知の方法によって製造すること
ができる。

本発明の重合体は、化合物（Ｉ−Ｐａ）に由来する構造単位を有する。この重合体は、
化合物（Ｉ−Ｐａ）が単独又は複数種で用いられていてもよい。本発明の重合体としては
、化合物（Ｉ−Ｐａ）に由来する構造単位のみを有する重合体や、後述するように、化合
物（Ｉ−Ｐａ）以外の化合物（例えば、後述する重合体を構成する各種モノマー）に由来
する構造単位を有する重合体等が挙げられる。

化合物（Ｉ−Ｐａ）に由来する構造単位を有する重合体は、例えば、重合開始剤を使用
し、更には必要に応じて連鎖移動剤を使用して、化合物（Ｉ−Ｐａ）又は化合物（Ｉ−Ｐ
ａ）及び化合物（Ｉ−Ｐａ）以外の化合物の混合物を、適当な溶媒中で重合させることに
より得ることができる。
重合開始剤としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−ア
ゾビス（２−メチルブチロニトリル）等が挙げられる。重合開始剤は、１種単独で用いて
もよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
連鎖移動剤としては、例えば、ドデシルメルカプタン、メルカプトエタノール、メルカ
プトプロパノール等が挙げられる。これらの連鎖移動剤は、１種単独で用いてもよいし、
２種以上を組み合わせて用いてもよい。
溶媒としては、例えば、ジオキサン、トルエン、テトラヒドロフラン、アセトン、メチ
ルイソブチルケトン等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で用いてもよいし、２種以上
を組み合わせて用いてもよい。溶媒の使用量は特に限定されないが、重合させる化合物を
均一に溶解できる量が好ましい。更に好ましくは、重合させる化合物の合計重量に対して
、０．８〜１０倍の範囲が好ましい。

本発明のレジスト組成物は、化合物（Ｉ−Ｐａ）及び／又は化合物（Ｉ−Ｐａ）に由来
する構造単位を有する重合体と、酸発生剤とを含む。さらに、化合物（Ｉ−Ｐａ）に由来
する構造単位を有さない樹脂、塩基性化合物及び溶剤等を含んでいてもよい。
本発明のレジスト組成物では、化合物（Ｉ−Ｐａ）の含有量は、樹脂及び重合体の合計
量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部であることが好ましく、１〜２０質量部で
あることがより好ましい。

酸発生剤としては、スルホン酸発生剤が挙げられ、フッ素原子を含有する酸発生剤が好
ましく、式（Ｉ）で表される塩がより好ましい。
［式（Ｉ）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル
基を表す。
Ｘ^１は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基
に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていてもよい。
Ｙ^１は、炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は
炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び
芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、該脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水
素基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていてもよい。
Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］

ペルフルオロアルキル基としては、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペ
ルフルオロ−ｎ−プロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロ−ｎ−ブチル
基、ペルフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオ
ロ−ｎ−ペンチル基、ペルフルオロ−ｎ−ヘキシル基などが挙げられる。なかでも、ペル
フルオロメチル基が好ましい。

２価の飽和炭化水素基としては、例えば、アルキレン基、２価の脂環式炭化水素基を含
む２価の基が挙げられる。
２価の脂環式炭化水素基を含む２価の基としては、式（Ｘ^１−Ａ）〜式（Ｘ^１−Ｃ）で
表される基が挙げられる。
［式（Ｘ^１−Ａ）〜式（Ｘ^１−Ｃ）中、
Ｘ^１Ａ及びＸ^１Ｂは、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキレン基を表し、該アルキ
レン基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていてもよい。ただし、式
（Ｘ^１−Ａ）〜式（Ｘ^１−Ｃ）で表される基の炭素数は１〜１７である。］

飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換された基としては、
例えば、−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^１０−、−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^１１−ＣＯ−Ｏ−、−Ｘ^１２−Ｏ−ＣＯ
−、−Ｘ^１３−Ｏ−Ｘ^１４−などが挙げられる。好ましくは−ＣＯ−Ｏ−［ＣＨ_２］_ｈ−
（ｈは、０〜１０の整数を表す）が挙げられる。
Ｘ^１０及びＸ^１２は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数１〜１５の飽和炭化水素基を
表す。Ｘ^１１は、単結合又は炭素数１〜１３の飽和炭化水素基を表す。Ｘ^１３は、単結合
又は炭素数１〜１６の飽和炭化水素基を表し、Ｘ^１４は、単結合又は炭素数１〜１６の飽
和炭化水素基を表す。ただし、Ｘ^１３及びＸ^１４の炭素数の合計は、１〜１６である。

Ｙ^１が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、
オキソ基、グリシジルオキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数１〜６のアルコキシ基
、炭素数１〜７のアルコキシカルボニル基又は炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素
数３〜１０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１の
アラルキル基等の炭化水素基が挙げられる。
ここで、アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、ｎ−プロピポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカル
ボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペン
トキシカルボニル基等が挙げられる。

式（Ｉ）で表される塩では、Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立にフッ素原子又はＣＦ_３であ
ることが好ましく、両方ともフッ素原子であることがより好ましい。

Ｙ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基（ただし、該脂
環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていてもよい）で
あることが好ましい。炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基（ただし、該脂環式炭化水素基
に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていてもよい）としては下記の基
が挙げられる。

なかでも、Ｙ^１は、式（Ｙ１）〜式（Ｙ４）で表される基がより好ましい。
［式（Ｙ１）〜式（Ｙ４）中、
Ｒ^ｙは、ハロゲン原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアル
コキシ基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１２のアラルキル基、グリシジルオ
キシ基又は炭素数２〜４のアシル基を表す。
ｙは、０〜６の整数を表す。
＊は、Ｘ^１との結合手を表す。］

Ｙ^１としては、例えば、以下の基が挙げられる。

式（Ｉ）で表される塩のアニオンとしては、以下の式（ＩＡ）、式（ＩＢ）、式（ＩＣ
）又は式（ＩＤ）で表されるアニオンが挙げられる。なかでも、式（ＩＡ）又は式（ＩＢ
）で表されるアニオンが好ましい。

［式（ＩＡ）、式（ＩＢ）、式（ＩＣ）及び式（ＩＤ）中、
Ｑ^１、Ｑ^２、Ｘ^１０〜Ｘ^１４及びＹ^１は、上記と同じ意味を表す。］

式（ＩＡ）で表されるアニオンとしては、例えば、下記のもの等が例示される。

式（ＩＢ）で表されるアニオンとして、例えば、下記のもの等が挙げられる。

式（ＩＣ）で表されるアニオンとしては、例えば、下記のもの等が挙げられる。

式（ＩＤ）で表されるアニオンとしては、例えば、下記のもの等が挙げられる。

式（Ｉ）で表される塩におけるＺ^＋としては、例えば、上述した式（ＩＸａ）、式（Ｉ
Ｘｂ）、式（ＩＸｃ）又は式（ＩＸｄ）で表されるカチオン等が挙げられる。

なかでも、Ｚ^＋が、トリアリールスルホニウムカチオンであるものが好ましい。
上述したアニオン及びカチオンは、任意に組合せることができる。
例えば、式（Ｉ）で表される塩としては、式（Ｘａ）〜式（Ｘｉ）で表される塩が挙げ
られる。
［式（Ｘａ）〜（Ｘｉ）中、
Ｐ^２５は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基又は炭素数４〜
３６の脂環式炭化水素基を表す。
Ｐ^２２、Ｐ^２３、Ｐ^２４、Ｐ^６、Ｐ^７、Ｐ^８、Ｐ^９、Ｑ^１、Ｑ^２及びＸ^１０は、上記と
同義である。］

上記の組合せのうち、以下の塩が好ましい。

なかでも、カチオンとして式（ＩＸａａａ）で表されるカチオンにおいて、Ｐ^２２、Ｐ
^２３及びＰ^２４がいずれも水素原子であるトリフェニルスルホニウムカチオンと、式（Ｉ
Ａ）で表されるアニオンの具体的例示に挙げられたものとを組合せた酸発生剤が好ましい
。
式（Ｉ）で表される酸発生剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
式（Ｉ）で表される酸発生剤は、例えば特開２００８−５６６６８公報に記載される製
造方法によって製造することができる。

本発明のレジスト組成物では、酸発生剤の含有量は、樹脂及び重合体の合計量１００質
量部に対して、例えば０．１〜２０質量部であり、１〜２０質量部であることが好ましく
、１〜１５質量部であることがより好ましい。

本発明のレジスト組成物に含まれる化合物（Ｉ−Ｐａ）に由来する構造単位を含む重合
体は、化合物（Ｉ−Ｐａ）に由来する構造単位の他に、酸に不安定な基を有していてもよ
い。この酸に不安定な基を有する重合体は、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と
作用してアルカリ水溶液で溶解し得る。このような重合体は、レジスト組成物のメイン樹
脂として用いられる。この重合体を以下「重合体（ＢＡ）」という。
本発明のレジスト組成物に含まれる化合物（Ｉ−Ｐａ）に由来する構造単位を含む重合
体は、化合物（Ｉ−Ｐａ）に由来する構造単位の他に、酸に不安定な基を有さない場合が
ある。このような重合体は、レジスト組成物の添加剤として用いられる。この重合体を以
下「重合体（ＢＢ）」という。

重合体（ＢＡ）は、化合物（Ｉ−Ｐａ）及び酸に不安定な基とオレフィン性二重結合と
を有するモノマーを重合して製造することができる。

重合体（ＢＡ）における化合物（Ｉ−Ｐａ）に由来する構造単位の含有量が３〜２０モ
ル％であることが好ましく、５〜１５モル％であることがより好ましい。

「酸に不安定な基」とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基（例えば、ヒド
ロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば
、−Ｏ−が３級炭素原子（但し橋かけ環状炭化水素基の橋頭炭素原子を除く）と結合した
式（１）で表されるアルコキシカルボニル基が挙げられる。以下、式（１）で表される基
を「酸に不安定な基（１）」という場合がある。

式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭
素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表すかＲ^a1及びＲ^a2は互いに結合して炭素数３〜２０
の環を形成する。＊は結合手を表す。

脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる
。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化
水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル
基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアル
キル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダ
マンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。
式（１）では、脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数１〜１６である。

Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^a1）（Ｒ^a2）（Ｒ^a3）基と
しては、下記の基が挙げられる。環の炭素数は、好ましくは炭素数３〜１２である。

親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、ヒドロキシ基の水素原子が、有機
残基に置き換わり、アセタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸に
不安定な基のうち、好ましい酸に不安定な基は、例えば、以下の式（２）で表されるもの
が挙げられる（以下、「酸に不安定な基（２）」という場合がある）。

式（２）中、
Ｒ^b1及びＲ^b2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、
Ｒ^b3は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、あるいは、Ｒ^b2及びＲ^b3は互いに結合し
て、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数３〜２０の環を形成する
。Ｒ^b2及びＲ^b3は互いに結合して形成される環又は該炭化水素基がメチレン基を有する場
合、それに含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよ
い。＊は結合手を表す。

Ｒ^b1〜Ｒ^b3の炭化水素基は、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環基及び芳香族炭化水素基
が挙げられる。ここで、該脂肪族炭化水素基及び該脂環基は、Ｒ^a1〜Ｒ^a3の基として説明
したものと同じである。該芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アント
ラニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチル
フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリ
ル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニ
ル等のアリール基等が挙げられる。
Ｒ^b2及びＲ^b3は互いに結合して形成される環は、Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して形成さ
れる環と同様のものが挙げられる。
Ｒ^b1〜Ｒ^b2のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。

酸に不安定な基（２）としては、以下の基が挙げられる。

酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）は、好ましくは、酸に不安定な基（１）と炭
素−炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基（１）を有する（
メタ）アクリル系モノマーである。例えば、
（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチル、
（メタ）アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキル、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−アルキル−２−アダマンチル、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキル
、
α−クロロアクリル酸２−アルキル−２−アダマンチル、及び
α−クロロアクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキルなどが挙げら
れる。

特に（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルが、得られるレジストの解像
度が優れる傾向があることから好ましい。
（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルとしては、例えば、アクリル酸２
−メチル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、アクリル酸
２−エチル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、アクリル
酸２−イソプロピル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−イソプロピル−２−アダマン
チル、アクリル酸２−ｎ−ブチル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−ｎ−ブチル−２
−アダマンチル等が挙げられる。
これらの中でも（メタ）アクリル酸２−エチル−２−アダマンチル又は（メタ）アクリ
ル酸２−イソプロピル−２−アダマンチルが、得られるレジストの感度が優れ耐熱性にも
優れる傾向があることから好ましい。
（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルは、通常、２−アルキル−２−ア
ダマンタノール又はその金属塩とアクリル酸ハライド又はメタクリル酸ハライドとの反応
により製造することができる。

重合体（ＢＡ）における酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構造単位の含有量
が１０〜８０モル％であることが好ましい。

また、重合体（ＢＡ）は極性の高い置換基を有する構造単位を含むことが好ましい。極
性の高い置換基としては、
水酸基、シアノ基、ニトロ基又はアミノ基等の置換基を有する炭化水素基や、
−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ_２−又は−Ｓ−を有する炭化水素基が挙げら
れる。
好ましくは、水酸基又はシアノ基を有する脂環式炭化水素基、
骨格中の−ＣＨ_２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった脂環式炭化水素基、
ラクトン環を有する基などが挙げられる。
さらに好ましくは、水酸基を有する橋かけ脂環式炭化水素基、
骨格中の−ＣＨ_２−が−ＣＯ−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった橋かけ脂環式炭化水素
基が挙げられる。

極性の高い置換基を有する構造単位としては、例えば、
水酸基を有する２−ノルボルネンに由来する構造単位、
（メタ）アクリロニトリルに由来する構造単位、
水酸基を有するアダマンチル（メタ）アクリレートに由来する構造単位、
ｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレン等のスチレン系モノマーに由来する構造単位、
アルキル基で置換されていてもよいラクトン環を有する化合物に由来する構造単位が挙
げられる。
なかでも、水酸基を有するアダマンチル（メタ）アクリレートに由来する構造単位及び
アルキル基で置換されていてもよいラクトン環を有する化合物に由来する構造単位が好ま
しい。

水酸基を有するアダマンチル（メタ）アクリレートに由来する構造単位としては、例え
ば、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸３，５
−ジヒドロキシ−１−アダマンチル等が挙げられる。
これらのモノマーは市販されているが、例えば、対応するヒドロキシアダマンタンを（
メタ）アクリル酸又はそのハライドと反応させることにより、製造することもできる。
重合体（ＢＡ）が水酸基を有するアダマンチル（メタ）アクリレートに由来する構造単
位を含む場合、水酸基を有するアダマンチル（メタ）アクリレートに由来する構造単位が
、重合体（ＢＡ）を構成する構成単位の合計１００モル％に対して、５〜５０モル％含有
されることが好ましい。

アルキル基で置換されていてもよいラクトン環を有する化合物に由来する構造単位とし
ては、α−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトンに由来する構造単位、β−
（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトンに由来する構造単位、式（ａ）で表さ
れる構造単位、式（ｂ）で表される構造単位等が挙げられる。

（式（ａ）及び式（ｂ）中、Ｒ¹及びＲ²は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表し
、Ｒ³及びＲ⁴は、互いに独立に、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はハロゲ
ン原子を表し、ｉ及びｋは、互いに独立に、１〜３の整数を表す。ｉが２または３のとき
には、Ｒ³は互いに異なる基であってもよく、ｋが２または３のときには、Ｒ⁴は互いに異
なる基であってもよい。）

（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン等のモノマーは、ラクトン環がアル
キル基で置換されていてもよいα−若しくはβ−ブロモ−γ−ブチロラクトンにアクリル
酸若しくはメタクリル酸を反応させるか又はラクトン環がアルキル基で置換されていても
よいα−若しくはβ−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸ハライド若しくはメ
タクリル酸ハライドを反応させることにより製造できる。

式（ａ）で表される構造単位を与えるモノマー及び式（ｂ）で表される構造単位を与え
るモノマーとしては、例えば、以下のような水酸基を有するラクトンの（メタ）アクリル
酸エステル、それらの混合物等が挙げられる。これらのエステルは、例えば、対応する水
酸基を有するラクトンと（メタ）アクリル酸類との反応により製造することができる（例
えば、特開２０００−２６４４６号公報参照）。

ここで、（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトンとしては、例えば、α−ア
クリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクト
ン、α−アクリロイルオキシ−β，β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロ
イルオキシ−β，β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−アクリロイルオキシ−α−メ
チル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイルオキシ−α−メチル−γ−ブチロラクト
ン、β−アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイルオキシ−γ−ブ
チロラクトン、β−メタクリロイルオキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン等が挙げら
れる。

重合体（ＢＡ）が、アルキル基で置換されていてもよいラクトン環を有する化合物に由
来する構造単位を含む場合、アルキル基で置換されていてもよいラクトン環を有する化合
物に由来する構造単位が、重合体（ＢＡ）を構成する構成単位の合計１００モル％に対し
て、５〜５０モル％含有されることが好ましい。

極性の高い置換基を有する構造単位としては、特に、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキ
シ−１−アダマンチルに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸３，５−ジヒドロキシ−
１−アダマンチルに由来する構造単位、α−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラ
クトンに由来する構造単位、β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトンに由
来する構造単位、式（ａ）で表される構造単位又は及び式（ｂ）に表される構造単位が、
基板への接着性及びレジストの解像度が向上する傾向にあることから好ましい。

ＫｒＦエキシマレーザ露光の場合は、重合体（ＢＡ）が、ｐ−又はｍ−ヒドロキシスチ
レンなどのスチレン系モノマーに由来する構造単位を含むことが好ましい。このような重
合体（ＢＡ）は、例えば、（メタ）アクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン及
びスチレンとをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることが
できる。

重合体（ＢＡ）が、スチレン系モノマーに由来する構造単位を含む場合、スチレン系モ
ノマーに由来する構造単位が、重合体（ＢＡ）を構成する構成単位の合計１００モル％に
対して、５〜９０モル％含有されることが好ましい。

また、重合体（ＢＡ）は、その他の構造単位を含んでいてもよい。
前記その他の構造単位としては、例えば、
アクリル酸やメタクリル酸等の遊離のカルボン酸基を有するモノマーに由来する構造単
位、
無水マレイン酸、無水イタコン酸等の脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物に由来する構造
単位、
２−ノルボルネンに由来する構造単位、
−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２（Ｒ’）基又は−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ（Ｒ’）（Ｒ”）基（Ｒ’及びＲ
”は互いに独立にアルキル基、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基を表す。）を有する
化合物に由来する構造単位、
１−アダマンチル基を有する（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位等が挙げ
られる。

２−ノルボルネンに由来する構造単位を含む重合体（ＢＡ）は、その主鎖に直接脂環式
骨格を有するために頑丈な構造となり、ドライエッチング耐性に優れるという特性を示す
。２−ノルボルネンに由来する構造単位は、例えば、対応する２−ノルボルネンの他に無
水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を併用したラジ
カル重合により主鎖へ導入し得る。したがって、ノルボルネン構造の二重結合が開いて形
成されるものは式（ｃ）で表すことができ、無水マレイン酸無水物及び無水イタコン酸無
水物の二重結合が開いて形成されるものはそれぞれ式（ｄ）及び式（ｅ）で表すことがで
きる。

（式（ｃ）中、Ｒ⁵及びＲ⁶は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、カ
ルボキシル基、シアノ基又は−ＣＯＯＵ（Ｕはアルコール残基である）を表すか、Ｒ⁵及
びＲ⁶が結合して、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（＝Ｏ）−で表されるカルボン酸無水物残基を表す
。）
Ｒ⁵及びＲ⁶が−ＣＯＯＵである場合は、カルボキシル基がエステルとなったものであり
、Ｕに相当するアルコール残基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素数１〜
８程度のアルキル基、２−オキソオキソラン−３−又は−４−イル基などを挙げることが
できる。ここで、該アルキル基は、水酸基や脂環式炭化水素残基などが置換基として結合
していてもよい。
アルキル基は、上記と同様のものが挙げられる。
水酸基が結合したアルキル基、つまり、ヒドロキシルアルキル基としては、例えば、ヒ
ドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、例えば、炭素数３〜３０程度のものが挙げられる。

式（ｃ）で表される構造単位を与える化合物としては、
２−ノルボルネン、
２−ヒドロキシ−５−ノルボルネン、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸メチル、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシ−１−エチル、
５−ノルボルネン−２−メタノール、
５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物等の化合物を挙げることができる。
なお、式（ｃ）中のＲ⁵及びＲ⁶の−ＣＯＯＵが、式（１ａ）で表される基であれば、酸
に不安定な基を有する構造単位である。

ノルボルネン構造と酸に不安定な基とを含むモノマーとしては、例えば、５−ノルボル
ネン−２−カルボン酸−ｔｅｒｔ−ブチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−シク
ロヘキシル−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロヘ
キシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、５−ノルボ
ルネン−２−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボ
ン酸１−（４−メチルシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カ
ルボン酸１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン
−２−カルボン酸１−メチル−１−（４−オキソシクロヘキシル）エチル、５−ノルボル
ネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチル等が例示される。

用いられるモノマーとしてはオレフィン性二重結合が同じでも酸に不安定な基が異なる
モノマーを併用してもよいし、酸に不安定な基が同じでもオレフィン性二重結合が異なる
モノマーを併用してもよいし、酸に不安定な基とオレフィン性二重結合との組合せが異な
るモノマーを併用してもよい。

重合体（ＢＡ）の重量平均分子量は、好ましくは２，５００以上１００，０００以下で
あり、より好ましくは２，７００以上５０，０００以下であり、さらに好ましくは３，０
００以上４０，０００以下である。
重合体（ＢＡ）の含有量は、レジスト組成物の全固形分量を基準に、８０〜９９.９重
量％であることが好ましい。

重合体（ＢＢ）としては、化合物（Ｉ−Ｐａ）のみからなる重合体及び化合物（Ｉ−Ｐ
ａ）と、重合体（ＢＡ）の構成モノマーのうち、酸に不安定な基を有するモノマー（具体
的には酸に不安定な基とオレフィン性二重結合とを有するモノマー）以外のモノマー以外
のモノマーとの共重合体が挙げられる。
重合体（ＢＢ）における化合物（Ｉ−Ｐａ）に由来する構造単位の含有量が５〜１００
モル％であることが好ましく、１０〜７０モル％であることがより好ましい。
重合体（ＢＢ）の重量平均分子量は、好ましくは２，５００以上５０，０００以下であ
り、より好ましくは３，０００以上３０，０００以下であり、さらに好ましくは４，００
０以上１５，０００以下である。
重合体（ＢＢ）の含有量は、レジスト組成物の全固形分量を基準に、０．１〜２０質量
％であることが好ましい。

本発明のレジスト組成物は、さらに化合物（Ｉ−Ｐａ）に由来する構造単位を有さず、
酸に不安定な基を有し、酸と作用した該樹脂はアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂を含んで
いてもよい。
該樹脂は、重合体（ＢＡ）の構成モノマーのうち、化合物（Ｉ−Ｐａ）以外のモノマー
の共重合体である。
樹脂の含有量は、レジスト組成物の全固形分量を基準に、８０〜９９.９質量％である
ことが好ましい。

本発明のレジスト組成物は、さらに塩基性化合物を含むことが好ましい。塩基性化合物
としては、好ましくは、塩基性含窒素有機化合物、特に好ましくはアミン又はアンモニウ
ム塩が挙げられる。塩基性化合物をクエンチャーとして添加することにより、露光後の引
き置きに伴う酸の失活による性能劣化を改良することができる。クエンチャーに用いられ
る塩基性化合物の具体的な例としては、以下の各式で示されるようなものが挙げられる。

式中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²及びＲ¹⁷は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基
、炭素数５〜１０のシクロアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を表し、該アルキ
ル基、シクロアルキル基及びアリール基に含まれる水素原子は、ヒドロキシル基、アミノ
基、又は炭素数１〜６アルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基に含まれる水素
原子は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。

Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜
１０のシクロアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数１〜６のアルコキシ基
を表すか、Ｒ¹³とＲ¹⁴とが結合して芳香環を形成し、該アルキル基、シクロアルキル基、
アリール基及びアルコキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシル基、アミノ基、又は炭
素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基に含まれる水素原子は、
炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。

Ｒ¹⁵は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシ
クロアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数１〜６のアルコキシ基又はニトロ
基を表し、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアルコキシ基に含まれる水
素原子は、ヒドロキシル基、アミノ基、又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されてい
てもよく、該アミノ基に含まれる水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されてい
てもよい。

Ｒ¹⁶は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数５〜１０のシクロアルキル基を表し、該
アルキル基及びシクロアルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシル基、アミノ基、炭
素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基に含まれる水素原子は、
炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。

Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹及びＲ²⁰は、それぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０の
シクロアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を表し、該アルキル基、シクロアルキ
ル基及びアリール基に含まれる水素原子は、ヒドロキシル基、アミノ基、炭素数１〜６の
アルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基に含まれる水素原子は、炭素数１〜４
のアルキル基で置換されていてもよい。

Ｗ’は、炭素数２〜６のアルキレン基、カルボニル基、イミノ基、スルフィド基又はジ
スルフィド基を表す。
ここで、芳香環とは、芳香族炭化水素及び芳香性を有する複素環を意味する。このよう
な複素環としては、例えば、芳香族炭化水素の炭素原子が酸素原子、硫黄原子又は窒素原
子に置き換わった環等が挙げられる。

このような化合物として、具体的には、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルア
ミン、ノニルアミン、デシルアミン、アニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４
−ニトロアニリン、１−又は２−ナフチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジ
アミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４
，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３
’−ジエチルジフェニルメタン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン
、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、Ｎ−メチル
アニリン、ピペリジン、ジフェニルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリ
プロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘ
プチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブ
チルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシ
ルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、
メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキ
シルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン
、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシ
エトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、
２，６−ジイソプロピルアニリン、イミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、４−
メチルイミダゾール、ビピリジン、２，２’−ジピリジルアミン、ジ−２−ピリジルケト
ン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，３−
ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ビス（２−ピリジル）エチレン、１，２−ビス（
４−ピリジル）エチレン、１，２−ビス（４−ピリジルオキシ）エタン、４，４’−ジピ
リジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、１，２−ビス（４−ピリジル）
エチレン、２，２’−ジピコリルアミン、３，３’−ジピコリルアミン、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−
ｎ−オクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド
、３−トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロ
キシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称：コリン）などを挙げることが
できる。

さらには、特開平１１−５２５７５号公報に開示されているような、ピペリジン骨格を
有するヒンダードアミン化合物をクエンチャーとすることもできる。
塩基性化合物の含有量は、レジスト組成物の全固形分量を基準に、０．０１〜１質量％
程度の範囲であることが好ましい。
レジスト組成物としては、さらに、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界
面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。

本発明のレジスト組成物は、通常、上記の各成分が溶剤に溶解された状態でレジスト液
組成物とされ、シリコンウェハなどの基体上に、スピンコーティングなどの通常工業的に
用いられている方法によって塗布される。ここで用いる溶剤は、各成分を溶解し、適当な
乾燥速度を有し、溶剤が蒸発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この
分野で通常工業的に用いられている溶剤が使用できる。

例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブ
チル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類、アセトン、メチルイソブチ
ルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類、γ−ブチロラクトン
のような環状エステル類などを挙げることができる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、
又は２種以上組み合わせて用いることができる。

本発明のパターン形成方法は、
（１）上述した本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、
（５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーターなど、通常、用いられる装置によ
って行うことができる。

溶剤の除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させることに
より行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、溶剤が除去された組成物層が形成さ
れる。この場合の温度は、例えば、５０〜２００℃程度が例示される。また、圧力は、１
〜１．０×１０^５Ｐａ程度が例示される。

得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。ここでの露光機は液浸露光機であって
もよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。
露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（
波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂レーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射する
もの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫
外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることがで
きる。

露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理が行われる。加熱温度と
しては、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。
加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。
ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であ
ればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）
トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい
。

本発明の化合物は高い解像度、良好なフォーカスマージン（ＤＯＦ）を示すため、Ａｒ
ＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィならびにＡｒＦ液浸露光リソグラフィ、
ＥＵＶ露光リソグラフィに好適なレジスト組成物、特に化学増幅型フォトレジスト組成物
に利用することができる。また、液浸露光のほか、ドライ露光などにも用いることができ
る。さらに、ダブルイメージング用にも用いることができ、工業的に有用である。

以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。
実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す％及び部は、特記ないかぎり質量基準で
ある。また重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションク
ロマトグラフィー（東ソー株式会社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型、カラムは”ＴＳＫｇｅ
ｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ”３本、溶媒はテトラヒドロフラン）により求めた
値である。

カラム：TSKgel Multipore H_XL-M x 3 + guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：1.0mL／min
検出器：RI検出器
カラム温度：40℃
注入量：100μl
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）

また、化合物の構造はＮＭＲ（日本電子製ＧＸ−２７０型又はＥＸ−２７０型）、質量
分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳはＡｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型
又はＬＣ／ＭＳＤ ＴＯＦ型）で確認した。

（酸発生剤Ａ１の合成）
ジフルオロ（フルオロスルホニル）酢酸メチルエステル１００部、イオン交換水１５０
部に、氷浴下、３０％水酸化ナトリウム水溶液２３０部を滴下した。１００℃で３時間還
流し、冷却し、濃塩酸８８部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロ
スルホ酢酸ナトリウム塩１６４．４部を得た（無機塩含有、純度６２．７％）。
得られたジフルオロスルホ酢酸ナトリウム塩１．９部（純度６２．７％）、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド９．５部に、１，１’−カルボニルジイミダゾール１．０部を添加し
、２時間撹拌した。この溶液を、３−ヒドロキシアダマンチルメタノール１．１部、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド５．５部に、水素化ナトリウム０．２部を添加し、２時間撹拌
した溶液に添加した。１５時間撹拌し、生成したジフルオロスルホ酢酸−３−ヒドロキシ
−１−アダマンチルメチルエステルナトリウム塩をそのまま次の反応に用いた。

得られたジフルオロスルホ酢酸−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルメチルエステルナ
トリウム塩の溶液に、クロロホルム１７．２部、１４．８％トリフェニルスルホニウムク
ロライド水溶液２．９部添加した。１５時間撹拌後、分液し、水層をクロロホルム６．５
部で抽出した。有機層を合せてイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮
液にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５．０部を添加し、撹拌後濾過することにより白色
固体としてトリフェニルスルホニウム１−（（３−ヒドロキシアダマンチル）メトキシカ
ルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（式（Ａ１）で表される塩）０．２部を得た。
該塩を酸発生剤Ａ１とした。

実施例１：化合物（Ｉ−１）の合成

メタクリル酸１．７２部及びアセトニトリル１０．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪
拌し、酸化銀２．３２部を仕込み、２３℃で４時間攪拌して、ろ過した。得られた濾物に
、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を添加し、２３℃で３０分間攪拌して、ろ過し
た。得られた濾物を乾燥することにより、メタクリル酸銀塩２．９８部を得た。
トリフェニルスルホニウムアイオダイド３．９０部及びメタノール２０部を仕込み、２
３℃で３０分間攪拌した。その後、メタクリル酸銀塩１．９３部及びイオン交換水１０部
の懸濁液を１時間かけて滴下した。さらに、２３℃で５時間攪拌して、ろ過した。得られ
た濾液を濃縮した。その後、メタノール１５部を添加して攪拌し、濃縮した。得られた濃
縮物に酢酸エチル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−
ブチルメチルエーテル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロ
ホルムに溶解し、濃縮して燈色オイル状物として、化合物（Ｉ−１）０．５４部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ８５．０
¹Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ₆、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐ
ｍ）１．６８（ｓ，３Ｈ）、４．７９（ｍ，１Ｈ）、５．３８（ｍ，１Ｈ）、７．７０−
７．９０（ｍ，１５Ｈ）

実施例２：化合物（Ｉ−２）の合成

化合物（Ｉ−２−ａ）１．９６部、Ｎ−メチルピロリジン１．２８部及びＤＭＦ１５．
０部を仕込み、攪拌下、メタクリロイルクロリド３．１２部を添加し３０℃で２時間攪拌
した。得られた混合物にクロロホルム２０．０部及びイオン交換水２０．０部を仕込み、
分液して有機層を回収した。回収された有機層に、飽和重曹水２０．０部を仕込み、分液
して有機層を回収した。回収された有機層に、飽和塩化アンモニウム水溶液２０．０部を
添加して洗浄し、分液して有機層を回収した。さらに、回収された有機層に、イオン交換
水２０．０部を仕込み、分液して有機層を回収した。回収された有機層を濃縮し、乾燥し
て、化合物（Ｉ−２−ｂ）２．２２部を得た。
化合物（Ｉ−２−ｂ）２．１１部及びアセトニトリル２０．００部を仕込み、２３℃で
３０分間攪拌した。その後、酸化銀０．９３部を仕込み、２３℃で４時間攪拌して、ろ過
した。得られた濾物に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を添加し、２３℃で３０
分間攪拌し、ろ過した。得られた濾物を乾燥して、化合物（Ｉ−２−ｃ）２．４９部を得
た。

トリフェニルスルホニウムアイオダイド１．９５部及びメタノール１０部を仕込み、２
３℃で３０分間攪拌し、化合物（Ｉ−２−ｃ）１．８６部及びイオン交換水１０部の懸濁
液を１時間かけて滴下した。さらに、２３℃で５時間攪拌し、ろ過した。得られた濾液を
濃縮した。その後、メタノール１５部を添加して攪拌し、濃縮し、さらに、得られた濃縮
物に酢酸エチル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブ
チルメチルエーテル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホ
ルムに溶解し、濃縮して燈色オイル状物として、化合物（Ｉ−２）１．４８部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ２６３．１
^１Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ_６、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（
ｐｐｍ）１．５５−２．４２（ｍ，１７Ｈ）、５．５０（ｍ，１Ｈ）、６．０２（ｍ，１
Ｈ）、７．７０−７．９０（ｍ，１５Ｈ）

実施例３：化合物（Ｉ−３）の合成
４−ビニル安息香酸３．０８部及びアセトニトリル１５．００部を仕込み、２３℃で３
０分間攪拌し、酸化銀２．３２部を仕込み、２３℃で４時間攪拌して、ろ過した。得られ
た濾物に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を添加し、２３℃で３０分間攪拌して
、ろ過した。得られた濾物を乾燥することにより、４−ビニル安息香酸銀塩４．３４部を
得た。
トリフェニルスルホニウムアイオダイド３．９０部及びメタノール２０部を仕込み、２
３℃で３０分間攪拌した。その後、４−ビニル安息香酸銀塩２．５５部及びイオン交換水
１２部の懸濁液を１時間かけて滴下した。さらに、２３℃で５時間攪拌して、ろ過した。
得られた濾液を濃縮した。その後、メタノール１８部を添加して攪拌し、濃縮した。得ら
れた濃縮物に酢酸エチル１５部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅ
ｒｔ−ブチルメチルエーテル１５部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣を
クロロホルムに溶解し、濃縮して、化合物（Ｉ−３）０．８７部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ １４７．１

実施例４：化合物（Ｉ−４）の合成
メタクリル酸１．７２部及びアセトニトリル１０．００部を仕込み、２３℃で３０分間
攪拌し、酸化銀２．３２部を仕込み、２３℃で４時間攪拌して、ろ過した。得られた濾物
に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を添加し、２３℃で３０分間攪拌して、ろ過
した。得られた濾物を乾燥することにより、メタクリル酸銀塩２．９８部を得た。
ジフェニルヨードニウムクロライド３．１６部及びメタノール１６部を仕込み、２３℃
で３０分間攪拌した。その後、メタクリル酸銀塩１．９３部及びイオン交換水１０部の懸
濁液を１時間かけて滴下した。さらに、２３℃で５時間攪拌して、ろ過した。得られた濾
液を濃縮した。その後、メタノール１５部を添加して攪拌し、濃縮した。得られた濃縮物
に酢酸エチル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチ
ルメチルエーテル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホル
ムに溶解し、濃縮して、化合物（Ｉ−４）０．３８部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２８１．０
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ８５．０

実施例５：化合物（Ｉ−５）の合成
メタクリル酸１．７２部及びアセトニトリル１０．００部を仕込み、２３℃で３０分間
攪拌し、酸化銀２．３２部を仕込み、２３℃で４時間攪拌して、ろ過した。得られた濾物
に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を添加し、２３℃で３０分間攪拌して、ろ過
した。得られた濾物を乾燥することにより、メタクリル酸銀塩２．９８部を得た。
１−（２−オキソ−２−フェニルエチル）テトラヒドロチオフェニウム ブロミド２．
８７部及びメタノール１５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。その後、メタクリル
酸銀塩１．９３部及びイオン交換水１０部の懸濁液を１時間かけて滴下した。さらに、２
３℃で５時間攪拌して、ろ過した。得られた濾液を濃縮した。その後、メタノール１０部
を添加して攪拌し、濃縮した。得られた濃縮物に酢酸エチル１０部を加えて攪拌し、上澄
液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を加えて攪拌し、
上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮して、化合物（Ｉ−５）
０．２５部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２０７．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ８５．０

実施例６：重合体ＢＢ１の合成
化合物（Ｉ−１）及び化合物（Ｉ−１）の１．５質量倍のジオキサンを加えた。得られ
た混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバ
レロニトリル）とを化合物（Ｉ−１）のモル数に対して、それぞれ、１ｍｏｌ％と３ｍｏ
ｌ％との割合で添加し、これを７５℃で約５時間加熱した。その後、反応液を、大量のメ
タノールと水との混合溶媒に注いで沈殿させる操作を３回行なうことにより精製し、重量
平均分子量が約４８００の共重合体を収率２９％で得た。この共重合体を重合体ＢＢ１と
した。

実施例７：重合体ＢＢ２の合成
化合物（Ｉ−２）及び化合物（Ｉ−２）の１．５質量倍のジオキサンを加えた。得られ
た混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバ
レロニトリル）とを（Ｉ−２）のモル数に対して、それぞれ、１ｍｏｌ％と３ｍｏｌ％と
の割合で添加し、これを７５℃で約５時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノー
ルと水との混合溶媒に注いで沈殿させる操作を３回行なうことにより精製し、重量平均分
子量が約６７００の共重合体を収率６０％で得た。この共重合体を重合体ＢＢ２とした。

実施例８：重合体ＢＡ１の合成
モノマーＡ、モノマーＢ、モノマーＣ及び化合物（Ｉ−１）を、モル比４０：２５：２
５：１０の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオ
キサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビ
ス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ
、１ｍｏｌ％と３ｍｏｌ％との割合で添加し、これを７５℃で約５時間加熱した。その後
、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで沈殿させる操作を３回行なうこ
とにより精製し、重量平均分子量が約６０００の共重合体を収率４２％で得た。この共重
合体を重合体ＢＡ１とした。

実施例９：重合体ＢＡ２の合成
モノマーＡ、モノマーＢ、モノマーＣ及び化合物（Ｉ−２）を、モル比４０：２５：２
５：１０の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオ
キサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビ
ス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ
、１ｍｏｌ％と３ｍｏｌ％との割合で添加し、これを７５℃で約５時間加熱した。その後
、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで沈殿させる操作を３回行なうこ
とにより精製し、重量平均分子量が約７０００の共重合体を収率６２％で得た。この共重
合体を重合体ＢＡ２とした。

実施例１０：重合体ＢＡ３の合成
モノマーＡ、ｐ−アセトキシスチレン及び化合物（Ｉ−２）を、モル比２０：７０：１
０の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のアセトニト
リルを加えた。得られた混合物に、開始剤としてジメチル２，２−アゾビス（２−メチル
プロピオネート）を全モノマーの合計モル数に対して、６ｍｏｌ％の割合で添加し、これ
を７５℃で約１２時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールに注いで沈殿させ
る操作を行って共重合体を得た。
得られた共重合体と、共重合体質量に対して３．０質量倍のアセトニトリルを仕込み、
次いで、４−ジメチルアミノピリジンを共重合体化前の全モノマーの合計モル数に対して
、１０ｍｏｌ％の割合で添加し、２０時間加熱還流した。冷却した後、反応液を氷酢酸で
中和して、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させ
、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が約７７０
０の共重合体を収率４８％で得た。この共重合体を重合体ＢＡ３とした。

実施例１１：重合体ＢＡ４の合成
モノマーＡ、ｐ−アセトキシスチレン及び化合物（Ｉ−２）を、モル比３０：６０：１
０の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のアセトニト
リルを加えた。得られた混合物に、開始剤としてジメチル２，２−アゾビス（２−メチル
プロピオネート）を全モノマーの合計モル数に対して、６ｍｏｌ％の割合で添加し、これ
を７５℃で約１２時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールに注いで沈殿させ
る操作を行なうこと共重合体を得た。
得られた共重合体と、共重合体質量に対して３．０質量倍のアセトニトリルを仕込み、
次いで、４−ジメチルアミノピリジンを共重合体化前の全モノマーの合計モル数に対して
、１０ｍｏｌ％の割合で添加し、２０時間加熱還流した。冷却した後、反応液を氷酢酸で
中和して、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させ
、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が約７２０
０の共重合体を収率４５％で得た。この共重合体を重合体ＢＡ４とした。

実施例１２：重合体ＢＡ５の合成
モノマーＡ、モノマーＢ、モノマーＣ及び化合物（Ｉ−４）を、モル比４０：２５：２
５：１０の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオ
キサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビ
ス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ
、１ｍｏｌ％と３ｍｏｌ％との割合で添加し、これを７５℃で約５時間加熱した。その後
、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで沈殿させる操作を３回行なうこ
とにより精製し、重量平均分子量が約６４００の共重合体を収率４０％で得た。この共重
合体を重合体ＢＡ５とした。

実施例１３：重合体ＢＡ６の合成
モノマーＡ、モノマーＢ、モノマーＣ及び化合物（Ｉ−５）を、モル比４０：２５：２
５：１０の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオ
キサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビ
ス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ
、１ｍｏｌ％と３ｍｏｌ％との割合で添加し、これを７５℃で約５時間加熱した。その後
、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで沈殿させる操作を３回行なうこ
とにより精製し、重量平均分子量が約６９００の共重合体を収率４８％で得た。この共重
合体を重合体ＢＡ６とした。

実施例１４：重合体ＢＡ７の合成
モノマーＡ、ｐ−アセトキシスチレン及び化合物（Ｉ−３）を、モル比２０：７０：１
０の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のアセトニト
リルを加えた。得られた混合物に、開始剤としてジメチル２，２−アゾビス（２−メチル
プロピオネート）を全モノマーの合計モル数に対して、６ｍｏｌ％の割合で添加し、これ
を７５℃で約１２時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールに注いで沈殿させ
る操作を行って共重合体を得た。
得られた共重合体と、共重合体質量に対して３．０質量倍のアセトニトリルを仕込み、
次いで、４−ジメチルアミノピリジンを共重合体化前の全モノマーの合計モル数に対して
、１０ｍｏｌ％の割合で添加し、２０時間加熱還流した。冷却した後、反応液を氷酢酸で
中和して、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させ
、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が約８００
０の共重合体を収率５０％で得た。この共重合体を重合体ＢＡ７とした。

実施例１５：重合体ＢＡ８の合成
モノマーＡ、ｐ−アセトキシスチレン及び化合物（Ｉ−３）を、モル比３０：６０：１
０の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のアセトニト
リルを加えた。得られた混合物に、開始剤としてジメチル２，２−アゾビス（２−メチル
プロピオネート）を全モノマーの合計モル数に対して、６ｍｏｌ％の割合で添加し、これ
を７５℃で約１２時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールに注いで沈殿させ
る操作を行なうこと共重合体を得た。
得られた共重合体と、共重合体質量に対して３．０質量倍のアセトニトリルを仕込み、
次いで、４−ジメチルアミノピリジンを共重合体化前の全モノマーの合計モル数に対して
、１０ｍｏｌ％の割合で添加し、２０時間加熱還流した。冷却した後、反応液を氷酢酸で
中和して、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させ
、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が約７４０
０の共重合体を収率４７％で得た。この共重合体を重合体ＢＡ８とした。

〔樹脂Ｃ１の合成〕
モノマーＥ、モノマーＦ、モノマーＢ、モノマーＣ、モノマーＤをモル比２８：１４：
６：２１：３１で仕込み、全モノマー量の１．５重量倍のジオキサンを加えて溶液とした
。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロ
ニトリル）を全モノマー量に対してそれぞれ１ｍｏｌ％、３ｍｏｌ％添加し、７５℃で約
５時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させ
る操作を３回行って精製し、重量平均分子量が８４５２の共重合体を収率７４％で得た。
この共重合体は、次式のモノマーに由来する各構造単位を有するものであり、これを樹脂
Ｃ１とした。

〔樹脂Ｃ２の合成〕
モノマーＡ、モノマーＢ及びモノマーＣを、モル比５０：２５：２５の割合で仕込み、
次いで、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを加えた。得られた
混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレ
ロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１ｍｏｌ％と３ｍｏｌ％
との割合で添加し、これを７７℃で約５時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノ
ールと水との混合溶媒に注いで沈殿させる操作を３回行なうことにより精製し、重量平均
分子量が約８０００の共重合体を収率６０％で得た。この共重合体を樹脂Ｃ２とした。

［樹脂Ｃ３の合成］
モノマーＡ及びｐ−アセトキシスチレンを、モル比２０：８０の割合で仕込み、次いで
、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のイソプロパノールを加えた。得られた
混合物に、開始剤としてジメチル２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）を全モ
ノマーの合計モル数に対して、６ｍｏｌ％の割合で添加し、これを７５℃で約１２時間加
熱した。その後、反応液を、大量のメタノールに注いで沈殿させる操作を行なうこと共重
合体を得た。
得られた共重合体と、共重合体質量に対して３．０質量倍のメタノールを仕込み、次い
で、４−ジメチルアミノピリジンを共重合体化前の全モノマーの合計モル数に対して、１
０ｍｏｌ％の割合で添加し、２０時間加熱還流した。冷却後、反応液を氷酢酸で中和して
、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させ、大量の
水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が約８６００の共重
合体を収率６８％で得た。この共重合体を樹脂Ｃ３とした。

［樹脂Ｃ４の合成］
モノマーＡ及びｐ−アセトキシスチレンを、モル比３０：７０の割合で仕込み、次いで
、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のイソプロパノールを加えた。得られた
混合物に、開始剤としてジメチル２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）を全モ
ノマーの合計モル数に対して、６ｍｏｌ％の割合で添加し、これを７５℃で約１２時間加
熱した。その後、反応液を、大量のメタノールに注いで沈殿させる操作を行なうこと共重
合体を得た。
得られた共重合体と、共重合体質量に対して３．０質量倍のメタノールを仕込み、次い
で、４−ジメチルアミノピリジンを共重合体化前の全モノマーの合計モル数に対して、１
０ｍｏｌ％の割合で添加し、２０時間加熱還流した。冷却後、反応液を氷酢酸で中和して
、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させ、大量の
水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が約８２００の共重
合体を収率６５％で得た。この共重合体を樹脂Ｃ４とした。

表１〜３に示すように、以下の各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を
孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルタで濾過することにより、レジスト組成物を調製し
た。表中の単位は、特に記載がない限り、「部」である。

＜酸発生剤＞
酸発生剤Ａ２：トリフェニルスルホニウム トリイソプロピルベンゼンスルホナート
酸発生剤Ａ３：Ｎ−（エチルスルホニルオキシ）スクシンイミド
＜クエンチャー＞
クエンチャーＱ１：２，６−ジイソプロピルアニリン
クエンチャーＱ２：テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０．０部
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ２６０部
γ−ブチロラクトン ２０．０部

（レジスト組成物としての評価）
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製）を塗
布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８ｎｍの有機反射防
止膜を形成した。
次いで、前記の有機反射防止膜の上に、表１のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が８５ｎ
ｍとなるようにスピンコートした。

レジスト組成物を塗布した後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上
にて、表１の「PB」欄に示す温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）した。このようにしてレ
ジスト組成物の膜が形成されたシリコンウェハに、ＡｒＦエキシマステッパー〔ＦＰＡ５
０００−ＡＳ３；（株）キャノン製、NA=0.75、2/3Annular〕用いて、露光量を段階的に
変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて、表１の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキス
ポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。

有機反射防止膜基板上のもので現像後のダークフィールドパターンを走査型電子顕微鏡
で観察し、その結果を表４に示した。
なお、ここでいうダークフィールドパターンとは、外側にクロム層（遮光層）をベース
としてライン状にガラス面（透光部）が形成されたレチクルを介した露光及び現像によっ
て得られ、したがって露光現像後は、ラインアンドスペースパターンの周囲のレジスト層
が残されるパターンである。

解像性評価：１００ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量で露光
し、レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察した。８５ｎｍを解像しているものを○
、解像していないもの又はパターン倒れが観察されるものを×とした。

フォーカスマージン評価（ＤＯＦ）：マスクサイズ９０ｎｍのラインアンドスペースパタ
ーンの線幅が、９０ｎｍになる露光量で、フォーカスを振った場合、線幅が９０ｎｍ±５
％の幅にある範囲（約８５．５〜９４．５ｎｍ）を線幅指標とし、ＤＯＦが０．６０μｍ
以上であるものを○、０．６０μｍ未満であるものを×とした。

（電子線用レジスト組成物としての評価）
シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用い
て９０℃で６０秒処理した上で、表２のレジスト液を乾燥後の膜厚が６０ｎｍとなるよう
にスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表２の「
PB」欄に示す温度で６０秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれの
ウェハに、電子線描画機〔（株）日立製作所製の「ＨＬ−８００Ｄ ５０ｋｅＶ」〕を用
い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、
ホットプレート上にて表２の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベー
クを行い、さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒
間のパドル現像を行った。
シリコン基板上のもので現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表
５に示した。

解像性評価：１００ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量で露光
し、レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察した。８０ｎｍを解像しているものを○
、解像していないもの又はパターン倒れが観察されるものを×とした。

フォーカスマージン評価（ＤＯＦ）：マスクサイズ９０ｎｍのラインアンドスペースパタ
ーンの線幅が、９０ｎｍになる露光量で、フォーカスを振った場合、線幅が９０ｎｍ±５
％の幅にある範囲（約８５．５〜９４．５ｎｍ）を線幅指標とし、ＤＯＦが０．６０μｍ
以上であるものを○、０．６０μｍ未満であるものを×とした。

（ＥＵＶ用レジスト組成物としての評価）
シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用い
て９０℃で６０秒処理した。
次いで、表３のレジスト液を乾燥後の膜厚が５０ｎｍとなるようにスピンコートした。
レジスト液を塗布した後、ダイレクトホットプレート上にて、表３の「PB」欄に示す温度
で６０秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハに、ＥＵＶ
露光機を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後は、ホットプレート上にて表３の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポ
ジャーベークを行い、さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で６０秒間のパドル現像を行った。
シリコン基板上のもので現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表
６に示した。

解像性評価：５０ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量で露光し
た際のパターンを走査型電子顕微鏡で観察した。４５ｎｍを解像しているものを○、解像
していないもの又はパターン倒れが観察されるものを×とした。

フォーカスマージン評価（ＤＯＦ）：マスクサイズ５０ｎｍのラインアンドスペースパ
ターンの線幅が、５０ｎｍになる露光量で、フォーカスを振った場合、線幅が５０ｎｍ±
５％の幅にある範囲（４７．５〜５２．５ｎｍ）を線幅指標とし、ＤＯＦが０．１５μｍ
以上であるものを○、０．１５μｍ未満であるものを×とした。

本発明の化合物によれば、該化合物を含むレジスト組成物を用いて、優れた解像度及び
フォーカスマージンを有するパターンを形成することができる。

Claims (14)

1. 式（Ｉ−Ｐａ）で表される化合物に由来する重合体。
   ［式（Ｉ−Ｐａ）中、
   Ｘ^Paは、単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を表す。
   Ｒ^Paは、炭素数４〜３６の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の２価の芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基の環を構成するメチレン基は、酸素原子またはカルボニル基で置換されていてもよい。ただし、シクロヘキサンジイル基を除く。
   Ｙ^Paは、ビニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
   Ｚ^Pa+は、式（ＩＸａ）、式（ＩＸｃ）又は式（ＩＸｄ）で表されるカチオンを表す。]
   ［式（ＩＸａ）中、
   Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数４〜３６の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の複素環基を表すか、Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dのうちの２つが互いに結合して環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、硫黄原子、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。
   式（ＩＸｃ）中、
   Ｐ⁶及びＰ⁷は、互いに独立に、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表すか、Ｐ⁶とＰ⁷とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   Ｐ⁸は、水素原子を表し、Ｐ⁹は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基又は置換されていてもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基を表すか、Ｐ⁸とＰ⁹とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   式（ＩＸｄ）中、
   Ｐ¹⁰〜Ｐ²¹は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
   Ｅは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
   ｍは、０又は１を表す。］
2. 式（Ｉ−Ｐａ）'で表される化合物に由来する構造単位と、式（１）又は式（２）で表される酸不安定基を含む構造単位とを含む重合体。
   ［式（Ｉ−Ｐａ）'中、
   Ｘ^Paは、単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を表す。
   Ｒ^Paは、炭素数４〜３６の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の２価の芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基の環を構成するメチレン基は、酸素原子またはカルボニル基で置換されていてもよい。ただし、シクロヘキサンジイル基を除く。
   Ｙ^Paは、ビニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
   Ｚ^Pa+'は、式（ＩＸａ）、式（ＩＸｂ）、式（ＩＸｃ）又は式（ＩＸｄ）で表されるカチオンを表す。]
   ［式（ＩＸａ）中、
   Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数４〜３６の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の複素環基を表すか、Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dのうちの２つが互いに結合して環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、硫黄原子、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。
   式（ＩＸｂ）中、
   Ｐ⁴及びＰ⁵は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
   ｘ４及びｘ５は１〜５の整数である。
   式（ＩＸｃ）中、
   Ｐ⁶及びＰ⁷は、互いに独立に、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表すか、Ｐ⁶とＰ⁷とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   Ｐ⁸は、水素原子を表し、Ｐ⁹は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基又は置換されていてもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基を表すか、Ｐ⁸とＰ⁹とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   式（ＩＸｄ）中、
   Ｐ¹⁰〜Ｐ²¹は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
   Ｅは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
   ｍは、０又は１を表す。］
   ［式（１）中、Ｒ ^a1 〜Ｒ ^a3 は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表すかＲ ^a1 及びＲ ^a2 は互いに結合して炭素数３〜２０の環を形成する。＊は結合手を表す。］
   ［式（２）中、
   Ｒ ^b1 及びＲ ^b2 は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、
   Ｒ ^b3 は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、あるいは、Ｒ ^b2 及びＲ ^b3 は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数３〜２０の環を形成する。Ｒ ^b2 及びＲ ^b3 は互いに結合して形成される環又は該炭化水素基がメチレン基を有する場合、それに含まれる−ＣＨ _２ −は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。＊は結合手を表す。］
3. 式（Ｉ−Ｐａ）'で表される化合物に由来する重合体と、
   式（１）又は式（２）で表される酸不安定基を有する構造単位を含む重合体と、
   塩基性化合物とを含むレジスト組成物。
   ［式（Ｉ−Ｐａ）'中、
   Ｘ^Paは、単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を表す。
   Ｒ^Paは、炭素数４〜３６の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の２価の芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基の環を構成するメチレン基は、酸素原子またはカルボニル基で置換されていてもよい。ただし、シクロヘキサンジイル基を除く。
   Ｙ^Paは、ビニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
   Ｚ^Pa+'は、式（ＩＸａ）、式（ＩＸｂ）、式（ＩＸｃ）又は式（ＩＸｄ）で表されるカチオンを表す。]
   ［式（ＩＸａ）中、
   Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数４〜３６の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の複素環基を表すか、Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dのうちの２つが互いに結合して環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、硫黄原子、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。
   式（ＩＸｂ）中、
   Ｐ⁴及びＰ⁵は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
   ｘ４及びｘ５は１〜５の整数である。
   式（ＩＸｃ）中、
   Ｐ⁶及びＰ⁷は、互いに独立に、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表すか、Ｐ⁶とＰ⁷とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   Ｐ⁸は、水素原子を表し、Ｐ⁹は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基又は置換されていてもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基を表すか、Ｐ⁸とＰ⁹とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   式（ＩＸｄ）中、
   Ｐ¹⁰〜Ｐ²¹は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
   Ｅは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
   ｍは、０又は１を表す。］
   ［式（１）中、Ｒ ^a1 〜Ｒ ^a3 は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表すかＲ ^a1 及びＲ ^a2 は互いに結合して炭素数３〜２０の環を形成する。＊は結合手を表す。］
   ［式（２）中、
   Ｒ ^b1 及びＲ ^b2 は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、
   Ｒ ^b3 は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、あるいは、Ｒ ^b2 及びＲ ^b3 は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数３〜２０の環を形成する。Ｒ ^b2 及びＲ ^b3 は互いに結合して形成される環又は該炭化水素基がメチレン基を有する場合、それに含まれる−ＣＨ _２ −は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。＊は結合手を表す。］
4. 式（Ｉ−Ｐａ）"で表される単独の化合物に由来する重合体。
   ［式（Ｉ−Ｐａ）"中、
   Ｘ^Paは、単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を表す。
   Ｒ^Pa"は、単結合、炭素数４〜３６の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の２価の芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基の環を構成するメチレン基は、酸素原子またはカルボニル基で置換されていてもよい。
   Ｙ^Paは、ビニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
   Ｚ^Pa+"は、式（ＩＸｂ）、式（ＩＸｃ）又は式（ＩＸｄ）で表されるカチオンを表す。]
   ［式（ＩＸｂ）中、
   Ｐ⁴及びＰ⁵は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
   ｘ４及びｘ５は１〜５の整数である。
   式（ＩＸｃ）中、
   Ｐ⁶及びＰ⁷は、互いに独立に、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表すか、Ｐ⁶とＰ⁷とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   Ｐ⁸は、水素原子を表し、Ｐ⁹は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基又は置換されていてもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基を表すか、Ｐ⁸とＰ⁹とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   式（ＩＸｄ）中、
   Ｐ¹⁰〜Ｐ²¹は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
   Ｅは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
   ｍは、０又は１を表す。］
5. 式（Ｉ−Ｐａ）"で表される化合物に由来する構造単位と式（１）又は式（２）で表される酸不安定基を含む構造単位とを含む重合体と、塩基性化合物とを含むレジスト組成物。
   ［式（Ｉ−Ｐａ）"中、
   Ｘ^Paは、単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を表す。
   Ｒ^Pa"は、単結合、炭素数４〜３６の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の２価の芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基の環を構成するメチレン基は、酸素原子またはカルボニル基で置換されていてもよい。
   Ｙ^Paは、ビニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
   Ｚ^Pa+"は、式（ＩＸｂ）、式（ＩＸｃ）又は式（ＩＸｄ）で表されるカチオンを表す。]
   ［式（ＩＸｂ）中、
   Ｐ⁴及びＰ⁵は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
   ｘ４及びｘ５は１〜５の整数である。
   式（ＩＸｃ）中、
   Ｐ⁶及びＰ⁷は、互いに独立に、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表すか、Ｐ⁶とＰ⁷とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   Ｐ⁸は、水素原子を表し、Ｐ⁹は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基又は置換されていてもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基を表すか、Ｐ⁸とＰ⁹とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   式（ＩＸｄ）中、
   Ｐ¹⁰〜Ｐ²¹は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
   Ｅは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
   ｍは、０又は１を表す。］
   ［式（１）中、Ｒ ^a1 〜Ｒ ^a3 は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表すかＲ ^a1 及びＲ ^a2 は互いに結合して炭素数３〜２０の環を形成する。＊は結合手を表す。］
   ［式（２）中、
   Ｒ ^b1 及びＲ ^b2 は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、
   Ｒ ^b3 は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、あるいは、Ｒ ^b2 及びＲ ^b3 は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数３〜２０の環を形成する。Ｒ ^b2 及びＲ ^b3 は互いに結合して形成される環又は該炭化水素基がメチレン基を有する場合、それに含まれる−ＣＨ _２ −は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。＊は結合手を表す。］
6. 式（Ｉ−Ｐａ）'''で表される化合物に由来する重合体と
   式（１）又は式（２）で表される酸不安定基を有する構造単位を含む重合体とを含む樹脂組成物。
   ［式（Ｉ−Ｐａ）'''中、
   Ｘ^Paは、単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を表す。
   Ｒ^Pa"は、単結合、炭素数４〜３６の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の２価の芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基の環を構成するメチレン基は、酸素原子またはカルボニル基で置換されていてもよい。
   Ｙ^Paは、ビニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
   Ｚ^Pa+'は、式（ＩＸａ）、式（ＩＸｂ）、式（ＩＸｃ）又は式（ＩＸｄ）で表されるカチオンを表す。]
   ［式（ＩＸａ）中、
   Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数４〜３６の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の複素環基を表すか、Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dのうちの２つが互いに結合して環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、硫黄原子、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。
   式（ＩＸｂ）中、
   Ｐ⁴及びＰ⁵は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
   ｘ４及びｘ５は１〜５の整数である。
   式（ＩＸｃ）中、
   Ｐ⁶及びＰ⁷は、互いに独立に、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表すか、Ｐ⁶とＰ⁷とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   Ｐ⁸は、水素原子を表し、Ｐ⁹は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基又は置換されていてもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基を表すか、Ｐ⁸とＰ⁹とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   式（ＩＸｄ）中、
   Ｐ¹⁰〜Ｐ²¹は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
   Ｅは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
   ｍは、０又は１を表す。］
   ［式（１）中、Ｒ ^a1 〜Ｒ ^a3 は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表すかＲ ^a1 及びＲ ^a2 は互いに結合して炭素数３〜２０の環を形成する。＊は結合手を表す。］
   ［式（２）中、
   Ｒ ^b1 及びＲ ^b2 は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、
   Ｒ ^b3 は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、あるいは、Ｒ ^b2 及びＲ ^b3 は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数３〜２０の環を形成する。Ｒ ^b2 及びＲ ^b3 は互いに結合して形成される環又は該炭化水素基がメチレン基を有する場合、それに含まれる−ＣＨ _２ −は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。＊は結合手を表す。］
7. 式（Ｉ−Ｐａ）'''で表される化合物に由来する構造単位と式（１）又は式（２）で表される酸不安定基を含む構造単位とを含む重合体と、溶剤とを含むレジスト組成物であって、
   溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテルを含むレジスト組成物。
   ［式（Ｉ−Ｐａ）'''中、
   Ｘ^Paは、単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を表す。
   Ｒ^Pa"は、単結合、炭素数４〜３６の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の２価の芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基の環を構成するメチレン基は、酸素原子またはカルボニル基で置換されていてもよい。
   Ｙ^Paは、ビニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
   Ｚ^Pa+'は、式（ＩＸａ）、式（ＩＸｂ）、式（ＩＸｃ）又は式（ＩＸｄ）で表されるカチオンを表す。]
   ［式（ＩＸａ）中、
   Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数４〜３６の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の複素環基を表すか、Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dのうちの２つが互いに結合して環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、硫黄原子、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。
   式（ＩＸｂ）中、
   Ｐ⁴及びＰ⁵は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
   ｘ４及びｘ５は１〜５の整数である。
   式（ＩＸｃ）中、
   Ｐ⁶及びＰ⁷は、互いに独立に、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表すか、Ｐ⁶とＰ⁷とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   Ｐ⁸は、水素原子を表し、Ｐ⁹は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基又は置換されていてもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基を表すか、Ｐ⁸とＰ⁹とが一緒になって、炭素数３〜１２の環を形成する。
   式（ＩＸｄ）中、
   Ｐ¹⁰〜Ｐ²¹は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
   Ｅは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
   ｍは、０又は１を表す。］
   ［式（１）中、Ｒ ^a1 〜Ｒ ^a3 は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表すかＲ ^a1 及びＲ ^a2 は互いに結合して炭素数３〜２０の環を形成する。＊は結合手を表す。］
   ［式（２）中、
   Ｒ ^b1 及びＲ ^b2 は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、
   Ｒ ^b3 は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、あるいは、Ｒ ^b2 及びＲ ^b3 は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数３〜２０の環を形成する。Ｒ ^b2 及びＲ ^b3 は互いに結合して形成される環又は該炭化水素基がメチレン基を有する場合、それに含まれる−ＣＨ _２ −は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。＊は結合手を表す。］
8. Ｚ^Pa+又はＺ^Pa+'が、式（ＩＸａ）で表されるカチオンである請求項１〜３のいずれか１つに記載の重合体。
   ［式（ＩＸａ）中、
   Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数４〜３６の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の複素環基を表すか、Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dのうちの２つが互いに結合して環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、硫黄原子、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。］
9. Ｒ^Pa"が、単結合又は式（ＩＶ）で表される基である請求項４記載の重合体。
   
10. Ｚ^Pa+'又はＺ^Pa+が、式（ＩＸａ）で表されるカチオンである請求項１又は２に記載の重合体。
    ［式（ＩＸａ）中、
    Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数４〜３６の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の複素環基を表すか、Ｐ^B、Ｐ^C及びＰ^Dのうちの２つが互いに結合して環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、硫黄原子、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。］
11. Ｒ^Pa"が、単結合又は式（ＩＶ）で表される基である請求項５記載のレジスト組成物。
    
12. 請求項１、２、４及び７のいずれか１つに記載の重合体又は請求項６に記載の樹脂組成物、及び酸発生剤を含むレジスト組成物。
13. さらに塩基性化合物を含む請求項１２記載のレジスト組成物。
14. （１）請求項３、５、７、１１、１２及び１３のいずれか１つに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
    （２）塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
    （３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
    （４）露光後の組成物層を加熱する工程、
    （５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。