TWI634222B - 用於物理氣相沉積處理系統之靶材冷卻 - Google Patents

用於物理氣相沉積處理系統之靶材冷卻 Download PDF

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Abstract

本文提供用於使用在基板處理系統中的靶材裝置。在某些實施例中，用於使用在基板處理系統中的一種靶材裝置包括：來源材料，該來源材料將沈積於基板上；第一背板，該第一背板是配置來將該來源材料支撑於該第一背板的前側上，使得該來源材料的前表面相對於該基板(當基板存在時)；第二背板，該第二背板耦接於該第一背板的背側；以及複數通道組，該複數通道組是設置於該等第一與第二背板之間。這些通道允許冷却劑可以供應得更靠近該熱源(靶材面)，藉此促進從該靶材更有效率地移除熱。從該靶材更有效率地移除熱會導致靶材具有較少的熱梯度，且因此具有較少的機械彎曲/變形。

Description

用於物理氣相沈積處理系統之靶材冷卻
本發明的實施例一般是關於基板處理系統，且更具體地，是關於物理氣相沈積(PVD,physical vapor deposition)處理系統。
在電漿輔助基板處理系統中，例如物理氣相沈積(PVD)腔室，利用高磁場與高DC功率的高功率密度PVD濺鍍可以在濺鍍靶材處產生高能量，幷且導致該濺鍍靶材的表面溫度的大幅提高。發明人已經觀察到，用以冷却靶材之靶材背板的背側溢流(backside flooding)可能不足以從靶材擷取且移除熱。發明人已經另外觀察到，靶材中的剩餘熱會導致顯著的機械彎曲，這是因為濺鍍材料中以及橫越背板的熱梯度。當正在處理較大尺寸的晶圓時，機械彎曲會增加。此增加的尺寸會使靶材在熱、壓力與重力負載之下彎曲/變形的傾向更加惡化。彎曲的影響可能包括靶材材料中所引致的機械應力，該機械應力會導致破裂、靶材至絕緣體介面處的損傷以及從磁鐵裝置至靶材材料面的距離的改變，此距離改變會導致電漿特性 的改變(例如，使處理體系移出最佳或想要的處理狀況，這會影響維持電漿、濺鍍/沈積速率與靶材腐蝕的性能)。
因此，本發明提供用於使用在基板處理系統中的靶材裝置的改良式冷卻。
本文提供用於使用在物理氣相沈積(PVD,physical vapor deposition)處理系統中的靶材裝置。在某些實施例中，用於使用在PVD處理系統中的一種靶材裝置包括：來源材料，該來源材料將沈積於基板上；第一背板，該第一背板是配置來將該來源材料支撑於該第一背板的前側上，使得該來源材料的前表面相對於該基板(當基板存在時)；第二背板，該第二背板耦接於該第一背板的背側；以及複數通道組，該複數通道組是設置於該等第一與第二背板之間。
在至少某些實施例中，提供一種基板處理系統，該基板處理系統包括：腔室主體；靶材，該靶材設置於該腔室主體中，且該靶材包括來源材料、第一背板、第二背板與複數組流體冷却通道，該來源材料將沈積於基板上，該第一背板是配置來支撑該來源材料，該第二背板耦接於該第一背板的背側，且該複數組流體冷却通道是設置於該等第一與第二背板之間；來源分配板，該來源分配板相對於該靶材的背側，且該來源分配板電性耦接於該靶材；中央支撑構件，該中央支撑構件設置通過於該來源分 配板，且該中央支撑構件耦接於該靶材，以將該靶材裝置支撑於該基板處理系統內；複數流體供應導管，該複數流體供應導管是配置來將熱交換流體供應至該複數組流體冷卻通道，該複數流體供應導管具有第一端與第二端，該第一端耦接於設置在該第二背板的背側上的複數入口，且該第二端設置通過於該腔室主體的頂表面；以及複數流體回送導管，該複數流體回送導管是配置來回送來自該複數組流體冷卻通道的熱交換流體，該複數流體回送導管具有第一端與第二端，該第一端耦接於設置在該第二背板的背側上的複數出口，且該第二端設置通過於該腔室主體的頂表面。
本發明的其他與進一步實施例則敘述於下。
100‧‧‧物理氣相沈積(PVD)處理系統
101‧‧‧腔室蓋
103‧‧‧接地裝置
104‧‧‧處理腔室
106‧‧‧基板支座
108‧‧‧基板
110‧‧‧下接地圍繞壁部
112‧‧‧接地遮罩部
113‧‧‧來源材料
114‧‧‧靶材裝置
116‧‧‧上接地圍繞壁部
120‧‧‧中央區域
122‧‧‧波紋管
124‧‧‧底部腔室壁部
126‧‧‧氣源
128‧‧‧質量流動控制器
130‧‧‧排放埠
132‧‧‧閥門
134‧‧‧RF偏壓電源
136‧‧‧電容調整器
138‧‧‧遮罩部
140‧‧‧突部
146‧‧‧第一開口
148‧‧‧蓋環
152‧‧‧磁鐵
154‧‧‧電極
156‧‧‧接地板
157‧‧‧第一表面
158‧‧‧來源分配板
160‧‧‧背板裝置
161‧‧‧第一背板
162‧‧‧第二背板
163‧‧‧流體分配歧管
164‧‧‧導電式支撐環
165‧‧‧供應接線
166‧‧‧第一端
167‧‧‧供應導管
1671-2‧‧‧供應導管
168‧‧‧第二端
169‧‧‧多組冷卻劑通道
170‧‧‧孔腔
172‧‧‧磁鐵支撐構件
174‧‧‧馬達軸
175‧‧‧支撐構件
176‧‧‧馬達
178‧‧‧變速箱
179‧‧‧暗區遮罩部
180‧‧‧絕緣縫隙
181‧‧‧密封環
182‧‧‧RF或DC電源
183‧‧‧第二能量源
184‧‧‧變速箱軸裝置
186‧‧‧中心軸
188‧‧‧可旋轉磁鐵
192‧‧‧中央支撐構件
194‧‧‧分配器
196‧‧‧磁控管裝置
2021-n‧‧‧入口
2041-n‧‧‧出口
2061-3‧‧‧通道
302‧‧‧密封環
304‧‧‧中心開口
4021-n‧‧‧入口
4041-n‧‧‧出口
4061-n‧‧‧通道
4081-n‧‧‧供應導管
4101-n‧‧‧回送導管
藉由參照所附圖式中繪示之本發明的例示實施例，可瞭解在下面更詳細討論且簡短總結於上之本發明的實施例。但是，注意到，所附圖式只例示本發明之一般實施例且因此不視為限制本發明之範圍，因為本發明可容許其他等效實施例。
根據本發明的某些實施例，第1圖繪示了製程腔室的示意橫剖面視圖。
根據本發明的某些實施例，第2圖繪示了靶材裝置的背板的等尺寸視圖。
根據本發明的某些實施例，第3圖繪示了靶材裝置的示意側視圖。
根據本發明的某些實施例，第4圖繪示了靶材裝置的示意頂視圖。
為了促進瞭解，已經在任何可能的地方使用相同的參考號碼來表示圖式中共同的相同元件。圖式未依照尺寸繪製，且可以為了清楚加以簡化。可瞭解到，一實施例的元件與特徵可有利地併入在其他實施例中，而不用另外詳述。
透過使用行經通過靶材之背板的冷却通道，本發明的實施例提供用於使用在基板處理系統中的靶材裝置的改良式冷却。這些通道允許冷却劑可以供應得更靠近熱源(靶材面)，藉此促進從該靶材更有效率地移除熱。 從該靶材更有效率地移除熱會導致靶材具有較少的熱梯度，且因此具有較少的機械彎曲/變形。
根據本發明的某些實施例，第1圖繪示了物理氣相沈積(PVD)處理系統100的簡化、橫剖面視圖。 適於根據本文所提供之教示而加以修改的其他PVD腔室的範例包括ALPS® Plus與SIP ENCORE® PVD處理腔室，兩者都可在商業上從加州的聖克拉拉的應用材料公司取得。來自應用材料公司或其他製造商的其他處理腔室 (包括那些配置來用於PVD以外的其他類型處理的處理腔室)也可得益於根據本文所揭露之教示而做的修改。
在本發明的某些實施例中，PVD處理系統100包括腔室蓋101，腔室蓋101是可移除地設置於製程腔室104的頂上。腔室蓋101可包括靶材裝置114與接地裝置103。製程腔室104包含基板支座106，基板支座106用於接收基板108於基板支座106上。基板支座106可位於下接地圍繞壁部110內，下接地圍繞壁部110可為製程腔室104的腔室壁部。下接地圍繞壁部110可電性耦接於腔室蓋101的接地裝置103，使得射頻回程路徑可以提供給設置於腔室蓋101之上的RF或DC電源182。RF或DC電源182可提供RF或DC功率給靶材裝置114，如同下面討論的。
基板支座106具有材料接收表面，該材料接收表面面向靶材裝置114的主要表面，且基板支座106支撑基板108，基板108將在相對於靶材裝置114之主要表面的平坦位置中被濺鍍塗覆。基板支座106可支撑基板108於製程腔室104的中央區域120中。中央區域120是界定為在處理期間在基板支座106之上的區域(例如，在靶材裝置114與當在處理位置時的基板支座106之間)。
在某些實施例中，基板支座106可垂直地移動，以允許基板108通過製程腔室104的下部中的裝載閘閥門(未示)而被轉移至基板支座106上，幷且之後升高至沈積或處理位置。可提供連接至底部腔室壁部124的波 紋管122，以維持製程腔室104的內部容積與製程腔室104之外的大氣的分隔，同時促進基板支座106的垂直移動。一或多種氣體可透過質量流動控制器128而從氣源126供應至製程腔室104的下部中。可提供排放埠130，且排放埠130可透過閥門132而耦接於幫浦(未示)，以排放製程腔室104的內部體積並且促進維持製程腔室104內的所欲壓力。
RF偏壓電源134可耦接於基板支座106，以在基板108上感應出負的DC偏壓。另外，在某些實施例中，在處理期間，負的DC自我偏壓可形成於基板108上。 例如，RF偏壓電源134所提供的RF能量可在頻率範圍從大約2MHz至大約60MHz，例如，可使用非限制的頻率像是2MHz、13.56MHz或60MHz。在其他應用中，基板支座106可以接地或是電性浮接。替代地或組合地，電容調整器136可耦接於基板支座106，以針對RF偏壓功率並非所想要的應用，來調整基板108上的電壓。
製程腔室104另外包括製程套組遮罩部或遮罩部138，遮罩部138用以圍繞製程腔室104的處理容積或中央區域，且遮罩部138用以保護其他腔室元件免於損傷及/或來自處理的汙染。在某些實施例中，遮罩部138可連接至製程腔室104的上接地圍繞壁部116的突部140。如同第1圖所示，腔室蓋101可放置在上接地圍繞壁部116的突部140上。類似於下接地圍繞壁部110，上接地圍繞壁部116可提供下接地圍繞壁部110與腔室蓋 101的接地裝置103之間的射頻回程路徑的一部分。但是，其他射頻回程路徑也是可能的，例如透過接地遮罩部138。
遮罩部138向下延伸，且遮罩部138可包括大體上管狀的部分，該管狀部分具有大體上固定的直徑，且該管狀部分圍繞該中央區域120。遮罩部138沿著上接地圍繞壁部116與下接地圍繞壁部110的壁部向下延伸至基板支座106的頂表面之下，且直到抵達基板支座106的頂表面才向上返回(例如，在遮罩部138的底部處形成u形部分)。當基板支座106位於基板支座106的下裝載位置中時，蓋環148放置於底部遮罩部138的向上延伸內部的頂部上，但是當基板支座106位於基板支座106的上沈積位置中時，蓋環148放置於基板支座106的外部周邊上，以保護基板支座106免於濺鍍沈積。可使用額外的沈積環(未示)，來保護基板支座106的邊緣免於基板108的邊緣周圍的沈積。
在某些實施例中，磁鐵152可設置於製程腔室104的周圍，用於選擇性地提供基板支座106與靶材裝置114之間的磁場。例如，如同第1圖所示，磁鐵152可設置於當基板支座106位於處理位置中時基板支座106之上的區域中的腔室壁部110的外側周圍。在某些實施例中，磁鐵152可額外地或替代地設置於其他位置中，例如鄰近於上接地圍繞壁部116。磁鐵152可為電磁鐵，且磁 鐵152可耦接於電源(未示)，電源用於控制電磁鐵所產生的磁場的大小。
腔室蓋101通常包括設置於靶材裝置114周圍的接地裝置103。接地裝置103可包括接地板156，接地板156具有第一表面157，第一表面157可大體上平行於且相對於靶材裝置114的背側。接地遮罩部112可從接地板156的第一表面157延伸並且圍繞靶材裝置114。接地裝置103可包括支撐構件175，支撐構件175用以支撐在接地裝置103內的靶材裝置114。
在某些實施例中，支撐構件175可耦接於靠近支撐構件175的外部周邊邊緣之接地遮罩部112的下端，且支撐構件175可徑向向內延伸來支撑密封環181、靶材裝置114以及選擇性地，暗區遮罩部179。密封環181可為環或其他具有所欲橫剖面的環狀形狀。密封環181可包括兩個相對的、平坦的且大體上平行的表面，以協助在密封環181的第一側上介接於靶材裝置114(例如背板裝置160)，且在密封環181的第二側上介接於支撐構件175。密封環181可由介電質材料製成，例如陶瓷。 密封環181可將靶材裝置114絕緣於接地裝置103。
暗區遮罩部179大體上設置於靶材裝置114的外部邊緣的周圍，例如在靶材裝置114的來源材料113的外部邊緣的周圍。在某些實施例中，密封環181是設置於暗區遮罩部179的外部邊緣旁邊(亦即，暗區遮罩部179的徑向向外處)。在某些實施例中，暗區遮罩部179 是由介電質材料製成，例如陶瓷。藉由設置介電質的暗區遮罩部179，可避免或最小化在暗區遮罩部與被RF加熱的相鄰組件之間的電弧作用(arcing)。替代地，在某些實施例中，暗區遮罩部179是由導電材料製成，例如不鏽鋼、鋁或類似者。藉由設置導電的暗區遮罩部179，可在處理系統100內維持更均勻的電場，藉此促進其中的基板的更均勻處理。在某些實施例中，暗區遮罩部179的下部可由導電材料製成，且暗區遮罩部179的上部可由介電質材料製成。
支撐構件175可為大體上平坦的構件，支撐構件175具有中央開口來容納暗區遮罩部179與靶材裝置114。在某些實施例中，支撐構件175可為圓形或類似圓盤的形狀，但是該形狀可根據腔室蓋的對應形狀及/或將在PVD處理系統100中處理的基板的形狀而改變。使用時，當腔室蓋101打開或關閉時，支撐構件175將暗區遮罩部179維持成適當對準於靶材裝置114，藉此最小化因為腔室組裝或者打開與關閉腔室蓋101而導致失準的風險。
PVD處理系統100可包括來源分配板158，來源分配板158相對於靶材裝置114的背側，且來源分配板158沿著靶材裝置114的周邊邊緣而電性耦接於靶材裝置114。靶材裝置114可包括在濺鍍期間將要沈積於基板(例如基板108)上的來源材料113，例如金屬、金屬氧化物、金屬合金或類似者。在與本發明一致的實施例中， 靶材裝置114包括背板裝置160，背板裝置160用以支撐來源材料113。來源材料113可設置於背板裝置160的基板支座面向側上，如同第1圖所示。背板裝置160可包括導電材料，例如銅鋅合金、銅鉻合金或如同靶材的相同材料，使得RF與DC電力可透過背板裝置160而耦接至來源材料113。替代地，背板裝置160可為不導電的，且背板裝置160可包括導電元件(未示)，例如電的連接線或類似者。
在與本發明一致的實施例中，背板裝置160包括第一背板161與第二背板162。第一背板161與第二背板162可為圓盤狀、矩形、方形或任何其他可被PVD處理系統100容納的形狀。第一背板的前側是配置來支撐來源材料113，使得來源材料的前表面相對於基板108(當基板108存在時)。來源材料113可用任何合適的方式耦接至第一背板161。例如，在某些實施例中，來源材料113可擴散接合至第一背板161。
複數組通道169可設置於第一與第二背板161、162之間。在與本發明一致的某些實施例中，第一背板161可具有複數組冷卻劑通道169形成於第一背板161的背側中，其中第二背板162提供在每一通道之上的帽/蓋，以防止任何冷卻劑的洩漏。在其他的實施例中，複數組冷卻劑通道169可部分形成於第一背板161中且部分形成於第二背板162中。又，在其他的實施例中，複數組冷卻劑通道169可全部形成於第二背板162中，而第 一背板則加蓋/覆蓋複數組冷卻劑通道169的每一者。第一與第二背板161、162可耦接在一起，以形成實質上防水的密封(例如，第一與第二背板之間的流體密封)，以防止供應至複數組通道169的冷卻劑的洩漏。例如，在某些實施例中，第一與第二背板161、162可銅焊在一起，以形成實質上防水的密封。在其他的實施例中，第一背板161與第二背板162可藉由下述來耦接：擴散接合、銅焊、粘著、釘住、用鉚釘固定或任何其他用以提供液體密封的緊固機構。
第一與第二背板161、162可包括導電材料，例如導電金屬或金屬合金，包括黃銅、鋁、銅、鋁合金、銅合金或類似者。在某些實施例中，第一背板161可為可加工金屬或金屬合金(例如，C182黃銅)，使得該等通道可以被加工或另外產生在第一背板161的表面上。在某些實施例中，第二背板162可為可加工金屬或金屬合金(例如，C180黃銅)，可加工金屬或金屬合金具有剛性/彈性係數是大於第一背板的該金屬或金屬合金，以提供背板裝置160的改良剛性與較低變形。第一與第二背板161、162的材料與尺寸應該使得整個背板裝置160的剛性將承受在沈積處理期間施加在靶材裝置114上的真空、重力、熱與其他力，而不會(或者非常少量的)導致包括來源材料113之靶材裝置114的變形或彎曲(亦即，使得來源材料113的前表面維持實質上平行於基板108的頂表面)。
在本發明的某些實施例中，靶材裝置114的整體厚度可在大約20mm至大約30mm之間。例如，來源材料113可為大約10至大約15mm的厚度，且背板裝置可為大約10至大約15mm的厚度。也可使用其他的厚度。
複數組通道169中的每一組通道可包括一或多個通道(下面相關於第2與3圖而詳細地討論)。例如，在某些範例實施例中，可有八組通道，其中每一組通道包括3個通道。在其他的實施例中，可有較多或較少組通道，且每一組通道中可有較多或較少的通道。每一通道的尺寸與橫剖面形狀，以及每一組中的通道數量與多少數量的組通道可根據下述特性的一或多個來最佳化：為了提供通過該通道以及總共通過所有通道的所欲最大流動速率；為了提供最大的熱轉移特性；簡化且符合在第一與第二背板161、162內製造通道；為了提供背板裝置160的表面之上的最大熱交換流動覆蓋範圍，同時維持足够的結構整體性來防止背板裝置160在負載之下的變形等等。在某些實施例中，每一導管的橫剖面形狀可為矩形、多邊形、橢圓形、圓形與類似者。
在某些實施例中，第二背板162包括一或多個入口(未示於第1圖中，且在下面相關於第2圖至第4圖而詳細地討論)，該一或多個入口設置通過於第二背板162。該等入口是配置來接收熱交換流體並且將該熱交換流體提供至複數組通道169。例如，該一或多個入口的至少一入口可為氣室(plenum)，用以將熱交換流體分配 至該一或多個通道的複數通道。第二背板162另外包括一或多個出口(未示於第1圖中，且在下面相關於第2圖至第4圖而詳細地討論)，該一或多個出口設置通過於第二背板162並且藉由複數組通道169而流體地耦接於對應的入口。例如，該一或多個出口的至少一出口可為氣室，用以收集來自該一或多個通道的複數通道的熱交換流體。在某些實施例中，提供一個入口與一個出口，且複數組通道169中的每一組通道是流體地耦接於該一個入口與該一個出口。
該等入口與出口可設置於第二背板162的周邊邊緣上或附近。另外，該等入口與出口可設置於第二背板162上，使得耦接於一或多個入口的供應導管167，以及耦接於一或多個出口的回送導管(因為是橫剖面圖所以未顯示，但是顯示於第4圖中)不會幹擾孔腔170中的磁控管裝置196的旋轉。
在某些實施例中，PVD處理系統100可包括一或多個供應導管167，以將熱交換流體供應至背板裝置160。在本發明的某些實施例中，第二背板162上的每一入口可耦接於對應的供應導管167。類似的，第二背板162上的每一出口可耦接於對應的回送導管(顯示在第4圖中)。供應導管167與回送導管可由絕緣材料製成。流體供應導管167可包括密封環(例如，可壓縮的o形環或類似的墊圈材料)，以防止熱交換流體在流體供應導管167與第二背板162的背側上的入口之間的洩漏。在某些 實施例中，供應導管167的頂端可耦接於流體分配歧管163，流體分配歧管163設置於腔室主體101的頂表面上。流體分配歧管163可流體地耦接於複數流體供應導管167，以透過供應接線165將熱交換流體供應至複數流體供應導管的每一者。相似的，回送導管的頂端可耦接於流體回送歧管(未示，但是類似於163)，流體回送歧管設置於腔室主體101的頂表面上。流體回送歧管可流體地耦接於複數流體回送導管，以透過回送接綫而將來自複數流體回送導管的每一者的熱交換流體回送。
流體分配歧管163可耦接於熱交換流體源(未示)，以提供熱交換流體至背板裝置160。熱交換流體可為任何製程相容的冷卻劑，例如乙烯乙二醇、去離子水、全氟化聚醚(perfluorinated polyether)(例如，可從Solvay S.A.取得的Galden®)或類似者或者溶液或前述各者之組合。在某些實施例中，通過通道169之冷卻劑的流動可為每分鐘大約8至大約20加侖(總數來說)，但是實際的流動將取決於冷卻劑通道的配置、可用的冷卻劑壓力或類似者。
導電式支撐環164(具有中央開口)是沿著第二背板162的周邊邊緣耦接於第二背板162的背側。在某些實施例中，取代分離的供應與回送導管，導電式支撐環164可包括環入口，來接收來自流體供應接線(未示)的熱交換流體。導電式支撐環164可包括入口歧管，該入口歧管設置於導電式支撐環164的主體內，該入口歧管用以 將熱交換流體分配至設置通過於第二背板的該複數入口。導電式支撐環164可包括出口歧管，該出口歧管設置於導電式支撐環164的主體內，該出口歧管用以從該複數出口接收熱交換流體，且導電式支撐環164可包括環出口，環出口用以從導電式支撐環164輸出熱交換流體。導電式支撐環164與背板裝置160可螺接在一起、釘住、用螺栓拴住、或以製程相容的方式加以緊固，以提供導電式支撐環164與第二背板162之間的液體密封。可提供O形環或其他合適的墊圈材料，以促進提供導電式支撑環164與第二背板162之間的液體密封。
在某些實施例中，靶材裝置114可另外包括中央支撐構件192，該中央支撐構件192用以將靶材裝置114支撐於腔室主體101內。中央支撐構件192可耦接於第一與第二背板161、162的中央部，且中央支撐構件192從第二背板162的該背側垂直地延伸離開。在某些實施例中，中央支撐構件192的底部可螺接進入第一與第二背板161、162中的中央開口。在其他的實施例中，中央支撐構件192的底部可用螺栓拴緊於或夾於第一與第二背板161、162的中央部。中央支撐構件192的頂部可設置通過於來源分配板158，且中央支撐構件192包括放置在來源分配板158的頂表面上的一特徵，該特徵支撐該中央支撐構件192與靶材裝置114。
在某些實施例中，導電式支撐環164可設置於來源分配板158與靶材裝置114的背側之間，以將RF能 量從來源分配板158傳送至靶材裝置114的周邊邊緣。導電式支撐環164可為圓柱形的，具有第一端166與第二端168，第一端166耦接於來源分配板158的面向靶材的表面、接近來源分配板158的周邊邊緣，且第二端168耦接於靶材裝置114的面向來源分配板的表面、接近靶材裝置114的周邊邊緣。在某些實施例中，第二端168耦接於背板裝置160的面向來源分配板的表面、接近背板裝置160的周邊邊緣。
PVD處理系統100可包括孔腔170，孔腔170設置於靶材裝置114的背側與來源分配板158之間。孔腔170可至少部分容納磁控管裝置196，如同下面討論的。 孔腔170是至少部分藉由導電式支撐環164的內部表面、來源分配板158的面向靶材的表面與靶材裝置114(或背板裝置160)的來源分配板面向表面(例如，背側)而界定。
絕緣縫隙180設置於接地板156與來源分配板158的外部表面、導電式支撐環164以及靶材裝置114(及/或背板裝置160)之間。絕緣縫隙180可充填有空氣或某種其他合適的介電質材料，例如陶瓷、塑膠或類似者。接地板156與來源分配板158之間的距離是取決於接地板156與來源分配板158之間的介電質材料。當介電質材料主要是空氣時，接地板156與來源分配板158之間的距離可在大約15mm與大約40mm之間。
接地裝置103與靶材裝置114可藉由密封環181且藉由設置於接地板156的第一表面157與靶材裝置114的背側(例如，來源分配板158的非面向靶材側)之間的一或多個絕緣體(未示)而電性分離。
PVD處理系統100具有RF電源182，RF電源182連接至電極154(例如，RF饋送結構)。電極154可通過接地板156並且耦接於來源分配板158。RF電源182可包括RF產生器與匹配電路，匹配電路例如是用以最小化在操作期間反射回到RF產生器的RF能量。例如，RF電源182所提供的RF能量的頻率範圍可從大約13.56MHz至大約162MHz或者更高。例如，可使用非限制的頻率像是13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz、60MHz或162MHz。
在某些實施例中，PVD處理系統100可包括第二能量源183，以在處理期間提供額外的能量給靶材裝置114。在某些實施例中，第二能量源183可為DC電源，用以提供DC能量，例如來提升靶材材料的濺鍍速率(且因此，提升基板上的沈積速率)。在某些實施例中，第二能量源183可為第二RF電源(類似於RF電源182)，用以提供例如在第二頻率的RF能量，第二頻率不同於RF電源182所提供的RF能量的第一頻率。在第二能量源183是DC電源的實施例中，第二能量源可在適於將DC能量電性耦接給靶材裝置114的任何位置中耦接於靶材裝置114，該位置例如是電極154或某種其他導電構件(例如 來源分配板158，下面將討論)。在第二能量源183是第二RF電源的實施例中，第二能量源可透過電極154而耦接於靶材裝置114。
電極154可為圓柱形或者類似桿狀，且電極154可對準於PVD腔室100的中心軸186(例如，電極154可在重合於靶材的中心軸的點處耦接於靶材裝置，靶材的中心軸重合於中心軸186)。對準於PVD腔室100之中心軸186的電極154可促成以軸對稱的方式將RF能量從RF電源182施加至靶材裝置114(例如，電極154可在對準於PVD腔室之中心軸的「單一點」處將RF能量耦合至靶材)。電極154的中心位置有助於消除或減少基板沈積處理中的沈積不對稱。電極154可具有任何合適的直徑。例如，雖然可使用其他直徑，但是在某些實施例中，電極154的直徑可為大約0.5至大約2吋。電極154可根據PVD腔室的配置而大體上具有任何合適的長度。在某些實施例中，電極154可具有的長度是在大約0.5至大約12吋之間。電極154可由任何合適的導電材料製成，例如鋁、銅、銀或類似者。替代地，在某些實施例中，電極154可為管狀。在某些實施例中，管狀電極154的直徑可為適於例如促成提供用於磁控管的中心軸。
電極154可通過接地板156並且耦接於來源分配板158。接地板156可包括任何合適的導電材料，例如鋁、銅或類似者。一或多個絕緣體(未示)之間的開放空間可允許RF波沿著來源分配板158的表面行進。在某 些實施例中，一或多個絕緣體可相對於PVD處理系統的中心軸186而對稱地定位。此種定位可以促成對稱的RF波沿著來源分配板158的表面行進，且最終，到達耦接於來源分配板158的靶材裝置114。相較於傳統的PVD腔室，可用更對稱且均勻的方式來提供RF能量，這至少部分是因為電極154的中心位置。
磁控管裝置196的一或多個部分可至少部分設置於孔腔170內。磁控管裝置提供靠近靶材的旋轉磁場，以協助該處理腔室101內的電漿處理。在某些實施例中，磁控管裝置196可包括馬達176、馬達軸174、變速箱178、變速箱軸裝置184與可旋轉磁鐵(例如，耦接於磁鐵支撐構件172的複數磁鐵188)以及分配器(divider)194。
在某些實施例中，磁控管裝置196是在孔腔170內旋轉。例如，在某些實施例中，可提供馬達176、馬達軸174、變速箱178與變速箱軸裝置184，來旋轉磁鐵支撑構件172。在具有磁控管的傳統PVD腔室中，磁控管驅動軸通常是沿著腔室的中心軸而設置，防止RF能量在對準於腔室的中心軸的位置中的耦合。相反的，在本發明的實施例中，電極154對準於PVD腔室的中心軸186。因此，在某些實施例中，磁控管的馬達軸174可設置通過於接地板156中的偏離中心的開口。馬達軸174之從接地板156突出的該端是耦接於馬達176。馬達軸174進一步設置通過於通過來源分配板158的對應偏離中心 的開口(例如，第一開口146)，且馬達軸174耦接於變速箱178。在某些實施例中，一或多個第二開口(未示)可以用與第一開口146對稱的關係而設置通過於來源分配板158，以有利地維持沿著來源分配板158的軸對稱RF分佈。該一或多個第二開口也可用以允許使用孔腔170，來使用例如光學感測器或類似者的物品。
變速箱178可藉由合適的方法來支撑，例如藉由耦接至來源分配板158的底表面。藉由以介電質材料來製造變速箱178的至少上表面，或藉由將絕緣層(未示)插置於變速箱178與來源分配板158或類似者之間，或藉由以合適的介電質材料來建構馬達驅動軸174，可使變速箱178絕緣於來源分配板158。變速箱178透過變速箱軸裝置184而另外耦接於磁鐵支撐構件172，以將馬達176所提供的旋轉運動轉移給磁鐵支撐構件172(以及因此，轉移給複數磁鐵188)。
磁鐵支撐構件172可用適於提供合適機械强度的任何材料來建構，以堅固地支撐複數磁鐵188。例如，在某些實施例中，磁鐵支撐構件172可用非磁性金屬來建構，例如非磁性的不鏽鋼。磁鐵支撐構件172可具有任何形狀，該形狀適於允許複數磁鐵188可以在所欲位置中耦接至磁鐵支撐構件172。例如，在某些實施例中，磁鐵支撐構件172可包括板、圓盤、十字狀構件或類似者。 複數磁鐵188可用任何方式來配置，以提供具有所欲形狀與强度的磁場。
替代地，磁鐵支撐構件172可由任何其他機構來旋轉，該機構具有足够的扭矩來克服孔腔170中的附接複數磁鐵188(當複數磁鐵188存在時)與磁鐵支撐構件172上所導致的阻力。例如，在某些實施例中(未示)，使用設置於孔腔170內且直接連接於磁鐵支撐構件172的馬達176與馬達軸174(例如，薄型馬達)，可使磁控管裝置196在孔腔170內旋轉。馬達176必須設計好尺寸，以足夠適配於孔腔170內，或孔腔170的上部內(當分配器194存在時)。馬達176可為電馬達、氣壓式或水壓式驅動或者可以提供所需扭矩的任何其他製程相容的機制。
根據本發明的某些實施例，第2圖是靶材裝置114的背板160的等尺寸視圖。第一背板161與第二背板162為上面相關於第1圖所敘述的。複數入口2021-n是設置於第二背板162的周邊邊緣上幷且完全通過於第二背板162，以提供至複數組通道169的熱交換流體流動。另外，複數出口2041-n是設置於第二背板162的周邊邊緣上幷且完全通過於第二背板162，以提供來自複數組通道169的熱交換流體流動。每一流體入口2021-n是透過來自複數組通道169的一組通道206而流體地耦接於對應的流體出口2041-n。例如，如同第2圖所示，在某些實施例中，流體入口2021是耦接於一組的三個流體通道2061-3。在某些實施例中，該組的三個流體通道2061-3是以遞迴的方式(recursive manner)(例如，朝向 出口延伸，朝向入口返回，且再次朝向出口延伸)而橫越背板裝置的寬度(在第一與第二背板161、162之間)，且該組的三個流體通道2061-3是終止於流體出口2041處。藉由使熱交換流體以遞迴的方式流動通過該等組通道，可維持橫越背板的較均勻溫度梯度，且因此是橫越來源材料(第1圖中的113)的較均勻溫度梯度。具體地，冷的熱交換流體例如進入入口2021，且當該熱交換流體流動通過該組的三個流體通道2061-3朝向背板裝置160的出口端時，該熱交換流體被加熱。該組的三個流體通道2061-3之後朝向背板裝置160的入口端循環回去，其中該熱交換流體是在較高的溫度。藉由遞迴地流動熱交換流體，背板裝置160的入口側與出口側(且因此是橫越來源材料(第1圖中的113))的平均溫度可更均勻。
雖然以具體的遞迴方式來顯示，也可使用具有不同次數的通過及/或不同幾何形狀的其他形態。例如，根據本發明的某些實施例，第4圖繪示背板裝置160的示意頂視圖，其中複數組通道169各自包括一個通道4061-n。每一通道4061-n是流體地耦接於入口4021-n與出口4041-n。每一入口4021-n是流體地耦接於供應導管4081-n。每一出口4041-n是流體地耦接於回送導管4101-n。仍可設想到其他變化。
返回第2圖，在本發明的某些實施例中，當中央支撐構件192設置於背板裝置160的中心時，複數組通道169是配置成使得複數組通道169流動於中央支撐構 件192的周圍。雖然第2圖中的背板裝置160是顯示成具有八個入口2021-n、八個出口2041-n與八組通道206，可使用入口、出口、與通道數量的其他組合，以提供橫越背板的所欲(例如，均勻)溫度梯度。
根據本發明的某些實施例，第3圖是耦接於靶材裝置114的供應導管167n的示意橫剖面視圖。供應導管1671包括中心開口304，且供應導管1671可耦接於第二背板162的背側，以供應熱交換流體通過背板裝置160。在某些實施例中，供應導管1671可具有密封環302(例如，可壓縮的o形環或類似者)沿著供應導管1671的底部設置，當密封環302耦接於第二背板162的背側時，形成密封來防止熱交換流體泄漏出去。在某些實施例中，供應導管1671是流體地耦接於入口202，入口202設置通過於第二背板162。在某些實施例中，入口202是流體地耦接於一組通道2061-3，該組通道2061-3設置於耦接於第二背板162的第一背板161中。熱交換流體透過通道2061-3而流動通過背板裝置160，以冷卻耦接於第一背板161的來源材料113。相似的，熱交換流體由供應導管1672提供，且透過通道2064-6而流動通過背板裝置160，以冷卻耦接於第一背板161的來源材料113。對應的回送導管(未示)是流體地耦接於每一組通道206(透過設置通過於第一背板161的出口)，以從背板裝置160移除已加熱的流體。
雖然前述是關於本發明之實施例，但可在不背 離本發明之基本範圍下，設計本發明之其他與進一步之實施例。

Claims (17)

  1. 一種靶材裝置，用於使用在一物理氣相沈積基板處理腔室中，該靶材裝置包括：一來源材料；一第一背板，該第一背板是配置來將該來源材料支撑於該第一背板的一前側上；一第二背板，該第二背板耦接於該第一背板的一背側且具有設置在該第二背板的一背側上的複數入口；至少三個獨立的通道組，該至少三個獨立的通道組是設置於該等第一與第二背板之間，其中每一通道組包括至少三個通道，其中每一通道組中的該至少三個通道實質上彼此平行，其中該至少三個獨立的通道組的每一通道組以一遞迴的方式橫越該等第一及第二背板的實質上一整個長度至少三次，其中該至少三個獨立的通道組中的該至少三個通道的每一者流體地耦接於複數個入口的一者，且其中每一入口流體地耦接於複數個供應導管的一者；一中央支撑構件，該中央支撐構件用以支撐在該基板處理腔室內的該靶材裝置，其中該中央支撐構件耦接於該等第一及第二背板的一中央部且從該第二背板的該背側垂直地延伸離開，且其中該至少三個獨立的通道組是配置來使冷卻劑在該中央支撐構件周圍流動；及 複數出口，該複數出口是設置通過該第二背板且藉由該至少三個獨立通道組流體地耦接於該複數入口，其中該複數出口的每兩個出口被至少一個通道組分離，其中該複數入口的每兩個入口被至少一個通道組分離，且其中該至少三個獨立通道組的每一通道組的該入口及出口與該至少三個獨立通道組的其他通道組的該入口及出口不同。
  2. 如請求項1所述之靶材裝置，其中該第二背板包括：該複數入口，該複數入口是設置通過於該第二背板，且該複數入口是配置來接收一熱交換流體幷且將該熱交換流體提供至該至少三個獨立的通道組。
  3. 如請求項1所述之靶材裝置，其中設置通過於該第二背板的該複數入口是配置來接收一熱交換流體並且將該熱交換流體提供至該至少三個獨立的通道組，且其中該第二背板進一步包括設置在該第二背板的該背側上的複數出口，其中該至少三個獨立的通道組的每一通道組是耦接於該複數入口中的一對應入口以及該複數出口中的一對應出口，使得該複數出口的每一者藉由該至少三個獨立的通道組的一通道組而流體地耦接於該複數入口的一者。
  4. 如請求項1所述之靶材裝置，其中該至少三個獨立的通道組中的每一通道是完全形成於該第一背板中，且其中該第二背板是配置來覆蓋每一通道。
  5. 如請求項1所述之靶材裝置，其中該至少三個獨立的通道組中的每一通道是藉由該第一背板中的一溝槽與該第二背板中的一對應溝槽而形成。
  6. 如請求項1所述之靶材裝置，其中該等第一與第二背板是銅焊在一起，以形成該等第一與第二背板之間的一流體密封。
  7. 如請求項1所述之靶材裝置，其中該第一背板包括一導電的可加工金屬或金屬合金，且其中每一通道是該第一背板中的一加工溝槽。
  8. 如請求項1所述之靶材裝置，其中該第二背板包括一導電金屬或金屬合金，該第二背板的該導電金屬或金屬合金具有一彈性係數是大於該第一背板的該金屬或金屬合金。
  9. 如請求項1所述之靶材裝置，其中該至少三個獨立的通道組中的每一通道具有一實質上矩形的橫剖面。
  10. 如請求項1所述之靶材裝置，其中該等第一與第二背板是圓盤狀。
  11. 如請求項2所述之靶材裝置，進一步包括：至少一流體供應導管，該至少一流體供應導管是耦接於該第二背板的一背側上的該複數入口，其中該至少一流體供應導管的每一者包括一密封環來防止熱交換流體的泄漏；及 至少一流體回送導管，該至少一流體回送導管是耦接於該第二背板的該背側上的該複數出口，其中該至少一流體回送導管的每一者包括一密封環來防止熱交換流體的泄漏。
  12. 如請求項3所述之靶材裝置，進一步包括：複數流體供應導管，該複數流體供應導管的每一者是耦接於該第二背板的該背側上的該複數入口中的一對應入口，其中該複數流體供應導管的每一者包括一密封環來防止熱交換流體的洩漏；及複數流體回送導管，該複數流體回送導管的每一者是耦接於該第二背板的該背側上的該等該複數出口中的一對應出口，其中該複數流體回送導管的每一者包括一密封環來防止熱交換流體的泄漏。
  13. 如請求項3所述之靶材裝置，進一步包括一支撐環，該支撐環具有一中央開口，且該支撑環沿著該第二背板的一周邊邊緣耦接於該第二背板的該背側，其中該支撑環包括一環入口、一入口歧管、一出口歧管與一環出口，該環入口用以接收熱交換流體，該入口歧管用以將該熱交換流體分配至設置通過於該第二背板的該複數入口，該出口歧管用以從該複數出口接收該熱交換流體，且該環出口用以從該支撑環輸出該熱交換流體。
  14. 如請求項2所述之靶材裝置，其中所有該複數入口是設置在該第二背板的一第一側上，且其中所 有該複數出口是設置在該第二背板與該第一側相對的一第二側上。
  15. 一種物理氣相沈積基板處理腔室，該物理氣相沈積基板處理腔室包括：一腔室主體；一靶材，該靶材設置於該腔室主體中，且該靶材包括一來源材料、一第一背板、一第二背板與至少三個獨立的流體冷卻通道組，該來源材料將沈積於一基板上，該第一背板是配置來支撑該來源材料，該第二背板耦接於該第一背板的一背側，且該至少三個獨立的流體冷却通道組是設置於該等第一與第二背板之間，其中每一流體冷卻通道組包括至少三個通道，其中該至少三個獨立的流體冷卻通道組的每一通道組以一遞迴的方式橫越該等第一及第二背板的實質上一整個長度至少三次，且其中每一流體冷卻通道組中的該至少三個通道實質上彼此平行；一來源分配板，該來源分配板相對於該靶材的一背側，且該來源分配板電性耦接於該靶材；一中央支撑構件，該中央支撑構件設置通過於該來源分配板，且該中央支撑構件耦接於該靶材，來將該靶材支撑於該基板處理腔室內，其中該至少三個獨立的通道組是配置來使冷卻劑在該中央支撐構件周圍流動； 複數流體供應導管，該複數流體供應導管是配置來將熱交換流體供應至該至少三個獨立的流體冷卻通道組，該複數流體供應導管具有一第一端與一第二端，該第一端耦接於設置在該第二背板的一背側上的複數入口，且該第二端設置通過於該腔室主體的一頂表面；及複數流體回送導管，該複數流體回送導管是配置來回送來自該複數流體冷卻通道組的熱交換流體，該複數流體回送導管具有一第一端與一第二端，該第一端耦接於設置在該第二背板的該背側上的複數出口，且該第二端設置通過於該腔室主體的一頂表面，其中該複數出口的每兩個出口被至少一個流體冷卻通道組分離，其中該複數入口的每兩個入口被至少一個流體冷卻通道組分離，且其中該至少三個獨立通道組的每一通道組的該入口及出口與該至少三個獨立通道組的其他通道組的該入口及出口不同。
  16. 如請求項15所述之物理氣相沈積基板處理腔室，進一步包括：一孔腔，該孔腔設置於該靶材的該背側與該來源分配板之間；及一磁控管裝置，該磁控管裝置包括(a)一可旋轉磁鐵，該可旋轉磁鐵設置於該孔腔內，且該可旋轉磁鐵具有一旋轉軸，該旋轉軸對準於該靶材的一中心軸與該中央支撑構件的一中心軸，以及(b)一轉軸，該 轉軸設置通過於該來源分配板中的一開口，該轉軸幷未對準於該靶材的該中心軸，且該轉軸是旋轉地耦接於該可旋轉磁鐵。
  17. 如請求項15所述之物理氣相沈積基板處理腔室，進一步包括：一流體分配歧管，該流體分配歧管設置於該腔室主體的該頂表面上，該流體分配歧管流體地耦接於該複數流體供應導管，以將熱交換流體供應至該複數流體供應導管的每一者；及一流體回送歧管，該流體回送歧管設置於該腔室主體的該頂表面上，該流體回送歧管流體地耦接於該複數流體回送導管，以接收來自該複數流體回送導管的每一者的熱交換流體。
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