JP5967083B2 - ダブルパターン形成方法 - Google Patents
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Description
(1a)第1フォトレジスト組成物を用い、基板上に第1レジスト膜を形成する工程、
(1b)上記第1レジスト膜を露光する工程、及び
(1c)上記露光された第1レジスト膜を第1現像液を用いて現像する工程
を含む第1レジストパターンを形成する工程、並びに
(2a)上記第1レジストパターンの少なくともスペース部分に、第2フォトレジスト組成物を塗布し、第2レジスト膜を形成する工程、
(2b)上記第2レジスト膜を露光する工程、及び
(2c)上記露光された第2レジスト膜を、有機溶媒を含有する第2現像液を用いて現像する工程
を含む第2レジストパターン形成工程
を有し、
上記第1レジストパターンが、第2現像液に不溶又は難溶であるダブルパターン形成方法である。
上記第1レジストパターンを形成する工程が、(1c)工程の後に、
(1d)現像後の第1レジスト膜を露光する工程
をさらに含むことが好ましい。
[A]酸の作用により解離して酸性基を生成する酸解離性基を有する重合体(以下、「[A]重合体」とも称する)、
[B]酸発生体、及び
[C]溶媒
を含有することが好ましい。
をさらに有することが好ましい。
当該ダブルパターン形成方法によれば、上記(3)工程をさらに有することで、現像後の第1レジスト膜の表面と塩基性化合物とが相互作用すると考えられ、その結果、パターン高さ差がより小さく、パターン断面形状により優れ、かつ幅により広狭があるレジストパターンを形成することができる。
また、上記第1レジストパターンを形成する工程が、(1c)工程の後に、
(1c’)上記現像された第1レジスト膜をリンス液を用いてリンスする工程
をさらに有し、
上記リンス液が上記塩基性化合物を含有し、上記(3)工程を(1c’)工程において行うことも好ましい。
さらに、上記第2フォトレジスト組成物が塩基性化合物を含有し、上記(3)工程を(2a)工程において行うことも好ましい。
これらの工程において上記(3)工程を行うことで、上述の現像後の第1レジスト膜の表面と塩基性化合物とが効果的に相互作用し、その結果、ダブルパターンのパターン高さ差、パターン断面形状及びパターンの幅広さをより向上させることができる。
上記第1レジストパターンのライン部と第2レジストパターンのライン部とを交互に配置することが好ましい。
上記第1レジストパターンのライン部と第2レジストパターンのライン部とを直交して配置することが好ましい。
図1に示すように、ダブルパターン形成方法(A)は、第1レジストパターンを形成する工程、及び第2レジストパターンを形成する工程を有する。第1レジストパターンを形成する工程は、(1a)工程〜(1c)工程を含み、第2レジストパターンを形成する工程は、(2a)工程〜(2c)工程を含む。また、ダブルパターン形成方法(A)は、(3)工程を有することが好ましく、(1c’)工程等を含んでいてもよい。以下、各工程を詳述する。
(1a)工程は、第1フォトレジスト組成物を用い、基板上に第1レジスト膜を形成する工程である。ここでは、第1フォトレジスト組成物を基板1に塗布し、図1(A)に示すように第1レジスト膜2を形成する。上記第1フォトレジスト組成物としては、形成されるレジスト膜の現像液に対する溶解性が、露光により変化するものであれば用いることができ、例えば露光により、有機溶媒を含有する現像液に対しては溶解性が低下し、アルカリ現像液に対しては溶解性が増大する組成物等が挙げられる。
(1b)工程は、上記第1レジスト膜を露光する工程である。ここでは、図1(B)に示すように、(1a)工程で形成した第1レジスト膜2の所望の領域に特定パターンのマスク及び必要に応じて液浸液を介して、露光光3を縮小投影等することにより露光する。例えば所望の領域にアイソラインパターンを有するマスクを介して縮小投影露光を行うことにより、第1レジストパターンとしてアイソトレンチパターンを形成できる。
(1c)工程は、上記露光された第1レジスト膜を第1現像液を用いて現像する工程である。本工程により、図1(C)のように第1レジストパターン4が形成される。上記第1現像液は、有機溶媒を含有することが好ましい。上記第1現像液を上記特定の現像液とすることで、レジスト膜における極性の比較的低い部分を除去することができ、第2現像液に不溶又は難溶の第1レジストパターンを簡便に形成することができる。
メタノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n−ブタノール、iso−ブタノール、sec−ブタノール、tert−ブタノール、n−ペンタノール、iso−ペンタノール、2−メチルブタノール、sec−ペンタノール、tert−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノール、3−ヘプタノール、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノニルアルコール、2,6−ジメチル−4−ヘプタノール、n−デカノール、sec−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;
エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、2,4−ペンタンジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、2,5−ヘキサンジオール、2,4−ヘプタンジオール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のジ脂肪族エーテル;
ジフェニルエーテル、ジトリルエーテル等のジ芳香族エーテル;
アニソール、フェニルエチルエーテル等の芳香族−脂肪族エーテル等が挙げられる。
アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−iso−ブチルケトン、メチルアミルケトン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−iso−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等の脂肪族ケトン系溶媒;
アセトフェノン、プロピオフェノン、トリルメチルケトン等の脂肪族−芳香族ケトン系溶媒;
ベンゾフェノン、トリルフェニルケトン、ジトリルケトン等の芳香族ケトン系溶媒等が挙げられる。
N,N’−ジメチルイミダゾリジノン、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド、N−メチルピロリドン等が挙げられる。
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸iso−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸iso−ブチル、酢酸sec−ブチル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エチルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸iso−アミル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミル等のモノエステル系溶媒;
ジ酢酸グリコール、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等のジエステル系溶媒;
エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコールモノエーテルアセテート系溶媒;
γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のラクトン系溶媒;
ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒等が挙げられる。
n−ペンタン、iso−ペンタン、n−ヘキサン、iso−ヘキサン、n−ヘプタン、iso−ヘプタン、2,2,4−トリメチルペンタン、n−オクタン、iso−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;
ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n−プロピルベンゼン、iso−プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−iso−プロピルベンセン、n−アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
(1c)工程の後に、(1c’)工程として、現像後のレジストパターンをリンス液により洗浄して乾燥してもよい。このリンス液としては、有機溶媒を含有する液を使用することができ、発生したスカムを効率よく洗浄することができる。含有される有機溶媒としては、炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、アミド系溶媒等が挙げられる。これらのうち、アルコール系溶媒、エステル系溶媒が好ましく、炭素数6〜8の1価のアルコール系溶媒がより好ましい。
(2a)工程は、上記第1レジストパターンの少なくともスペース部分に、第2フォトレジスト組成物を用い、第2レジスト膜を形成する工程である。ここでは、図1(D)に示すように、第1レジストパターン4の少なくともスペース部分に、第2フォトレジスト組成物を塗布し、第2レジスト膜5を形成する。(2a)工程は、上記(1a)工程と同様である。上記第2フォトレジスト組成物は、(1a)工程の第1フォトレジスト組成物と同一であってもよく、異なっていてもよい。ダブルパターン形成のプロセスを簡便とする観点から、同一の組成物を用いることが好ましい。なお、同一であるとは、両組成物中の全ての成分の種類及び配合量が同一であることを意味し、両組成物が異なるとは、両組成物中のいずれかの成分の種類又は配合量が異なることを意味する。
(2b)工程は、上記第2レジスト膜を露光する工程である。ここでは、図1(E)に示すように、(2a)工程で形成した第2レジスト膜5を露光光3の照射により露光する。(2b)工程は、上記(1b)工程と同様である。
(2c)工程は、上記露光された第2レジスト膜を、有機溶媒を含有する第2現像液を用いて現像する工程である。(2c)工程は、上記(1c)工程と同様である。本工程により、図1(F)に示すように、第2レジストパターン6が形成される。上記第2現像液としては、例えば(1c)工程において第1現像液として例示した有機溶媒含有現像液等が適用できる。ダブルパターン形成方法(A)において、第2現像液の極性は、上記第1現像液の極性より低いことが第1レジストパターンの変形、溶解等を抑える観点から好ましい。なお、現像液の極性は、例えば溶解度パラメーター値(SP値)等により表される。
図2に示すように、ダブルパターン形成方法(B)は、上記第1現像液が、アルカリ現像液であり、上記第1レジストパターンを形成する工程が、(1c)工程の後に、(1d)現像後の第1レジスト膜を露光する工程をさらに含む点で図1に示すダブルパターン形成方法とは異なる。以下、異なる工程について詳述する。
(1b)工程は、上記第1レジスト膜を露光する工程である。ここでは、図2(B)に示すように、(1a)工程で形成した第1レジスト膜2の所望の領域に特定パターンのマスク及び必要に応じて液浸液を介して、露光光3を縮小投影等することにより露光する。例えば所望の領域にアイソラインパターンを有するマスクを介して縮小投影露光を行うことにより、第1レジストパターンとしてアイソラインパターンを形成できる。
図2の(1c)工程では、上記第1現像液としてアルカリ現像液を用いて現像する。アルカリ現像液を用いることで、極性が比較的高い部分が溶解、除去され、図2(C’)に示すように現像後の第1レジスト膜4’が形成される。
(1d)工程は、現像後の第1レジスト膜を露光する工程である。本工程により、図2(C’’)に示すように、露光によって発生した酸の作用により、現像後の第1レジスト膜4’は、構成する重合体の酸解離性基が解離して極性基を生じること等により、有機溶媒を含有する第2現像液に不溶又は難溶な第1レジストパターン4に転換される。
(3)工程は、上記(2a)工程以前に、現像後の第1レジスト膜の表面に塩基性化合物を接触させる工程である。当該ダブルパターン形成方法においては、(3)工程をさらに有することが好ましい。当該ダブルパターン形成方法は、(3)工程をさらに有することで、現像後の第1レジスト膜の表面と塩基性化合物とが相互作用すると考えられ、その結果、パターン高さ差がより小さく、パターン断面形状により優れ、かつ幅により広狭があるレジストパターンを形成することができる。
(1c’)上記現像後の第1レジスト膜をリンス液を用いてリンスする工程
をさらに有し、
上記リンス液が上記塩基性化合物を有し、上記(3)工程を(1c’)工程において行う。ここでは、ダブルパターン形成方法(A)において、(1c)工程の後に、塩基性化合物を含有したリンス液を用いてリンスすることにより、(1c)工程で形成された現像後の第1レジスト膜の表面に塩基性化合物を接触させる。
上記窒素原子含有化合物としては、例えば、アミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。
上記塩基性を有するアニオンとしては、ヒドロキシルアニオン、カルボキシレートアニオン、スルホネートアニオン、スルホンアミドアニオン等が挙げられる。
本発明のダブルパターン形成方法に用いる上記第1フォトレジスト組成物及び第2フォトレジスト組成物は、形成されるレジスト膜の現像液に対する溶解性が、露光により変化するものであれば特に限定されず、例えば露光により、有機溶媒を含有する現像液に対しては溶解性が低下し、アルカリ現像液に対しては溶解性が上昇するもの等が挙げられる。レジスト膜の現像液に対する溶解性を露光により変化させる方法としては、例えば露光により極性が変化する重合体を含有させる方法等が挙げられる。
[A]重合体が有する酸の作用により解離して酸性基を生成する酸解離性基とは、カルボキシル基、ヒドロキシル基等の酸性基の水素原子を置換する基であって、露光により[B]酸発生体から発生する酸等の作用により解離する基をいう。フォトレジスト組成物は、[A]重合体が酸解離性基を有することで、露光部における酸解離性基が解離して酸性基が生成して極性が増大し、有機溶媒を含有する現像液に対する溶解度が減少し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する。酸解離性基を有する態様としては、[A]重合体が酸解離性基を含む構造単位(I)を含むことが好ましい。また、[A]重合体は、ラクトン含有基又は環状カーボネート含有基を含む構造単位(II)、親水性官能基を有する構造単位(III)を含んでいてもよい。なお、[A]重合体は、各構造単位を2種以上含んでいてもよい。以下、各構造単位を詳述する。
構造単位(I)は、下記式(1)で表される構造単位である。
[A]重合体は、ラクトン含有基又は環状カーボネート含有基を含む構造単位(II)を含むことが好ましい。[A]重合体が構造単位(II)を有することで、形成されるレジストパターンの基板への密着性、及びレジストパターン同士の密着性を向上できる。ラクトン含有基とは、−O−C(O)−構造を含むひとつの環(ラクトン環)を含有する環式基を表す。また、環状カーボネート含有基とは、−O−C(O)−O−で表される結合を含むひとつの環(環状カーボネート環)を含有する環式基を表す。ラクトン環又は環状カーボネート環を1つめの環として数え、ラクトン環又は環状カーボネート環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。
[A]重合体は、親水性官能基を有する構造単位(III)を有してもよい。[A]重合体が構造単位(III)を有することで、第1レジストパターン及び第2レジストパターンの有機溶媒を含有する現像液に対する溶解耐性が向上する。結果として、得られるダブルパターンの形状をより良好にすることができる。親水性官能基としては、例えばヒドロキシル基、アミノ基、ケトン性カルボニル基、スルホンアミド基等が挙げられる。
[A]重合体は、例えば各構造単位を与える単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより合成することができる。
n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;
クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;
酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;
アセトン、メチルエチルケトン、4−メチル−2−ペンタノン、2−ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;
メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、4−メチル−2−ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。これらの溶媒は、1種又は2種以上を用いてもよい。
溶離液:テトラヒドロフラン(和光純薬工業製)
流量:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
[B]酸発生体は、露光により酸を発生し、その酸により[A]重合体中に存在する酸解離性基を解離させる等により、[A]重合体の現像液に対する溶解度を変化させる。フォトレジスト組成物における[B]酸発生体の含有形態としては、後述するような低分子化合物の形態(以下、適宜「[B]酸発生剤」とも称する)でも、酸発生基として重合体に組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。
[C]溶媒は、[A]重合体、[B]酸発生体及び好適成分を溶解できる溶媒であれば特に限定されない。[C]溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒及びその混合溶媒等が挙げられる。
[D]重合体は、[A]重合体よりフッ素原子含有率が高い重合体である。上記フォトレジスト組成物が[D]重合体を含有することで、レジスト膜を形成した際に[D]重合体の撥油性的特徴により、その分布がレジスト膜表層に偏在化する傾向がある。結果として、液浸露光を行う場合、酸発生剤や酸拡散制御剤等が液浸媒体に溶出することを抑制でき好ましい。また、この[D]重合体の撥水性的特徴により、レジスト膜と液浸媒体との前進接触角が所望の範囲に制御でき、バブル欠陥の発生を抑制できる。さらに、レジスト膜と液浸媒体との後退接触角が高くなり、水滴が残らずに高速でのスキャン露光が可能となる。なお、フッ素原子含有率(質量%)は、重合体の構造を13C−NMR、1H−NMR、IRスペクトル等を測定することにより求め、算出することができる。
[D]重合体の合成方法としては、例えば[A]重合体の合成方法と同様の方法に従って合成することができる。[D]重合体のMwとしては、1,000〜50,000が好ましく、1,000〜30,000がより好ましく、1,000〜10,000が特に好ましい。[D]重合体のMwが1,000未満の場合、十分な前進接触角を得ることができない場合がある。
[E]酸拡散制御体は、露光により[B]酸発生体から発生する酸等のレジスト膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏する。また、[E]酸拡散制御体は、これを含有するフォトレジスト組成物の貯蔵安定性を向上させる効果も奏する。[E]酸拡散制御体のフォトレジスト組成物における含有形態としては、遊離の化合物の形態(以下、適宜「[E]酸拡散制御剤」とも称する)でも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。
フォトレジスト組成物は、[F]添加剤として、例えば界面活性剤、増感剤等を含有していてもよい。
界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する効果を奏する。界面活性剤としては、一般的なフォトレジスト組成物に用いられるものと同様のものを用いることができる。
増感剤は、[B]酸発生体からの酸の生成量を増加する作用を表すものであり、フォトレジスト組成物の「みかけの感度」を向上させる効果を奏する。
フォトレジスト組成物は、例えば[A]重合体、[B]酸発生体、[C]溶媒及び好適成分を所定の割合で混合することにより調製できる。フォトレジスト組成物の全固形分濃度としては、通常、1質量%〜50質量%であり、1質量%〜25質量%が好ましい。
[A]重合体及び[D]重合体の合成に用いた単量体を以下に示す。
上記化合物(M−1)50モル%、化合物(M−4)50モル%及び重合開始剤としてのAIBN2モル%を60gのメチルエチルケトンに溶解した単量体溶液を準備した。また、単量体化合物の合計質量は30gになるように調整した。一方、温度計及び滴下漏斗を備えた500mLの三口フラスコにメチルエチルケトン30gを加え、30分間窒素バージを行った。その後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら、80℃になるように加熱した。次いで、上記単量体溶液を三口フラスコ内に滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。その後、30℃以下になるまで冷却して重合溶液を得た。この重合溶液を600gのメタノール中へ投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を2回、120gずつのメタノールでスラリー状にして洗浄した後、ろ別し、50℃で17時間乾燥し、白色粉末状の重合体(A−1)を得た(収量:23.5g、収率:78.3%)。13C−NMR分析の結果、重合体(A−1)における化合物(M−1)由来の構造単位:化合物(M−4)由来の構造単位の含有割合(モル%)は、それぞれ47.8:52.2であった。重合体(A−1)のMwは11,800、Mw/Mnは、1.60であった。13C−NMR分析は、日本電子製「JNM−EX400」を使用し、測定溶媒としてDMSO−d6を使用して分析を行った。
表1に示す種類及び仕込み量の単量体を用いたこと以外は、合成例1と同様に操作して各重合体を合成した。得られた重合体の各構造単位の含有割合、各重合体のMw、Mw/Mn、及び収率を表1に合わせて示す。なお、表1の「−」は、該当する構造単位を与える単量体を用いなかったことを示す。
上記化合物(M−8)35.8g(70モル%)、化合物(M−9)14.2g(30モル%)及び重合開始剤としてのジメチル2,2’−アゾビスイソブチレート3.2g(8モル%)を100gのメチルエチルケトンに溶解し、単量体溶液を調製した。100gのメチルエチルケトンを入れた500mL三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80℃に加熱し、上記単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合反応液を水冷して30℃以下に冷却し、メタノール/メチルエチルケトン/ヘキサン=2/1/8(質量比)の混合溶液825gを用いて洗浄した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで溶媒置換し、重合体(D−1)を含む溶液を得た(固形分換算で38.0g、収率76.0%)。13C−NMR分析の結果、重合体(D−1)における化合物(M−8)由来の構造単位:化合物(M−9)由来の構造単位の含有比率(モル%)は、70.2:29.8であった。重合体(D−1)のMwは、7,000、Mw/Mnは、1.40であった。
単量体化合物として、化合物(M−1)27.3g(70モル%)及び化合物(M−10)22.7g(30モル%)を用いた以外は、合成例5と同様に操作して、重合体(D−2)を含む溶液を得た(固形分換算で35.9g、収率71.7%)。13C−NMR分析の結果、重合体(D−2)における化合物(M−1)由来の構造単位:化合物(M−10)由来の構造単位の含有比率(モル%)は、67.9:32.1であった。重合体(D−2)のMwは、6,200、Mw/Mnは、1.52であった。
フォトレジスト組成物の調製に用いた各成分の詳細を以下に示す。
B−1:下記式(B−1)で表されるトリフェニルスルホニウム2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1−ジフルオロエタンスルホネート
B−2:下記式(B−2)で表されるトリフェニルスルホニウム2−(1−アダマンチル)−1,1−ジフルオロエタンスルホネート
C−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
C−2:シクロヘキサノン
C−3:γ−ブチロラクトン
E−1:下記式(E−1)で表されるN−(t−ペンチルオキシカルボニル)−4−ヒドロキシピペリジン
E−2:下記式(E−2)で表されるトリフェニルスルホニウムN−n−ブチル−トリフルオロメチルスルホンアミド
E−3:下記式(E−3)で表される1,2,2,6,6−ペンタメチルピペリジン−4−オール
[A]重合体としての重合体(A−1)100質量部、[B]酸発生剤としての酸発生剤(B−1)7.8質量部、[C]溶媒としての(C−1)3,320質量部、(C−2)1,420質量部及び(C−3)30質量部、[D]重合体としての重合体(D−1)3質量部、並びに[E]酸拡散制御剤としての(E−1)1.0質量部を混合し、フォトレジスト組成物(J−1)を調製した。
表2に示す種類及び配合量の各成分を用いた以外は、調製例1と同様に操作して、各フォトレジスト組成物を調製した。
<ダブルパターン形成方法(A)>
[実施例1]
12インチシリコンウェハ上に、反射防止膜形成剤(ARC66、日産化学製)を、現像装置(CLEAN TRACK Lithius Pro i、東京エレクトロン製)を用いてスピンコートした後、205℃で60秒間ベークして、膜厚105nmの下層反射防止膜を形成した。この下層反射防止膜を形成した基板上に、現像装置(CLEAN TRACK ACT12、東京エレクトロン製)を用いて、フォトレジスト組成物(J−1)をスピンコートし、80℃で60秒間SBした後、23℃で30秒間冷却することにより膜厚60nmのレジスト膜を形成した。次いで、ArF液浸露光装置(NSR−S610C、ニコン精機カンパニー製)を用い、開口数(NA)=1.3、ダイポールXの光学条件にて、ラインアンドスペースパターンマスクを介して、28nmライン/112nmピッチのパターンが形成されるように縮小投影露光を行った。露光後、上記CLEAN TRACK Lithius Pro iのホットプレート上で、85℃で60秒間PEBを行った後、23℃で30秒間冷却させた。次に、現像液としてメチルアミルケトン(MAK)を用い、30秒間パドル現像を行い、続いてリンス液として4−メチル−2−ペンタノール(MPL)を用い、7秒間リンス処理を行った。その後、2,000rpm、15秒間振り切りでスピンドライすることにより、28nmライン/112nmピッチの第1レジストパターンを得た。
表3に示すフォトレジスト組成物を使用し、各条件としたこと以外は、実施例1と同様に操作して、各ダブルパターンを形成した。なお、表3中の現像液はBAは酢酸ブチルを示し、ANSはアニソールを示し、「MAK+」は1質量%の上記式(E−2)で表される化合物を含有するMAKを示す。また、表中の「−」は、該当する操作を行わなかったことを示す。
[実施例12]
実施例1と同様に操作して、フォトレジスト組成物(J−1)を用いて膜厚60nmのレジスト膜を形成した。次いで、上記ArF液浸露光装置を用い、実施例1と同条件で露光、PEBを行い冷却した。次に、現像液として2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(TMAH)を用い、30秒間パドル現像を行い、続いてリンス液として水(超純水)を用いリンス処理を行った。その後、2,000rpm、15秒間振り切りでスピンドライした。その後、上記ArF液浸露光装置を用い、NA=1.3、ダイポールXの光学条件にてマスクを介さず、20mJ/cm2の露光量で全面露光を行った。露光後、CLEAN TRACK Lithius Pro iのホットプレート上で、85℃で60秒間PEBを行った後、23℃で30秒間冷却させることにより、28nmライン/112nmピッチの第1レジストパターンを得た。引き続き、実施例1と同様に操作して、第2レジストパターンを形成し、28nmライン/56nmピッチのダブルパターンが得られた。
第1及び第2レジストパターンの形成に用いるフォトレジスト組成物を(J−2)としたこと以外は、実施例12と同様に操作してダブルパターンを得た。
実施例12と同様に操作して、フォトレジスト組成物(J−1)をスピンコートし、膜厚60nmのレジスト膜を形成した。次いで、ArF液浸露光装置を用い実施例12と同条件で露光、PEB(但し比較例1では105℃)、現像、リンス処理を行った。その後、2,000rpm、15秒間振り切りでスピンドライした。その後、特開2009−69817の実施例88に記載のパターン保護膜材料を、上記CLEAN TRACK ACT12を用い、形成される保護膜の膜厚が120nmとなるようにスピンコートし、160℃で60秒間ベークした後、23℃で30秒間冷却させた。次いで、CLEAN TRACK Lithius Pro iにて、2.38質量%TMAH水溶液により30秒間パドル現像を行い、続いて、リンス液として水(超純水)を用い、リンス処理を行った。その後、2,000rpm、15秒間振り切りでスピンドライすることにより余分な保護膜を除去してから、160℃で60秒間ベークを行い、パターン表面をさらに架橋させ、第1レジストパターンを得た。
第1及び第2レジストパターンの形成に用いるフォトレジスト組成物を(J−3)としたこと以外は、比較例1と同様に操作してダブルパターンを得た。
形成した各ダブルパターンについて、以下の評価をした。結果を表3にあわせて示す。
56nmライン112nmピッチのマスクパターンを介して露光した部分が、28nmライン/112nmピッチのラインアンドスペースパターンを形成する露光量を、最適露光量とした。この最適露光量において、形成されたラインアンドスペースパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡(S−4800、日立ハイテクノロジーズ製)を用いて観察した。第1レジストパターンの高さと第2レジストパターンの高さの差を測定し、パターン高さ差(nm)とした。パターン高さ差が、20nm未満である場合を「A」(良好と判断)、20nm以上である場合を「B」(不良と判断)とした。
上記最適露光量において、形成されたラインアンドスペースパターンの断面形状を、上記走査型電子顕微鏡で観察した。パターン断面形状が矩形である場合を「A」(良好と判断)、山型や裾を引いた形状のように矩形でない場合を「B」(不良と判断)とした。
最大硬化寸法の評価に用いるレジストパターンとして、上記実施例において、第2レジストパターンの形成における露光を行わなかった以外は、上記実施例と同様にして得られるものを調製した。一方、上記比較例の場合は、第2レジストパターンの形成における露光として、露光量20mJ/cm2で全面露光を行った以外は、上記比較例と同様にして得られるものを調製した。これらの調製により、形成された第1レジストパターン上に塗布されたフォトレジスト組成物は、第2レジストパターンの形成における現像に用いる現像液により除去される。なお、第1レジストパターンの形成における露光の露光量としては、42nmライン/84nmピッチを形成するのに最適な露光量とした。また、評価に用いるレジストパターンとして、ピッチは500nmとし、ライン幅が42nm、及び50nmから400nmまで10nm刻みのものを、同様の方法によりそれぞれ調製した。形成したレジストパターンにおいて、第2レジストパターン形成の処理を施した場合の第1レジストパターンの存在状況を観察し、ダメージを受けずに存在しているパターンのうち、ライン幅が最大であるもののライン幅を最大硬化寸法とした。最大硬化寸法が大きいほど、より広い幅の部分が混在するダブルパターンでも好適に形成することができる。最大硬化寸法が300nm以上である場合を「A」(良好と判断)、300nm未満である場合を「B」(不良と判断)とした。
2 :第1レジスト膜
3 :露光光
4 :第1レジストパターン
4’:現像後の第1レジスト膜
5 :第2レジスト膜
6 :第2レジストパターン
7 :露光光
Claims (12)
- (1a)第1フォトレジスト組成物を用い、基板上に第1レジスト膜を形成する工程、
(1b)上記第1レジスト膜を露光する工程、及び
(1c)上記露光された第1レジスト膜を第1現像液を用いて現像する工程
を含む第1レジストパターンを形成する工程、並びに
(2a)上記第1レジストパターンの少なくともスペース部分に、第2フォトレジスト組成物を用い、第2レジスト膜を形成する工程、
(2b)上記第2レジスト膜を露光する工程、及び
(2c)上記露光された第2レジスト膜を、有機溶媒を80質量%以上含有する第2現像液を用いて現像する工程
を含む第2レジストパターンを形成する工程
を有し、
上記第2フォトレジスト組成物が、
[A]酸の作用により解離して酸性基を生成する酸解離性基を有する重合体、
[B]酸発生体、及び
[C]溶媒
を含有し、
上記第1レジストパターンが、上記第2現像液に不溶又は難溶であるダブルパターン形成方法。 - 上記第1現像液が、有機溶媒を含有する現像液である請求項1に記載のダブルパターン形成方法。
- 上記第1現像液が、アルカリ現像液であり、
上記第1レジストパターンを形成する工程が、(1c)工程の後に、
(1d)現像後の第1レジスト膜を露光する工程
をさらに含む請求項1に記載のダブルパターン形成方法。 - 上記第1フォトレジスト組成物が、
[A]酸の作用により解離して酸性基を生成する酸解離性基を有する重合体、
[B]酸発生体、及び
[C]溶媒
を含有する請求項1、請求項2又は請求項3に記載のダブルパターン形成方法。 - (3)上記(2a)工程以前に、現像後の第1レジスト膜の表面に塩基性化合物を接触させる工程
をさらに有する請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のダブルパターン形成方法。 - 上記第1現像液が有機溶媒及び上記塩基性化合物を含有し、上記(3)工程を(1c)工程において行う請求項5に記載のダブルパターン形成方法。
- 上記第1レジストパターンを形成する工程が、(1c)工程の後に、
(1c’)上記現像後の第1レジスト膜をリンス液を用いてリンスする工程
をさらに含み、
上記リンス液が上記塩基性化合物を含有し、上記(3)工程を(1c’)工程において行う請求項5に記載のダブルパターン形成方法。 - 上記第2フォトレジスト組成物が塩基性化合物を含有し、上記(3)工程を(2a)工程において行う請求項5に記載のダブルパターン形成方法。
- 上記塩基性化合物の塩基性度が、上記[A]重合体の酸解離性基の解離により生成する酸性基の共役塩基の塩基性度より大きい請求項5から請求項8のいずれか1項に記載のダブルパターン形成方法。
- 上記第1レジストパターン及び第2レジストパターンが、それぞれラインアンドスペースパターンであり、
上記第1レジストパターンのライン部と第2レジストパターンのライン部とを交互に配置する請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のダブルパターン形成方法。 - 上記第1レジストパターン及び第2レジストパターンが、それぞれラインアンドスペースパターンであり、
上記第1レジストパターンのライン部と第2レジストパターンのライン部とを直交して配置する請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のダブルパターン形成方法。 - (1a)第1フォトレジスト組成物を用い、基板上に第1レジスト膜を形成する工程、
(1b)上記第1レジスト膜を露光する工程、及び
(1c)上記露光された第1レジスト膜を第1現像液を用いて現像する工程
(1c’)上記現像後の第1レジスト膜を塩基性化合物を含有するリンス液を用いてリンスする工程
を含む第1レジストパターンを形成する工程、並びに
(2a)上記第1レジストパターンの少なくともスペース部分に、第2フォトレジスト組成物を用い、第2レジスト膜を形成する工程、
(2b)上記第2レジスト膜を露光する工程、及び
(2c)上記露光された第2レジスト膜を、有機溶媒を含有する第2現像液を用いて現像する工程
を含む第2レジストパターンを形成する工程
を有し、
上記第1レジストパターンが、上記第2現像液に不溶又は難溶であるダブルパターン形成方法。
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