KR20190108179A - 물리 기상 증착 챔버 타겟용 냉각 링 - Google Patents

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KR20190108179A
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고이치 요시도메
랄프 호프만
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

물리 기상 증착을 위한 장치 및 방법이 제공된다. 일부 실시예들에서, 물리 기상 증착 챔버 내에서 타겟을 냉각하기 위한 냉각 링은, 중앙 개구를 갖는 환형 본체; 본체에 커플링된 유입 포트; 본체에 커플링된 유출 포트; 본체 내에 배치되며, 유입 포트에 커플링된 제 1 단부와 유출 포트에 커플링된 제 2 단부를 갖는 냉각제 채널; 및 본체에 커플링되고, 중앙 개구에 실질적으로 걸쳐 있으며, 중앙 홀을 포함하는 캡을 포함할 수 있다.

Description

물리 기상 증착 챔버 타겟용 냉각 링{COOLING RING FOR PHYSICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER TARGET}
본 발명의 실시예들은 일반적으로 물리 기상 증착 프로세싱 장비에 관한 것이다.
물리 기상 증착(PVD)은 기판 위로 물질들을 증착하기 위해 종래부터 사용되고 있는 프로세스이다. 종래의 PVD 프로세스는, 예시적으로, 소스 물질을 포함한 타겟에 플라즈마로부터의 이온들을 충돌시켜서(bombarding), 타겟으로부터 소스 물질이 스퍼터링되도록 하는 단계를 포함한다. 방출된 소스 물질은 기판 상에 형성된 바이어스 또는 음전압을 통해 기판을 향하여 가속될 수 있고, 그 결과, 기판 위에 소스 물질이 증착된다. 플라즈마의 균일성을 촉진하기 위해, PVD 프로세스 중에, 타겟의 배면(backside) 부근에서, 물로 충진된 공동(water filled cavity) 내에서 마그네트론이 회전될 수 있다. 물로 충진된 공동은 프로세싱 중에 발생되는 열을 제거하기 위해 사용된다. 그러나, 물로 충진된 공동은 마그네트론의 서비스 가용성(serviceability)을 저해하고, 주변 구조물을 통한 타겟으로의 RF 에너지 공급을 방해한다.
따라서, 본 발명자들은 물리 기상 증착 프로세싱을 수행하기 위한 개선된 장치를 제공하였다.
물리 기상 증착 장치 및 방법들이 제공된다. 일부 실시예들에서, 물리 기상 증착 챔버 내에서 타겟을 냉각하기 위한 냉각 링은, 중앙 개구를 갖는 환형 본체; 본체에 커플링된 유입 포트; 본체에 커플링된 유출 포트; 본체 내에 배치되고, 유입 포트에 커플링된 제 1 단부와 유출 포트에 커플링된 제 2 단부를 갖는 냉각제 채널; 및 본체에 커플링되고, 중앙 개구에 실질적으로 걸쳐 있으며(spanning), 중앙 홀을 포함하는 캡을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 물리 기상 증착 시스템에서 사용하기 위한 타겟 조립체는, 기판 상에 증착될 소스 물질을 포함하는 타겟; 타겟에 커플링된 냉각 링으로서, 냉각 링을 통해 냉각제를 유동시키기 위해 냉각 링 내에 배치된 하나 또는 둘 이상의 냉각제 채널들을 갖는, 냉각 링; 냉각 링의 내측 벽들에 의해 적어도 부분적으로 정의되는, 타겟의 배면에 인접한 중앙 공동; 및 공동 내에 배치된 회전가능한 마그넷 조립체를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 물리 기상 증착 챔버 내에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법은, 물리 기상 증착 챔버 내에 지지된 기판 상에 물질을 증착하기 위해 물리 기상 증착 챔버 내에 배치된 타겟으로부터의 물질을 스퍼터링하는 단계; 및 기판에 대향하는 타겟의 일 측(side)에 커플링된 냉각 링의 본체 내에 배치된 냉각제 채널을 통해 냉각제를 유동시키는 단계를 포함할 수 있다.
이하에서 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 설명된다.
첨부된 도면들에 도시된 본 발명의 예시적 실시예들을 참조하여, 앞서 간략히 요약되고 이하에서 더 상세하게 논의되는 본 발명의 실시예들이 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 2a는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 냉각 링의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 2b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 냉각 링의 측단면도를 도시한다.
이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에서 공통되는 동일한 요소들을 표시하는데 동일한 참조번호들이 사용되었다. 도면들은 실척으로 도시되지 않았고(not drawn to scale), 명료함을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 요소들 및 특징들이 추가적인 언급 없이 다른 실시예들에서 유리하게 통합될 수 있는 것으로 고려된다.
본원에는 기판들을 물리 기상 증착(PVD) 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치가 제공되어 있다. 일부 실시예들에서, 개선된 장치는 PVD 챔버에 물 공동이 필요없도록 함으로써, RF 효율을 개선시키고, 예컨대, 유지보수 중에 또는 타겟을 설치 및/또는 교체할 때, 타겟과 마그네트론 조립체의 제거를 단순화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 물리 기상 증착(PVD) 챔버(100)의 개략적인 단면도를 도시한다. 적당한 PVD 챔버들의 예에는 ALPS® Plus 및 SIP ENCORE® PVD 프로세싱 챔버들이 포함되고, 이들 모두는 캘리포니아주 산타 클라라에 소재한 Applied Materials, Inc.로부터 상업적으로 입수 가능하다. Applied Materials, Inc. 또는 다른 제조사들로부터의 다른 프로세싱 챔버들이 또한 본원에 개시된 본 발명에 따른 장치들로부터 이익을 얻을 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에서, 도 1에 도시된 바와 같이, PVD 챔버(100)는 프로세스 챔버(104) 위에 배치된 타겟 조립체(102)를 포함한다. 프로세스 챔버(104)는 타겟 조립체(102)에 대향하는 위치에서 기판(148)을 지지하는 이동가능한 기판 지지체(146)를 포함한다.
타겟 조립체(102)는 프로세스 챔버(104)의 덮개에 통합될 수 있으며, 일반적으로 타겟(106)과, 타겟(106)에 커플링된 냉각 링(118)을 포함한다. 냉각 링(118)은 타겟(106)의 배면에 인접한 공동(134)을 부분적으로 정의한다. 타겟 조립체는 공동(134) 내에 배치된 회전가능한 마그넷 조립체(168)를 갖는 회전가능한 마그네트론 조립체(136)를 더 포함할 수 있다. 타겟 조립체(102)는 프로세싱 중에 타겟(106)에 RF 에너지를 제공하기 위해 RF 전력 소스(108)를 더 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 냉각 링(118)을 통해 타겟(106)에 RF 전력 소스(108)를 커플링하기 위해 전극(112)(예컨대, RF 어플리케이터 로드)이 제공될 수 있다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 전극(112)은 타겟 조립체(102)를 둘러싸는 외측 접지 쉴드(140)의 개구(150)를 통과할 수 있으며, 냉각 링(118)에 커플링될 수 있다. RF 전력 소스(108)는 RF 발생기와, 예컨대, 작동 중에 반사된 RF 에너지가 RF 발생기로 다시 반사되는 것을 최소화하기 위한 정합(matching) 회로를 포함할 수 있다.
작동 중에, 프로세스에 의해 발생된 열은 냉각 링(118)에 의해 제거된다. 본원에서는 링의 관점에서 설명하고 있으나, 냉각 링(118)이 원형일 필요는 없으며, 특정 프로세스 챔버 구성에 대해 원하는 바에 따라, 직사각형 또는 다른 다각형 형상들과 같은 다른 기하학적 형태들을 가질 수 있다. 냉각 링을 통해 프로세스로부터의 열을 제거함으로써, 물로 충진된 공동과 비교할 때, 이러한 디자인은 물로 충진된 공동을 갖는 경우의 바람직하지 않은 결과들을 유리하게 제거한다. 예컨대, 냉각 링을 사용하면, 유지보수를 위해 타겟 뒤에 있는 밀폐된 공동으로부터 냉각제를 배출시킬 필요가 없기 때문에, 소스의 마그넷 및 타겟의 교환이 현저히 더 단순화된다. 또한, 타겟 용락(target burn through)의 경우에, 챔버가 냉각제로 넘칠 위험이 없다. 게다가, RF 에너지는 타겟 뒤에 있는 물로 충진된 공동에 의해 흡수되는 것으로 낭비되지 않기 때문에, RF 효율이 개선된다.
일부 실시예들에서, 냉각 링(118)은 하나 또는 둘 이상의 냉각제 채널들(116, 117)이 내부에 배치된 본체(125)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 본체(125)는 환형일 수 있다. 일부 실시예들에서, 냉각제 채널들(116, 117)은 본체(125)의 원주에 근접하여 배치된다. 냉각제 채널들의 개수와 그들의 기하학적 형태는, 임의의 다른 구성 요소들을 지지하기 위한 냉각 링의 구조적 요건들을 고려하여, 특정 프로세스에 대해 원하는 바에 따라 결정될 수 있다.
냉각제 채널들(116, 117)에 냉각제를 제공하기 위하여, 냉각제 소스(110)는 접지 쉴드(140)의 개구를 통하여 배치된 하나 또는 둘 이상의 도관들(114)을 통해 냉각 링(118)에 커플링될 수 있다. 냉각제는 에틸렌 글리콜, 탈이온수, (Solvay S. A.로부터 입수 가능한 Galden®과 같은) 과불화 폴리에테르 등, 또는 이들의 조합들과 같은 임의의 프로세스 호환성 냉각제일 수 있다. 일부 실시예들에서, 정확한 유동들은 실시되고 있는 프로세스, 냉각제 채널들의 구성, 이용가능한 냉각제 압력 등에 따라 좌우될 것이지만, 냉각제 채널들(116, 117)을 통한 냉각제의 유동은 분당 약 1 내지 약 7 갤런일 수 있다.
일부 실시예들에서, 냉각제 채널들(116, 117)을 덮기 위해 캡(122)이 본체(125)에 커플링될 수 있다. 캡(122)은 냉각제의 누설을 방지하기 위해 임의의 적절한 방식으로 본체(125)에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 캡(122)은 진공 또는 비진공 경납땜(brazing), 전자 빔 용접, 접착제들 또는 다른 결합제들 등에 의해 본체(125)에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 캡(122)은 마그네트론 조립체(136)의 샤프트(170)를 수용하는 것을 용이하게 하기 위한 중앙 홀(124)를 갖는 플레이트 또는 디스크일 수 있다. 대안적으로, 하나 또는 둘 이상의 냉각제 채널들(116, 117)을 밀봉하기 위해 인서트(미도시)가 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 인서트는 전자 빔 용접, TIG 용접, 레이저 용접, 경납땜 등과 같은 임의의 적절한 방법에 의해 캡(122) 아래에서 하나 또는 둘 이상의 냉각제 채널들(116, 117)에 용접될 수 있다.
일부 실시예들에서, 본체(125)와 캡(122)은 구리, 알루미늄, 청동, 황동, 스테인리스 스틸, 이들의 합금들(예컨대, 구리 크롬 합금) 등 중 적어도 하나로 제조될 수 있다. 본체(125)와 캡(122)은 동일한 물질들로 또는 상이한 물질들로 제조될 수 있다. 본체(125) 및/또는 캡이 알루미늄으로 제조되는 실시예들에서, 냉각제로부터의 부식을 방지하기 위해, 부식 방지 코팅이 냉각제 채널들(116, 117)에 도포될 수 있으며, 선택적으로, 냉각제 채널들(116, 117)에 대해 노출되는 캡(122)의 표면에 도포될 수 있다. 이러한 코팅의 일례는 Henkel Technologies의 등록상표인 Alodine®이다. 일부 실시예들에서, 캡(122) 및 본체(125)의 외측 표면들은, 예컨대, 본체(125)와 캡(122)의 RF 전도성을 강화하기 위해, 은으로 도금될 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 냉각제 채널(116)을 포함하는 냉각 링(118)의 개략적인 저면도를 도시한다. 도 2b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 냉각제 채널(116)을 포함하는 냉각 링(118)의 측단면도를 도시한다.
도 2a 내지 도 2b를 참조하면, 일부 실시예들에서, 냉각제 채널(116)을 통한 냉각제의 순환을 용이하게 하기 위해, 하나 또는 둘 이상의 냉각제 유입 포트들(하나의 유입 포트(210)가 도 2a에 도시됨)과 하나 또는 둘 이상의 냉각제 유출 포트들(하나의 유출 포트(214)가 도 2a에 도시됨)이 캡(122) 및/또는 본체(125)를 통해 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 냉각제 채널(116)은 냉각제를 수용하기 위해 본체(125)와 긴밀하게 열 접촉하는(close thermal contact) 도관(204)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 도관(204)은 스테인리스 스틸, 구리, 황동, 청동 등으로 제조될 수 있다. 일부 실시예들에서, 도관(204)은, 도관(204)과 냉각제 채널(116)의 측벽들 사이의 우수한 열 접촉을 보장하기 위해 냉각제 채널(116) 속에 압입 끼워맞춤(press fit)될 수 있는 외측 클래딩(cladding) 또는 본체(미도시) 내에 배치될 수 있다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 스테인리스 스틸 튜빙(tubing)은 주물(castings) 속에 매립되어(embedding), 냉각제 채널(116) 속에 압입 끼워맞춤될 수 있다. 일부 실시예들에서, 도관(204)은 열적 연결성을 강화하기 위해 알루미늄 본체와 같은 부분 속으로 스웨이징(swaged) 또는 경납땜될 수 있다. 일부 실시예들에서, 냉각제 채널(116) 또는 냉각제 채널 내부에 배치된 도관(204)은 인접한 냉각제 채널(116) 또는 도관(204)에 냉각제의 역류를 제공하는 루프 또는 다른 유사한 구성으로 제공될 수 있다. 이러한 역류 구성은 냉각 링(118)으로부터의 열 제거를 유리하게 강화할 수 있다.
본체(125)는, 예컨대, 볼트들 또는 다른 패스너들, 클램프들, 스프링들, 중력 등에 의해, 견고한 열적 커플링을 제공하기 위해 임의의 적절한 방식으로 타겟(106)에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 본체(125)에 타겟(106)을 볼트 결합하는 것을 용이하게 하기 위해, 복수의 홀들(206)이 (도 2b에 도시된 바와 같이) 본체(125)에 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 패터닝된 구리 또는 알루미늄 호일, (GrafTech International로부터 입수할 수 있는) grafoil® 등과 같은 열적 호일을 열적 전도체로서 사용함으로써, 구성 요소들 간의 열적 연결성이 강화될 수 있다. 패터닝된 구리 또는 알루미늄 호일은 스크린 위에 가압되어, 호일에 컨포멀한 양태를 부가하는 복수의 융기된 표면들을 포함하는 패터닝된 표면을 형성할 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 냉각 링(118)은 본체(125)의 제 2 단부(130)에서 타겟(106)에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 본체(125)는 캡(122)의 외곽 에지(peripheral edge)에 근접하여 캡(122)의 타겟-대면 표면(128)에 커플링된 제 1 단부(126)를 갖는 관형 부재일 수 있다. 일부 실시예들에서, 본체(125)는 타겟(106)의 외곽 에지에 근접하여 타겟(106)의 캡-대면 표면(132)에(또는 타겟(106)의 배킹 플레이트에) 커플링된 제 2 단부(130)를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 타겟의 주변부(perimeter)에 접촉하고 있는 제 2 단부(130)는 0.75인치 내지 2인치 범위의 폭을 갖는다. 일부 실시예들에서, 타겟(106)은, 프로세스 챔버 내에서 제 위치에 있을 때, 유전체 절연체(144)를 통해 접지된 도전성 알루미늄 어댑터(142) 상에 더 지지될 수 있다.
일부 실시예들에서, RF 에너지가 접지에 직접 라우팅되는(routed) 것을 방지하기 위해, 캡(122)과 접지 쉴드(140) 사이에 절연체 플레이트(138)가 배치될 수 있다. 절연체 플레이트(138)는 세라믹, 플라스틱 등과 같은 적절한 유전체 물질을 포함할 수 있다. 대안적으로, 절연체 플레이트(138) 대신 공극(air gap)이 제공될 수 있다. 절연체 플레이트 대신 공극이 제공되는 실시예들에서, 접지 쉴드(140)는 접지 쉴드(140) 상에 놓이는 임의의 구성 요소들을 지지하기에 구조적으로 충분히 견고할 수 있다.
일부 실시예들에서, 공동(134)은 본체(125)의 내측-대면 벽들, 캡(122)의 타겟-대면 표면(128) 및 타겟(106)의 캡-대면 표면(132)에 의해 정의될 수 있다. 공동(134)과 중앙 개구(115)는 회전가능한 마그네트론 조립체(136)의 하나 또는 둘 이상의 부분들을 적어도 부분적으로 수용하기 위해 사용될 수 있다. 본원에서 사용된 바와 같이, 내측-대면 벽들은 복수로 기재되었으나, 예컨대, 본체(125)가 환형인 경우, 단수를 포함한다.
예컨대, 회전가능한 마그네트론 조립체(136)는 타겟(106)의 배면(예컨대, 캡-대면 표면(132))(또는 배킹 플레이트가 존재하는 경우에는, 배킹 플레이트)에 근접하여 위치될 수 있다. 회전가능한 마그네트론 조립체(136)는 베이스 플레이트 상에 배열된 복수의 마그넷들을 포함하는 회전형 마그넷 조립체(168)를 포함한다. 회전형 마그넷 조립체(168)는 회전을 제공하기 위한 샤프트(170)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 샤프트(170)는 PVD 챔버(100)의 중심축과 일치할 수 있다. 일부 실시예들(미도시)에서, 회전 샤프트(170)는 PVD 챔버(100)의 중심축에 대하여 중심이 벗어나게 배치될 수 있다. 마그네트론 조립체(136)의 회전을 구동하기 위해 회전 샤프트(170)의 상부 단부에 모터(172)가 커플링될 수 있다. 접지 쉴드(140)는 회전 샤프트(170)가 캡(122)의 홀(124)을 통과하여 베이스 플레이트에 접속될 수 있도록 하기 위해 중앙 개구(115)를 갖는다. 일부 실시예들에서, 회전 샤프트(170)는 RF 에너지가 샤프트(170)를 타고 모터(172)로 전파되는 것을 방지하기 위해 절연체(120)를 포함한다. 회전형 마그넷 조립체(168)는 PVD 챔버(100) 내에 자기장을 생성하고, 자기장은 타겟(106)의 표면에 대해 대체로 평행하고 근접하여 전자들을 포획하고 국소적인 플라즈마 밀도를 증대시키며, 이는 결과적으로, 스퍼터링 속도를 증대시킨다. 회전형 마그넷 조립체(168)는 PVD 챔버(100)의 정상부 주위에 전자기장을 생성하고, 회전형 마그넷 조립체(168)가 회전되어 전자기장을 회전시킴으로써, 프로세스의 플라즈마 밀도에 영향을 미쳐서 타겟(106)을 더 균일하게 스퍼터링한다.
일부 실시예들에서, 도 1에는 타겟(106) 위의 PVD 챔버(100)의 적어도 일부분들을 덮고 있는 접지 쉴드(140)가 도시되어 있다. 일부 실시예들(미도시)에서, 접지 쉴드(140)는 프로세스 챔버(104)도 둘러싸도록 타겟(106) 아래로 연장될 수 있다. 접지 쉴드(140)는 알루미늄, 구리 등과 같은 임의의 적절한 전도성 물질을 포함할 수 있다. RF 에너지가 접지에 직접 라우팅되는 것을 방지하기 위해, 절연성 갭(139)이 제공된다. 절연성 갭(139)은 공기, 또는 세라믹 또는 플라스틱 등과 같은 몇몇 다른 적절한 유전체 물질로 충진될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 실시예들에 관한 것이나, 본 발명의 기본적인 범위를 벗어나지 않고 다른 그리고 추가적인 실시예들이 안출될 수 있다.

Claims (15)

  1. 물리 기상 증착 챔버 내에서 타겟을 냉각하기 위한 냉각 링으로서,
    중앙 개구를 갖는 환형 본체;
    상기 본체에 커플링된 유입 포트;
    상기 본체에 커플링된 유출 포트;
    상기 냉각 링을 통해 냉각제를 유동시키기 위해 상기 본체 내에 배치되고, 그리고 상기 유입 포트에 커플링된 제 1 단부 및 상기 유출 포트에 커플링된 제 2 단부를 갖는 냉각제 채널; 및
    상기 본체에 커플링되고, 그리고 상기 중앙 개구를 실질적으로 가로지르는(spanning) 캡 - 상기 캡은 중앙 홀을 포함함 - 을 포함하는,
    냉각 링.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 본체는 구리, 알루미늄 또는 청동 중 적어도 하나로 제조된,
    냉각 링.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 캡은 구리, 알루미늄 또는 청동 중 적어도 하나로 제조된,
    냉각 링.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 본체와 상기 캡은 은으로 도금된,
    냉각 링.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각제 채널은 상기 본체의 외주연을 따라 배치된,
    냉각 링.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 본체 내에 배치된 복수의 냉각제 채널들을 더 포함하는,
    냉각 링.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 캡은 상기 냉각제 채널을 밀봉하도록 상기 본체에 충분히 커플링된,
    냉각 링.
  8. 물리 기상 증착 시스템에서 사용하기 위한 타겟 조립체로서,
    기판 상에 증착될 소스 물질을 포함한 타겟;
    상기 타겟에 커플링된 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 냉각 링; 및
    상기 타겟의 배면에 인접하고, 그리고 상기 냉각 링의 내벽들에 의해 적어도 부분적으로 정의되는 중앙 공동 - 상기 중앙 공동은 회전가능한 마그넷 조립체를 수용하도록 크기가 정해짐 - 을 포함하는,
    타겟 조립체.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 타겟은 상기 소스 물질에 커플링되어 상기 소스 물질을 지지하는 배킹 플레이트를 포함하고, 상기 냉각 링은 상기 타겟의 상기 배킹 플레이트에 커플링된,
    타겟 조립체.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 공동은 상기 캡의 타겟-대면 표면, 상기 타겟의 캡-대면 표면 및 상기 냉각 링의 상기 본체에 의해 경계를 이루는(bounded),
    타겟 조립체.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 냉각제 유입 포트에 커플링된 냉각제 소스를 더 포함하는,
    타겟 조립체.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 타겟 조립체에 커플링된 RF 소스를 더 포함하는,
    타겟 조립체.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 공동 내에 배치된 회전가능한 마그넷 조립체; 및
    상기 회전가능한 마그넷 조립체에 커플링되는 샤프트 - 상기 샤프트는 상기 캡의 중앙 홀을 통하여 배치됨 - 를 더 포함하는,
    타겟 조립체.
  14. 물리 기상 증착 챔버 내에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법으로서,
    상기 물리 기상 증착 챔버 내에 지지된 상기 기판 상에 물질을 증착하기 위해 상기 물리 기상 증착 챔버 내에 배치된 타겟으로부터의 물질을 스퍼터링하는 단계; 및
    상기 기판에 대향하는 상기 타겟의 측부에 커플링된 냉각 링의 본체 내에 배치된 냉각제 채널을 통해 냉각제를 유동시키는 단계를 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 냉각제 채널은 상기 냉각 링의 상기 본체의 주연부 주위로 냉각제를 순환시키는,
    기판을 프로세싱하기 위한 방법.
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