JP6015781B2 - 圧電素子 - Google Patents
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複数のセラミックグリーンシートからなる積層体を焼成することにより、厚みが50μmである圧電基板を作製する。圧電セラミック材料として、PZTを用いた。作製した圧電基板を、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)の1%エタノール溶液に30分間浸漬した後、エタノールで洗浄する。圧電基板の各主面に対し、スパッタリング法により、Auからなり且つ厚みが300nmである電極膜を形成する。分極処理の後、圧電基板を、平面視で1mm×0.3mmのサイズの個品に切断する。これにより、図1及び図2に示された構成を備える圧電素子を得る。
Ptを含む導電性ペーストにより電極パターンが形成された複数のセラミックグリーンシート及び電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシートからなる積層体を焼成することにより、厚みが50μmである圧電基板を作製した後、圧電基板を短冊状に切断する。圧電セラミック材料として、PZTを用いた。短冊状の圧電基板を、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)の1%エタノール溶液に30分間浸漬した後、エタノールで洗浄する。圧電基板の各主面及び各端面に対し、スパッタリング法により、Auからなり且つ厚みが300nmである電極膜を形成する。分極処理の後、圧電基板を、平面視で1mm×0.3mmのサイズの個品に切断する。これにより、図3〜図5に示された構成を備える圧電素子を得る。
複数のセラミックグリーンシートからなる積層体を焼成することにより、厚みが50μmである圧電基板を作製する。圧電セラミック材料として、PZTを用いた。作製した圧電基板を、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)の1%エタノール溶液に30分間浸漬した後、エタノールで洗浄する。圧電基板の各主面に対し、スパッタリング法により、Niからなり且つ厚みが300nmである電極膜を形成する。分極処理の後、圧電基板を、平面視で1mm×0.3mmのサイズの個品に切断する。これにより、図1及び図2に示された構成を備える圧電素子を得る。
複数のセラミックグリーンシートからなる積層体を焼成することにより、厚みが50μmである圧電基板を作製する。圧電セラミック材料として、PZTを用いた。作製した圧電基板を、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)の1%エタノール溶液に30分間浸漬した後、エタノールで洗浄する。圧電基板の各主面に対し、スパッタリング法により、Ptからなり且つ厚みが300nmである電極膜を形成する。分極処理の後、圧電基板を、平面視で1mm×0.3mmのサイズの個品に切断する。これにより、図1及び図2に示された構成を備える圧電素子を得る。
複数のセラミックグリーンシートからなる積層体を焼成することにより、厚みが50μmである圧電基板を作製する。圧電セラミック材料として、PZTを用いた。圧電基板の各主面上に、スパッタリング法により、Crからなり且つ厚みが100nmである下地電極膜を形成する。下地電極膜上に、スパッタリング法により、Auからなり且つ厚みが200nmである電極膜を形成する。分極処理の後、圧電基板を、平面視で1mm×0.3mmのサイズの個品に切断し、圧電素子を得る。
Ptを含む導電性ペーストにより電極パターンが形成されている複数のセラミックグリーンシート及び電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシートからなる積層体を焼成することにより、厚みが50μmである圧電基板を作製した後、圧電基板を短冊状に切断する。圧電セラミック材料として、PZTを用いた。短冊状の圧電基板の各主面及び各端面上に、スパッタリング法により、Crからなり且つ厚みが100nmである下地電極膜を形成する。下地電極膜上に、スパッタリング法により、Auからなり且つ厚みが200nmである電極膜を形成する。分極処理の後、圧電基板を、平面視で1mm×0.3mmのサイズの個品に切断し、圧電素子を得る。
複数のセラミックグリーンシートからなる積層体を焼成することにより、厚みが50μmである圧電基板を作製する。圧電セラミック材料として、PZTを用いた。圧電基板の各主面上に、スパッタリング法により、Auからなり且つ厚みが300nmである電極膜を形成する。分極処理の後、圧電基板を、平面視で1mm×0.3mmのサイズの個品に切断し、圧電素子を得る。
実施例1〜4及び比較例1〜3に係る各圧電素子に±15V(10kHz)の電圧を印加し、レーザードップラー振動計を用いて素子の変位量を測定した。得られた変位量と印加した電圧とにより圧電歪定数(nm/V)を算出した。試験結果を、図6に示す。
Claims (1)
- 圧電素体と、
前記圧電素体上に形成されており、複数のチオール基を有する化合物の単分子膜と、
前記単分子膜上に形成されていると共にAu、Ni、又はPtからなる、前記圧電素体に電界を印加するための電極と、を備え、
複数のチオール基を有する前記化合物は、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)、トリスメチルプロパンメルカプトアセテート、ぺンタエリスリオールテトラキスメルカプトアセテート、トリメチロールプロパントリス(3−メルカプトプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)、ジペンタエリスリトールヘキサキス(3−メルカプトプロピオネート)、又はトリス[2−(メルカプトプロピオニルオキシ)エチル]イソシアヌレートであり、
前記圧電素体は、略直方体形状を呈しており、互いに対向する一対の端面と、互いに対向する一対の第一側面と、互いに対向する一対の第二側面と、を有し、
前記圧電素体内には、前記一対の第一側面が対向する方向に間隔を有して対向するように内部電極が配置されており、
前記単分子膜は、前記圧電素体の前記一対の端面上及び前記一対の第一側面上に形成されていることを特徴とする圧電素子。
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