TWI713543B - 具有高沉積環及沉積環夾之處理套組 - Google Patents

具有高沉積環及沉積環夾之處理套組 Download PDF

Info

Publication number
TWI713543B
TWI713543B TW105121124A TW105121124A TWI713543B TW I713543 B TWI713543 B TW I713543B TW 105121124 A TW105121124 A TW 105121124A TW 105121124 A TW105121124 A TW 105121124A TW I713543 B TWI713543 B TW I713543B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
deposition ring
ring
lip
substrate support
channel
Prior art date
Application number
TW105121124A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201708588A (zh
Inventor
喬韓森威廉
沙芬戴亞基倫古莫
艾倫阿道夫米勒
王新
卜拉布布拉尚
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW201708588A publication Critical patent/TW201708588A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI713543B publication Critical patent/TWI713543B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Clamps And Clips (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)

Abstract

本說明書提供處理套組及包含此處理套組的處理腔室之實施例。在一些實施例中，處理套組包括沉積環，該沉積環經配置而設置在基板支撐件上，該基板支撐件是設計用於支撐具有一給定寬度的基板，該沉積環包含：環形帶，該環形帶經配置而靜置在該基板支撐件的下突出部分上；內唇，該內唇自該環形帶的內緣向上延伸，其中該內唇的內表面與該環形帶的內表面一起形成具有小於該給定寬度的一寬度的中央開口，及其中該環形帶的上表面和該內唇的上表面之間的深度是介於約24mm至約38mm之間；通道，該通道自該環形帶徑向向外設置；及外唇，該外唇向上延伸且自該通道徑向向外設置。

Description

具有高沉積環及沉積環夾之處理套組
本發明揭露的實施例一般係關於基板處理設備。
處理套組屏蔽可用於如物理氣相沉積（PVD）腔室，以將處理空間與非處理空間分開。在經配置而在基板上沉積鋁的PVD腔室中，處理套組屏蔽可由如不銹鋼（SST）製造。隨著沉積於處理套組屏蔽上的鋁層在處理期間可能自基部SST屏蔽材料蝕刻掉，SST處理套組屏蔽可以循環多次。然而，相對於傳統的鋁沉積處理，本發明人一直致力於使用顯著增加的處理功率與沉積時間來沉積相對厚的鋁薄膜於基板上。
對於高沉積處理，在處理套組上的沉積累積顯著積聚到該沉積所能積聚到基板背面的點。在這一點，沉積可能黏附或黏在基板背面，這會導致基板的處置問題及引起基板破裂。
因此，發明人提供了如本說明書所揭露的改良處理套組的實施例。
本說明書提供處理套組及包含此處理套組的處理腔室之實施例。在一些實施例中，處理套組包括沉積環，該沉積環經配置而設置在基板支撐件上，該基板支撐件是設計用於支撐具有一給定寬度的基板，該沉積環包含：環形帶，該環形帶經配置而靜置在該基板支撐件的下突出部分上；內唇，該內唇自該環形帶的內緣向上延伸，其中該內唇的內表面與該環形帶的內表面一起形成具有小於該給定寬度的一寬度的中央開口，及其中該環形帶的上表面和該內唇的上表面之間的深度是介於約24mm至約38mm之間；通道，該通道自該環形帶徑向向外設置；及外唇，該外唇向上延伸且自該通道徑向向外設置。
在一些實施例中，處理套組包括沉積環，該沉積環經配置而設置在基板支撐件上，該基板支撐件是設計用於支撐具有一給定寬度的基板，該沉積環包含：環形帶，該環形帶經配置而靜置在該基板支撐件的下突出部分上；內唇，該內唇自該環形帶的內緣向上延伸，其中該內唇的內表面與該環形帶的內表面一起形成具有小於該給定寬度的一寬度的中央開口，及其中該環形帶的上表面和該內唇的上表面之間的深度是介於約24mm至約38mm之間；通道，該通道自該環形帶徑向向外設置；及外唇，該外唇向上延伸且自該通道徑向向外設置；及夾持組件，該夾持組件包含：一底板與兩個或兩個以上夾具，該底板與該基板支撐件耦接，該等兩個或兩個以上夾具自該底板向上延伸而與該沉積環接合以防止該沉積環的垂直運動。
在一些實施例中，處理套組包括沉積環，該沉積環經配置而設置在基板支撐件上，該基板支撐件是設計用於支撐具有一給定寬度的基板，該沉積環包含：環形帶，該環形帶經配置而靜置在該基板支撐件的下突出部分上；內唇，該內唇自該環形帶的內緣向上延伸，其中該內唇的內表面與該環形帶的內表面一起形成具有小於該給定寬度的一寬度的中央開口，及其中該環形帶的上表面和該內唇的上表面之間的深度是介於約24mm至約38mm之間；通道，該通道自該環形帶徑向向外設置；及外唇，該外唇向上延伸且自該通道徑向向外設置；及夾持組件，該夾持組件包含：一底板與兩個或兩個以上夾具，該底板與該基板支撐件耦接，該等兩個或兩個以上夾具自該底板向上延伸而與該沉積環接合以防止該沉積環的垂直運動，其中該等兩個或兩個以上夾具的各者包括臂及向下突出的唇部，該臂徑向向內延伸，該向下突出的唇部自該臂延伸入該沉積環的該通道中。
本發明揭露的其他和進一步的實施例描述如下。
本說明書提供處理套組及包含此處理套組的處理腔室之實施例。在一些實施例中，本說明書提供處理套組，該處理套組包括單件式處理套組屏蔽和高沉積環(高大沉積環)。相較於傳統的沉積環，高沉積環有利地允許增加高沉積環上沉積材料的累積。如此一來，因為高沉積環上的沉積不會像傳統沉積環那麼快黏附於正在處理的基板的背面，所以高沉積環可在清洗之前進行更多的處理循環。為了進一步減輕與黏附於基板背面的沉積相關聯的問題，如果高沉積環上的沉積要黏附於基板背面，可提供夾持組件以將高沉積環夾持下來。如此一來，因為夾持組件防止高沉積環被舉起，所以因黏 附於基板背側的沉積而舉起基板以致於舉起高沉積環相關的損壞能有效地被避免。
圖1繪示根據本發明揭露的一些實施例之具有處理套組的示例性處理腔室100(如PVD腔室)的概要橫截面圖。適合與本發明揭露的處理套組屏蔽一起使用的PVD腔室的實例包括可自加州聖克拉拉的應用材料公司購得的ALPS® Plus、SIP ENCORE®及其他PVD處理腔室。來自應用材料公司或其他製造商的其他處理腔室也可以受惠於本發明揭露的發明設備。
處理腔室100包括腔室壁106，腔室壁106包圍內部空間108。腔室壁106包括側壁116、底壁120及頂板(ceiling)124。處理腔室100可以是一個獨立的腔室或者是多腔室平台(未示出)的一部分，該多腔室平台具有由將基板104於各個腔室104之間傳送的基板傳送機構連接之互連腔室的叢集。處理腔室100可以是能夠將材料濺射沉積在基板104上的PVD腔室。用於濺射沉積的合適材料之非限制實例包括鋁、銅、鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鎢、氮化鎢及類似物中之一或多個。
處理腔室100包括基板支撐件130，基板支撐件130包括基座134以支撐基板104。基座134具有基板支撐件表面138，基板支撐件表面138具有一平面，該平面實質平行於設置在處理腔室100的上部分中的濺射靶140的濺射表面139。基座134的基板支撐件表面138設計用於在處理期間支撐具有一給定寬度的基板104。如果基板104為圓形，則基板104的寬度可以是直徑，或者，如果基板是正方形/矩形，則基板104的寬度可以是寬。基座134可包括靜電夾盤或加熱器（如電阻加熱器、熱交換器或其他合適的加熱裝置）。在操作中，基板104通過處理腔室100的側壁116中的基板裝載入口142引入到處理腔室100中並放置在基板支撐件130上。基板支撐件130可藉由支撐升降機構被上升或降低，及升降指組件可以用來在基板放置於基板支撐件130期間藉由機械臂上升和降低基板104於基板支撐件130上。在電漿操作期間，基座134可保持在電浮動電位或接地。
處理腔室100亦包含處理套組102，如圖2和3所示，處理套組102包括能夠輕易從處理腔室100移除的各種元件，例如用於將濺射沉積物自元件表面清洗掉、替換或修理被侵蝕的元件或調整處理腔室100以用於其他處理。本發明人發現到處理套組屏蔽、處理套組配接器和處理套組蓋環的接觸接合處的熱抗性（thermal resistances）對屏蔽溫度產生不利影響。此外，即便使用冷卻劑來提升傳熱速率，但屏蔽和配接器之間的低夾持力仍使得配接器與屏蔽之間的傳熱很差（poor）。因為蓋環是不固定元件（即不耦接至屏蔽），所以相對於蓋環，低傳熱速率的問題進一步加劇。因此，本發明人設計了具有有利地改善屏蔽與蓋環的冷卻/加熱的單件式屏蔽110之處理套組。
在一些實施例中，單件式屏蔽110包括具有一直徑的圓柱體126，該直徑經調整尺寸而圍繞濺射靶140的濺射表面139和基板支撐件130(如直徑大於濺射表面139且大於基板支撐件130的支撐表面)。圓柱體126具有上部分128及下部分132，上部分128圍繞濺射靶140的濺射表面139的外緣，下部分132圍繞基板支撐件130。上部分128包括配接器部分136及蓋環部122，配接器部分136用於將單件式屏蔽110支撐於側壁116上，蓋環部122用於放置在基板支撐件130的周壁112附近。處理套組102進一步包括設置在蓋環部122下方的高沉積環(沉積環118)。沉積環118位於基板支撐件130的下突出部分135上。蓋環部122的底表面與沉積環118接合。
如上所述，本發明人已經發現到在沉積的材料開始黏到基板背側之前，自靶濺射的材料在傳統沉積環上累積。在完成基板的處理之後，基板自基板支撐件舉離而被轉移到另一個位置。然而，由於沉積在傳統沉積環的材料已經黏到基板背側，所以當基板升起時，該材料剝落且(或)基板的背側被損壞。如此一來，本發明人開發了沉積環118來解決上述黏著問題。
沉積環118包括環形帶215，環形帶215於圖2所示的基板支撐件130的周壁112附近且圍繞圖2所示的基板支撐件130的周壁112延伸。內唇250自環形帶215的內緣向上延伸，且實質平行於基板支撐件130的周壁112，使得內唇250的內表面與環形帶215的內表面對齊並一起形成具有小於基板104給定寬度的一寬度之中央開口。內唇250終止於基板104的突出（overhang）邊緣114下方。內唇250界定圍繞基板104周邊和基板支撐件130之沉積環118內周，以在處理期間保護未被基板104覆蓋的基板支撐件130區域。例如，內唇250圍繞基板支撐件130的周壁112且至少部分覆蓋基板支撐件130的周壁112（否則其會暴露於處理環境），以減少或甚至完全排除濺射沉積物沉積於周壁112上。有利的是，沉積環118可輕易地被移除以將濺射沉積物自沉積環118的暴露表面清洗掉濺射沉積物，使得不需要拆除基板支撐件130來清洗。沉積環118也可以用來保護基板支撐件130暴露的側表面以減少受激發的電漿物質侵蝕。
沉積環118進一步包括突出部分、徑向向外延伸部分及外唇214，突出部分自環形帶215的外緣向下延伸，徑向向外延伸部分自突出部分的底緣延伸，外唇214自徑向向外延伸部分向上延伸。
在一些實施例中，環形帶215的第一上表面220和內唇250的第二上表面222之間的深度218經配置而容納約10mm的材料沉積。例如，深度218可以是介於約24mm至約38mm之間。在一些實施例中，深度218可以是介於約28mm至約38mm之間。在一些實施例中，深度218可以是介於約30mm至約38mm之間。如此一來，實質減少或完全消除黏到基板104的突出邊緣114背側的材料沉積。為了容納更深的沉積環118，相較於在具有傳統沉積環的傳統基板支撐件中的下突出部分，下突出部分135進一步遠離基板支撐表面138而設置。
蓋環部122至少部分覆蓋沉積環118。沉積環118和蓋環部122彼此協作以減小在基板支撐件130的周壁和基板104的突出邊緣114上形成濺射沉積物。在一些實施例中，蓋環部122包括凸部210，凸部210經配置而與沉積環118中相應的通道212接合。通道212的側壁由外唇214的徑向內表面和突出部分的徑向向外表面所界定。通道212自內唇250徑向向外設置。沉積環118包括外唇214，外唇214自通道212徑向向外設置。外唇214經配置而與蓋環部122的相應凹槽216接合。
圖3繪示根據本發明揭露的一些實施例之處理套組的概要橫截面圖。為求清楚，省略上面已描述過的元件說明。在一些實施例中，處理套組102可進一步包括夾持組件300，夾持組件300進一步防止材料沉積物和沉積環118免於黏到基板104的突出邊緣114的背側。夾持組件包括底板302，由兩個或兩個以上夾具304自底板302延伸以夾持住沉積環118。底板耦接至基板支撐件130（如耦接至軸）。兩個或兩個以上夾具304可藉由任何傳統構件（means）耦接至底板302。例如，兩個或兩個以上夾具304可藉由螺釘或螺栓耦接至底板302。或者，兩個或兩個以上夾具304可直接焊接到底板302。
兩個或兩個以上夾具304的各者包括向下突出的唇部306，該向下突出的唇部306自夾具304的一徑向向內延伸的臂305而向下延伸。調整通道212的尺寸來同時容納夾具304的向下突出的唇部306和蓋環部122的凸部210 ，使得向下突出的唇部306延伸入通道212且臂305設置在外唇214和凹槽216之間。雖然相對於傳統沉積環，沉積環118經配置而容納更多的材料沉積物，但如果材料沉積物的目標厚度已經累積在沉積環118上之後，沒有清洗沉積環118，則材料沉積物會黏到基板104的突出邊緣114之背側。如此一來，當基板104自基板支撐件130舉離時，沉積環118將與基板104一起被舉升。為了對抗沉積環118因不當使用而舉升，夾持組件300接合沉積環118，以防止沉積環的垂直運動，因此有利地避免沉積環118與基板104一起舉升所導致的基板104或沉積環118損壞。
單件式屏蔽110圍繞面向基板支撐件130和基板支撐件130外周之濺射靶140的濺射表面139。單件式屏蔽110覆蓋且遮蔽處理腔室100的側壁116，以減少來自濺射靶140的濺射表面139沉積在單件式屏蔽110之後的元件與表面之濺射沉積。例如，單件式屏蔽110可以保護基板支撐件130的表面、基板104的突出邊緣114、處理腔室100的側壁116和底壁120。
配接器部分136支撐單片式屏蔽110且可以作為繞處理腔室100的側壁116之熱交換器。在一些實施例中，傳熱通道152設置在上部分128中以流動傳熱介質。在一些實施例中，傳熱通道152設置在配接器部分136中。因為單件式屏蔽110是單一構造，所以流過傳熱通道152的傳熱介質直接冷卻/加熱對應於屏蔽和蓋環的單件式屏蔽110的區域(即分別是圓柱體126和蓋環部122)。另外，單件式屏蔽110的單一構造有利地允許傳熱介質供應180直接耦接至屏蔽，在這之前屏蔽經由配接器而與傳熱介質供應間接耦接。傳熱介質供應180以足以維持所需屏蔽溫度的流速將傳熱介質流經傳熱通道152。
回到圖2，單件式屏蔽110允許改善從單件式屏蔽110到沉積在屏蔽上的材料的傳熱並減少沉積在屏蔽上的材料上之熱膨脹應力。單件式屏蔽110的部分可能藉由暴露於基板處理腔室中形成的電漿而變得過度加熱，使得屏蔽的熱膨脹且導致形成在屏蔽上的濺射沉積物自屏蔽剝落並落在基板104上而並污染基板104。配接器部分136與圓柱體126的單一構造使得配接器部分136和圓柱體126之間的熱傳導性改善。
在一些實施例中，單件式屏蔽110包括由單塊材料製成的單一結構。例如，單件式屏蔽110可由不 銹鋼或鋁形成。單件式屏蔽110的整體構造較傳統的屏蔽更有優勢，傳統的屏蔽包括多個元件，通常是兩個或三個分開的部分組成完整的屏蔽。例如，單件屏蔽較多元件屏蔽在加熱及冷卻過程中皆更為熱均勻。例如，單件式屏蔽110消除圓柱體126、配接器部分136和蓋環部122之間的熱介面(thermal interface)，允許對這些部分之間的熱交換有更多的控制。在一些實施例中，傳熱介質供應180透過傳熱通道152流動冷卻劑，以對抗如上所述之過熱屏蔽對沉積在基板104上的濺射材料的不利影響。在一些實施例中，傳熱介質供應180透過傳熱通道152流動加熱流體來減少濺射材料和屏蔽的熱膨脹係數之間的差異。
此外，具有多元件的屏蔽對於為了清洗而移除係更加困難和費力的。單件式屏蔽110具有暴露於濺射沉積物的連續表面，而沒有更難以清除的介面或角落。單件式屏蔽110亦在處理循環期間更有效地屏蔽腔室壁106以免受濺射沉積物的影響。在一些實施例中，暴露於處理腔室100的內部空間108之單件式屏蔽110的表面可用珠噴砂(bead blasted)，以減少粒子脫落並防止處理腔室100內的污染。
回到圖2，蓋環部122圍繞且至少部分覆蓋沉積環118，以接收沉積環118以及因此遮蔽沉積環118以免於大量濺射沉積物。蓋環部122包括環形楔262，環形楔262包括傾斜上表面264，傾斜上表面264徑向向內傾斜且圍繞基板支撐件130。環形楔262的傾斜上表面264具有內周266，內周266包括突緣270，突緣270覆蓋沉積環118的部分。突緣270減少濺射沉積物沉積在沉積環118上。調整蓋環部122的尺寸、形狀和定位以配合及輔助沉積環118以形成蓋環部122和沉積環118之間的曲流路徑，從而抑制處理沉積物流動到周壁112 。
曲流路徑限制在沉積環118和蓋環部122的匹配表面上低能量濺射沉積物之累積，否則其將導致沉積環118和蓋環部122彼此相黏或黏到基板104的突出邊緣114。延伸到突出邊緣114下方的沉積環118的環形帶215被設計成結合自蓋環部122的突緣270遮蔽以收集濺射腔室中的濺射沉積物，同時減少或甚至實質排除蓋環部122和沉積環118的匹配表面上的濺射沉積物。傾斜上表面264可依至少約15°的角度傾斜。蓋環部122的傾斜上表面264的角度被設計為最小化最接近基板104突出邊緣114的濺射沉積物之累積，否則其將對跨基板104的沉積均勻性有不利影響。
如圖1和2所示，濺射靶140包括濺射板144，濺射板144安裝於背板150。濺射板144包括將濺射到基板104上的材料。濺射板144可具有中央圓柱台286，中央圓柱台286具有形成平行於基板104平面的一平面之濺射表面139。環形傾斜緣288圍繞圓柱台286。環形傾斜緣288可相對於圓柱台286的平面傾斜至少約8°的角度，例如，約10°至約20°。具有凸部294和凹槽296的周圍傾斜側壁290圍繞環形傾斜緣288。周圍傾斜側壁290可相對於圓柱台286的平面傾斜至少約60°的角度，例如約75°至約85°。
鄰近於單件式屏蔽110上部分128的環形傾斜緣288和周圍傾斜側壁290的複雜形狀形成包含暗空間區域的迴旋狀（convoluted）間隙200。暗空間區域是高度去除自由電子的區域且其可以被模擬為一真空的區域。暗空間區域的控制有利地防止電漿進入暗空間區域、防止電弧及防止電漿不穩定。間隙200的形狀作為阻礙濺射電漿物質通過間隙200的曲徑（labyrinth），及因此減少濺周邊靶區域表面上的濺射沉積物之累積。
濺射板144包括金屬或金屬化合物。例如，濺射板144可以為金屬，如鋁、銅、鎢、鈦、鈷、鎳或鉭。濺射板144也可以是金屬化合物，如氮化鉭、氮化鎢或氮化鈦。
具有支撐表面201來支撐濺射板144和周邊突出部份202的背板150延伸過濺射板144的半徑。背板150由金屬製成，如不銹鋼、鋁、銅鉻或銅鋅。背板150可以由具有夠高熱導率以消散濺射靶140中產生的熱之材料製成，該熱同時形成於濺射板144和背板150。該熱由該等板144、155中出現的渦流產生亦由電漿到濺射靶140的濺射表面139上的高能離子之撞擊產生。背板150的較高熱導率允許濺射靶140產生的熱消散到周圍結構或甚至消散到可安裝在背板150之後或可安裝在背板150自身的熱交換器。例如，背板150可以包括通道（未示出）以循環其中傳熱流體。背板150的適當高熱導率為至少約200W/m-K，如約220至約400W/m-K。這樣的熱導率級別允許濺射靶140藉由更有效率地消散濺射靶140產生的熱而能操作更長的處理時間週期。
結合或分別結合及本身結合由具有高熱導率與低電阻率材料製成的背板150，背板150可包括具有一或多個溝槽（未示出）的背側表面。例如，背板150可具有溝槽（如環形凹槽或脊），以用於冷卻濺射靶140的背側141。溝槽和脊亦可以具有其他圖案，例如，矩形柵格圖案、雞爪（chicken feet）圖案或橫跨背側表面的簡單直線。
在一些實施例中，濺射板144可藉由擴散接合（藉由將兩個板144、150彼此放置並加熱板144、150至適當溫度，通常至少約200℃）而安裝在背板150上。濺射靶140可選擇性地為單塊結構，單塊結構包含具有同時作為濺射板和背板的足夠深度之單一塊材料。
背板150的周邊突出部分202包括靜置在處理腔室100（圖1和2）中的隔離器154上的外底腳（outer footing）204。周邊突出部分202包含O形環溝槽206，O形環208放置於O形環溝槽206中以形成真空密封件。隔離器154將背板150與處理腔室100電絕緣且將背板150與處理腔室100分離，且通常係由介電或絕緣材料（如氧化鋁）製成的環。周邊突出部分202經成形而抑制濺射材料與電漿物質通過濺射靶140和絕緣體154之間的間隙之流動或移動，以阻礙低角度濺射沉積物滲透到間隙。
回到圖1，濺射靶140連接到直流電電源146和射頻電源148的一或兩者。直流電電源146可以相對於單件式屏蔽110施加偏壓電壓於濺射靶140，偏壓電壓在濺射處理期間可以是電浮動的。當直流電電源146供應電力給濺射靶140、單件式屏蔽110、基板支撐件130與連接至直流電電源146的其他腔室元件時，射頻電源148激發濺射氣體以形成濺射氣體的電漿。電漿形成時碰撞濺射靶140的濺射表面139上且撞擊濺射靶140的濺射表面139，以將材料自濺射表面139濺射掉而濺射於基板104上。在一些實施例中，射頻電源148供應的射頻能量的頻率範圍可係在約2MHz至約60MHz，或可以使用例如非限制的頻率，如2MHz、13.56MHz、27.12MHz或60MHz。在一些實施例中，可提供複數個射頻電源（即，兩個或兩個以上），以提供在複數個上述頻率的射頻能量。
在一些實施例中，處理腔室100可包括磁場產生器156以形成濺射靶140周圍的磁場，以改善濺射靶140的濺射。可藉由磁場產生器156提昇電容產生的電漿，例如永久磁鐵或電磁線圈可提供磁場於處理腔室100中，處理腔室100具有旋轉磁場，該旋轉磁場具有垂直於基板104平面的旋轉軸。處理腔室100可額外地或替代地包括磁場產生器156，磁場產生器156產生處理腔室100的濺射靶140附近的磁場以增加濺射靶140附近的高密度電漿區域中的離子密度，以改善濺射材料的濺射。
濺射氣體透過氣體輸送系統158引入處理腔室100，氣體輸送系統158經由導管162提供來自氣體供應160的氣體，導管162具有氣流控制閥164（如質量流動控制器）以傳送一設定流速的氣體。氣體被饋送至混合歧管（未示出）且被饋送至氣體分配器166，氣體在混合歧管中混合以形成所需的處理氣體成分，氣體分配器166具有氣體出口以將氣體引入處理腔室100。處理氣體可包含非反應氣體（如氬或氙），其能夠有力地（energetically）撞擊於來自濺射靶140的材料且濺射來自濺射靶140的材料。處理氣體亦可包含反應氣體（如含氧氣體和含氮氣體中的一或多個），其能夠與濺射材料反應以在基板104上形成一層。接著氣體由射頻電源148激發以形成電漿，以濺射該濺射靶140。廢棄處理氣體和副產物從處理腔室100通過排氣裝置168排出。排氣裝置168包括排氣口170，排氣口170接收廢棄處理氣體並將廢氣傳送到排氣導管172，排氣導管172具有節流閥來控制處理腔室100中氣體的壓力。排氣導管172連接到一或多個排氣泵174。
可藉由控制器176控制處理腔室100的各種元件。控制器176包括具有指令集程式碼，以操作元件來處理基板104。例如，控制器176可以包括程式碼，程式碼包含：基板定位指令集，以操作基板支撐件130和基板傳送機構；氣流控制指令集，以操作氣流控制閥來設定濺射氣體到處理腔室100的流動；氣體壓力控制指令集，以操作排氣節流閥以維持處理腔室100中的壓力；氣體激發器控制指令集，以操作射頻電源148來設定氣體激發功率級別；溫度控制指令集，以控制基板支撐件130或傳熱介質供應180中的溫度控制系統來控制傳熱介質到傳熱通道152的流速；和處理監控指令集，以監控處理腔室100中的處理。
雖然前面該係針對本發明揭露的實施例，但在不背離本發明基本範圍下，可設計本發明揭露的其他與進一步的實施例。
100‧‧‧處理腔室102‧‧‧處理套組104‧‧‧基板106‧‧‧腔室壁108‧‧‧內部空間110‧‧‧單件式屏蔽112‧‧‧周壁114‧‧‧突出邊緣116‧‧‧側壁118‧‧‧沉積環120‧‧‧底壁122‧‧‧蓋環部124‧‧‧頂板126‧‧‧圓柱體128‧‧‧上部分130‧‧‧基板支撐件132‧‧‧下部分134‧‧‧基座135‧‧‧下突出部分136‧‧‧配接器部分138‧‧‧基板支撐表面139‧‧‧濺射表面140‧‧‧濺射靶141‧‧‧背側142‧‧‧基板裝載入口144‧‧‧濺射板146‧‧‧直流電電源148‧‧‧射頻電源150‧‧‧背板152‧‧‧傳熱通道154‧‧‧隔離器156‧‧‧磁場產生器158‧‧‧氣體輸送系統160‧‧‧氣體供應162‧‧‧導管164‧‧‧氣流控制閥166‧‧‧氣體分配器168‧‧‧排氣裝置170‧‧‧排氣口172‧‧‧排氣導管174‧‧‧排氣泵176‧‧‧控制器180‧‧‧傳熱介質供應200‧‧‧間隙201‧‧‧支撐表面202‧‧‧周邊突出部分204‧‧‧外底腳206‧‧‧O形環溝槽208‧‧‧O形環210‧‧‧凸部212‧‧‧第一凹槽214‧‧‧外唇215‧‧‧環形帶216‧‧‧第二凹槽218‧‧‧深度220‧‧‧第一上表面222‧‧‧第二上表面250‧‧‧內唇262‧‧‧環形楔264‧‧‧傾斜上表面266‧‧‧內周270‧‧‧突緣286‧‧‧圓柱台288‧‧‧環形傾斜緣290‧‧‧周邊傾斜側壁294‧‧‧凸部296‧‧‧凹槽300‧‧‧夾持組件302‧‧‧底板304‧‧‧夾具305‧‧‧臂306‧‧‧向下突出的唇部
本發明揭露之實施例已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之討論，可以藉由參考所附圖式中繪示之本發明實施例以作瞭解。然而，所附圖式只繪示了本發明揭露的典型實施例，而由於本發明可允許其他等效之實施例，因此所附圖式並不會視為本發明範圍之限制。
圖1繪示根據本發明揭露的一些實施例之處理腔室的概要橫截面圖。
圖2繪示根據本發明揭露的一些實施例之處理套組的概要橫截面圖。
圖3繪示根據本發明揭露的一些實施例之處理套組的概要橫截面圖。
為便於理解，在可能的情況下，使用相同的數字編號代表圖示中相同的元件。為求清楚，圖式未依比例繪示且可能被簡化。一個實施例中的元件與特徵可有利地用於其他實施例中而無需贅述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
(請換頁單獨記載) 無
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧處理套組
104‧‧‧基板
106‧‧‧腔室壁
108‧‧‧內部空間
110‧‧‧單件式屏蔽
112‧‧‧周壁
114‧‧‧突出邊緣
116‧‧‧側壁
118‧‧‧沉積環
120‧‧‧底壁
122‧‧‧蓋環部
124‧‧‧頂板
126‧‧‧圓柱體
128‧‧‧上部分
130‧‧‧基板支撐件
132‧‧‧下部分
134‧‧‧基座
135‧‧‧下突出部分
136‧‧‧配接器部分
138‧‧‧基板支撐表面
139‧‧‧濺射表面
140‧‧‧濺射靶
141‧‧‧背側
142‧‧‧基板裝載入口
144‧‧‧濺射板
146‧‧‧直流電電源
148‧‧‧射頻電源
150‧‧‧背板
152‧‧‧傳熱通道
154‧‧‧隔離器
156‧‧‧磁場產生器
158‧‧‧氣體輸送系統
160‧‧‧氣體供應
162‧‧‧導管
164‧‧‧氣流控制閥
166‧‧‧氣體分配器
168‧‧‧排氣裝置
170‧‧‧排氣口
172‧‧‧排氣導管
174‧‧‧排氣泵
176‧‧‧控制器
180‧‧‧傳熱介質供應

Claims (23)

  1. 一種處理套組，包括：一沉積環，該沉積環經配置而設置在一基板支撐件上，該基板支撐件是設計用於支撐具有一給定寬度的一基板，該沉積環包含：一環形帶，該環形帶經配置而靜置在該基板支撐件的一下突出部分上；一內唇，該內唇自該環形帶的一內緣向上延伸，其中該內唇的一內表面與該環形帶的一內表面一起形成具有一寬度的一中央開口，該寬度小於該給定寬度，及其中該環形帶的一上表面和該內唇的一上表面之間的一深度是介於約24mm至約38mm之間；一通道，該通道自該環形帶徑向向外設置；及一外唇，該外唇向上延伸且自該通道徑向向外設置。
  2. 如請求項1所述之處理套組，進一步包括：一單件式處理套組屏蔽，該單件式處理套組屏蔽具有一圓柱體及一蓋環部，該圓柱體具有一上部分與一下部分，該蓋環部自該下部分徑向向內延伸，其中該蓋環部包括一凸部及一凹槽，該凸部延伸入該沉積環的該通道，其中該外唇延伸入該凹槽以界定 該蓋環部和該沉積環之間的一曲流路徑。
  3. 如請求項2所述之處理套組，其中該單件式處理套組屏蔽進一步包括：一配接器部分，該配接器部分自該上部分徑向向外延伸；及一傳熱通道，該傳熱通道延伸穿過該配接器部分。
  4. 如請求項1所述之處理套組，其中該環形帶的一厚度從該環形帶的一外緣到該環形帶的一內緣不是保持恆定就是連續增加。
  5. 如請求項1至4中之任一項所述之處理套組，其中該深度為介於約28mm至約38mm之間。
  6. 如請求項1至4中之任一項所述之處理套組，其中該深度為介於約30mm至約38mm之間。
  7. 如請求項1至4中之任一項所述之處理套組，進一步包括：一夾持組件，該夾持組件具有一底板與兩個或兩個以上夾具，該底板與該基板支撐件耦接，該等兩個或兩個以上夾具自該底板向上延伸而與該沉積環接合以防止該沉積環的垂直運動。
  8. 如請求項7所述之處理套組，其中該等兩個或兩個以上夾具的各者包括一臂及一向下突出的唇部，該臂徑向向內延伸，該向下突出的唇部自該臂延 伸入該沉積環的該通道中。
  9. 一種處理腔室，包括：一腔室壁，該腔室壁界定該處理腔室中的一內部空間；一濺射靶，該濺射靶設置在該內部空間的一上部中；一基板支撐件，該基板支撐件設置在相對於該濺射靶的該內部空間中；及如請求項3所述之處理套組，其中該沉積環設置在該基板支撐件上，及其中該單件式處理套組屏蔽件的該配接器部分由該腔室壁支撐。
  10. 一種處理套組，包括：一沉積環，該沉積環經配置而設置在一基板支撐件上，該基板支撐件是設計用於支撐具有一給定寬度的一基板，該沉積環包含：一環形帶，該環形帶經配置而靜置在該基板支撐件的一下突出部分上；一內唇，該內唇自該環形帶的一內緣向上延伸，其中該內唇的一內表面與該環形帶的一內表面一起形成具有一寬度的一中央開口，該寬度小於該給定寬度，及其中該環形帶的一上表面和該內唇的一上表面之間的一深度是介於約24mm至約38mm 之間；一通道，該通道自該環形帶徑向向外設置；及一外唇，該外唇向上延伸且自該通道徑向向外設置；及一夾持組件，該夾持組件具有一底板與兩個或兩個以上夾具，該底板與該基板支撐件耦接，該等兩個或兩個以上夾具自該底板向上延伸而與該沉積環接合以防止該沉積環的垂直運動。
  11. 如請求項10所述之處理套組，進一步包括：一單件式處理套組屏蔽，該單件式處理套組屏蔽具有一圓柱體及一蓋環部，該圓柱體具有一上部分與一下部分，該蓋環部自該下部分徑向向內延伸，其中該蓋環部包括一凸部及一凹槽，該凸部延伸入該沉積環的該通道，其中該外唇延伸入該凹槽以界定該蓋環部和該沉積環之間的一曲流路徑。
  12. 如請求項11所述之處理套組，其中該單件式處理套組屏蔽進一步包括：一配接器部分，該配接器部分自該上部分徑向向外延伸；及一傳熱通道，該傳熱通道延伸穿過該配接器部分。
  13. 如請求項10所述之處理套組，其中該環 形帶的一厚度從該環形帶的一外緣到該環形帶的一內緣不是保持恆定就是連續增加。
  14. 如請求項10至13中之任一項所述之處理套組，其中該深度為介於約28mm至約38mm之間。
  15. 如請求項10至13中之任一項所述之處理套組，其中該深度為介於約30mm至約38mm之間。
  16. 如請求項10所述之處理套組，其中該等兩個或兩個以上夾具的各者包括一臂及一向下突出的唇部，該臂徑向向內延伸，該向下突出的唇部自該臂延伸入該沉積環的該通道中。
  17. 一種處理套組，包括：一沉積環，該沉積環經配置而設置在一基板支撐件上，該基板支撐件是設計用於支撐具有一給定寬度的一基板，該沉積環包含：一環形帶，該環形帶經配置而靜置在該基板支撐件的一下突出部分上；一內唇，該內唇自該環形帶的一內緣向上延伸，其中該內唇的一內表面與該環形帶的一內表面一起形成具有一寬度的一中央開口，該寬度小於該給定寬度，及其中該環形帶的一上表面和該內唇的一 上表面之間的一深度是介於約24mm至約38mm之間；一通道，該通道自該環形帶徑向向外設置；及一外唇，該外唇向上延伸且自該通道徑向向外設置；及一夾持組件，該夾持組件具有一底板與兩個或兩個以上夾具，該底板與該基板支撐件耦接，該等兩個或兩個以上夾具自該底板向上延伸而與該沉積環接合以防止該沉積環的垂直運動，其中該等兩個或兩個以上夾具的各者包括一臂及一向下突出的唇部，該臂徑向向內延伸，該向下突出的唇部自該臂延伸入該沉積環的該通道中。
  18. 如請求項17所述之處理套組，進一步包括：一單件式處理套組屏蔽，該單件式處理套組屏蔽具有一圓柱體，該圓柱體具有一上部分與一下部分，該蓋環部自該下部分徑向向內延伸，其中該蓋環部包括一凸部及一第二凹槽，該凸部延伸入該沉積環的該通道，其中該外唇延伸入該第二凹槽以界定該蓋環部和該沉積環之間的一曲流路徑。
  19. 如請求項18所述之處理套組，其中該單件式處理套組屏蔽進一步包括： 一配接器部分，該配接器部分自該上部分徑向向外延伸；及一傳熱通道，該傳熱通道延伸穿過該配接器部分。
  20. 如請求項17所述之處理套組，其中該環形帶的一厚度從該環形帶的一外緣到該環形帶的一內緣不是保持恆定就是連續增加。
  21. 如請求項17至20中之任一項所述之處理套組，其中該深度為介於約28mm至約38mm之間。
  22. 如請求項17至20中之任一項所述之處理套組，其中該深度為介於約30mm至約38mm之間。
  23. 一種處理腔室，包括：一腔室壁，該腔室壁界定該處理腔室中的一內部空間；一濺射靶，該濺射靶設置在該內部空間的一上部中；一基板支撐件，該基板支撐件設置在相對於該濺射靶的該內部空間中；及如請求項19所述之處理套組，其中該沉積環設置在該基板支撐件上，及其中該單件式處理套組屏蔽件的該配接器部分由該腔室壁支撐。
TW105121124A 2015-07-03 2016-07-04 具有高沉積環及沉積環夾之處理套組 TWI713543B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IN2029DE2015 2015-07-03
IN2029/DEL/2015 2015-07-03
US15/201,019 2016-07-01
US15/201,019 US9909206B2 (en) 2015-07-03 2016-07-01 Process kit having tall deposition ring and deposition ring clamp

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201708588A TW201708588A (zh) 2017-03-01
TWI713543B true TWI713543B (zh) 2020-12-21

Family

ID=57683629

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109140346A TWI770678B (zh) 2015-07-03 2016-07-04 具有高沉積環及沉積環夾之處理套組
TW105121124A TWI713543B (zh) 2015-07-03 2016-07-04 具有高沉積環及沉積環夾之處理套組

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109140346A TWI770678B (zh) 2015-07-03 2016-07-04 具有高沉積環及沉積環夾之處理套組

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9909206B2 (zh)
JP (2) JP6976925B2 (zh)
KR (1) KR20180016628A (zh)
CN (3) CN107787377A (zh)
SG (1) SG10202108705SA (zh)
TW (2) TWI770678B (zh)
WO (1) WO2017007729A1 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI653885B (zh) * 2017-03-03 2019-03-11 宏碁股份有限公司 影像輸出方法及影像擷取裝置
KR20200033912A (ko) * 2017-09-15 2020-03-30 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치
US11056325B2 (en) * 2017-12-20 2021-07-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for substrate edge uniformity
CN110468377B (zh) * 2018-05-11 2022-04-22 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室及半导体加工设备
CN112334595B (zh) * 2018-12-03 2022-12-30 株式会社爱发科 成膜装置及成膜方法
USD888903S1 (en) 2018-12-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Deposition ring for physical vapor deposition chamber
US11961723B2 (en) * 2018-12-17 2024-04-16 Applied Materials, Inc. Process kit having tall deposition ring for PVD chamber
CN111235535B (zh) * 2020-01-22 2021-11-16 北京北方华创微电子装备有限公司 一种溅射反应腔室的工艺组件及其溅射反应腔室
US11935728B2 (en) * 2020-01-31 2024-03-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method of manufacturing a semiconductor device
USD941371S1 (en) 2020-03-20 2022-01-18 Applied Materials, Inc. Process shield for a substrate processing chamber
USD934315S1 (en) 2020-03-20 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Deposition ring for a substrate processing chamber
USD941372S1 (en) 2020-03-20 2022-01-18 Applied Materials, Inc. Process shield for a substrate processing chamber
US11339466B2 (en) * 2020-03-20 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Heated shield for physical vapor deposition chamber
US11380575B2 (en) 2020-07-27 2022-07-05 Applied Materials, Inc. Film thickness uniformity improvement using edge ring and bias electrode geometry
JP7223738B2 (ja) 2020-11-12 2023-02-16 株式会社アルバック スパッタリング装置
US11581167B2 (en) 2021-06-18 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Process kit having tall deposition ring and smaller diameter electrostatic chuck (ESC) for PVD chamber
US11915918B2 (en) 2021-06-29 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Cleaning of sin with CCP plasma or RPS clean
US20240068086A1 (en) * 2022-08-29 2024-02-29 Applied Materials, Inc. Physical Vapor Deposition (PVD) Chamber Titanium-Tungsten (TiW) Target For Particle Improvement
WO2024074202A1 (en) * 2022-10-05 2024-04-11 Applied Materials, Inc. Mask for a substrate, substrate support, substrate processing apparatus, method for layer deposition on a substrate and method of manufacturing one or more devices

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101089220A (zh) * 2005-10-31 2007-12-19 应用材料股份有限公司 用于衬底处理室的处理配件和靶材
CN101563560A (zh) * 2006-12-19 2009-10-21 应用材料公司 非接触式处理套件

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6743340B2 (en) * 2002-02-05 2004-06-01 Applied Materials, Inc. Sputtering of aligned magnetic materials and magnetic dipole ring used therefor
US7670436B2 (en) * 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
US7520969B2 (en) 2006-03-07 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Notched deposition ring
US8221602B2 (en) 2006-12-19 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Non-contact process kit
US20090260982A1 (en) * 2008-04-16 2009-10-22 Applied Materials, Inc. Wafer processing deposition shielding components
US9799497B2 (en) * 2013-08-16 2017-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Patterned processing kits for material processing
US10546733B2 (en) 2014-12-31 2020-01-28 Applied Materials, Inc. One-piece process kit shield

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101089220A (zh) * 2005-10-31 2007-12-19 应用材料股份有限公司 用于衬底处理室的处理配件和靶材
CN101563560A (zh) * 2006-12-19 2009-10-21 应用材料公司 非接触式处理套件

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017007729A1 (en) 2017-01-12
TW202124746A (zh) 2021-07-01
KR20180016628A (ko) 2018-02-14
TW201708588A (zh) 2017-03-01
JP7289890B2 (ja) 2023-06-12
US9909206B2 (en) 2018-03-06
CN109321890A (zh) 2019-02-12
CN117867462A (zh) 2024-04-12
JP2018519426A (ja) 2018-07-19
JP6976925B2 (ja) 2021-12-08
JP2022022225A (ja) 2022-02-03
US20170002461A1 (en) 2017-01-05
CN107787377A (zh) 2018-03-09
TWI770678B (zh) 2022-07-11
SG10202108705SA (en) 2021-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI713543B (zh) 具有高沉積環及沉積環夾之處理套組
TWI704655B (zh) 用於減少基板附近的電場影響之單件式處理套組屏蔽
US10546733B2 (en) One-piece process kit shield
JP7117300B2 (ja) 浮遊シャドウリングを有するプロセスキット
JP7223141B2 (ja) Ｐｖｄチャンバのための縦長の堆積リングを有するプロセスキット
US9953812B2 (en) Integrated process kit for a substrate processing chamber
WO2017044791A1 (en) One-piece process kit shield for reducing the impact of an electric field near the substrate
US11581167B2 (en) Process kit having tall deposition ring and smaller diameter electrostatic chuck (ESC) for PVD chamber