JP2012167369A - 複合シールド組立体、蒸着チャンバー及び高出力蒸着装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複合シールド組立体10は、ワークピースの配置場所の周囲に置かれる第1シールド要素13と、第1シールド要素13の周りに延在して第1シールド要素13を保持する第2シールド要素14であって、第1シールド要素13の熱伝導率が当該第2シールド要素14の熱伝導率よりも大きく、第1シールド要素13及び当該第2シールド要素14が、熱的接触を密接にするように配置される、第2シールド要素14とを含む。
【選択図】図1
Description
ワークピースの配置場所の周囲に置かれる第1シールド要素と、
第1シールド要素の周りに延在して第1シールド要素を保持する第2シールド要素であって、第1シールド要素の熱伝導率が当該第2シールド要素の熱伝導率よりも大きく、第1シールド要素及び当該第2シールド要素が、熱的接触を密接にするように配置される、第2シールド要素と
を含む、複合シールド組立体が提供される。
図1は、PVDプロセスチャンバー11における複合組立体10を示す。Alシールド要素13が、熱流束がシールドについて典型的には最大である領域において、ウエハー配置場所16のウエハー12よりも上に配置される。シールド要素13はシャドーシールドとして作用する。Alシールド要素13は、組立体10を形成すべくステンレス鋼シールド要素14によってそこに保持される。ステンレス鋼シールド要素14はチャンバー11の壁15に沿って延在し且つAlシールド要素13の下に延在する。複合材の全利点が実現されることを確実なものとすべく、部品は非常にきつく嵌合(図2において示されるような圧入(スペック+0.1mm〜+0.3mm))される必要がある。すなわち、Al13とステンレス鋼14との間の結合は密接になる(intimate)必要がある(シールドが熱くなるにつれて、Alシールド要素13はステンレス鋼要素14内に膨張して更に良好な熱的接触が提供される)。蒸着サイクルの間に発生せしめられる熱の最適な消散のために、外側のステンレス鋼シールドとプロセスチャンバーの内壁との間の接触が実現される必要がある。このことは、完全なシールドが単にAlのみから作られる場合、Alがプロセスチャンバー壁に溶接(例えば摩擦溶接)されてメンテナンス中に取り外されることが非常に困難である傾向があるので、深刻な問題となりうることに留意されたい。Alシールド要素13は、チャンバーの効率的なポンプ排水(pumping)を可能とすべく多数の開口15を有する。
1)圧入部品は、一旦熱的に循環されると、単一部品のように振る舞う。
2)ウエハーに近接しているAlリングと、Alチャンバー壁15と接触しているステンレス鋼の配置場所とのおかげで、シールドの熱的性能は従来のステンレス鋼部品を超えて改善される。このことによって、高出力の蒸着プロセスが、斯かる設計ではない場合よりも長く稼働することが可能となる。
3)一旦シールドが交換される必要があると、Alシールド13は取り替えられ、一方、ステンレス鋼の外側シールドは洗浄されて再利用されうる。
Claims (9)
- ワークピースの配置場所を画成する蒸着装置において使用される複合シールド組立体であって、
前記ワークピースの配置場所の周囲に置かれる第1シールド要素と、
該第1シールド要素の周りに延在して該第1シールド要素を保持する第2シールド要素であって、前記第1シールド要素の熱伝導率が当該第2シールド要素の熱伝導率よりも大きく、前記第1シールド要素及び当該第2シールド要素が、熱的接触を密接にするように配置される、第2シールド要素と
を含む、複合シールド組立体。 - 前記第1シールド要素がアルミニウム又はアルミニウム合金であり、前記第2シールド要素がステンレス鋼である、請求項1に記載の組立体。
- 前記第1シールド要素が前記第2シールド要素内に圧入され又は摩擦嵌合される、請求項1又は2に記載の組立体。
- ワークピースの配置場所と、請求項1〜3のいずれか1項に記載の組立体とを含む、蒸着チャンバー。
- 前記第2シールド要素が前記第1シールド要素を当該チャンバーの壁上に取り付ける、請求項4に記載のチャンバー。
- 前記第1シールド要素が、シャドーシールドを形成すべく前記ワークピースの配置場所の周囲に位置する、請求項4又は5に記載のチャンバー。
- 前記第2シールド要素が当該チャンバー壁の一部についてシールドを形成する、請求項4〜6のいずれか1項に記載のチャンバー。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の組立体を含む、高出力蒸着装置。
- 30kWよりも大きな供給のための出力供給源を有する、請求項8に記載の装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018536768A (ja) * | 2015-12-09 | 2018-12-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板上のスパッタ堆積用に構成されたシステム、スパッタ堆積チャンバ用のシールド装置、およびスパッタ堆積チャンバ内に電気シールドを設ける方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2296505A (en) * | 1994-12-29 | 1996-07-03 | Nec Corp | Reactive sputtering system for depositing titanium nitride |
US6176931B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | Wafer clamp ring for use in an ionized physical vapor deposition apparatus |
JP2001335927A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-12-07 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
EP1953798A2 (en) * | 2007-01-29 | 2008-08-06 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
JP2008291299A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Texas Instr Japan Ltd | メタル成膜装置におけるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6033480A (en) * | 1994-02-23 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Wafer edge deposition elimination |
US6045670A (en) * | 1997-01-08 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Back sputtering shield |
US6562715B1 (en) * | 2000-08-09 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Barrier layer structure for copper metallization and method of forming the structure |
US6735378B1 (en) | 2003-05-29 | 2004-05-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Pressure controlled heat source and method for using such for RTP |
US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
KR102134276B1 (ko) * | 2008-04-16 | 2020-07-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들 |
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2296505A (en) * | 1994-12-29 | 1996-07-03 | Nec Corp | Reactive sputtering system for depositing titanium nitride |
JPH08188870A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-23 | Nec Corp | スパッタ方法 |
US6176931B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | Wafer clamp ring for use in an ionized physical vapor deposition apparatus |
JP2001335927A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-12-07 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
EP1953798A2 (en) * | 2007-01-29 | 2008-08-06 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
JP2008261047A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-10-30 | Applied Materials Inc | 基板処理チャンバ用処理キット |
JP2008291299A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Texas Instr Japan Ltd | メタル成膜装置におけるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018536768A (ja) * | 2015-12-09 | 2018-12-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板上のスパッタ堆積用に構成されたシステム、スパッタ堆積チャンバ用のシールド装置、およびスパッタ堆積チャンバ内に電気シールドを設ける方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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