JP5977036B2 - 複合シールド組立体、蒸着チャンバー及び高出力蒸着装置 - Google Patents

複合シールド組立体、蒸着チャンバー及び高出力蒸着装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5977036B2
JP5977036B2 JP2012027506A JP2012027506A JP5977036B2 JP 5977036 B2 JP5977036 B2 JP 5977036B2 JP 2012027506 A JP2012027506 A JP 2012027506A JP 2012027506 A JP2012027506 A JP 2012027506A JP 5977036 B2 JP5977036 B2 JP 5977036B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shield
shield element
chamber
assembly
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012027506A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012167369A (ja
Inventor
ルカ ウィディックス クリブ
ルカ ウィディックス クリブ
モンクリフ イアン
モンクリフ イアン
Original Assignee
エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド
エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GBGB1102447.8A external-priority patent/GB201102447D0/en
Priority claimed from GBGB1102747.1A external-priority patent/GB201102747D0/en
Application filed by エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド, エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド filed Critical エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド
Publication of JP2012167369A publication Critical patent/JP2012167369A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5977036B2 publication Critical patent/JP5977036B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、複合シールド組立体、蒸着チャンバー及び高出力蒸着装置に関する。
シールド設計はPVD工具の信頼性の高い作動において重要な一つの要因である。シールドは、蒸着材料を閉じ込めることによって、例えばチャンバー壁上の蒸着を回避し、できるだけ長い間、理想的には全目標寿命の間、パーティクルを放出することなくこの材料を保持しなければならず、且つ、取り替えが容易で、安価であり、ウエハー上のフィルムコーティングに悪影響を与えないことが必要である。
典型的には、ステンレス鋼シールドが、構築されうる堅固且つ比較的複雑な組立体としてPVDシステムにおいて使用され、この組立体は、プロセスチャンバー内に容易に設置されることができ、且つ、洗浄されて再使用されることができるので比較的コスト効率が良い。
高出力すなわち30kWよりも大きな出力の蒸着プロセスが実行されると、(ステンレス鋼が、比較的弱い熱伝導体であるという事実のせいで)ステンレス鋼シールドにおける熱負荷によって歪みが生じることがあり、次いで歪みはパーティクルがシールドから放出されることを引き起こす。このことは標準的な作動条件にとって許容されない。シールドが、より良好な熱特性を有する金属、例えばアルミニウムから作られうるが、このことは、製造コストを高くし、且つ洗浄するのに実際的ではない傾向がある。アルミニウムを洗浄することは困難であり、(例えばウエハー上にフィルムを均一に維持すべく)厳しい寸法公差が重要であるとき、材料を再使用することは実際的ではない。
本発明は、複合シールド組立体を使用することによって高出力蒸着プロセスについての実際的な解決策を提供しようとする。複合シールド組立体はステンレス鋼部品及びアルミニウム部品の両方を使用し、これら両部品はシステム内に設置されると単一の組立体として振る舞う。熱負荷が高い領域では、アルミニウムが使用される。このことによって、優れたプロセス性能を維持しつつ長期の高出力作動が可能となる。シールドが交換されるべきとき、アルミニウム部分は廃棄されることができ、一方、ステンレス鋼組立体は洗浄されて再使用される。
このため、本発明の第1態様では、ワークピースの配置場所を画成する蒸着装置において使用される複合シールド組立体であって、
ワークピースの配置場所の周囲に置かれる第1シールド要素と、
第1シールド要素の周りに延在して第1シールド要素を保持する第2シールド要素であって、第1シールド要素の熱伝導率が当該第2シールド要素の熱伝導率よりも大きく、第1シールド要素及び当該第2シールド要素が、熱的接触を密接にするように配置される、第2シールド要素と
を含む、複合シールド組立体が提供される。
シールド要素がバルク構造(bulk structure)であり只のコーティングではないことが理解されるであろう。
第1シールド要素はアルミニウム又はアルミニウム合金であり、第2シールド要素はステンレス鋼でありうる。第1シールド要素は第2シールド要素内に圧入され又は摩擦嵌合されうる。
本発明は、ワークピースの配置場所と、上記に定義されたような組立体とを含む蒸着チャンバーも含む。
第2シールド要素は第1シールド要素をチャンバーの壁上に取り付けうる。第1シールド要素は、シャドーシールドを構築すべくワークピースの配置場所の周囲に位置しうる。第2シールド要素はチャンバーの一部についてシールドを形成しうる。
本発明が上記に定義されてきたが、本発明が、上述された特徴又は以下の説明における特徴のあらゆる独創的な組合せを含むことが理解されるべきである。
図1は、物理気相成長(PVD)チャンバーの一部の半分を通した鉛直断面図である。 図2aは、シールド組立体のアルミニウム要素の斜視図である。 図2bは、シールド組立体の上方からの図である。 図2cは、図2bにおける線A−Aの断面図である。 図3は、目標寿命の関数としての厚さ均一性のグラフである。 図4は、ウエハーエッジに関する蒸着厚を示すグラフである。
本発明は様々な態様において行われることができ、以下、添付図面を参照して特定の実施形態が例によって記述される。
図1は、PVDプロセスチャンバー11における複合組立体10を示す。Alシールド要素13が、熱流束がシールドについて典型的には最大である領域において、ウエハー配置場所16のウエハー12よりも上に配置される。シールド要素13はシャドーシールドとして作用する。Alシールド要素13は、組立体10を形成すべくステンレス鋼シールド要素14によってそこに保持される。ステンレス鋼シールド要素14はチャンバー11の壁15に沿って延在し且つAlシールド要素13の下に延在する。複合材の全利点が実現されることを確実なものとすべく、部品は非常にきつく嵌合(図2において示されるような圧入(スペック+0.1mm〜+0.3mm))される必要がある。すなわち、Al13とステンレス鋼14との間の結合は密接になる(intimate)必要がある(シールドが熱くなるにつれて、Alシールド要素13はステンレス鋼要素14内に膨張して更に良好な熱的接触が提供される)。蒸着サイクルの間に発生せしめられる熱の最適な消散のために、外側のステンレス鋼シールドとプロセスチャンバーの内壁との間の接触が実現される必要がある。このことは、完全なシールドが単にAlのみから作られる場合、Alがプロセスチャンバー壁に溶接(例えば摩擦溶接)されてメンテナンス中に取り外されることが非常に困難である傾向があるので、深刻な問題となりうることに留意されたい。Alシールド要素13は、チャンバーの効率的なポンプ排水(pumping)を可能とすべく多数の開口15を有する。
図3は、3μm、40kWの高出力Al(Cu)蒸着について、1100kWhrsに亘るシールドの優れた均一性能を示す。
ウエハーエッジに近接したシールド(すなわちAlシールド要素13)の歪みはウエハーのエッジにおける蒸着の厚みに悪影響を及ぼすであろう。図4が均一性を示すように、エッジの均一性は5mmのエッジ排他値(exclusion value)で1100kWhrsに亘って所望の100%レベルに維持される。
以下のことが留意されるべきである。
1)圧入部品は、一旦熱的に循環されると、単一部品のように振る舞う。
2)ウエハーに近接しているAlリングと、Alチャンバー壁15と接触しているステンレス鋼の配置場所とのおかげで、シールドの熱的性能は従来のステンレス鋼部品を超えて改善される。このことによって、高出力の蒸着プロセスが、斯かる設計ではない場合よりも長く稼働することが可能となる。
3)一旦シールドが交換される必要があると、Alシールド13は取り替えられ、一方、ステンレス鋼の外側シールドは洗浄されて再利用されうる。

Claims (8)

  1. ワークピースの配置場所を画成する蒸着装置において使用される複合シールド組立体であって、
    前記ワークピースの配置場所の周囲に置かれる第1シールド要素と、
    該第1シールド要素の周りに延在して該第1シールド要素を保持する第2シールド要素であって、前記第1シールド要素の熱伝導率が当該第2シールド要素の熱伝導率よりも大きく、前記第1シールド要素及び当該第2シールド要素が、熱的接触を密接にするように配置される、第2シールド要素と
    を含み、
    前記第1シールド要素が前記第2シールド要素内に圧入され又は摩擦嵌合される、複合シールド組立体。
  2. 前記第1シールド要素がアルミニウム又はアルミニウム合金であり、前記第2シールド要素がステンレス鋼である、請求項1に記載の組立体。
  3. ワークピースの配置場所と、請求項1又は2に記載の組立体とを含む、蒸着チャンバー。
  4. 前記第2シールド要素が前記第1シールド要素を当該チャンバーの壁上に取り付ける、請求項3に記載のチャンバー。
  5. 前記第1シールド要素が、シャドーシールドを形成すべく前記ワークピースの配置場所の周囲に位置する、請求項3又は4に記載のチャンバー。
  6. 前記第2シールド要素が当該チャンバー壁の一部についてシールドを形成する、請求項3〜5のいずれか1項に記載のチャンバー。
  7. 請求項1又は2に記載の組立体又は請求項3〜6のいずれか1項に記載のチャンバーを含む、高出力蒸着装置。
  8. 30kWよりも大きな供給のための出力供給源を有する、請求項7に記載の装置。
JP2012027506A 2011-02-11 2012-02-10 複合シールド組立体、蒸着チャンバー及び高出力蒸着装置 Active JP5977036B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB1102447.8A GB201102447D0 (en) 2011-02-11 2011-02-11 Composite shielding
GB1102447.8 2011-02-11
GB1102747.1 2011-02-17
GBGB1102747.1A GB201102747D0 (en) 2011-02-17 2011-02-17 Composite shielding

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012167369A JP2012167369A (ja) 2012-09-06
JP5977036B2 true JP5977036B2 (ja) 2016-08-24

Family

ID=45655276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012027506A Active JP5977036B2 (ja) 2011-02-11 2012-02-10 複合シールド組立体、蒸着チャンバー及び高出力蒸着装置

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP2487275B1 (ja)
JP (1) JP5977036B2 (ja)
KR (1) KR101946066B1 (ja)
CN (1) CN102634762B (ja)
TW (1) TWI554631B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018536768A (ja) * 2015-12-09 2018-12-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 基板上のスパッタ堆積用に構成されたシステム、スパッタ堆積チャンバ用のシールド装置、およびスパッタ堆積チャンバ内に電気シールドを設ける方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6033480A (en) * 1994-02-23 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer edge deposition elimination
JP2689931B2 (ja) * 1994-12-29 1997-12-10 日本電気株式会社 スパッタ方法
US6045670A (en) * 1997-01-08 2000-04-04 Applied Materials, Inc. Back sputtering shield
US6176931B1 (en) * 1999-10-29 2001-01-23 International Business Machines Corporation Wafer clamp ring for use in an ionized physical vapor deposition apparatus
JP4473410B2 (ja) * 2000-05-24 2010-06-02 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置及び成膜方法
US6562715B1 (en) * 2000-08-09 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Barrier layer structure for copper metallization and method of forming the structure
US6735378B1 (en) 2003-05-29 2004-05-11 Axcelis Technologies, Inc. Pressure controlled heat source and method for using such for RTP
US20070283884A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Ring assembly for substrate processing chamber
US7981262B2 (en) * 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
JP4623055B2 (ja) * 2007-05-23 2011-02-02 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 メタル成膜装置におけるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法
KR20200067957A (ko) * 2008-04-16 2020-06-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들

Also Published As

Publication number Publication date
TW201241221A (en) 2012-10-16
JP2012167369A (ja) 2012-09-06
TWI554631B (zh) 2016-10-21
EP2487275A1 (en) 2012-08-15
EP2487275B1 (en) 2016-06-15
CN102634762B (zh) 2016-08-03
KR20120092527A (ko) 2012-08-21
KR101946066B1 (ko) 2019-02-08
CN102634762A (zh) 2012-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9096927B2 (en) Cooling ring for physical vapor deposition chamber target
JP2014525516A5 (ja)
TR201809526T4 (tr) Artan performans uyumuna sahip püskürtme hedefi.
JP5977036B2 (ja) 複合シールド組立体、蒸着チャンバー及び高出力蒸着装置
KR20170089918A (ko) 타겟 어셈블리
US9422619B2 (en) Processing apparatus and shield
JP2007051308A (ja) ターゲット組立体及びこのターゲット組立体を備えたスパッタリング装置
KR101003074B1 (ko) 스퍼터링 장치의 캐소드
JP5934427B2 (ja) スパッタリング装置
US20130042812A1 (en) Composite shielding
JP2009052094A (ja) スパッタリングカソード及び成膜方法
KR101930788B1 (ko) 기판 프로세싱 챔버의 냉각기
JP2006307291A (ja) スパッタ装置
JP6588418B2 (ja) 成膜装置およびそれを用いた成膜物の製造方法、ならびに冷却パネル
TW202028496A (zh) 靶材及成膜裝置以及成膜對象物之製造方法
JP7263111B2 (ja) スパッタ成膜装置
JP2003247057A (ja) 防着治具および薄膜形成装置
JP4557681B2 (ja) スパッタイオンポンプ
JP6579796B2 (ja) ミラートロンスパッタ装置
KR20110077706A (ko) 애노드실드의 냉각이 가능한 캐소드
JP2003247058A (ja) 防着治具および薄膜形成装置
JP2013185212A (ja) バッキングプレート及びその使用方法並びにスパッタリング装置
KR20090108504A (ko) 스퍼터링 장치의 타게트 및 이를 포함하는 캐소드
CN102839355A (zh) 在物理气相沉积期间支撑工件的方法
KR20030013781A (ko) 반도체 제조용 스퍼터링 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150119

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150908

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150929

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160223

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160520

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160530

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160621

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160721

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5977036

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250