JP2014525516A5

JP2014525516A5 -

Info

Publication number: JP2014525516A5
Application number: JP2014528522A
Authority: JP
Filing date: 2012-08-28
Publication date: 2015-09-10

Description

いくつかの実施形態においては、キャップ１２２が、冷媒チャネル１１６、１１７を覆うために本体１２５に結合されてもよい。キャップ１２２は、冷媒の漏れを防止するのに適した任意の態様で本体１２５に結合されてもよい。いくつかの実施形態においては、キャップ１２２は、真空ろう付けもしくは非真空ろう付け、電子ビーム溶接、または接着剤もしくは他の結合剤等々により、本体１２５に結合されてもよい。いくつかの実施形態においては、キャップ１２２は、マグネトロンアセンブリ１３６のシャフト１７０を受けるのを容易にするための中央穴１２４を有するプレートまたはディスクであってもよい。代替的には、インサート（図示せず）が、１つまたは複数の冷媒チャネル１１６、１１７を封止するために用意されてもよい。いくつかの実施形態においては、インサートは、電子ビーム溶接、ＴＩＧ溶接、レーザ溶接、またはろう付け等々の任意の適切な方法により、キャップ１２２の下方の１つまたは複数の冷媒チャネル１１６、１１７内に溶接されてもよい。
いくつかの実施形態においては、本体１２５およびキャップ１２２は、銅、アルミニウム、青銅、真鍮、ステンレス鋼、またはそれらの合金（銅クロム合金など）等々の中の少なくとも１つから製造されてもよい。本体１２５およびキャップ１２２は、同一の材料から作製されてもよく、または異なる材料から作製されてもよい。本体１２５および／またはキャップがアルミニウムから作製される実施形態においては、腐食防止コーティングが、冷媒による腐食を防止するために、冷媒チャネル１１６、１１７に対して施されてもよく、また任意で冷媒チャネル１１６、１１７に接するキャップ１２２の表面に対して施されてもよい。１つのかかるコーティングの一例は、ＨｅｎｋｅｌＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓの登録商標であるＡｌｏｄｉｎｅ（登録商標）である。いくつかの実施形態においては、本体１２５およびキャップ１２２の外側表面には、例えば本体１２５およびキャップ１２２のＲＦ伝導性を向上させるために、銀めっきが施されてもよい。
図２Ａは、本発明のいくつかの実施形態による、冷媒チャネル１１６を備える冷却リング１１８の概略底面図を示す。図２Ｂは、本発明のいくつかの実施形態による、冷媒チャネル１１６を備える冷却リング１１８の側方断面図を示す。

例えば、回転自在マグネトロンアセンブリ１３６は、ターゲット１０６（または存在する場合にはバッキングプレート）の裏面（例えばキャップ側表面１３２）の近傍に位置決めされてもよい。回転自在マグネトロンアセンブリ１３６は、ベースプレート上に配置された複数の磁石を備える回転磁石アセンブリ１６８を備える。回転磁石アセンブリ１６８は、回転を実現するためにシャフト１７０に結合される。いくつかの実施形態においては、シャフト１７０は、ＰＶＤチャンバ１００の中心軸と合致してもよい。いくつかの実施形態（図示せず）においては、回転シャフト１７０は、ＰＶＤチャンバ１００の中心軸に対して偏心的に配設されてもよい。モータ１７２が、マグネトロンアセンブリ１３６の回転を駆動するために回転シャフト１７０の上方端部に結合され得る。接地シールド１４０は、回転シャフト１７０をキャップ１２２の穴１２４に貫通させベースプレートに連結させるための中央開口１１５を有する。いくつかの実施形態においては、回転シャフト１７０は、ＲＦエネルギーがシャフト１７０を上ってモータ１７２へと伝搬するのを防止するために、絶縁体１２０を備える。回転磁石アセンブリ１６８は、ＰＶＤチャンバ１００内においてターゲット１０６の表面に対してほぼ平行な近傍位置に磁場を発生させて、電子を捕獲し局所プラズマ密度を上昇させ、それによって、スパッタリング速度を上昇させる。回転磁石アセンブリ１６８は、ＰＶＤチャンバ１００の上部の周囲に電磁場を発生させ、回転磁石アセンブリ１６８は、ターゲット１０６をより均一にスパッタするようにプロセスのプラズマ密度に影響を及ぼす電磁場が回転するように回転される。

Claims

物理気相堆積チャンバ内のターゲットを冷却するための冷却リングであって、
中央開口を有する環状本体と、
前記本体に結合された入口ポートと、
前記本体に結合された出口ポートと、
前記冷媒リングを通して冷媒を流すために前記本体内に配設され、前記入口ポートに結合された第１の端部および前記出口ポートに結合された第２の端部を有する、冷媒チャネルと、
前記本体に結合され、前記中央開口にわたって実質的に広がり、中央穴を備えるキャップと
を備える、冷却リング。
前記本体は、銅、アルミニウム、または青銅の中の少なくとも１つから作製される、請求項１に記載の冷却リング。
前記キャップは、銅、アルミニウム、または青銅の中の少なくとも１つから作製される、請求項２に記載の冷却リング。
前記本体および前記キャップは、銀めっきを施される、請求項３に記載の冷却リング。
前記冷媒チャネルは、前記本体の外方周囲に沿って配設される、請求項１に記載の冷却リング。
前記本体内に配設された複数の冷媒チャネル
をさらに備える、請求項１に記載の冷却リング。
前記キャップは、前記冷媒チャネルを封止するのに十分なように前記本体に結合される、請求項１に記載の冷却リング。
物理気相堆積システムにおいて使用するためのターゲットアセンブリであって、
基板上に堆積される原料を含むターゲットと、
前記ターゲットに結合された、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の冷却リングと、
前記ターゲットの裏側に隣接し、前記冷却リングの内側壁部により少なくとも部分的に画成された中央空洞部であって、回転自在磁石アセンブリを収容するようにサイズ設定された中央空洞部と
を備える、ターゲットアセンブリ。
前記ターゲットは、前記原料に結合され前記原料を支持するバッキングプレートを備え、前記冷却リングは、前記ターゲットの前記バッキングプレートに結合される、請求項８に記載のターゲットアセンブリ。
前記空洞部は、前記キャップのターゲット側表面と、前記ターゲットのキャップ側表面と、前記冷却リングの前記本体とにより画成される、請求項８に記載のターゲットアセンブリ。
前記冷媒入口ポートに結合された冷媒源をさらに備える、請求項８に記載のターゲットアセンブリ。
前記ターゲットアセンブリに結合されたＲＦ源をさらに備える、請求項８に記載のターゲットアセンブリ。
前記空洞部内に配設された回転自在磁石アセンブリと、
前記回転自在磁石アセンブリに結合されたシャフトであって、前記キャップの中央穴を貫通して配設されるシャフトと
をさらに備える、請求項８に記載のターゲットアセンブリ。
物理気相堆積チャンバ内において基板を処理する方法であって、
前記物理気相堆積チャンバ内に配設されたターゲットから材料をスパッタさせることにより、前記物理気相堆積チャンバ内に支持された前記基板の上に前記材料を堆積させることと、
前記基板の対向側の前記ターゲットの側部に結合された冷却リングの本体内に配設された冷媒チャネルを通して冷媒を流すことと
を含む、方法。
前記冷媒チャネルは、前記冷却リングの前記本体の周囲部に前記冷媒を循環させる、請求項１４に記載の方法。