JP6007342B2 - カルコゲナイド系ナノ線を利用した熱化学ガスセンサー及びその製造方法 - Google Patents

カルコゲナイド系ナノ線を利用した熱化学ガスセンサー及びその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、熱化学ガスセンサー及びその製造方法に関し、より詳細には、温度変化によって起電力(electromotive force)が生じる原理を利用して、感知しようとするガスに反応する多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体の変化を通じて所望の種類の多様なガスを感知することができ、ガスを感知することによって現われる温度、微細な起電力の変化を確認することができるので、ガスを利用した熱電性能指数の評価にも活用が可能な、熱化学ガスセンサー及びその製造方法に関する。
水素気体は、未来のクリーン燃料として注目されているが、ガス特有の物性に起因してセンサー特性において他の可燃性ガスよりも精密でかつ完璧な感知が要求される。
一般的に、水素気体は、4〜75%の広い爆発濃度範囲を有しているため、低濃度及び広帯域ガス濃度でセンシングが可能でなければならず、水素ガス以外にガスや水蒸気(湿度を含む)、温度などの影響を受けてはならず、高いセンシング正確性、小型化などの条件を備える場合にのみ、センサーへの実用的普及と利用が可能である。このような特性を有する様々な種類の水素センサーに関する研究が多く行われている。現在重点的に研究されている水素センサーのタイプとしては、接触燃焼式、熱線式、熱電式水素センサーと、水素が吸着する場合、粒子表面の電子密度(electron density)が変わって、抵抗(resistance)が変化する性質を利用した半導体形、電気化学式、金属吸収式水素センサーなどが研究されている。
水素センシングにおいて最も重要なことは、常温でセンシングが可能でなければならないということであり、今後の素子の製作において価格競争力を確保するためには、費用の高い高真空及び高温工程を排除して室温で素材を合成することができる技術開発が必要である。
SiGe基盤の薄膜水素センサーの場合、物質自体が高温でのゼーベック(Seebeck)係数が高くて、実際にセンサーとして利用するとき、白金−ヒーター(Pt−heater)を使用して高温で作動させなければならない。水素センシングにおいて代表的に使用されているパラジウム(palladium)基盤の水素センサーは、高価なパラジウムナノ粒子及びナノワイヤを使用し、素材及びセンサー製作工程で高温及び高真空を必要とするので、安価なセンサーの製作が困難である。
大部分の研究がパラジウム/白金ゲートFET(field effect transistor)型にかたよっており、高濃度領域での感知能力低下問題と、パラジウム基盤のセンサーが繰り返し水素気体に露出する場合、急激な相変化(phase change)による性能低下を起こす問題点があるので、さらに広い範囲の水素気体濃度を感知することができるセンサーに対する研究が必要である。
また、未来のクリーンエネルギーとして注目されている水素燃料電池の開発及び需要が増大しているなかで、自動車分野の場合、燃料電池に対する安定性確保とともに、熱電材料を利用して廃熱を利用したエネルギー源を生産する研究が必要であり、宇宙航空分野、すなわち衛星、往復船などでも水素電池を使用しているので、これに適した水素センサーの開発が必要な実情であり、水素センサーの適用をマイクロ回路製造技術のうちの1つであるMEMS(micro electro mechanical systems)技術と連携してセンサーの小型化、高感度化、大量生産方案などに対する研究が必要である。
本発明の目的は、温度変化によって起電力(electromotive force)が生じる原理を利用し、感知しようとするガスに反応する多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体の変化を通じて所望の種類の多様なガスを感知することができ、ガスを感知することによって現われる温度、微細な起電力の変化を確認することができるので、ガスを利用した熱電性能指数の評価にも活用が可能な、熱化学ガスセンサーを提供することにある。
本発明の他の目的は、合成方法として低価な湿式電解蒸着法を利用するので、費用の高い高真空及び高温工程を排除し、室温でセンサーを製作することによって、素子当たりの適用素材の量を最小化することができるので、価格競争力を確保することができる熱化学ガスセンサーの製造方法を提供することにある。
本発明は、前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレートと、前記多孔性アルミナテンプレートの後面に設けられ、複数の気孔を覆う、電気伝導性を有するシード層と、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に接触し、前記複数の気孔内に設けられた複数のカルコゲナイド系ナノ線と、前記カルコゲナイド系ナノ線と接触しながら前記多孔性アルミナテンプレートの前面に設けられた電極と、前記電極と電気的に連結される電極線と、前記電極の上部に設けられ、感知しようとするガスと接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体とを含み、前記カルコゲナイド系ナノ線は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなる熱化学ガスセンサーを提供する。
前記シード層は、10〜1000nmの厚さを有することができ、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属よりなることができる。
前記気孔は、10〜1000nmの平均直径を有することができ、カルコゲナイド系ナノ線は、前記気孔の平均直径より小さい1〜500nmの平均直径を有することができる。
前記カルコゲナイド系ナノ線の長さは、前記気孔の深さと同じかまたは小さくて、前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、複数のマクロ気孔と複数のメソ気孔を有する多孔性物質であることができる。
また、本発明は、前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレートと、前記多孔性アルミナテンプレートの後面に設けられ、複数の気孔を覆う、電気伝導性を有するシード層と、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に接触し、前記複数の気孔内に設けられた複数のP型カルコゲナイド系ナノ線と、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に接触し、前記複数の気孔内に設けられた複数のN型カルコゲナイド系ナノ線と、前記P型カルコゲナイド系ナノ線及び前記N型カルコゲナイド系ナノ線と接触しながら前記多孔性アルミナテンプレートの前面に設けられた電極と、前記電極と電気的に連結される電極線と、前記電極の上部に設けられ、感知しようとするガスと接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体とを含み、前記P型カルコゲナイド系ナノ線は、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなり、前記N型カルコゲナイド系ナノ線は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)よりなる熱化学ガスセンサーを提供する。
前記シード層は、10〜1000nmの厚さを有することができ、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属よりなることができる。
前記気孔は、10〜1000nmの平均直径を有することができ、カルコゲナイド系ナノ線は前記気孔の平均直径より小さい1〜500nmの平均直径を有することができる。
前記カルコゲナイド系ナノ線の長さは、前記気孔の深さと同じかまたは小さくて、前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、複数のマクロ気孔と複数のメソ気孔を有する多孔性物質であることができる。
また、本発明は、前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレートを準備し、前記多孔性アルミナテンプレートの後面に複数の気孔を覆う電気伝導性を有するシード層を形成する段階と、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に湿式電解蒸着を利用して複数のカルコゲナイド系ナノ線を成長させて形成する段階と、前記多孔性アルミナテンプレートの前面に前記カルコゲナイド系ナノ線と接触する電極を形成する段階と、前記電極と電気的に連結される電極線を形成する段階と、前記多孔性アルミナテンプレートの前面に形成された前記電極の上部に感知しようとするガスと接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体を形成する段階とを含み、前記カルコゲナイド系ナノ線は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSbx)Te(0<x<1)よりなり、前記湿式電解蒸着は、ビスマス(Bi)前駆体及びアンチモン(Sb)前駆体のうちから選択された1種以上の物質、テルル(Te)前駆体及び酸(acid)を含む電解質を使用し、前記酸(acid)は、前記ビスマス(Bi)前駆体及びアンチモン(Sb)前駆体のうちから選択された1種以上の物質と前記テルル(Te)前駆体を溶解することができる物質であることを特徴とする熱化学ガスセンサーの製造方法を提供する。
前記ビスマス(Bi)前駆体は、Bi(NO・5HOであり、前記アンチモン(Sb)前駆体は、Sbであり、前記テルル(Te)前駆体は、TeOであり、前記酸(acid)は、HNOであることができる。
カルコゲナイド系ナノ線がSbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなる場合、カルコゲナイド系ナノ線を成長させた後、前記電極を形成する段階の前に、カルコゲナイド系ナノ線に対して100〜300℃の温度で熱処理を行うことができる。
前記シード層は、10〜1000nmの厚さに形成し、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属を使用することが好ましい。
前記電極は、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属を電気メッキして形成し、前記電気メッキは、マグネチックバーを利用して撹拌しながら整流器を利用して2電極システムに電流を印加して行うことができる。
前記気孔は、10〜1000nmの平均直径を有し、カルコゲナイド系ナノ線は、前記気孔の平均直径より小さい1〜500nmの平均直径を有するように形成され、カルコゲナイド系ナノ線の長さは、前記気孔の深さと同じかまたは小さく形成されることができる。
前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体の製造は、スチレンと蒸留水の混合溶液を形成する段階と、前記混合溶液にポタシウムペルサルフェートを追加してポリスチレン溶液を合成する段階と、前記ポリスチレン溶液を乾燥してコロイド結晶形態に形成する段階と、白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液を合成する段階と、乾燥して形成されたコロイド結晶を白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液に浸漬する段階と、白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液に浸漬したコロイド結晶を乾燥及びか焼し、ポリスチレンコロイド結晶を除去する段階とを含むことができ、前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、複数のマクロ気孔と複数のメソ気孔を有するように形成されることが好ましい。
また、本発明は、前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレートを準備し、前記多孔性アルミナテンプレートの後面に対してカルコゲナイド系ナノ線を形成する部分以外の領域をマスキングし、露出した部分に複数の気孔を覆う電気伝導性を有するシード層を形成する段階と、前記多孔性アルミナテンプレートの前面にN型カルコゲナイド系ナノ線が形成される領域を第1マスクで遮蔽し、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に湿式電解蒸着を利用して複数のP型カルコゲナイド系ナノ線を成長させて形成する段階と、前記P型カルコゲナイド系ナノ線が形成された領域を第2マスクで遮蔽し、前記第1マスクが除去されて前記複数の気孔を通じて露出したシード層に湿式電解蒸着を利用して複数のN型カルコゲナイド系ナノ線を成長させて形成する段階と、前記多孔性アルミナテンプレートの前面に前記P型カルコゲナイド系ナノ線及び前記N型カルコゲナイド系ナノ線と接触する電極を形成する段階と、前記電極と電気的に連結される電極線を形成する段階と、前記多孔性アルミナテンプレートの前面に形成された前記電極の上部に感知しようとするガスと接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体を形成する段階とを含み、前記P型カルコゲナイド系ナノ線は、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te3(0<x<1)よりなり、前記N型カルコゲナイド系ナノ線は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)よりなり、前記P型カルコゲナイド系ナノ線形成のための前記湿式電解蒸着は、アンチモン(Sb)前駆体またはアンチモン(Sb)前駆体とビスマス(Bi)前駆体、テルル(Te)前駆体及び酸(acid)を含む電解質を使用し、前記N型カルコゲナイド系ナノ線形成のための前記湿式電解蒸着は、ビスマス(Bi)前駆体、テルル(Te)前駆体及び酸(acid)を含む電解質を使用し、前記酸(acid)は、アンチモン(Sb)前駆体、ビスマス(Bi)前駆体及びテルル(Te)前駆体を溶解することができる物質であることを特徴とする熱化学ガスセンサーの製造方法を提供する。
前記ビスマス(Bi)前駆体は、Bi(NO・5HOであり、前記アンチモン(Sb)前駆体は、Sbであり、前記テルル(Te)前駆体は、TeOであり、前記酸(acid)は、HNOであることができる。
カルコゲナイド系ナノ線がSbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなる場合、カルコゲナイド系ナノ線を成長させた後、前記電極を形成する段階の前に、カルコゲナイド系ナノ線に対して100〜300℃の温度で熱処理を行うことができる。
前記シード層は、10〜1000nmの厚さに形成し、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属を使用することが好ましい。
前記電極は、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属を電気メッキして形成し、前記電気メッキは、マグネチックバーを利用して撹拌しながら整流器を利用して2電極システムに電流を印加して行うことができる。
前記気孔は、10〜1000nmの平均直径を有し、カルコゲナイド系ナノ線は、前記気孔の平均直径より小さい1〜500nmの平均直径を有するように形成され、カルコゲナイド系ナノ線の長さは、前記気孔の深さと同じかまたは小さく形成されることができる。
前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体の製造は、スチレンと蒸留水の混合溶液を形成する段階と、前記混合溶液にポタシウムペルサルフェートを追加してポリスチレン溶液を合成する段階と、前記ポリスチレン溶液を乾燥し、コロイド結晶形態に形成する段階と、白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液を合成する段階と、乾燥して形成されたコロイド結晶を白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液に浸漬する段階と、白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液に浸漬したコロイド結晶を乾燥及びか焼し、ポリスチレンコロイド結晶を除去する段階とを含むことができ、前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、複数のマクロ気孔と複数のメソ気孔を有するように形成されることが好ましい。
本発明の熱化学ガスセンサーは、湿式電解蒸着法を通じて多孔性アルミナテンプレート(alumina template)内に熱電物質として知られたカルコゲナイド系ナノ線を選択的にメッキして単一型熱電素子を形成するか、または熱電特性が極大化されたP−N接合型熱電素子を形成し、感知しようとするガスと接触して発熱反応する多孔性触媒−アルミナ複合体を結合して製造することができ、本発明の熱化学ガスセンサーは、ガスをセンシングすることができると共に、ガスセンシング特性を確認して評価することができる新しいタイプの熱電ナノ線アレイ基盤の熱化学ガスセンサーである。
本発明の熱化学ガスセンサーは、広い比表面積、独特の電気的、光学的特徴などを有するカルコゲナイド系ナノ線が適用された熱電水素ガスセンサーとして使用することができる。
カルコゲナイド系ナノ線を形成するBiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)は、常温領域で高い熱電特性を示す物質であって、湿式電解蒸着法を利用して容易に合成することができる。湿式電解蒸着法を利用すれば、作動温度によってそれに適合する温度範囲で熱電特性を示す熱電物質を容易に合成することができる。
本発明によれば、温度変化によって起電力(electromotive force)が生じる原理を利用して、感知しようとするガス(例えば、水素ガス)に反応する多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体の変化を通じて所望の種類の多様なガスを感知することができる。また、ガスを感知することによって現われる温度、微細な起電力の変化を確認することができるので、ガスを利用した熱電性能指数評価にも活用が可能である。
本発明による熱化学ガスセンサーの製造方法は、合成方法として低価な湿式電解蒸着法を利用するので、費用の高い高真空及び高温工程を排除して室温でセンサーを製作することによって、素子当たり適用素材の量を最小化することができるので、価格競争力を確保することができる。
また、未来のクリーンエネルギーとして注目されている水素燃料電池の開発及び需要が増大しているなかで、自動車分野の場合、燃料電池に対する安定性確保とともに、熱電材料を利用して廃熱を利用したエネルギー源の生産まで可能なものと判断される。
また、宇宙航空分野、すなわち衛星、往復船などでも水素電池を使用しているので、これに適した水素センサーの開発が必要であり、水素センサーの適用をマイクロ回路製造技術のうちの1つであるMEMS(micro electro mechanical systems)技術と連携してセンサーの小型化、高感度化、大量生産方案などを研究する必要があるが、本発明で製作する熱化学ガスセンサーの小型化と共に、インクジェットプリンティングなどを用いた触媒の集積化塗布技術開発を通じて、MEMS技術に適用できると判断される。
本発明の好ましい第1実施例による単一型熱電素子を利用した熱化学ガスセンサーの製作過程を説明するために概略的に示す図である。 本発明の好ましい第1実施例による単一型熱電素子を利用した熱化学ガスセンサーの製作過程を説明するために概略的に示す図である。 本発明の好ましい第1実施例による単一型熱電素子を利用した熱化学ガスセンサーの製作過程を説明するために概略的に示す図である。 本発明の好ましい第1実施例による単一型熱電素子を利用した熱化学ガスセンサーの製作過程を説明するために概略的に示す図である。 本発明の好ましい第2実施例によるP−N接合型熱電素子を利用した熱化学ガスセンサーの製作過程を説明するために概略的に示す図である。 本発明の好ましい第2実施例によるP−N接合型熱電素子を利用した熱化学ガスセンサーの製作過程を説明するために概略的に示す図である。 本発明の好ましい第2実施例によるP−N接合型熱電素子を利用した熱化学ガスセンサーの製作過程を説明するために概略的に示す図である。 本発明の好ましい第2実施例によるP−N接合型熱電素子を利用した熱化学ガスセンサーの製作過程を説明するために概略的に示す図である。 本発明の好ましい第2実施例によるP−N接合型熱電素子を利用した熱化学ガスセンサーの製作過程を説明するために概略的に示す図である。 本発明の好ましい第2実施例によるP−N接合型熱電素子を利用した熱化学ガスセンサーの製作過程を説明するために概略的に示す図である。 実施例1によって多孔性アルミナテンプレート内に湿式電解蒸着法でBiTeナノ線を形成し、多孔性アルミナテンプレートを断面で切った後に観察した光学顕微鏡写真である。 実施例1によって多孔性アルミナテンプレート内に湿式電解メッキ法でBiTeナノ線を合成する場合にメッキ時間によるBiTeナノ線の長さを観察して示すグラフである。 実施例2によって多孔性アルミナテンプレート内に湿式電解メッキ法でSbTeナノ線を合成し、多孔性アルミナテンプレートを断面で切った後に観察した光学顕微鏡写真である。 実施例2によって多孔性アルミナテンプレート内に湿式電解メッキ法でSbTeナノ線を合成する場合にメッキ時間によるSbTeナノ線の長さを観察して示すグラフである。 実施例1によって湿式電解メッキ法で合成されたBiTeyナノ線のX線回折測定結果を示すグラフである。 実施例1によって湿式電解メッキ法で合成されたBiTeyナノ線のX線回折測定結果を示すグラフである。 実施例2によって湿式電解メッキ法で合成されたSbTeナノ線のX線回折(XRD)測定結果を示すグラフである。 実施例1によって湿式電解メッキ法で合成されたBiTeナノ線のFE−SEMイメージ(image)とEDS(Energy dispersive spectroscopy)分析を示す図である。 実施例2によって湿式電解メッキ法で合成されたSbTeナノ線の熱処理(annealing)前及び後のFE−SEMイメージ(image)とEDS分析を示す図である。 実施例1によってBiTeナノ線で構成した単一型熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたときに水素濃度による多孔性白金−アルミナ複合体の温度変化を示すグラフである。 実施例1によってBiTeナノ線で構成した単一型熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたときに水素濃度によって熱電素子で発生する起電力(electromotive force)の変化を示すグラフである。 実施例1によってBiTeナノ線で構成した単一型熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して総1体積%の水素が流れる条件で水素のフローレート(flow rate)の増加による触媒の温度変化を示すグラフである。 実施例1によってBiTeナノ線で構成した単一型熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して総1体積%の水素が流れる条件で水素のフローレートの増加によって熱電素子で発生する起電力の変化を示すグラフである。 実施例2によってP(SbTe)−N(BiTe)接合型ナノ線で構成した熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたときに水素濃度による触媒の温度変化を示すグラフである。 実施例2によってP(SbTe)−N(BiTe)接合型ナノ線で構成した熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたときに水素濃度によって熱電素子で発生する起電力の変化を示すグラフである。 実施例2によってP(SbTe)−N(BiTe)接合型ナノ線で構成した熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたときに1体積%水素が流れる条件で水素のフローレート増加による触媒の温度変化を示すグラフである。 実施例2によってP(SbTe)−N(BiTe)接合型ナノ線で構成した熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたときに1体積%水素が流れる条件で水素のフローレート増加によって熱電素子で発生する起電力の変化を示すグラフである。 実施例2によってP(SbTe)−N(BiTe)接合型ナノ線で構成した熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたときに低濃度での温度変化を示すグラフである。 実施例2によってP(SbTe)−N(BiTe)接合型ナノ線で構成した熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたときに低濃度での起電力変化を示すグラフである。
本発明の好ましい一実施例による熱化学ガスセンサーは、前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレートと、前記多孔性アルミナテンプレートの後面に設けられ、複数の気孔を覆う、電気伝導性を有するシード層と、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に接触し、前記複数の気孔内に設けられた複数のカルコゲナイド系ナノ線と、前記カルコゲナイド系ナノ線と接触しながら前記多孔性アルミナテンプレートの前面に設けられた電極と、前記電極と電気的に連結される電極線と、前記電極の上部に設けられ、感知しようとするガスと接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体とを含み、前記カルコゲナイド系ナノ線は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなる。
本発明の好ましい他の実施例による熱化学ガスセンサーは、前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレートと、前記多孔性アルミナテンプレートの後面に設けられ、複数の気孔を覆う、電気伝導性を有するシード層と、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に接触し、前記複数の気孔内に設けられた複数のP型カルコゲナイド系ナノ線と、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に接触し、前記複数の気孔内に設けられた複数のN型カルコゲナイド系ナノ線と、前記P型カルコゲナイド系ナノ線及び前記N型カルコゲナイド系ナノ線と接触しながら前記多孔性アルミナテンプレートの前面に設けられた電極と、前記電極と電気的に連結される電極線と、前記電極の上部に設けられ、感知しようとするガスと接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体とを含み、前記P型カルコゲナイド系ナノ線は、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなり、前記N型カルコゲナイド系ナノ線は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)よりなる。
本発明の好ましい一実施例による熱化学ガスセンサーの製造方法は、前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレートを準備し、前記多孔性アルミナテンプレートの後面に複数の気孔を覆う電気伝導性を有するシード層を形成する段階と、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に湿式電解蒸着を利用して複数のカルコゲナイド系ナノ線を成長させて形成する段階と、前記多孔性アルミナテンプレートの前面に前記カルコゲナイド系ナノ線と接触する電極を形成する段階と、前記電極と電気的に連結される電極線を形成する段階と、前記多孔性アルミナテンプレートの前面に形成された前記電極の上部に感知しようとするガスと接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体を形成する段階とを含み、前記カルコゲナイド系ナノ線は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなり、前記湿式電解蒸着は、ビスマス(Bi)前駆体及びアンチモン(Sb)前駆体のうちから選択された1種以上の物質、テルル(Te)前駆体及び酸(acid)を含む電解質を使用し、前記酸(acid)は、前記ビスマス(Bi)前駆体及びアンチモン(Sb)前駆体のうちから選択された1種以上の物質と前記テルル(Te)前駆体を溶解することができる物質である。
本発明の好ましい他の実施例による熱化学ガスセンサーの製造方法は、前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレートを準備し、前記多孔性アルミナテンプレートの後面に対してカルコゲナイド系ナノ線を形成する部分以外の領域をマスキングし、露出した部分に複数の気孔を覆う電気伝導性を有するシード層を形成する段階と、前記多孔性アルミナテンプレートの前面にN型カルコゲナイド系ナノ線が形成される領域を第1マスクで遮蔽し、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に湿式電解蒸着を利用して複数のP型カルコゲナイド系ナノ線を成長させて形成する段階と、前記P型カルコゲナイド系ナノ線が形成された領域を第2マスクで遮蔽し、前記第1マスクが除去され、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に湿式電解蒸着を利用して複数のN型カルコゲナイド系ナノ線を成長させて形成する段階と、前記多孔性アルミナテンプレートの前面に前記P型カルコゲナイド系ナノ線及び前記N型カルコゲナイド系ナノ線と接触する電極を形成する段階と、前記電極と電気的に連結される電極線を形成する段階と、前記多孔性アルミナテンプレートの前面に形成された前記電極の上部に感知しようとするガスと接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体を形成する段階とを含み、前記P型カルコゲナイド系ナノ線は、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなり、前記N型カルコゲナイド系ナノ線は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)よりなり、前記P型カルコゲナイド系ナノ線形成のための前記湿式電解蒸着は、アンチモン(Sb)前駆体またはアンチモン(Sb)前駆体とビスマス(Bi)前駆体、テルル(Te)前駆体及び酸(acid)を含む電解質を使用し、前記N型カルコゲナイド系ナノ線形成のための前記湿式電解蒸着は、ビスマス(Bi)前駆体、テルル(Te)前駆体及び酸(acid)を含む電解質を使用し、前記酸(acid)は、アンチモン(Sb)前駆体、ビスマス(Bi)前駆体及びテルル(Te)前駆体を溶解することができる物質である。
以下、添付の図面を参照して本発明による好ましい実施例を詳細に説明する。しかし、以下の実施例は、当該技術分野における通常の知識を有する者に本発明が充分に理解されるように提供されるものであって、様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が次に記述される実施例に限定されるものではない。
以下では、ナノというのは、ナノメートル(nm)単位のサイズであって、1〜1,000nmのサイズを意味するものとして使用し、ナノ線(nanowire)は、直径が1〜1,000nmのサイズを有するワイヤ(wire)を意味するものとして使用する。
多孔体の気孔は、IUPAC(Internationalunion of Pureand Applied Chemistry)定義によれば、多孔性物質の気孔直径によって3種に分けられ、マイクロ気孔(micropore)は、気孔直径が2nm以下、メソ気孔(mesopore)は、気孔直径が2〜50nm、マクロ気孔(macropore)は、50nm以上のものとして定義されている。以下で、マクロ気孔は、IUPACによって気孔直径が50nm以上のものを意味し、メソ気孔は、IUPACによって気孔直径が2〜50nmのものを意味するものとして使用する。
本発明は、カルコゲナイド系ナノ線よりなる熱電素子を基盤とする熱化学ガスセンサー及びその製造方法を提示する。
本発明の熱化学ガスセンサーは、湿式電解蒸着(electrodeposition)を通じて多孔性の陽極酸化アルミナテンプレート(anodic alumina template)内に熱電物質として知られたカルコゲナイド系ナノ線を選択的にメッキして単一型熱電素子を形成するか、熱電特性が極大化されたP−N接合型熱電素子を形成し、感知しようとするガスと接触して発熱反応する多孔性触媒−アルミナ複合体(多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体)を結合して製造する。本発明の熱化学ガスセンサーは、ガスをセンシングすることができるとともに、ガスセンシング特性を確認して評価することができる新しいタイプの熱電ナノ線アレイ基盤の熱化学ガスセンサーである。
本発明の好ましい第1実施例による熱化学ガスセンサーは、前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレート(porous alumina template)と、前記多孔性アルミナテンプレートの後面に設けられ、複数の気孔を覆う、電気伝導性を有するシード層(seed layer)と、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に接触し、前記複数の気孔内に設けられた複数のカルコゲナイド系ナノ線(chalcogenide nanowire)と、前記カルコゲナイド系ナノ線と接触しながら前記多孔性アルミナテンプレートの前面に設けられた電極と、前記電極と電気的に連結される電極線と、前記電極の上部に設けられ、感知しようとするガス(例えば、水素ガス)と接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体とを含み、前記カルコゲナイド系ナノ線は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなる。
本発明の好ましい第2実施例による熱化学ガスセンサーは、前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレートと、前記多孔性アルミナテンプレートの後面に設けられ、複数の気孔を覆う、電気伝導性を有するシード層と、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に接触し、前記複数の気孔内に設けられた複数のP型カルコゲナイド系ナノ線と、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に接触し、前記複数の気孔内に設けられた複数のN型カルコゲナイド系ナノ線と、前記P型カルコゲナイド系ナノ線及び前記N型カルコゲナイド系ナノ線と接触しながら前記多孔性アルミナテンプレートの前面に設けられた電極と、前記電極と電気的に連結される電極線と、前記電極の上部に設けられ、感知しようとするガス(例えば、水素ガス)と接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体とを含み、前記P型カルコゲナイド系ナノ線は、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなり、前記N型カルコゲナイド系ナノ線はBiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)よりなる。
前記シード層は、10〜1000nmの厚さを有することができ、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属よりなることができる。
前記気孔は、10〜1000nmの平均直径を有することができ、カルコゲナイド系ナノ線は、前記気孔の平均直径より小さい1〜500nmの平均直径を有することができる。
前記カルコゲナイド系ナノ線の長さは、前記気孔の深さと同じかまたは小さくすることができる。
前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、複数のマクロ気孔と複数のメソ気孔を有する多孔性物質であることができる。
前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体においてアルミナは、γ−アルミナであることができる。
前記多孔性白金−アルミナ複合体は、感知しようとするガスとの発熱反応を考慮して0.1〜12体積%の白金(Pt)と88〜99.9体積%のアルミナ(alumina)を含む物質であることができ、前記多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、感知しようとするガスとの発熱反応を考慮して0.1〜12体積%のパラジウム(Pd)と88〜99.9体積%のアルミナ(alumina)を含む物質であることができる。
以下では、本発明の好ましい第1実施例による熱化学ガスセンサーの製造方法を具体的に説明する。図1〜図4は、本発明の好ましい第1実施例による単一型熱電素子を利用した熱化学ガスセンサーの製作過程を説明するために概略的に示す図である。
図1〜図4を参照する。前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔12が設けられた多孔性アルミナテンプレート10を準備する。前記気孔12は、10〜1000nmの平均直径を有することが好ましい。
前記多孔性アルミナテンプレート10の後面に複数の気孔を覆う電気伝導性を有するシード層20を形成する。前記シード層20は、10〜1000nmの厚さに形成し、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属を使用することが好ましい。前記シード層20は、多様な方式で蒸着して形成することができ、例えば、スパッタリング(sputtering)方式を利用して形成することができる。シード層20は、多孔性アルミナテンプレート10の後面の気孔12を覆うように形成される。
多孔性アルミナテンプレート前面の前記複数の気孔12を通じて露出したシード層20に湿式電解蒸着を利用して複数のカルコゲナイド系ナノ線30を成長させる。
前記カルコゲナイド系ナノ線30は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなることができる。
本発明では、低費用でかつ容易にナノ構造体を合成することができる湿式電解蒸着法を利用して多孔性アルミナテンプレート10内にカルコゲナイド系ナノ線30を形成する。
湿式電解蒸着法は、安価な費用と容易な方法で所望の種類と組成を有するカルコゲナイド系ナノ線30を均一な長さで合成することができる方法であって、ナノスケールであるためセンサーの小型化まで可能であるという長所があり、熱電材料基盤の水素ガスセンサーは、水素を感知することができる濃度領域帯が広くて、繰り返し水素ガスに露出しても、熱電材料に相変化のような物理/化学的変化を伴わないという長所がある。また、多孔性アルミナテンプレート10の気孔12とメッキ条件などを調節することによって、所望の直径、長さそして組成を有するカルコゲナイド系ナノ線30を合成することができる。
前記湿式電解蒸着は、ビスマス(Bi)前駆体及びアンチモン(Sb)前駆体のうちから選択された1種以上の物質、テルル(Te)前駆体及び酸(acid)を含む電解質を使用し、前記酸(acid)は、前記ビスマス(Bi)前駆体及びアンチモン(Sb)前駆体のうちから選択された1種以上の物質と前記テルル(Te)前駆体を溶解することができる物質である。前記湿式電解蒸着は、例えば整流器を利用して2電極または3電極システムに電圧を印加して行うことができる。
前記ビスマス(Bi)前駆体は、Bi(NO・5HOであり、前記アンチモン(Sb)前駆体は、Sbであり、前記テルル(Te)前駆体は、TeOであり、前記酸(acid)は、HNOであることができる。
カルコゲナイド系ナノ線30がSbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなる場合に、カルコゲナイド系ナノ線30を成長させた後、前記電極40を形成する前に、カルコゲナイド系ナノ線30に対して100〜300℃の温度で熱処理を行うことができる。
カルコゲナイド系ナノ線30は、気孔12の平均直径より小さい1〜500nmの平均直径を有するように形成することが好ましく、カルコゲナイド系ナノ線30の長さは、前記気孔12の深さと同じかまたは小さく形成することができる。
前記多孔性アルミナテンプレート10の前面に前記カルコゲナイド系ナノ線30と接触する電極40を形成する。前記電極40は、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属を電気メッキして形成し、前記電気メッキは、マグネチックバーを利用して撹拌しながら整流器を利用して2電極システムに電流を印加して行うことができる。
前記電極40と電気的に連結される電極線を形成する。前記電極線は、熱電素子の特性評価などのためにシード層に電気的に連結されてもよい。前記電極線は、例えば、シルバーペースト(silver paste)を利用して銅導線に形成することができる。
前記多孔性アルミナテンプレート10の前面に形成された前記電極40の上部に感知しようとするガス(例えば、水素ガス)と接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体を形成する。前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体においてアルミナは、γ−アルミナであってもよい。前記多孔性白金−アルミナ複合体は、感知しようとするガスとの発熱反応を考慮して0.1〜12体積%の白金(Pt)と88〜99.9体積%のアルミナ(alumina)を含む物質であってもよく、前記多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、感知しようとするガスとの発熱反応を考慮して0.1〜12体積%のパラジウム(Pd)と88〜99.9体積%のアルミナ(alumina)を含む物質であってもよい。
以下では、多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体を製造する方法を説明する。
スチレンと蒸留水の混合溶液を作って、前記混合溶液にポタシウムペルサルフェートを追加してポリスチレン溶液を合成した後、前記ポリスチレン溶液を乾燥し、コロイド結晶形態に作る。白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液を合成し、乾燥して形成されたコロイド結晶を白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液に浸漬した後、前記白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液に浸漬したコロイド結晶を乾燥及びか焼し、ポリスチレンコロイド結晶を除去する。
白金−アルミナ複合体前駆体溶液は、アルミニウムイソプロポキサイド(C21Al)及び塩化白金酸(HPtCl)を含む溶液であってもよく、パラジウム−アルミナ複合体前駆体溶液は、アルミニウムイソプロポキサイド(C21Al)及び塩化パラジウム酸(HPdCl)を含む溶液であってもよい。
このように製造された多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、複数のマクロ気孔と複数のメソ気孔を有する多孔性物質であり、感知しようとするガス(例えば、水素ガス)と接触して発熱反応を起こす。
前述した多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体の製造方法は、ポリスチレンコロイド結晶を鋳型剤とし、これを除去することによって、規則的な配列を有するマクロ気孔を作ることができる。このようなマクロ気孔とアルミナ固有のメソ気孔が一緒に形成されて作用するマクロ−メソ気孔を有する白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体を合成することができる。白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体にマクロ−メソ気孔を形成することによって、分子拡散速度を増加させて、速い応答特性、高敏感性を有することができる。
ポリスチレン溶液には、ポリスチレンがビーズ形態で存在し、このビーズのサイズは、反応時間と関連がある。マクロ気孔のサイズは、コロイド結晶のサイズ、したがってビーズのサイズと関連し、反応時間、ポタシウムペルサルフェートの量、蒸留水とスチレンの比率などを調節し、ビーズのサイズを調節することによって、マクロ気孔のサイズを制御することができる。
以下では、本発明の好ましい第2実施例による熱化学ガスセンサーの製造方法を具体的に説明する。図5〜図10は、本発明の好ましい第2実施例によるP−N接合型熱電素子を利用した熱化学ガスセンサーの製作過程を説明するために概略的に示す図である。図10は、図9のA−A’に沿う断面図である。
図5〜図10を参照する。前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔12が設けられた多孔性アルミナテンプレート10を準備する。前記気孔12は、10〜1000nmの平均直径を有することが好ましい。
前記多孔性アルミナテンプレート10の後面に対してカルコゲナイド系ナノ線を形成する部分以外の領域をマスキングし、露出した部分に複数の気孔を覆う電気伝導性を有するシード層20を形成する。前記シード層20は、10〜1000nmの厚さに形成し、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属を使用することが好ましい。前記シード層20は、多様な方式で蒸着して形成することができ、例えばスパッタリング(sputtering)方式を利用して形成することができる。シード層20は、多孔性アルミナテンプレート10後面の気孔12を覆うように形成される。
前記多孔性アルミナテンプレート10の前面にN型カルコゲナイド系ナノ線60が形成されるべき領域を第1マスクで遮蔽し、多孔性アルミナテンプレート前面の前記複数の気孔12を通じて露出したシード層20に湿式電解蒸着を利用して複数のP型カルコゲナイド系ナノ線50を成長させて形成する。
前記P型カルコゲナイド系ナノ線50が形成された領域を第2マスクで遮蔽し、前記第1マスクが除去され、前記複数の気孔12を通じて露出したシード層20に湿式電解蒸着を利用して複数のN型カルコゲナイド系ナノ線60を成長させて形成する。
前記P型カルコゲナイド系ナノ線50は、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなり、前記N型カルコゲナイド系ナノ線60は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)よりなることができる。
本発明では、低費用で且つ容易にナノ構造体を合成することができる湿式電解蒸着法を利用して多孔性アルミナテンプレート10内にカルコゲナイド系ナノ線を形成する。
湿式電解蒸着法は、安価な費用と容易な方法で所望の種類と組成を有するカルコゲナイド系ナノ線を均一な長さで合成することができる方法であって、ナノスケールであるためセンサーの小型化まで可能であるという長所があり、熱電材料基盤の水素ガスセンサーは、水素を感知することができる濃度領域帯が広くて、繰り返し水素ガスに露出しても、熱電材料に相変化のような物理/化学的変化を伴わないという長所がある。また、多孔性アルミナテンプレート10の気孔12とメッキ条件などを調節することによって、所望の直径、長さ及び組成を有するカルコゲナイド系ナノ線を合成することができる。
前記P型カルコゲナイド系ナノ線50を形成するための前記湿式電解蒸着は、アンチモン(Sb)前駆体またはアンチモン(Sb)前駆体とビスマス(Bi)前駆体、テルル(Te)前駆体及び酸(acid)を含む電解質を使用し、前記N型カルコゲナイド系ナノ線60を形成するための前記湿式電解蒸着は、ビスマス(Bi)前駆体、テルル(Te)前駆体及び酸(acid)を含む電解質を使用し、前記酸(acid)は、アンチモン(Sb)前駆体、ビスマス(Bi)前駆体及びテルル(Te)前駆体を溶解することができる物質である。前記湿式電解蒸着は、例えば整流器を利用して2電極または3電極システムに電圧を印加して行うことができる。
前記ビスマス(Bi)前駆体は、Bi(NO・5HOであり、前記アンチモン(Sb)前駆体は、Sbであり、前記テルル(Te)前駆体は、TeOであり、前記酸(acid)は、HNOであることができる。
カルコゲナイド系ナノ線がSbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなる場合に、カルコゲナイド系ナノ線を成長させた後、前記電極40を形成する前に、カルコゲナイド系ナノ線に対して100〜300℃の温度で熱処理を行うことができる。
カルコゲナイド系ナノ線は、気孔12の平均直径より小さい1〜500nmの平均直径を有するように形成することが好ましく、カルコゲナイド系ナノ線の長さは、前記気孔12の深さと同じかまたは小さく形成することができる。
前記多孔性アルミナテンプレート10の前面に前記P型カルコゲナイド系ナノ線50及び前記N型カルコゲナイド系ナノ線60と接触する電極40を形成する。前記電極40は、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属を電気メッキして形成し、前記電気メッキは、マグネチックバーを利用して撹拌しながら整流器を利用して2電極システムに電流を印加して行うことができる。
前記電極40と電気的に連結される電極線を形成する。前記電極線は、熱電素子の特性評価などのためにシード層に電気的に連結されてもよい。前記電極線は、例えば、シルバーペースト(silver paste)を利用して銅導線に形成することができる。
前記多孔性アルミナテンプレート10の前面に形成された前記電極40の上部に感知しようとするガス(例えば、水素ガス)と接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体を形成する。前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体においてアルミナは、γ−アルミナであることができる。前記多孔性白金−アルミナ複合体は、感知しようとするガスとの発熱反応を考慮して0.1〜12体積%の白金(Pt)と88〜99.9体積%のアルミナ(alumina)を含む物質であることができ、前記多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、感知しようとするガスとの発熱反応を考慮して0.1〜12体積%のパラジウム(Pd)と88〜99.9体積%のアルミナ(alumina)を含む物質であることができる。前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、前述した方法と同一の方法で形成することができるので、ここではその説明を省略する。
本発明のカルコゲナイド系ナノ線を利用した熱化学ガスセンサーは、温度変化によって起電力(electromotive force)が生じる原理を利用したものであって、水素の場合は、多孔性触媒−アルミナ複合体(多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体)との酸化、発熱反応(exothermic reaction)によって副産物(by−product)で水が発生しながら多孔性触媒−アルミナ複合体に熱が発生し、この熱が熱電材料であるカルコゲナイド系ナノ線に伝達され、起電力が発生するようになる。
カルコゲナイド系ナノ線を形成するBiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)は、常温領域で高い熱電特性示す物質であって、湿式電解蒸着法を利用して容易に合成することができる。湿式電解蒸着法を利用すれば、作動温度によってそれに相当する温度範囲で熱電特性を示す熱電物質を容易に合成することができる。
また、感知しようとするガス(例えば、水素ガス)に反応する多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体の変化を通じて所望の種類の多様なガスを感知することができる。また、ガスを感知することによって現われる温度、微細な起電力変化を確認することができるので、ガスを利用した熱電性能指数評価方法としての活用が可能である。
本発明による熱化学ガスセンサーの製造方法は、合成方法として低価な湿式電解蒸着法を利用したので、費用が高い高真空及び高温工程を排除し、室温でセンサーを製作することで素子当たりの適用素材の量を最小化することができるので、価格競争力を確保することができる。
また、未来のクリーンエネルギーとして注目されている水素燃料電池の開発及び需要が増大するなかで、自動車分野の場合、燃料電池に対する安定性確保とともに、熱電材料を利用して廃熱を利用したエネルギー源の生産まで可能なものと判断される。
また、宇宙航空分野、すなわち衛星、往復船などでも水素電池を使用しているので、これに適した水素センサーの開発が必要であり、水素センサーの適用をマイクロ回路製造技術のうちの1つであるMEMS(micro electro mechanical systems)技術と連携してセンサーの小型化、高感度化、大量生産方案などを研究する必要があり、本発明で製作する熱化学ガスセンサーの小型化と共に、インクジェットプリンティングなどを用いた触媒の集積化塗布技術開発を通じて、MEMS技術に適用できると判断される。
以下では、本発明による実施例を具体的に提示し、次に提示する実施例によって本発明が限定されるものではない。
<実施例1>
本実施例では、熱化学ガスセンサーの製作のために、12mmの直径と、200nmの気孔(pore)サイズを有する多孔性アルミナテンプレートをセンサーの母体(matrix)として使用し、多孔性アルミナテンプレート内にカルコゲナイド系ナノ線を形成するために湿式電解蒸着法(electrodeposition)を使用した。
多孔性アルミナテンプレート内に単一型熱電素子を作るためにアルミナテンプレートの後面にスパッタリング(sputtering)工程を行い、金(gold)シード層(seedlayer)を形成した。このように形成された金シード層の高さは、約200nmと確認された。
多孔性アルミナテンプレート前面の気孔を通じて露出した金シード層に定電圧整流器を使用して3電極(electrode)システムで75mVの電圧を印加しながら8時間電気メッキを行い、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)ナノ線を成長させて形成した。この際の電解質(electrolyte)は、1MのHNO、70mMのBi(NO・5HO、10mMのTeOが混合されたものを使用した。
前記BiTeナノ線と接触する電極を形成した。前記電極は、金(gold)層を電気メッキする方式で作った。電極形成のための電気メッキは、マグネチックバーを利用して250rpmで撹拌しながら定電圧整流器を利用して2電極システムで1mAの電流を印加しながら進行した。
水素センシングに先立って、熱電素子で発生する起電力を測定するナノボルトメーター(Nanovoltmeter)装備との連結のために電極とシード層にシルバーペースト(silver paste)を利用して銅導線を連結した。
銅導線が形成された電極の上部に多孔性白金−アルミナ複合体を形成した。前記多孔性白金−アルミナ複合体は、2体積%の白金(Pt)と98体積%のγ−アルミナよりなる触媒であって、0.05gを電極の上部に直接塗布した。均一な熱伝逹のために、前記多孔性白金−アルミナ複合体は、電極が形成された結果物の上に均一に広げて塗布した。
前記多孔性白金−アルミナ複合体は、次のような過程を通じて製造した。
まず、マクロ気孔を形成するポリスチレンビーズを製造した。10mlのスチレンを0.1Mの水酸化ナトリウム(NaOH)水溶液10mlで5回洗浄し、引き続いて、蒸留水10mlで5回洗浄した。同時に、蒸留水100mlを三口フラスコに入れ、窒素雰囲気で70℃に加熱した。次に、あらかじめ洗浄したスチレン10mlを70℃の蒸留水に入れて撹拌した。引き続いて、ポタシウムペルサルフェート0.04gをスチレンと蒸留水混合溶液に入れ、窒素雰囲気で70℃を維持しつつ28時間撹拌し、ポリスチレンがビーズ形状で存在する溶液を合成した。
アルミニウムイソプロポキサイド(C21Al)2.0425gを80℃の18mlの蒸留水に入れて1時間撹拌した。これに10重量%の硝酸(HNO)を添加し、混合物のpHを5.5に維持させ、90℃の温度で5時間撹拌した。温度を低めて、塩化白金酸(HPtCl)1.303mlを添加した後、1時間撹拌し、白金−アルミナ複合体のための前駆体溶液を合成した。
合成されたポリスチレン溶液を4000rpmで3時間遠心分離した後、乾燥し、コロイド結晶を形成した。このようにして得られたコロイド結晶を、先立って合成した白金−アルミナ複合体の前駆体溶液に1時間浸漬した。その後、コロイド結晶を白金−アルミナ複合体の前駆体溶液から取り出し、周辺に残っている過剰な前駆体を掃除した後、100℃で12時間乾燥した。乾燥後、600℃で6時間か焼し、鋳型剤であるポリスチレンコロイド結晶を除去し、多孔性白金−アルミナ複合体を形成した。
<実施例2>
本実施例では、熱化学ガスセンサーの製作のために、12mmの直径と、200nmの気孔(pore)サイズを有する多孔性アルミナテンプレートをセンサーの母体(matrix)として使用し、多孔性アルミナテンプレート内にカルコゲナイド系ナノ線を形成するために、湿式電解蒸着法(electrodeposition)を使用した。
多孔性アルミナテンプレート内にP−N接合型熱電素子を作る工程を行った。
まず、ステンシル(stencil)を利用してナノ線をメッキする部分を除いて、マスキング(masking)した後、露出した部分にスパッタ工程を行い、金シード層を形成した。このように形成された金シード層の高さは、約200nmと確認された。
次は、P型SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)ナノ線を合成するために、N型BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)ナノ線が合成される部分をマイクロストップ(Microstop)を使用してマスキングし、多孔性アルミナテンプレート前面の気孔を通じて露出した金シード層に定電圧整流器を使用して3電極システムで−0.17Vの電圧を印加しながら5時間メッキを進行し、多孔性アルミナテンプレート前面の気孔を通じて露出した金シード層にSbTeナノ線を成長させて形成した。この際の電解質は、1MのHNO、5mMのSb、10mMのTeO、0.5MのCが混合されたものを使用した。
BiTeナノ線を合成するためにSbTeナノ線が合成された部分をマイクロストップ(Microstop)を使用してマスキングし、120rpmで撹拌しながら8時間定電圧整流器を使用して3電極システムで75mVの電圧を印加しながら多孔性アルミナテンプレート前面の気孔を通じて露出した金シード層にBiTeナノ線を成長させて形成した。この際の電解質は、1MのHNO、70mMのBi(NO・5HO、10mMのTeOが混合されたものを使用した。
SbTeナノ線とBiTeナノ線と接触する電極を形成した。前記電極は、金(gold)層を電気メッキする方式で作った。電極形成のための電気メッキは、マグネチックバーを利用して250rpmで撹拌しながら定電圧整流器を利用して2電極システムで1mAの電流を印加しながら行った。
水素センシングに先立って、熱電素子で発生する起電力を測定するナノボルトメーター(Nanovoltmeter)装備との連結のために、電極とシード層にシルバーペースト(silver paste)を利用して銅導線を連結した。
銅導線が形成された電極の上部に多孔性白金−アルミナ複合体を形成した。前記多孔性白金−アルミナ複合体は、2体積%の白金(Pt)と98体積%のγ−アルミナよりなる触媒であって、0.05gを電極の上部に直接塗布した。均一な熱伝逹のために前記多孔性白金−アルミナ複合体は、電極が塗布された結果物の上に均一に広げて塗布した。
図11は、実施例1によって多孔性アルミナテンプレート内に湿式電解蒸着法でBiTeナノ線を形成し、多孔性アルミナテンプレートを断面で切った後に観察した光学顕微鏡写真であり、図12は、実施例1によって多孔性アルミナテンプレート内に湿式電解メッキ法でBiTeナノ線を合成する場合に、メッキ時間によるBiTeナノ線の長さを観察して示すグラフである。
図11及び図12を参照する。BiTeナノ線は、平均的に時間当り5.31μm程度の長さに伸びることが確認された。
図13は、実施例2によって多孔性アルミナテンプレート内に湿式電解メッキ法でSbTeナノ線を合成し、多孔性アルミナテンプレートを断面で切った後に観察した光学顕微鏡写真であり、図14は、実施例2によって多孔性アルミナテンプレート内に湿式電解メッキ法でSbxTeyナノ線を合成する場合に、メッキ時間によるSbxTeyナノ線の長さを観察して示すグラフである。
図13及び図14を参照する。SbTeナノ線は、平均的に時間当り7.52μm程度の長さに成長することが確認された。
合成したナノ線の相を確認するために、X線回折(X−ray diffration;XRD)パターンを測定した。図15及び図16は、実施例1によって湿式電解メッキ法で合成されたBiTeナノ線のX線回折測定結果を示すグラフである。
図15及び図16を参照する。多孔性アルミナテンプレートを除去せずに測定した場合(図15の場合)、BiTeナノ線は、(110)方向に優先方向性を持って成長することが確認され、多孔性アルミナテンプレートを1MのNaOHを利用して除去し、得られたBiTeナノ線のみをもって測定したとき(図16の場合)、BiTeナノ線は、BiTe(JCPDS00−015−0863)相を有することが確認された。
図17は、実施例2によって湿式電解メッキ法で合成されたSbTeyナノ線のX線回折(XRD)測定結果を示すグラフである。
図17を参照する。SbTeナノ線の場合、メッキ後のXRD分析結果では、Sb0.4Te0.595とテルル(Tellurium)が混在している相が現われることが確認できた。
したがって、SbTe相を作るために、図17のX線回折を測定した後、SbTeナノ線に対して熱処理工程を行った。120℃の大気雰囲気で1時間熱処理した後、X線回折(XRD)を分析したとき、SbTeナノ線は、SbTe(JCPDS00−015−0874)相を有することを確認した。
ナノ線の形状と組成を確認するために、電界放射走査電子顕微鏡(field emission−scanning electron microscope;以下’FE−SEM’という)とエネルギー分散分光器(Energy dispersive spectroscopy;以下’EDS’という)分析を行った。
図18は、実施例1によって湿式電解メッキ法で合成されたBiTeナノ線(BiTeNWs)のFE−SEMイメージ(image)とEDS分析を示す図である。
図18を参照する。EDS分析結果、BiTeの組成とほぼ一致することが確認できる。これは、図15及び図16のX線回折データと一致する結果である。
図19は、実施例2によって湿式電解メッキ法で合成されたSbTeナノ線の熱処理(annealing)前及び後のFE−SEMイメージ(image)とEDS分析を示す図である。前記熱処理は、図17に示すSbTeナノ線のX線回折を観察し、FE−SEM観察及びEDS分析を測定した後、120℃の大気雰囲気で1時間行ったものである。図19で’AAOtemplate’は、多孔性アルミナテンプレートを意味し、’SbTeNWs’は、SbTeナノ線を意味する。
図19を参照する。熱処理前には、原子分率(atomic ratio)が約26.11:73.89であって、SbTe組成と大きく差異があることが確認できる。しかし、大気雰囲気120℃で1時間熱処理後の原子分率(atomic ratio)は、37.34:62.76であって、SbTe組成に近接した。これは、図17のX線回折(XRD)データと一致する結果である。
実施例1及び実施例2によって製造された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたときの特性を評価した。センシングのために、水素ガスは、すべての場合で180秒間流し、600秒間遮断することを繰り返した。温度グラフと起電力グラフの若干の時間差は、温度測定時に雰囲気安定化のためにアルゴン(argon)と酸素(oxygen)雰囲気で約3分程度ウォーミングアップをした後、起電力測定を始めたからである。
図20は、実施例1によってBiTeナノ線で構成した単一型熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたとき、水素濃度による多孔性白金−アルミナ複合体の温度変化を示すグラフであり、図21は、実施例1によってBiTeナノ線で構成した単一型熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたとき、水素濃度によって熱電素子で発生する起電力(electromotive force)の変化を示すグラフである。
図20及び図21を参照する。水素濃度が増加するほど、温度と起電力が増加することが分かる。最高濃度条件である5体積%の水素を流した場合、最大32.11の起電力が発生した。
図22は、実施例1によってBiTeナノ線で構成した単一型熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して総1体積%の水素が流れる条件で水素のフローレート(flowrate)の増加による触媒の温度変化を示すグラフであり、図23は、実施例1によってBiTeナノ線で構成した単一型熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して総1体積%の水素が流れる条件で水素のフローレート(flow rate)の増加によって熱電素子で発生する起電力の変化を示すグラフである。
図22及び図23を参照する。水素のフローレート(flow rate)が増加するほど、温度と起電力が増加した。これは、フローレート(flow rate)が増加するほど、同じ時間に限定された空間に多量の水素が入るので現われた結果と考えられる。フローレート(flow rate)の場合、最大300cc/minで水素ガスを流した場合、9.2μVの起電力が発生した。
図24は、実施例2によってP(SbTe)−N(BiTe)接合型ナノ線で構成した熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたとき、水素濃度による触媒の温度変化を示すグラフであり、図25は、実施例2によってP(SbTe)−N(BiTe)接合型ナノ線で構成した熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたとき、水素濃度によって熱電素子で発生する起電力の変化を示すグラフである。
図24及び図25を参照する。水素濃度によって温度と起電力が線形的に増加することが確認された。この場合、最大5体積%の水素を流す条件で、0.215mVの起電力が発生した。これは、単一型熱電素子で発生した起電力に比べて約6倍が増加した数値である。これを単位面積当たり起電力の値に換算すれば、約17倍増加した数値である。
図26は、実施例2によってP(SbTe)−N(BiTe)接合型ナノ線で構成した熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたとき、1体積%水素が流れる条件で水素のフローレート(flow rate)増加による触媒の温度変化を示すグラフであり、図27は、実施例2によってP(SbTe)−N(BiTe)接合型ナノ線で構成した熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたとき、1体積%水素が流れる条件で水素のフローレート(flow rate)の増加によって熱電素子で発生する起電力の変化を示すグラフである。
図26及び図27を参照する。水素のフローレート(flow rate)が増加するほど温度と起電力が増加し、最大300cc/minで水素ガスを流した場合、98.3μVの起電力が発生した。これは、単一型熱電素子に比べて約10倍が増加した数値であって、単位面積当たりに換算すれば、27倍程度増加した数値である。
図28は、実施例2によってP(SbTe)−N(BiTe)接合型ナノ線で構成した熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたとき、低濃度での温度変化を示すグラフであり、図29は、実施例2によってP(SbTe)−N(BiTe)接合型ナノ線で構成した熱電素子が適用された熱化学ガスセンサーに対して水素センシングしたとき、低濃度での起電力変化を示すグラフである。
図28及び図29を参照する。最小400ppm(0.2体積%)まで起電力の変化が見られた。しかし、グラフの様相を見れば、さらに低い水素濃度での感知も可能なものと考えられる。
以上、本発明の好ましい実施例により詳細に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で当該分野における通常の知識を有する者によってさまざまな変形が可能である。
本発明の熱化学ガスセンサーは、ガスをセンシングすることができると共に、ガスセンシング特性を確認して評価することができる新しいタイプの熱電ナノ線アレイ基盤の熱化学ガスセンサーとして使用することができ、産業上の利用可能性がある。
10 多孔性アルミナテンプレート
12 気孔
20 シード層
30、50、60 カルコゲナイド系ナノ線
40 電極

Claims (18)

  1. 前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレートと、
    前記多孔性アルミナテンプレートの後面に設けられ、複数の気孔を覆う、電気伝導性を有するシード層と、
    前記複数の気孔を通じて露出したシード層に接触し、前記複数の気孔内に設けられた複数のカルコゲナイド系ナノ線と、
    前記カルコゲナイド系ナノ線と接触しながら前記多孔性アルミナテンプレートの前面に設けられた電極と、
    前記電極と電気的に連結される電極線と、
    前記電極の上部に設けられ、感知しようとするガスと接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体と、を含み、
    前記カルコゲナイド系ナノ線は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなることを特徴とする、
    熱化学ガスセンサー。
  2. 前記シード層は、10〜1000nmの厚さを有し、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属よりなり、前記気孔は、10〜1000nmの平均直径を有し、カルコゲナイド系ナノ線は、前記気孔の平均直径より小さい1〜500nmの平均直径を有し、前記カルコゲナイド系ナノ線の長さは、前記気孔の深さと同じかまたは小さくて、前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、複数のマクロ気孔と複数のメソ気孔を有する多孔性物質であることを特徴とする請求項1に記載の熱化学ガスセンサー。
  3. 前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレートと、
    前記多孔性アルミナテンプレートの後面に設けられ、複数の気孔を覆う、電気伝導性を有するシード層と、
    前記複数の気孔を通じて露出したシード層に接触し、前記複数の気孔内に設けられた複数のP型カルコゲナイド系ナノ線と、
    前記複数の気孔を通じて露出したシード層に接触し、前記複数の気孔内に設けられた複数のN型カルコゲナイド系ナノ線と、
    前記P型カルコゲナイド系ナノ線及び前記N型カルコゲナイド系ナノ線と接触しながら前記多孔性アルミナテンプレートの前面に設けられた電極と、
    前記電極と電気的に連結される電極線と、
    前記電極の上部に設けられ、感知しようとするガスと接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体と、を含み、
    前記P型カルコゲナイド系ナノ線は、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなり、
    前記N型カルコゲナイド系ナノ線は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)よりなることを特徴とする、
    熱化学ガスセンサー。
  4. 前記シード層は、10〜1000nmの厚さを有し、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属よりなり、前記気孔は、10〜1000nmの平均直径を有し、カルコゲナイド系ナノ線は、前記気孔の平均直径より小さい1〜500nmの平均直径を有し、前記カルコゲナイド系ナノ線の長さは、前記気孔の深さと同じかまたは小さくて、前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、複数のマクロ気孔と複数のメソ気孔を有する多孔性物質であることを特徴とする請求項3に記載の熱化学ガスセンサー。
  5. 前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレートを準備し、前記多孔性アルミナテンプレートの後面に複数の気孔を覆う電気伝導性を有するシード層を形成する段階と、
    前記複数の気孔を通じて露出したシード層に湿式電解蒸着を利用して複数のカルコゲナイド系ナノ線を成長させて形成する段階と、
    前記多孔性アルミナテンプレートの前面に前記カルコゲナイド系ナノ線と接触する電極を形成する段階と、
    前記電極と電気的に連結される電極線を形成する段階と、
    前記多孔性アルミナテンプレートの前面に形成された前記電極の上部に感知しようとするガスと接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体を形成する段階と、を含み、
    前記カルコゲナイド系ナノ線は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなり、
    前記湿式電解蒸着は、ビスマス(Bi)前駆体及びアンチモン(Sb)前駆体のうちから選択された1種以上の物質、テルル(Te)前駆体及び酸(acid)を含む電解質を使用し、前記酸(acid)は、前記ビスマス(Bi)前駆体及びアンチモン(Sb)前駆体のうちから選択された1種以上の物質と前記テルル(Te)前駆体を溶解することができる物質であることを特徴とする、
    熱化学ガスセンサーの製造方法。
  6. 前記ビスマス(Bi)前駆体は、Bi(NO・5HOであり、前記アンチモン(Sb)前駆体は、Sbであり、前記テルル(Te)前駆体は、TeOであり、前記酸(acid)は、HNOであることを特徴とする請求項5に記載の熱化学ガスセンサーの製造方法。
  7. カルコゲナイド系ナノ線がSbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなる場合に、カルコゲナイド系ナノ線を成長させた後、前記電極を形成する段階の前に、カルコゲナイド系ナノ線に対して100〜300℃の温度で熱処理を行うことを特徴とする請求項5に記載の熱化学ガスセンサーの製造方法。
  8. 前記シード層は、10〜1000nmの厚さに形成し、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属を使用することを特徴とする請求項5に記載の熱化学ガスセンサーの製造方法。
  9. 前記電極は、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属を電気メッキして形成し、前記電気メッキは、マグネチックバーを利用して撹拌しながら整流器を利用して2電極システムに電流を印加して行われることを特徴とする請求項5に記載の熱化学ガスセンサーの製造方法。
  10. 前記気孔は、10〜1000nmの平均直径を有し、カルコゲナイド系ナノ線は、前記気孔の平均直径より小さい1〜500nmの平均直径を有するように形成され、カルコゲナイド系ナノ線の長さは、前記気孔の深さと同じかまたは小さく形成されることを特徴とする請求項5に記載の熱化学ガスセンサーの製造方法。
  11. 前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体の製造は、スチレンと蒸留水の混合溶液を形成する段階と、前記混合溶液にポタシウムペルサルフェートを追加してポリスチレン溶液を合成する段階と、前記ポリスチレン溶液を乾燥し、コロイド結晶形態に形成する段階と、白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液を合成する段階と、乾燥して形成されたコロイド結晶を白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液に浸漬する段階と、白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液に浸漬したコロイド結晶を乾燥及びか焼し、ポリスチレンコロイド結晶を除去する段階と、を含み、前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、複数のマクロ気孔と複数のメソ気孔を有するように形成されることを特徴とする請求項5に記載の熱化学ガスセンサーの製造方法。
  12. 前面、後面及び側面を含み、前記前面及び前記後面を貫通する複数の気孔が設けられた多孔性アルミナテンプレートを準備し、前記多孔性アルミナテンプレートの後面に対してカルコゲナイド系ナノ線を形成する部分以外の領域をマスキングし、露出した部分に複数の気孔を覆う電気伝導性を有するシード層を形成する段階と、
    前記多孔性アルミナテンプレートの前面にN型カルコゲナイド系ナノ線が形成される領域を第1マスクで遮蔽し、前記複数の気孔を通じて露出したシード層に湿式電解蒸着を利用して複数のP型カルコゲナイド系ナノ線を成長させて形成する段階と、
    前記P型カルコゲナイド系ナノ線が形成された領域を第2マスクで遮蔽し、前記第1マスクが除去されて前記複数の気孔を通じて露出したシード層に湿式電解蒸着を利用して複数のN型カルコゲナイド系ナノ線を成長させて形成する段階と、
    前記多孔性アルミナテンプレートの前面に前記P型カルコゲナイド系ナノ線及び前記N型カルコゲナイド系ナノ線と接触する電極を形成する段階と、
    前記電極と電気的に連結される電極線を形成する段階と、
    前記多孔性アルミナテンプレートの前面に形成された前記電極の上部に感知しようとするガスと接触して発熱反応を起こす多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体を形成する段階と、を含み、
    前記P型カルコゲナイド系ナノ線は、SbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなり、
    前記N型カルコゲナイド系ナノ線は、BiTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)よりなり、
    前記P型カルコゲナイド系ナノ線を形成するための前記湿式電解蒸着は、アンチモン(Sb)前駆体またはアンチモン(Sb)前駆体とビスマス(Bi)前駆体、テルル(Te)前駆体及び酸(acid)を含む電解質を使用し、
    前記N型カルコゲナイド系ナノ線を形成するための前記湿式電解蒸着は、ビスマス(Bi)前駆体、テルル(Te)前駆体及び酸(acid)を含む電解質を使用し、
    前記酸(acid)は、アンチモン(Sb)前駆体、ビスマス(Bi)前駆体及びテルル(Te)前駆体を溶解することができる物質であることを特徴とする、
    熱化学ガスセンサーの製造方法。
  13. 前記ビスマス(Bi)前駆体は、Bi(NO・5HOであり、前記アンチモン(Sb)前駆体は、Sbであり、前記テルル(Te)前駆体は、TeOであり、前記酸(acid)は、HNOであることを特徴とする請求項12に記載の熱化学ガスセンサーの製造方法。
  14. カルコゲナイド系ナノ線がSbTe(1.5≦x≦2.5、2.4≦y≦3.6)または(Bi1−xSb)Te(0<x<1)よりなる場合に、カルコゲナイド系ナノ線を成長させた後、前記電極を形成する段階の前に、カルコゲナイド系ナノ線に対して100〜300℃の温度で熱処理を行うことを特徴とする請求項12に記載の熱化学ガスセンサーの製造方法。
  15. 前記シード層は、10〜1000nmの厚さに形成し、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属を使用することを特徴とする請求項12に記載の熱化学ガスセンサーの製造方法。
  16. 前記電極は、金(Au)、銀(Ag)及び銅(Cu)のうちから選択された1種以上の金属を電気メッキして形成し、前記電気メッキは、マグネチックバーを利用して撹拌しながら整流器を利用して2電極システムに電流を印加して行われることを特徴とする請求項12に記載の熱化学ガスセンサーの製造方法。
  17. 前記気孔は、10〜1000nmの平均直径を有し、カルコゲナイド系ナノ線は、前記気孔の平均直径より小さい1〜500nmの平均直径を有するように形成され、カルコゲナイド系ナノ線の長さは、前記気孔の深さと同じかまたは小さく形成されることを特徴とする請求項12に記載の熱化学ガスセンサーの製造方法。
  18. 前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体の製造は、スチレンと蒸留水の混合溶液を形成する段階と、前記混合溶液にポタシウムペルサルフェートを追加してポリスチレン溶液を合成する段階と、前記ポリスチレン溶液を乾燥し、コロイド結晶形態に形成する段階と、白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液を合成する段階と、乾燥して形成されたコロイド結晶を白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液に浸漬する段階と、白金−アルミナ複合体またはパラジウム−アルミナ複合体の前駆体溶液に浸漬したコロイド結晶を乾燥及びか焼し、ポリスチレンコロイド結晶を除去する段階と、を含み、前記多孔性白金−アルミナ複合体または多孔性パラジウム−アルミナ複合体は、複数のマクロ気孔と複数のメソ気孔を有するように形成されることを特徴とする請求項12に記載の熱化学ガスセンサーの製造方法。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101519971B1 (ko) * 2015-01-26 2015-05-15 연세대학교 산학협력단 가스 센서 및 이의 제조 방법
US9781838B2 (en) 2014-02-24 2017-10-03 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Gas sensor and method of manufacturing the same
WO2017171214A1 (ko) * 2016-03-31 2017-10-05 한양대학교 에리카산학협력단 열전 박막을 이용한 열화학 가스 센서 및 그 제조방법
JP6878752B2 (ja) * 2016-05-23 2021-06-02 学校法人神奈川大学 フレキシブル熱電変換部材の作製方法
KR101824813B1 (ko) 2016-09-26 2018-02-01 한양대학교 에리카산학협력단 열화학 센서 및 그 제조 방법
KR101990675B1 (ko) * 2017-03-22 2019-10-01 한양대학교 에리카산학협력단 가스 센서 및 그 제조 방법
KR101962006B1 (ko) 2017-03-22 2019-03-25 한양대학교 에리카산학협력단 가스 센서 및 그 제조 방법
KR102008578B1 (ko) 2017-11-15 2019-08-07 한양대학교 에리카산학협력단 그래핀 및 금속 입자가 결합된 복합 구조체를 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법
KR102181200B1 (ko) * 2019-01-08 2020-11-20 서울대학교산학협력단 이차원 물질 기반 가스센서 및 그 제조방법
CN111948256B (zh) * 2020-08-11 2022-01-28 电子科技大学 一种热电自驱动机动车no2传感器及其制备方法

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2494445A1 (fr) * 1980-11-17 1982-05-21 Socapex Capteur electrochimique des concentrations d'especes dans un melange fluide et systeme de regulation de la richesse d'un melange air-carburant mettant en oeuvre un tel capteur
IL85389A (en) * 1988-02-10 1991-06-10 Israel Atomic Energy Comm Thermoelectric devices
JP3494508B2 (ja) * 1995-06-26 2004-02-09 日本碍子株式会社 可燃性ガスセンサ、可燃性ガス濃度の測定方法及び触媒劣化検知方法
US6388185B1 (en) * 1998-08-07 2002-05-14 California Institute Of Technology Microfabricated thermoelectric power-generation devices
US6705152B2 (en) * 2000-10-24 2004-03-16 Nanoproducts Corporation Nanostructured ceramic platform for micromachined devices and device arrays
GB9927689D0 (en) * 1999-11-23 2000-01-19 Capteur Sensors & Analysers Gas sensors
JP2001215214A (ja) * 1999-11-24 2001-08-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 水素ガスセンサ
CA2312259A1 (en) * 2000-06-23 2001-12-23 Ilhan Ulkem Fuel cell gas sensors
AU2002359470A1 (en) * 2001-11-26 2003-06-10 Massachusetts Institute Of Technology Thick porous anodic alumina films and nanowire arrays grown on a solid substrate
EP1487563A4 (en) * 2002-03-05 2005-07-20 Eltron Research Inc HYDROGEN TRANSPORT MEMBRANES
US7001446B2 (en) * 2002-03-05 2006-02-21 Eltron Research, Inc. Dense, layered membranes for hydrogen separation
US6849911B2 (en) * 2002-08-30 2005-02-01 Nano-Proprietary, Inc. Formation of metal nanowires for use as variable-range hydrogen sensors
US20080220244A1 (en) * 2004-01-21 2008-09-11 Chien M Wai Supercritical Fluids in the Formation and Modification of Nanostructures and Nanocomposites
WO2006033875A2 (en) * 2004-09-09 2006-03-30 Orobridge, Inc. Thermoelectric devices with controlled current flow and related methods
JP4216237B2 (ja) * 2004-09-24 2009-01-28 シチズンホールディングス株式会社 熱電式化学センサの製造方法
US20060076046A1 (en) * 2004-10-08 2006-04-13 Nanocoolers, Inc. Thermoelectric device structure and apparatus incorporating same
US7202173B2 (en) * 2004-12-20 2007-04-10 Palo Alto Research Corporation Incorporated Systems and methods for electrical contacts to arrays of vertically aligned nanorods
EP1845943A2 (en) * 2005-01-03 2007-10-24 Ben Gurion University of the Negev Research and Development Autority Nano- and mesosized particles comprising an inorganic core, process and applications thereof
EP1890802A2 (en) * 2005-05-25 2008-02-27 Velocys, Inc. Support for use in microchannel processing
US7686885B2 (en) * 2005-06-01 2010-03-30 General Electric Company Patterned nanorod arrays and methods of making same
US7820587B2 (en) * 2005-11-28 2010-10-26 Uchicago Argonne, Llc Porous anodic aluminum oxide membranes for nanofabrication
KR100775412B1 (ko) * 2006-04-24 2007-11-12 재단법인서울대학교산학협력재단 다공성 알루미나 나노틀을 이용하여 제조한 탄소나노튜브가스센서의 제조방법
US20070277866A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-06 General Electric Company Thermoelectric nanotube arrays
KR101440648B1 (ko) * 2006-10-12 2014-09-22 넥스테크 머티리얼스, 엘티디. 수소 민감성 복합 재료, 수소 및 기타 기체 검출용 튜브형 센서
US7694547B2 (en) * 2007-03-01 2010-04-13 The Ohio State University Research Foundation Robust high temperature composite and CO sensor made from such composite
US20090214848A1 (en) * 2007-10-04 2009-08-27 Purdue Research Foundation Fabrication of nanowire array composites for thermoelectric power generators and microcoolers
KR100929027B1 (ko) * 2008-01-03 2009-11-26 한국에너지기술연구원 수소 검출용 평판형 접촉연소식 가스센서의 검지물질 및제조방법
TW200935635A (en) * 2008-02-15 2009-08-16 Univ Nat Chiao Tung Method of manufacturing nanometer-scale thermoelectric device
US9377399B2 (en) * 2008-03-18 2016-06-28 Lawrence Livermore National Security, Llc Resonant optical transducers for in-situ gas detection
US20110000224A1 (en) * 2008-03-19 2011-01-06 Uttam Ghoshal Metal-core thermoelectric cooling and power generation device
US9673371B2 (en) * 2008-08-11 2017-06-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Anisotropically elongated thermoelectric material, process for preparing the same, and device comprising the material
KR101083548B1 (ko) * 2009-03-10 2011-11-17 연세대학교 산학협력단 다공성 나노 템플레이트를 이용한 바이오 센서 및 바이오 센서 제조 방법
KR101125170B1 (ko) * 2009-04-30 2012-03-19 한국과학기술연구원 금속산화물 나노입자를 이용한 가스센서 및 그 제조방법
US8748726B2 (en) * 2009-08-17 2014-06-10 Laird Technologies, Inc. Synthesis of silver, antimony, and tin doped bismuth telluride nanoparticles and bulk bismuth telluride to form bismuth telluride composites
US20110120517A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-26 Brookhaven Science Associates, Llc Synthesis of High-Efficiency Thermoelectric Materials
US8569740B2 (en) * 2010-01-12 2013-10-29 MicroXact Inc. High efficiency thermoelectric materials and devices
KR20120008208A (ko) * 2010-07-16 2012-01-30 한양대학교 산학협력단 전기화학식 가스 센서 및 그의 제조 방법
KR101089320B1 (ko) 2010-08-16 2011-12-02 연세대학교 산학협력단 Bi2Te3 나노선을 이용한 상변화 메모리 소자
US8839659B2 (en) * 2010-10-08 2014-09-23 Board Of Trustees Of Northern Illinois University Sensors and devices containing ultra-small nanowire arrays
KR101161525B1 (ko) * 2010-11-30 2012-07-02 고려대학교 산학협력단 p형 산화물 반도체 나노섬을 코팅한 n형 산화물 반도체 나노선 가스 센서 및 그 제조 방법
JP5748211B2 (ja) * 2011-05-26 2015-07-15 フィガロ技研株式会社 ガス検出装置とガス検出方法
KR101303859B1 (ko) * 2011-11-24 2013-09-04 연세대학교 산학협력단 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어의 제조 방법
US8932766B1 (en) * 2012-01-10 2015-01-13 Mainstream Engineering Corporation Nanostructured thermoelectric elements, other ultra-high aspect ratio structures and hierarchical template methods for growth thereof
US9203010B2 (en) * 2012-02-08 2015-12-01 King Abdullah University Of Science And Technology Apparatuses and systems for embedded thermoelectric generators

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