JP4563760B2 - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
本発明の実施形態1の構成を、図1に示す。このMMT装置は、シャワー板3、上蓋4及びその上方の構造を除き、基本的に図6の装置と同じ構成となっている。
図4に本発明の第二の実施形態の構成を、また図5にその一部を拡大して示す。この第二の実施形態は、ランプ加熱装置50を上蓋12に取り付ける構造が熱の消散が良好なピン構造(ピン74)と成っている点において、図2の場合と異なっている。
5 サセプタ
6 被処理基板
9 Oリング
10 処理容器
17 プラズマ生成手段
20 反応室(処理室)
41 上蓋縁部材
42 光透過性窓部材
43 段差部
44 テフロン(登録商標)製シール材
45 Oリング
50 ランプ加熱装置
51 取付部材
52 段差部
60 フランジ板
61 冷却液の通路
62 キャップ
71 取付部材
72 内向フランジ部
73 取付部材
74 ピン
Claims (4)
- 少なくとも上面に光透過性窓を設けた反応室と、
前記反応室の外周囲に配置される放電用電極と、
前記放電用電極の外周囲に配置される磁界形成手段と、
前記光透過性窓に対応する反応室外側に配置されたランプ加熱装置と、
前記ランプ加熱装置と前記反応室との間に配置され、前記光透過性窓の窓枠を構成する窓枠部分と、
前記窓枠部分に設けられ冷却液が流される冷却液通路と、
前記反応室内に設けられ、前記ランプ加熱装置からの光照射を受けるように被処理基板を前記ランプ加熱装置に対向させて載置する基板載置台と、
前記反応室内に放電用ガスを供給するガス供給管と、
前記反応室内の雰囲気を排気する排気管と、を有し、
前記窓枠部分は、前記ランプ加熱装置と接する取付部材と、前記反応室に接する上蓋縁部材と、を有し、
前記取付部材を構成する材料が、前記上蓋縁部材を構成する材料の熱伝導率より低い熱伝導率を有し、耐熱性を有し、
前記反応室内が前記排気管により排気されつつ、前記反応室内に前記ガス供給管から放電用ガスが供給され、
該放電用ガスが前記放電用電極からの電界と前記磁界形成手段による磁界との相互作用によりプラズマ放電され、前記基板載置台上に載置され前記ランプ加熱装置からの光照射を受けて加熱される被処理基板にプラズマ処理が施されるように構成されている半導体製造装置。 - 少なくとも上面に光透過性窓を設けた反応室と、
前記反応室の外周囲に配置される放電用電極と、
前記放電用電極の外周囲に配置される磁界形成手段と、
前記光透過性窓に対応する反応室外側に配置されたランプ加熱装置と、
前記ランプ加熱装置と前記反応室との間に配置され、前記光透過性窓の窓枠を構成する窓枠部分と、
前記窓枠部分に設けられ冷却液が流される冷却液通路と、
前記ランプ加熱装置を前記窓枠部分へ取り付けるピンと、
前記反応室内に設けられ、前記ランプ加熱装置からの光照射を受けるように被処理基板を前記ランプ加熱装置に対向させて載置する基板載置台と、
前記反応室内に放電用ガスを供給するガス供給管と、
前記反応室内の雰囲気を排気する排気管と、を有し、
前記ランプ加熱装置と前記窓枠部分との間に隙間が設けられ、
前記反応室内が前記排気管により排気されつつ、前記反応室内に前記ガス供給管から放電用ガスが供給され、
該放電用ガスが前記放電用電極からの電界と前記磁界形成手段による磁界との相互作用によりプラズマ放電され、前記基板載置台上に載置され前記ランプ加熱装置からの光照射を受けて加熱される被処理基板にプラズマ処理が施されるように構成されている半導体製造装置。 - 少なくとも上面に光透過性窓を設けた反応室と、
前記反応室の外周囲に配置される放電用電極と、
前記放電用電極の外周囲に配置される磁界形成手段と、
前記光透過性窓に対応する反応室外側に配置されたランプ加熱装置と、
前記ランプ加熱装置と前記反応室との間に配置され、前記光透過性窓の窓枠を構成する窓枠部分と、
前記窓枠部分に設けられ冷却液が流される冷却液通路と、
前記反応室内に設けられ、前記ランプ加熱装置からの光照射を受けるように被処理基板を前記ランプ加熱装置に対向させて載置する基板載置台と、
前記反応室内に放電用ガスを供給するガス供給管と、
前記反応室内の雰囲気を排気する排気管と、を有し、
前記窓枠部分は、前記ランプ加熱装置と接する取付部材と、前記反応室に接する上蓋縁部材と、を有し、
前記取付部材を構成する材料が、前記上蓋縁部材を構成する材料の熱伝導率より低い熱伝導率を有し、耐熱性を有する半導体製造装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記反応室内を前記排気管により排気しつつ、前記反応室内に前記ガス供給管から放電用ガスを供給し、
該放電用ガスを前記放電用電極からの電界と前記磁界形成手段による磁界との相互作用によりプラズマ放電させ、前記基板載置台上に載置され前記ランプ加熱装置からの光照射を受けて加熱される被処理基板にプラズマ処理を施す半導体装置の製造方法。 - 少なくとも上面に光透過性窓を設けた反応室と、
前記反応室の外周囲に配置される放電用電極と、
前記放電用電極の外周囲に配置される磁界形成手段と、
前記光透過性窓に対応する反応室外側に配置されたランプ加熱装置と、
前記ランプ加熱装置と前記反応室との間に配置され、前記光透過性窓の窓枠を構成する窓枠部分と、
前記窓枠部分に設けられ冷却液が流される冷却液通路と、
前記ランプ加熱装置を前記窓枠部分へ取り付けるピンと、
前記反応室内に設けられ、前記ランプ加熱装置からの光照射を受けるように被処理基板を前記ランプ加熱装置に対向させて載置する基板載置台と、
前記反応室内に放電用ガスを供給するガス供給管と、
前記反応室内の雰囲気を排気する排気管と、を有し、
前記ランプ加熱装置と前記窓枠部分との間に隙間が設けられる半導体製造装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記反応室内を前記排気管により排気しつつ、前記反応室内に前記ガス供給管から放電用ガスを供給し、
該放電用ガスを前記放電用電極からの電界と前記磁界形成手段による磁界との相互作用によりプラズマ放電させ、前記基板載置台上に載置され前記ランプ加熱装置からの光照射を受けて加熱される被処理基板にプラズマ処理を施す半導体装置の製造方法。
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