JP5965453B2 - 上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッド - Google Patents

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Description

(技術分野)
本発明の実施形態は、化学機械研磨(CMP)の分野にあり、本発明の実施形態は、特に、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドである。
(背景)
通例CMPと略される化学機械平坦化または化学機械研磨は、半導体ウェーハまたは他の基板を平坦化するために、半導体製作において使用される技術である。
工程は、典型的に、ウェーハよりも大きな直径の研磨パッドおよび止め輪と共に、研磨用の腐食性化学スラリー(通例、コロイド)を使用する。研磨パッドおよびウェーハは、動的研磨ヘッドによって共に押しつけられ、研磨パッドおよびウェーハは、プラスチック止め輪によって定位置に保持される。動的研磨ヘッドは、研磨の間、回転させられる。このアプローチは、材料の除去を助け、このアプローチは、任意の不規則な表面的特徴を平らにする傾向があり、ウェーハを平らまたは平坦にする。これは、追加の回路要素の形成のためにウェーハを準備するために必要であり得る。例えば、これは、全部の平面をフォトリソグラフィシステムの被写界深度の範囲内に至らせるため、または材料の位置に基づいて材料を選択的に除去するために必要であり得る。典型的な被写界深度要件は、最新のサブ50ナノメートル技術ノードに対して、オングストロームレベルまで下がっている。
材料除去の工程は、単に、木を紙やすりで磨くような研磨剤スクラッピング(abrasive scraping)の工程ではない。スラリーにおける化学薬品はまた、除去される材料と反応し、かつ/または除去される材料を弱くする。研磨剤は、この弱くする工程を促進し、研磨パッドは、反応した材料を表面からふき取ることを助ける。スラリー技術における利点に加えて、研磨パッドは、ますます複雑なCMP動作において有意な役割を果たす。
しかしながら、追加の改良が、CMPパッド技術の発展において必要とされる。
(概要)
本発明の実施形態は、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドを含む。
実施形態において、基板を研磨する研磨パッドは、研磨面と背面とを有する均一な本体を含む。均一な本体は、第一の硬度を有する材料から成る。複数の別個の突起は、均一な本体の研磨面に配置され、かつ均一な本体の研磨面と共有結合させられる。複数の別個の突起は、第一の硬度とは異なる第二の硬度を有する材料から成る。
別の実施形態において、基板を研磨する研磨パッドは、研磨面と背面とを有する均一な本体を含む。均一な本体は、第一の硬度を有する材料から成る。研磨面は、パターンを有する複数の突起を含む。複数の別個の突起は、均一な本体の研磨面の複数の突起上に配置され、かつ整列させられる。複数の別個の突起は、第一の硬度とは異なる第二の硬度を有する材料から成る。複数の別個の突起は、パターンを有する。充填層は、均一な本体の研磨面の複数の突起の周りにおいて、均一な本体に配置される。充填層は、複数の別個の突起の材料から成る。
別の実施形態において、基板を研磨する研磨パッドを製作する方法は、重合可能な材料の第一の組を混合することにより、形成型のベースにおいて第一の混合物を形成することを含む。第一の混合物は、少なくとも部分的に硬化させられることにより、研磨面と背面とを有する成形された均一な本体を形成する。重合可能な材料の第二の組は、混合されることにより、成形された均一な本体の上に第二の混合物を形成する。形成型のふたは、第二の混合物内に配置される。ふたは、ふたに配置された溝のパターンを有する。ふたが第二の混合物に配置された状態で、第二の混合物は、少なくとも部分的に硬化させられることにより、成形された均一な本体の研磨面に配置された複数の別個の突起を形成する。複数の別個の突起は、ふたの溝のパターンに対応するパターンを有する。
図1は、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドの断面図を図示している。 図2は、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する別の研磨パッドの断面図を図示している。 図3は、本発明の実施形態に従って、上に別個の六角形のタイルの突起を有する均一な本体を有する研磨パッドの上から見下ろした図を図示している。 図4は、本発明の実施形態に従って、上に別個の弓型の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドの上から見下ろした図を図示している。 図5は、本発明の実施形態に従って、上に別個の線形の区分の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドの上から見下ろした図を図示している。 図6は、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有し、かつ局所透明(local area transparency、LAT)領域および/または表示領域を含む均一な本体を有する研磨パッドの上から見下ろした平面図を図示している。 図7A〜7Gは、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドの製作において使用される動作の断面図を図示している。 図7A〜7Gは、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドの製作において使用される動作の断面図を図示している。 図7A〜7Gは、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドの製作において使用される動作の断面図を図示している。 図7A〜7Gは、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドの製作において使用される動作の断面図を図示している。 図7A〜7Gは、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドの製作において使用される動作の断面図を図示している。 図7A〜7Gは、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドの製作において使用される動作の断面図を図示している。 図7A〜7Gは、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドの製作において使用される動作の断面図を図示している。 図8A〜8Dは、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する別の研磨パッドの製作において使用される動作の断面図を図示している。 図8A〜8Dは、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する別の研磨パッドの製作において使用される動作の断面図を図示している。 図8A〜8Dは、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する別の研磨パッドの製作において使用される動作の断面図を図示している。 図8A〜8Dは、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する別の研磨パッドの製作において使用される動作の断面図を図示している。 図9は、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドと適合可能な研磨装置の等角投影図法による側面からの図を図示している。
(詳細な説明)
上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドが、本明細書中に説明される。以下の説明において、本発明の実施形態の完全な理解を提供するために、数多くの特定の詳細(例えば、特定の研磨パッド構成物および設計)が、述べられる。本発明の実施形態がこれらの特定の詳細なしに実施され得ることが、当業者にとって明白である。他の例において、周知の処理技術(例えば、スラリーと研磨パッドを組み合わせることによって半導体基板のCMPを実施することに関する詳細)は、本発明の実施形態を不必要に不明瞭にしないために、詳細に説明されない。さらに、図面において示されている種々の実施形態が、例証的な表現であり、必ずしも一定の拡大比で描写されるわけではないことが、理解される。
CMP動作のための研磨パッドは、ウェーハ全域での研磨一様性とダイ内の研磨一様性との間のような、性能におけるトレードオフを有し得る。例えば、硬い研磨パッドは、良いダイレベルの平坦化を示すが、乏しいウェーハ全域での一様性を示し得る。これに対して、軟らかい研磨パッドは、乏しいダイレベルの平坦化を示す(例えば、軟らかい研磨パッドは、ダイ内に皿状のくぼみをもたらし得る)が、良いウェーハレベルの一様性を示し得る。上記性能のトレードオフを軽減するためのアプローチは、ウェーハ内およびダイ内の研磨効果を切り離すことであり得る。
1つの試みにおいて、軟らかいサブパッドが、硬い研磨パッドと対にされた。しかしながら、硬い研磨層をなす構造(例えば、タイル構造)は、研磨動作中に軟らかいサブパッドに圧縮される場合、好ましくなく曲がる傾向がある。さらに、軟らかいサブパッドからの硬い研磨層の特徴の層間剥離は、研磨パッドの寿命を有意に減少させ得る。
本発明の実施形態に従って、上記に説明された性能のトレードオフを軽減するためのアプローチは、軟らかい均一な本体と共有結合させられた硬い別個の突起を有する研磨パッドの形成を含む。他の研磨パッドは、軟らかい均一な本体に配置された硬い別個の突起を有し、軟らかい均一な本体は、横を支持しさらに不連続である特徴を有することにより、下にある均一な本体への圧縮中に別個の突起がぐらつくことを抑制する。逆の配置(例えば、下にある硬い均一な本体に配置された研磨突起)がまた、本明細書において想定されることが理解される。
そのような複層研磨パッドは、突起と下にある均一な本体との間の化学結合を保証するための成形工程を用いて製作され得る。例えば、一実施形態において、複層CMPパッドは、部分的に硬化させられた第一のパッド前駆物質の上方に第二のパッド前駆物質を形成し、さらに両方の部分を一緒に硬化させることによって、その場で製作される。第一の材料は、事前に押しつけられるか、または押しつけられなくてもよい。どちらの場合も、全体のパッドは、一体化した研磨パッドのように押しつけられ、かつ後で硬化させられる。そのようなその場でのアプローチを使用することによって、層間の化学結合は、非常に強く、層間剥離の任意の可能性を減少させるか、または除去し得る。実施形態において、事前に押しつけること、または押しつけることは、成形装置の上部および底部部分を一緒に動かすことを含む。
本発明の局面において、研磨パッドは、上に別個の突起を有する実質的に平らな均一な本体を提供される。例えば、図1は、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドの断面図を図示してる。
図1を参照すると、研磨パッド100は、基板を研磨するために提供される。研磨パッド100は、研磨面104と背面106とを有する均一な本体102を含む。均一な本体102は、第一の硬度を有する材料から成る。研磨パッド100は、均一な本体102の研磨面104に配置された複数の別個の突起108も含む。複数の別個の突起108は、第一の硬度とは異なる第二の硬度を有する材料から成る。実施形態において、図1に描写されているように、均一な本体102の研磨面104は、実質的に平らであり、均一な本体102の研磨面104は、複数の別個の突起108間で露出される。1つのそのような実施形態において、複数の別個の突起108の各々は、均一な本体102の研磨面104の全体の面において、約5〜50ミリメートルの範囲における最短の寸法を有する。
本発明の実施形態に従って、均一な本体102の材料の硬度(第一の硬度)は、複数の別個の突起108の材料の硬度(第二の硬度)よりも低い。1つのそのような実施形態において、第一の硬度は、約40ショアDよりも低く、第二の硬度は、約30ショアDよりも高い。特定のそのような実施形態において、第一の硬度は、約25ショアDよりも低く、第二の硬度は、約40ショアDよりも高い。
本発明の別の実施形態に従って、均一な本体102の材料の硬度(第一の硬度)は、複数の別個の突起108の材料の硬度(第二の硬度)よりも高い。1つのそのような実施形態において、第二の硬度は、約40ショアDよりも低く、第一の硬度は、約30ショアDよりも高い。特定のそのような実施形態において、第二の硬度は、約25ショアDよりも低く、第一の硬度は、約40ショアDよりも高い。
本発明の別の局面において、研磨パッドは、上に別個の突起を有する、表面的特徴のパターンを付けられた均一な本体を提供される。例えば、図2は、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する別の研磨パッドの断面図を図示している。
図2を参照すると、研磨パッド200は、基板を研磨するために提供される。研磨パッド200は、研磨面204と背面206とを有する均一な本体202を含む。均一な本体202は、第一の硬度を有する材料から成る。均一な本体202の研磨面204は、パターンを有する複数の突起207を含む。研磨パッド200は、複数の別個の突起208も含み、複数の別個の突起208は、均一な本体202の研磨面204の複数の突起207上に配置され、かつ整列させられる。複数の別個の突起208は、複数の突起207のパターンを有し、複数の別個の突起208は、第一の硬度とは異なる第二の硬度を有する材料から成る。研磨パッド200は、均一な本体202の研磨面204の複数の突起207の周りにおいて、均一な本体202に配置された充填層210も含む。充填層は、複数の別個の突起208の材料から成る。1つのそのような実施形態において、複数の突起207の各々および複数の別個の突起208の各々は、均一な本体202の研磨面204の全体の面において、約5〜50ミリメートルの範囲における最短の寸法を有する。
実施形態において、充填層210は、複数の別個の突起208と不連続である。つまり、図2を参照すると、充填層は、位置212において、複数の別個の突起208に結合されることも、複数の別個の突起208と連続であることもない。そのような配置は、研磨工程中に複数の別個の突起208の各々が均一な本体208へ圧縮されることの自由を可能にし得る。それにもかかわらず、不連続な充填層210の存在は、複数の別個の突起208の各々が均一な本体208に圧縮される場合に、複数の別個の突起208の各々の両側を誘導し、かつ支持し得る。しかしながら、代替実施形態において、充填層210は、複数の別個の突起208と連続である。
本発明の実施形態に従って、均一な本体202の材料の硬度(第一の硬度)は、複数の別個の突起208および充填層210の材料の硬度(第二の硬度)よりも低い。1つのそのような実施形態において、第一の硬度は、約40ショアDよりも低く、第二の硬度は、約30ショアDよりも高い。特定のそのような実施形態において、第一の硬度は、約25ショアDよりも低く、第二の硬度は、約40ショアDよりも高い。
本発明の別の実施形態に従って、均一な本体208の材料の硬度(第一の硬度)は、複数の別個の突起208および充填層210の材料の硬度(第二の硬度)よりも高い。1つのそのような実施形態において、第二の硬度は、約40ショアDよりも低く、第一の硬度は、約30ショアDよりも高い。特定のそのような実施形態において、第二の硬度は、約25ショアDよりも低く、第一の硬度は、約40ショアDよりも高い。
研磨パッド100および200内の異なる材料の部分は、互いに共有結合させられ得る。例えば、図1を参照すると、実施形態において、複数の別個の突起108は、均一な本体102の研磨面104に配置され、かつ均一な本体102の研磨面104と共有結合させられる。別の例において、図2を参照すると、実施形態において、充填層210と複数の別個の突起208との両方は、均一な本体202と共有結合させられる。特に、充填層210は、研磨面204のパターン内において共有結合させられる一方、複数の別個の突起208は、研磨面204のパターンの上部において共有結合させられる。
実施形態において、用語「共有結合」は、第一の材料(例えば、均一な本体102または202の材料)からの原子が、第二の材料(例えば、複数の別個の突起108または208の材料)からの原子と架橋結合させられるか、または電子を共有することにより、実際の化学結合をもたらす場合の配置を表す。そのような共有結合は、研磨パッドの一部が切り取られ、かつ異なる材料の挿入領域と取り替えられる場合に生じ得る静電相互作用と区別される。共有結合は、機械的結合(例えば、ねじ、くぎ、接着剤、または他の粘着性物質による結合)とも区別される。下記で詳細に説明されるように、共有結合は、研磨本体および複数の別個の突起を別々に形成することとは対照的に、研磨本体を複数の別個の突起と共に硬化させることによって達成され得る。
研磨パッド100または200の材料は、成形され得る。例えば、図1を参照すると、実施形態において、均一な本体102は、成形された均一な本体であり、複数の別個の突起108は、複数の成形された突起である。別の例において、図2を参照すると、実施形態において、均一な本体208は、成形された均一な本体であり、複数の別個の突起208は、複数の成形された突起であり、充填層210は、成形された充填層である。
用語「成形された」は、図7A〜7Gおよび8A〜8Dに関連して下記でより詳細に説明されるように、均一な本体および/または均一な本体上の別個の突起が、形成型において形成されることを示すために使用され得る。実施形態において、調整および/または研磨すると、成形された別個の突起は、約1〜5ミクロンの二乗平均の範囲における研磨表面粗さを有する。一実施形態において、調整および/または研磨すると、成形された別個の突起は、約2.35ミクロンの二乗平均の研磨表面粗さを有する。実施形態において、成形された別個の突起は、摂氏25度において、約30〜500メガパスカル(MPa)の範囲における貯蔵弾性率を有する。別の実施形態において、成形された別個の突起は、摂氏25度において、約30メガパスカル(MPa)よりも小さい貯蔵弾性率を有する。実施形態において、図7A〜7Gおよび8A〜8Dに関連して説明されるように、研磨パッドは、成形された研磨本体と成形された研磨本体上の成形された別個の突起とから成る。
研磨パッド100または200は、熱硬化性ポリウレタン材料から成る均一な本体を含み得る。実施形態において、均一な本体は、熱硬化性クローズドセルポリウレタン材料から成る。実施形態において、用語「均一な」は、熱硬化性クローズドセルポリウレタン材料の組成が、本体の全体の組成を通じて一貫していることを示すために使用される。例えば、実施形態において、用語「均一な」は、例えば、含浸フェルト、または異なる材料の複数の層の組成(合成物)から成る研磨パッド本体を除外する。
実施形態において、用語「熱硬化性」は、不可逆に硬化するポリマー材料(例えば、材料の前駆物質)が、硬化によって不溶解性の不溶性のポリマーネットワークに不可逆に変化することを示すために使用される。例えば、実施形態において、用語「熱硬化性」は、例えば、「熱可塑性」材料または「熱可塑性物質」から成る研磨パッドを除外し、これらの材料は、熱せられると液体になり、十分に冷やされると非常にガラスのような状態に戻るポリマーから成る。熱硬化性材料から作られる研磨パッドは、典型的に、化学反応において反応することによりポリマーを形成する低分子量の前駆物質から製作される一方、熱可塑性材料から作られるパッドは、典型的に、先在するポリマーを熱することにより相変化をもたらすことによって製作され、そのため、研磨パッドは、物理的工程において形成されることが、留意される。ポリウレタン熱硬化性ポリマーは、安定した熱および力学的特性、化学環境に対する耐性、および摩耗耐性に関する傾向に基づいて、本明細書中に説明される研磨パッドを製作するために選択され得る。
一実施形態において、図1を参照すると、均一な本体102の材料は、第一の熱硬化性ポリウレタン材料から成り、複数の別個の突起108の材料は、第二の異なる熱硬化性ポリウレタン材料から成る。一実施形態において、図2を参照すると、均一な本体202の材料は、第一の熱硬化性ポリウレタン材料から成り、複数の別個の突起208および充填層210の材料は、第二の異なる熱硬化性ポリウレタン材料から成る。
実施形態において、本明細書中に説明される研磨パッド(例えば、研磨パッド100または200)は、中に複数のクローズドセルポアを有する研磨本体および/または研磨本体上の別個の突起を含む。一実施形態において、複数のクローズドセルポアは、複数のポロゲンである。例えば、用語「ポロゲン」は、「中空」の中心を有するマイクロまたはナノスケールの球形またはいくぶんか球形の粒子を示すために使用され得る。中空の中心は、固体材料で充填されず、むしろガスまたは液体のコアを含み得る。一実施形態において、複数のクローズドセルポアは、研磨パッドの研磨本体および/または別個の突起の至る所に(例えば、追加の構成要素として)分布させられた、事前発泡させたガス充填EXPANCELTMから成る。特定の実施形態において、EXPANCELTMは、ペンタンで充填される。実施形態において、複数のクローズドセルポアの各々は、約10〜100ミクロンの範囲における直径を有する。実施形態において、複数のクローズドセルポアは、互いから分離したポアを含む。これは、オープンセルポアと対照的であり、オープンセルポアは、一般的なスポンジにおけるポアの場合のように、トンネルを通して互いに接続され得る。一実施形態において、クローズドセルポアの各々は、上記で説明されたようなポロゲンの殻のような物理的殻を含む。しかしながら、別の実施形態において、クローズドセルポアの各々は、物理的殻を含まない。実施形態において、複数のクローズドセルポアは、均一な本体または均一な本体上に配置された均一な複数の別個の突起の熱硬化性ポリウレタン材料の至る所に、本質的に均等に分布させられる。
実施形態において、複数のクローズドセルポアの密度または濃度は、均一な本体(例えば、102または202)と複数の別個の突起(例えば、108または208)との間で異なる。1つのそのような実施形態において、均一な本体におけるクローズドセルの密度または濃度は、複数の別個の突起におけるクローズドセルの密度または濃度よりも低い。特定のそのような実施形態において、均一な本体にクローズドセルはない一方、複数の別個の突起にクローズドセルはある。代替実施形態において、均一な本体におけるクローズドセルの密度または濃度は、複数の別個の突起におけるクローズドセルの密度または濃度よりも高い。別の実施形態において、クローズドセルのタイプは、均一な本体と複数の別個の突起との間で異なる。
実施形態において、本明細書中に説明される研磨パッド(例えば、研磨パッド100または200)は、不透明な研磨本体および/または別個の突起を含む。一実施形態において、用語「不透明」は、約10%以下の可視光が通過することを可能にする材料を示すために使用される。一実施形態において、研磨本体および/または別個の突起は、研磨本体および/または別個の突起の至る所に(例えば、追加の構成要素として)不透明化粒子充填剤(例えば、潤滑剤)を含むことによって、大部分において、または完全に不透明である。特定の実施形態において、不透明化粒子充填剤は、窒化ホウ素、フッ化セリウム、黒鉛、フッ化黒鉛、硫化モリブデン、硫化ニオブ、タルク、硫化タンタル、二硫化タングステン、またはTeflon(登録商標)のような材料であるが、これらに制限されない。
実施形態において、不透明の程度または粒子充填剤の濃度は、均一な本体(例えば、102または202)と複数の別個の突起(例えば、108または208)との間で異なる。1つのそのような実施形態において、均一な本体における粒子充填剤の濃度は、複数の別個の突起における粒子充填剤の濃度よりも低い。特定のそのような実施形態において、均一な本体に含まれる粒子充填剤はない一方、粒子充填剤は、複数の別個の突起に含まれる。代替実施形態において、均一な本体における粒子充填剤の濃度は、複数の別個の突起における粒子充填剤の濃度よりも高い。別の実施形態において、粒子充填剤のタイプは、均一な本体と複数の別個の突起との間で異なる。
本発明の局面において、複数の別個の突起108または208は、CMP動作中の研磨に適したパターンを有し得る。第一の一般的な例において、本発明のいくつかの実施形態は、タイルのパターンを有する複数の別個の突起を含む。特定のそのような実施形態において、図3は、本発明の実施形態に従って、上に別個の六角形のタイルの突起302を有する均一な本体を有する研磨パッド300の上から見下ろした図を図示している。他の特定のそのような実施形態は、複数の円形のタイル、楕円形のタイル、正方形のタイル、長方形のタイル、またはそれらの組み合わせを含むが、これらに制限されない。
第二の一般的な例において、本発明のいくつかの実施形態は、曲がった特徴のパターンを有する複数の別個の突起を含む。特定のそのような例において、図4は、本発明の実施形態に従って、上に別個の弓型の突起402を有する均一な本体を有する研磨パッド400の上から見下ろした図を図示している。他の特定のそのような実施形態は、研磨パッドの実質的に円形の均一な本体に配置された複数の部分的な円周の突起を含むが、これに制限されない。
第三の一般的な例において、本発明のいくつかの実施形態は、線形の特徴のパターンを有する複数の別個の突起を含む。特定のそのような例において、図5は、本発明の実施形態に従って、上に別個の線形の区分の突起502を有する均一な本体を有する研磨パッド500の上から見下ろした図を図示している。示されている別個の線形の区分の突起は、研磨表面の半径に本質的に直交する。しかしながら、本発明の実施形態は、研磨表面の半径に正確には直交しない別個の線形の区分も含み得ることが理解される。そのような実施形態において、別個の線形の区分は、同心またはほぼ同心の多角形配置の一部を形成し得るが、完全な同心またはほぼ同心の多角形配置は形成しない。対応する半径との相対的な関係は、正確に90度ではなく、むしろ、ことによると、90度から数度離れる方へのわずかな程度である。それにもかかわらず、そのような直交に近いまたはほぼ直交する別個の線形の区分は、本発明の精神および範囲の範囲内にあるとみなされる。
実施形態において、本明細書中に説明される研磨パッド(例えば、研磨パッド100、200、300、400、または500)は、基板を研磨することに適している。基板は、半導体製造産業において使用されるもの(例えば、デバイスまたは他の層が上に配置されるシリコン基板)であり得る。しかしながら、基板は、MEMSデバイス、レチクル、またはソーラーモジュールのための基板のようなものであり得るが、これらに制限されない。従って、本明細書中に使用されるような「基板を研磨する研磨パッド」への参照は、これらおよび関連した可能性を包含することが意図される。
均一な本体および均一な本体に配置された別個の突起のサイジングは、用途に従って変えられ得る。それにもかかわらず、特定のパラメータは、別個の突起が上に配置されたそのような均一な本体を含む研磨パッドを、従来の処理設備、または従来の化学機械処理動作とさえ適合可能にするために使用され得る。例えば、本発明の実施形態に従って、均一な本体と均一な本体に配置された別個の突起との組み合わせは、約0.075インチ〜0.130インチの範囲(例えば、約1.9〜3.3ミリメートルの範囲)における厚さを有する。一実施形態において、均一な本体は、約20インチ〜30.3インチの範囲(例えば、約50〜77センチメートルの範囲)、および、ことによると、約10インチ〜42インチの範囲(例えば、約25〜107センチメートルの範囲)における直径を有する。一実施形態において、均一な本体および/または均一な本体に配置された別個の突起は、約6%〜36%総空隙体積の範囲、および、ことによると、約15%〜35%総空隙体積の範囲におけるポア密度を有する。一実施形態において、均一な本体と均一な本体に配置された別個の突起との組み合わせは、約2.5%の圧縮率を有する。一実施形態において、均一な本体は、約0.70〜1.05グラム毎立法センチメートルの範囲における密度を有する。
本発明の別の局面において、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドは、例えば渦電流検出システムを用いた使用のための検出領域をさらに含む。例えば、図6は、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有し、かつ局所透明(local area transparency、LAT)領域および/または表示領域を含む均一な本体を有する研磨パッド600の上から見下ろした平面図を図示している。
図6を参照すると、研磨パッド600の研磨表面602は、研磨パッド600の背表面に配置された検出領域の位置を示す表示領域604を含む。一実施形態において、表示領域604は、図6に描写されているように、突起606のパターンを突起608の第二のパターンで分断する。適した検出領域(例えば渦電流検出領域)の例は、米国特許出願第12/895,465号(2010年9月30日出願、NexPlanar Corporationに譲渡)において説明されている。
別の局面において、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドは、研磨パッドに配置された局所透明(LAT)領域をさらに含む。例えば、再び図6を参照すると、LAT領域610は、研磨パッド600の研磨本体に配置される。図6に描写されているように、LAT領域604は、突起606のパターンを分断する。実施形態において、LAT領域610は、研磨パッド600の均一な本体に配置され、かつ研磨パッド600の均一な本体と共有結合させられる。適したLAT領域の例は、米国特許出願第12/895,465号(2010年9月30日出願、NexPlanar Corporationに譲渡)において説明されている。
本発明の別の局面において、複数の別個の突起が上に配置された均一な本体を有する研磨パッドは、成形工程において製作され得る。第一のそのような例において、図7A〜7Gは、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドの製作において使用される動作の断面図を図示している。
図7Aを参照すると、形成型700が、提供される。図7Bを参照すると、プレポリマー702および硬化剤704が、混合されることにより、図7Cに描写されているように、形成型700に第一の混合物706を形成する。実施形態において、プレポリマー702と硬化剤704とを混合することは、イソシアネートと芳香族ジアミン化合物とをそれぞれ混合することを含む。一実施形態において、混合することは、研磨パッドの不透明な成形された均一な本体を最終的に提供するために、不透明化粒子充填剤をプレポリマー702および硬化剤704に追加することをさらに含む。特定の実施形態において、不透明化粒子充填剤は、窒化ホウ素、フッ化セリウム、黒鉛、フッ化黒鉛、硫化モリブデン、硫化ニオブ、タルク、硫化タンタル、二硫化タングステン、またはTeflonのような材料であるが、これらに制限されない。
実施形態において、第一の混合物706は、熱硬化性クローズドセルポリウレタン材料から成る成形された均一な本体を最終的に形成するために使用される。一実施形態において、第一の混合物706は、硬い均一な本体を最終的に形成するために使用され、単一のタイプの硬化剤のみが使用される。別の実施形態において、第一の混合物706は、軟らかい均一な本体を最終的に形成するために使用され、第一次および第二次硬化剤の組み合わせが使用される。例えば、特定の実施形態において、プレポリマーは、ポリウレタン前駆物質を含み、第一次硬化剤は、芳香族ジアミン化合物を含み、第二次硬化剤は、エーテル結合を有する化合物を含む。特定の実施形態において、ポリウレタン前駆物質は、イソシアネートであり、第一次硬化剤は、芳香族ジアミンであり、第二次硬化剤は、ポリテトラメチレングリコール、アミノ官能基化(amino−functionalized)グリコール、またはアミノ官能基化ポリオキシプロピレンのような硬化剤であるが、これらに制限されない。実施形態において、プレポリマー、第一次硬化剤、および第二次硬化剤は、プレポリマー100、第一次硬化剤85、第二次硬化剤15の割合のおおよそのモル比を有する。比の変化は、硬度値を変えて均一な本体を提供するため、またはプレポリマーならびに第一および第二の硬化剤の特定の性質に基づいて均一な本体を提供するために使用され得ることが、理解される。
図7Dを参照すると、混合物706は、少なくとも部分的に硬化させられることにより、研磨面710と背面712とを有する成形された均一な本体708を形成する。部分的な硬化は、形成型のふたがある場合またはない場合に、型700を熱することによって実施され得る。それから、第二のプレポリマーおよび第二の硬化剤が、混合されることにより、図7Eに描写されているように、成形された均一な本体708上に第二の混合物714を形成する。実施形態において、第二の混合物714は、硬い材料を形成するためのものであり、単一の硬化剤と一緒にプレポリマーが使用される(2タンク工程)一方、第一の混合物706は、軟らかい材料を形成するためのものであり、第一次硬化剤および第二次硬化剤と一緒にプレポリマーが使用される(3タンク工程)。代替実施形態において、第一の混合物706は、硬い材料を形成するためのものであり、単一の硬化剤と一緒にプレポリマーが使用される(2タンク工程)一方、第二の混合物714は、軟らかい材料を形成するためのものであり、第一次硬化剤および第二次硬化剤と一緒にプレポリマーが使用される(3タンク工程)。従って、実施形態において、第二の混合物714は、第一の混合物706とは異なる。しかしながら、代替実施形態において、2つの混合物は、同じである。さらに、実施形態において、第二の混合物は、部分的に、または完全に硬化させられた第一の混合物706上に配置される。しかしながら、代替実施形態において、第二の混合物714を注ぐことまたは分配することは、同じ層であるが異なる領域において、加えられた第一の混合物706にその場で注がれ得る。特定のそのような実施形態において、中心の輪および外側の輪は、異なる調合物を有する。2つの異なった層が形成される実施形態において、層間の化学結合を強くするために、異なる層内の官能基の比は、異なる(例えば、1つの層は、−NCOが豊富であり、他の層は、−NHおよび/または−OHが豊富である)。実施形態において、コーティングが、異なる層間に塗布される。実施形態において、浸透が、層間で発生し、浸透は、共有結合のような化学結合を強くする。
実施形態において、第二のプレポリマーと第二の硬化剤とを混合することは、不透明な複数の別個の突起718を形成するために、不透明化粒子充填剤を第二のプレポリマーおよび第二の硬化剤に追加することをさらに含む。実施形態において、第一のプレポリマーと第一の硬化剤とを混合することにより第一の混合物706を形成することは、第一の混合物706からガスを抜くことを含み、第二のプレポリマーと第二の硬化剤とを混合することにより第二の混合物714を形成することは、第二の混合物714からガスを抜くことを含む。
図7Fを参照すると、形成型700のふた716が、第二の混合物714内に配置される。図7Fにおいて、ふた716の上から見下ろした平面図が、上に示されている一方、a−a’軸に沿った断面が、下に示されている。ふた716は、図7Fに描写されているように、ふたに配置された溝のパターン(例えば、図3に関連して説明された突起のパターンに対応する溝のパターン)を有する。しかしながら、あるいは、ふたは716は、ふたに配置された、図4および5に関連して説明された突起のパターンに対応する溝のパターンを有する。
形成型700のふた716を降下させることを説明する本明細書中に説明された実施形態は、形成型700のふた716およびベースを一緒にすることを達成することのみが必要であることが理解される。つまり、いくつかの実施形態において、形成型700のベースが、ふた716の方へ上昇させられる一方、他の実施形態において、ベースがふた716の方へ上昇させられるのと同時に、形成型700のふた716が、形成型700のベースの方へ降下させられる。
ふた716が第二の混合物714に配置された状態で、第二の混合物714は、少なくとも部分的に硬化させられることにより、成形された均一な本体708の研磨面710に配置された複数の別個の突起718を形成する。ふた716の溝のパターンは、形成型700において第二の混合物714から突起のパターンを打ち出すために使用される。第二の混合物714は、(例えば、ふた716が定位置にある状態で)圧力下で熱されることにより、成形された別個の突起718を提供し得る。実施形態において、形成型700において熱することは、ふた716がある場合に少なくとも部分的に硬化させることを含み、ふた716は、華氏約200〜260度の範囲における温度、および約2〜12ポンド毎平方インチの範囲における圧力において、形成型700に第二の混合物714を閉じ込める。
実施形態において、第二の混合物714は、第一の混合物706とは異なり、第一の混合物706および第二の混合物714を完全に硬化させると、複数の別個の突起718の硬度は、成形された均一な本体708の硬度とは異なる。実施形態において、第二の混合物714を少なくとも部分的に硬化させることは、複数の別個の突起718を成形された均一な本体708と共有結合させることを含む。実施形態において、成形された均一な本体708を形成することは、第一の熱硬化性ポリウレタン材料を形成することを含み、複数の別個の突起718を形成することは、第二の異なる熱硬化性ポリウレタン材料を形成することを含む。
図7Gを参照すると、研磨パッド720は、複数の別個の突起718が上に配置された成形された均一な本体708を形成型700から取り外すと、提供される。複数の別個の突起718は、ふた716の溝のパターンに対応するパターンを有する。図7Gにおいて、研磨パッド720の上から見下ろした平面図が、下に示されている一方、b−b’軸に沿った断面が、上に示されている。実施形態において、図7Gの断面図において描写されているように、成形された均一な本体708の研磨面710は、実質的に平らであり、成形された均一な本体708の研磨面710は、複数の別個の突起718間で露出される。
熱することによってさらに硬化させることは、望ましくあり得、かつ研磨パッド720をオーブンに配置して熱することによって実施され得ることが、留意される。従って、一実施形態において、第一および第二の混合物706および714を硬化させることは、初めに形成型700において部分的に硬化させて、それからオーブンにおいてさらに硬化させることを含む。どちらにしろ、研磨パッド720が最終的に提供され、研磨パッド720の成形された均一な本体708は、複数の成形された突起718が上に配置された研磨面710を有する。実施形態において、成形された均一な本体708と複数の成形された突起718との両方は、熱硬化性ポリウレタン材料、および熱硬化性ポリウレタン材料に配置された複数のクローズドセルポアから成る。
図7A〜7Gに関連して説明された方法と同様の方法は、上に別個の突起を有する、表面的特徴のパターンを付けられた均一な本体を有する研磨パッドを製作するために使用され得る。例えば、図8A〜8Dは、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する別の研磨パッドの製作において使用される動作の断面図を図示している。
再び図7Cを参照し、次に図8Aを参照すると、第一の混合物706を硬化させることにより実質的に平らな表面を均一な本体708に提供することの代わりに、(図7Fに関連して説明された)ふた716が、研磨面802を有する成形された均一な本体800を最初に形成するために使用され、研磨面802は、ふた716の溝のパターンに対応するパターンを有する複数の突起804を有する。例えば、第一のプレポリマーと第一の硬化剤とを混合することにより第一の混合物706を形成することの次であるが、第二のプレポリマーと第二の硬化剤とを混合することにより第二の混合物714を形成することの前に、形成型700のふた716が、第一の混合物706内へ配置される。ふたが第一の混合物706に配置された状態で、第一の混合物706は、図8Bに描写されているように、少なくとも部分的に硬化させられる。
図8Cを参照すると、それから、第二のプレポリマーと第二の硬化剤は、混合されることにより、成形された均一な本体800上に第二の混合物714を形成する。それから、形成型700のふた716は、図8Dに描写されているように、第二の混合物714内に配置される。ふた716が第二の混合物714に配置された状態で、第二の混合物714は、少なくとも部分的に硬化させられることにより、複数の別個の突起718を形成し、複数の別個の突起718は、成形された均一な本体800の研磨面802の複数の突起804上に配置され、かつ整列させられる。ふた716の溝のパターンは、形成型700において第二の混合物714から突起のパターンを打ち出すために使用される。それから、第二の混合物714は、(例えば、ふた716が定位置にある状態で)圧力下で熱されることにより、成形された別個の突起718を提供し得る。実施形態において、形成型700において熱することは、ふた716がある場合に少なくとも部分的に硬化させることを含み、ふた716は、華氏約200〜260度の範囲における温度、および約2〜12ポンド毎平方インチの範囲における圧力において、形成型700に第二の混合物714を閉じ込める。図2に関連して説明された研磨パッド200のような研磨パッドは、このように形成され得る。
再び図8Dを参照すると、実施形態において、成形された均一な本体800上に第二の混合物714を形成することは、成形された均一な本体800の研磨面802の複数の突起804の周りにおいて、成形された均一な本体800に配置された充填層806を形成するほど十分に大きい量の第二の混合物714を形成することを含む。1つのそのような実施形態において、第二の混合物714の量は、第二の混合物714から形成された複数の別個の突起718と不連続である充填層806を形成するほど十分に小さい。そのような不連続の例は、図2の研磨パッド200に関連して上記で説明されている。実施形態において、スピンプレートが、成形された均一な本体800の研磨面802に分配された第二の混合物714の量および厚さを制御するために使用される。
実施形態において、複数の別個の突起718は、成形された均一な本体800の研磨面802の複数の突起804上に形成され、かつ整列させられる。整列は、わずかな誤った整列を許容し得る。例えば、約1/1000インチまでの範囲におけるずれは、第一の混合物706および第二の混合物714それぞれへのふた716の別々の導入の間に許容可能であり得る。
実施形態において、図7Bを再び参照すると、混合することは、複数のポロゲン722をプレポリマー702および硬化剤704に追加することにより、研磨パッドの最終的に形成された本体にクローズドセルポアを提供することをさらに含む。従って、一実施形態において、各クローズドセルポアは、物理的殻を有する。別の実施形態において、図7Bを再び参照すると、混合することは、プレポリマー702および硬化剤704内へ、またはプレポリマー702および硬化剤704から形成された生成物内へガス724を注入することにより、研磨パッドの最終的に形成された本体にクローズドセルポアを提供することをさらに含む。従って、一実施形態において、各クローズドセルポアは、物理的殻を有しない。組み合わせの実施形態において、混合することは、複数のポロゲン722をプレポリマー702および硬化剤704に追加することにより、各々が物理的殻を有するクローズドセルポアの第一の部分を提供することと、さらに、プレポリマー702および硬化剤704内へ、またはプレポリマー702および硬化剤704から形成された生成物内へガス724を注入することにより、各々が物理的殻を有しないクローズドセルポアの第二の部分を提供することとを含む。さらに別の実施形態において、プレポリマー702は、イソシアネートであり、混合することは、プレポリマー702および硬化剤704に水(HO)を追加することにより、各々が物理的殻を有しないクローズドセルポアを提供することをさらに含む。実施形態において、図7Eおよび8Cを参照すると、複数のポロゲンは、成形された別個の複数の突起718に同様に含まれ得る。
従って、本発明の実施形態において想定される突起パターンは、その場で形成され得る。例えば、上記で説明されたように、圧縮成型工程は、成形された別個の突起が上に配置された成形された均一な本体を有する研磨パッドを形成するために使用され得る。成型工程を使用することによって、パッド内の非常に一様な突起寸法が、達成され得る。さらに、非常に滑らかなきれいな突起表面に加えて、極度に再現可能な突起寸法が、生成され得る。他の利点は、減少させられた欠陥および微小なひっかき傷、ならびにより大きな使用可能な突起深さを含み得る。
本明細書中に説明された研磨パッドは、種々の化学機械研磨装置を用いた使用に適し得る。例として、図9は、本発明の実施形態に従って、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドと適合可能な研磨装置の等角投影図法による側面からの図を図示している。
図9を参照すると、研磨装置900は、プラテン904を含む。プラテン904の上部表面902は、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドを支持するために使用され得る。プラテン904は、スピンドルの回転906およびスライダーの振動908を提供するように構成され得る。サンプルキャリアー910は、例えば、研磨パッドを用いた半導体ウェーハの研磨中に定位置に半導体ウェーハ911を保持するために使用される。サンプルキャリアー910は、サスペンションメカニズム912によってさらに支持される。スラリーフィード914は、半導体ウェーハの研磨の前および研磨中に、スラリーを研磨パッドの表面に提供するために含まれる。調整ユニット990も含まれ得、一実施形態において、調整ユニット990は、研磨パッドを調整するためにダイヤモンドチップを含む。
このように、上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッドが、開示された。本発明の実施形態に従って、基板を研磨する研磨パッドは、研磨面と背面とを有する均一な本体を含む。均一な本体は、第一の硬度を有する材料から成る。複数の別個の突起は、均一な本体の研磨面に配置され、かつ均一な本体の研磨面と共有結合させられる。複数の別個の突起は、第一の硬度とは異なる第二の硬度を有する材料から成る。一実施形態において、均一な本体の研磨面は、実質的に平らであり、均一な本体の研磨面は、複数の別個の突起間で露出される。一実施形態において、充填層は、均一な本体の研磨面の複数の突起の周りにおいて、均一な本体に配置され、充填層は、複数の別個の突起の材料から成る。一実施形態において、均一な本体は、成形された均一な本体であり、複数の別個の突起は、複数の成形された突起である。
1つの好ましい実施形態によれば、本発明は、例えば、以下を提供する。
(項1)
基板を研磨する研磨パッドであって、該研磨パッドは、
研磨面と背面とを有する均一な本体であって、該均一な本体は、第一の硬度を有する材料を含む、均一な本体と、
該均一な本体の該研磨面に配置され、かつ該均一な本体の該研磨面と共有結合させられた複数の別個の突起であって、該複数の別個の突起は、該第一の硬度とは異なる第二の硬度を有する材料を含む、複数の別個の突起と
を含む、研磨パッド。
(項2)
前記均一な本体の前記研磨面は、実質的に平らであり、該均一な本体の該研磨面は、前記複数の別個の突起間で露出されている、上記項1に記載の研磨パッド。
(項3)
前記均一な本体は、成形された均一な本体であり、前記複数の別個の突起は、複数の成形された突起である、上記項1に記載の研磨パッド。
(項4)
前記均一な本体の前記材料は、第一の熱硬化性ポリウレタン材料を含み、前記複数の別個の突起の前記材料は、第二の異なる熱硬化性ポリウレタン材料を含む、上記項1に記載の研磨パッド。
(項5)
前記均一な本体の前記材料の前記第一の硬度は、前記複数の別個の突起の前記材料の前記第二の硬度よりも低い、上記項1に記載の研磨パッド。
(項6)
前記第一の硬度は、約40ショアDよりも低く、前記第二の硬度は、約30ショアDよりも高い、上記項5に記載の研磨パッド。
(項7)
前記第一の硬度は、約25ショアDよりも低く、前記第二の硬度は、約40ショアDよりも高い、上記項6に記載の研磨パッド。
(項8)
前記均一な本体の前記材料の前記第一の硬度は、前記複数の別個の突起の前記材料の前記第二の硬度よりも高い、上記項1に記載の研磨パッド。
(項9)
前記第二の硬度は、約40ショアDよりも低く、前記第一の硬度は、約30ショアDよりも高い、上記項8に記載の研磨パッド。
(項10)
前記第二の硬度は、約25ショアDよりも低く、前記第一の硬度は、約40ショアDよりも高い、上記項9に記載の研磨パッド。
(項11)
前記均一な本体は、実質的に円形であり、前記複数の別個の突起のうちの1つ以上は、部分的な円周の突起または弓型の突起である、上記項1に記載の研磨パッド。
(項12)
前記複数の別個の突起は、円形のタイル、楕円形のタイル、正方形のタイル、六角形のタイル、および長方形のタイルから成る群から選択される複数のタイルを含む、上記項1に記載の研磨パッド。
(項13)
前記均一な本体の前記研磨面の全体の面において、前記複数の別個の突起の各々は、約5〜50ミリメートルの範囲における最短の寸法を有する、上記項1に記載の研磨パッド。
(項14)
前記均一な本体の前記背面に配置された検出領域をさらに含む、上記項1に記載の研磨
パッド。
(項15)
前記均一な本体に配置された局所透明(local area transparency、LAT)領域をさらに含む、上記項1に記載の研磨パッド。
(項16)
基板を研磨する研磨パッドであって、該研磨パッドは、
研磨面と背面とを有する均一な本体であって、該均一な本体は、第一の硬度を有する材料を含み、該研磨面は、パターンを有する複数の突起を含む、均一な本体と、
該均一な本体の該研磨面の該複数の突起上に配置され、かつ整列させられた複数の別個の突起であって、該複数の別個の突起は、該第一の硬度とは異なる第二の硬度を有する材料を含み、該複数の別個の突起は、該パターンを有する、複数の別個の突起と、
該均一な本体の該研磨面の該複数の突起の周りにおいて、該均一な本体に配置された充填層であって、該充填層は、該複数の別個の突起の該材料を含む、充填層と
を含む、研磨パッド。
(項17)
前記充填層は、前記複数の別個の突起と不連続である、上記項16に記載の研磨パッド。
(項18)
前記充填層と前記複数の別個の突起との両方は、前記均一な本体と共有結合させられている、上記項16に記載の研磨パッド。
(項19)
前記均一な本体は、成形された均一な本体であり、前記複数の別個の突起は、複数の成形された突起であり、前記充填層は、成形された充填層である、上記項16に記載の研磨パッド。
(項20)
前記均一な本体の前記材料は、第一の熱硬化性ポリウレタン材料を含み、前記複数の別個の突起および前記充填層の前記材料は、第二の異なる熱硬化性ポリウレタン材料を含む、上記項16に記載の研磨パッド。
(項21)
前記均一な本体の前記材料の前記第一の硬度は、前記複数の別個の突起および前記充填層の前記材料の前記第二の硬度よりも低い、上記項16に記載の研磨パッド。
(項22)
前記第一の硬度は、約40ショアDよりも低く、前記第二の硬度は、約30ショアDよりも高い、上記項21に記載の研磨パッド。
(項23)
前記第一の硬度は、約25ショアDよりも低く、前記第二の硬度は、約40ショアDよりも高い、上記項22に記載の研磨パッド。
(項24)
前記均一な本体の前記材料の前記第一の硬度は、前記複数の別個の突起および前記充填層の前記材料の前記第二の硬度よりも高い、上記項16に記載の研磨パッド。
(項25)
前記第二の硬度は、約40ショアDよりも低く、前記第一の硬度は、約30ショアDよりも高い、上記項24に記載の研磨パッド。
(項26)
前記第二の硬度は、約25ショアDよりも低く、前記第一の硬度は、約40ショアDよりも高い、上記項25に記載の研磨パッド。
(項27)
前記均一な本体は、実質的に円形であり、前記複数の別個の突起のうちの1つ以上は、部分的な円周の突起または弓型の突起である、上記項16に記載の研磨パッド。
(項28)
前記複数の別個の突起は、円形のタイル、楕円形のタイル、正方形のタイル、六角形のタイル、および長方形のタイルから成る群から選択される複数のタイルを含む、上記項16に記載の研磨パッド。
(項29)
前記均一な本体の前記研磨面の全体の面において、前記複数の別個の突起の各々は、約5〜50ミリメートルの範囲における最短の寸法を有する、上記項16に記載の研磨パッド。
(項30)
前記均一な本体の前記背面に配置された検出領域をさらに含む、上記項16に記載の研磨パッド。
(項31)
前記均一な本体に配置された局所透明(local area transparency、LAT)領域をさらに含む、上記項16に記載の研磨パッド。
(項32)
基板を研磨する研磨パッドを製作する方法であって、該方法は、
重合可能な材料の第一の組を混合することにより形成型のベースにおいて第一の混合物を形成することと、
該第一の混合物を少なくとも部分的に硬化させることにより研磨面と背面とを有する成形された均一な本体を形成することと、
重合可能な材料の第二の組を混合することにより該成形された均一な本体の上に第二の混合物を形成することと、
該形成型のふたを該第二の混合物内へ配置することであって、該ふたは、該ふたに配置された溝のパターンを有する、ことと、
該ふたが該第二の混合物に配置された状態で、該第二の混合物を少なくとも部分的に硬化させることにより該成形された均一な本体の該研磨面に配置された複数の別個の突起を形成することであって、該複数の別個の突起は、該ふたの該溝のパターンに対応するパターンを有する、ことと
を含む、方法。
(項33)
前記重合可能な材料の第一の組を混合することにより前記第一の混合物を形成することの次であるが、前記重合可能な材料第二の組を混合することにより前記第二の混合物を形成することの前に、前記形成型の前記ふたを該第一の混合物内へ配置することと、該ふたが該第一の混合物に配置された状態で、該第一の混合物を少なくとも部分的に硬化させることを実施することにより前記研磨面を有する前記成形された均一な本体を形成することとをさらに含み、該研磨面は、該ふたの前記溝のパターンに対応するパターンを有する複数の突起を含み、前記複数の別個の突起は、該成形された均一な本体の該研磨面の該複数の突起上に形成され、かつ整列させられている、上記項32に記載の方法。
(項34)
前記成形された均一な本体の上に前記第二の混合物を形成することは、該成形された均一な本体の前記研磨面の前記複数の突起の周りにおいて、該成形された均一な本体に配置された充填層を形成するほど十分に大きい量の前記第二の混合物を形成することを含み、該第二の混合物の該量は、該第二の混合物から形成された前記複数の別個の突起と不連続である該充填層を形成するほど十分に小さい、上記項33に記載の方法。
(項35)
前記重合可能な材料の第一の組は、第一のプレポリマーと第一の硬化剤とを含み、前記重合可能な材料の第二の組は、第二のプレポリマーと第二の硬化剤とを含む、上記項32に記載の方法。
(項36)
前記成形された均一な本体の前記研磨面は、実質的に平らであり、該成形された均一な本体の該研磨面は、前記複数の別個の突起間で露出されている、上記項32に記載の方法。
(項37)
前記第二の混合物は、前記第一の混合物とは異なり、該第一および第二の混合物を完全に硬化させると、前記複数の別個の突起の硬度は、前記成形された均一な本体の硬度とは異なる、上記項32に記載の方法。
(項38)
前記第二の混合物を少なくとも部分的に硬化させることは、前記複数の別個の突起を前記成形された均一な本体と共有結合させることを含む、上記項32に記載の方法。
(項39)
前記成形された均一な本体を形成することは、第一の熱硬化性ポリウレタン材料を形成することを含み、前記複数の別個の突起を形成することは、第二の異なる熱硬化性ポリウレタン材料を形成することを含む、上記項32に記載の方法。
(項40)
前記重合可能な材料の第二の組の前記混合は、複数のポロゲンを該重合可能な材料の第二の組に追加することにより前記複数の別個の突起における複数のクローズドセルポアを形成することをさらに含み、各クローズドセルポアは物理的殻を有する、上記項32に記載の方法。
(項41)
前記重合可能な材料の第二の組の前記混合は、該重合可能な材料の第二の組内へ、または該重合可能な材料の第二の組から形成された生成物内へガスを注入することにより前記複数の別個の突起における複数のクローズドセルポアを形成することをさらに含み、各クローズドセルポアは、物理的殻を有しない、上記項32に記載の方法。
(項42)
前記重合可能な材料の第二の組の前記混合は、不透明化粒子充填剤を該重合可能な材料の第二の組に追加することにより不透明な複数の別個の突起を形成することをさらに含む、上記項32に記載の方法。
(項43)
オーブンにおいて前記複数の別個の突起および前記成形された均一な本体をさらに硬化させることをさらに含む、上記項32に記載の方法。
(項44)
前記第一のプレポリマーと第一の硬化剤とを混合することにより前記第一の混合物を形成することは、該第一の混合物からガスを抜くことを含み、前記第二のプレポリマーと前記第二の硬化剤とを混合することにより前記第二の混合物を形成することは、該第二の混合物からガスを抜くことを含む、上記項35に記載の方法。

Claims (15)

  1. 基板を研磨する研磨パッドであって、該研磨パッドは、
    研磨面と背面とを有する均一な材料から成る本体であって、本体は、第一の硬度を有する材料を含み、該研磨面は、パターンを有する複数の突起を含む本体と、
    本体の該研磨面の該複数の突起上に配置され、かつ整列させられた複数の別個の突起であって、該複数の別個の突起は、該第一の硬度とは異なる第二の硬度を有する材料を含み、該複数の別個の突起は、該パターンを有する、複数の別個の突起と、
    本体の該研磨面の該複数の突起の周りにおいて、本体に配置された充填層であって、該充填層は、該複数の別個の突起の該材料を含む、充填層と
    を含む、研磨パッド。
  2. 前記充填層は、前記複数の別個の突起と不連続である、請求項1に記載の研磨パッド。
  3. 前記充填層と前記複数の別個の突起との両方は、前本体と共有結合させられている、請求項1に記載の研磨パッド。
  4. 本体は、均一な材料から成る成形され本体であり、前記複数の別個の突起は、複数の成形された突起であり、前記充填層は、成形された充填層である、請求項1に記載の研磨パッド。
  5. 本体の前記材料は、第一の熱硬化性ポリウレタン材料を含み、前記複数の別個の突起および前記充填層の前記材料は、第二の異なる熱硬化性ポリウレタン材料を含む、請求項1に記載の研磨パッド。
  6. 本体の前記材料の前記第一の硬度は、前記複数の別個の突起および前記充填層の前記材料の前記第二の硬度よりも低い、請求項1に記載の研磨パッド。
  7. 前記第一の硬度は、約30ショアDよりも低く、前記第二の硬度は、約30ショアDよりも高い、請求項6に記載の研磨パッド。
  8. 前記第一の硬度は、約25ショアDよりも低く、前記第二の硬度は、約40ショアDよりも高い、請求項7に記載の研磨パッド。
  9. 本体の前記材料の前記第一の硬度は、前記複数の別個の突起および前記充填層の前記材料の前記第二の硬度よりも高い、請求項1に記載の研磨パッド。
  10. 前記第二の硬度は、約30ショアDよりも低く、前記第一の硬度は、約30ショアDよりも高い、請求項9に記載の研磨パッド。
  11. 前記第二の硬度は、約25ショアDよりも低く、前記第一の硬度は、約40ショアDよりも高い、請求項10に記載の研磨パッド。
  12. 本体は、実質的に円形であり、前記複数の別個の突起のうちの1つ以上は、部分的な円周の突起または弓型の突起である、請求項1に記載の研磨パッド。
  13. 前記複数の別個の突起は、円形のタイル、楕円形のタイル、正方形のタイル、六角形のタイル、および長方形のタイルから成る群から選択される複数のタイルを含む、請求項1に記載の研磨パッド。
  14. 本体の前記研磨面の全体の面において、前記複数の別個の突起の各々は、約5〜50ミリメートルの範囲におけ寸法を有する、請求項1に記載の研磨パッド。
  15. 本体に配置された局所透明(local area transparency、LAT)領域をさらに含む、請求項1に記載の研磨パッド。
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Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120302148A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Rajeev Bajaj Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon
KR101532990B1 (ko) * 2011-09-22 2015-07-01 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
US9067297B2 (en) * 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer
US9067298B2 (en) * 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer
SG11201402224WA (en) * 2011-11-29 2014-09-26 Nexplanar Corp Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer
US10722997B2 (en) 2012-04-02 2020-07-28 Thomas West, Inc. Multilayer polishing pads made by the methods for centrifugal casting of polymer polish pads
US11090778B2 (en) * 2012-04-02 2021-08-17 Thomas West, Inc. Methods and systems for centrifugal casting of polymer polish pads and polishing pads made by the methods
US10022842B2 (en) 2012-04-02 2018-07-17 Thomas West, Inc. Method and systems to control optical transmissivity of a polish pad material
US9597769B2 (en) 2012-06-04 2017-03-21 Nexplanar Corporation Polishing pad with polishing surface layer having an aperture or opening above a transparent foundation layer
US9649742B2 (en) * 2013-01-22 2017-05-16 Nexplanar Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions
US10160092B2 (en) * 2013-03-14 2018-12-25 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions having tapered sidewalls
US20150038066A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Nexplanar Corporation Low density polishing pad
EP3126092B1 (en) * 2014-04-03 2022-08-17 3M Innovative Properties Company Polishing pads and systems and methods of making and using the same
JP6295807B2 (ja) * 2014-04-28 2018-03-20 株式会社リコー 研磨具、及び、研磨装置
US9238294B2 (en) * 2014-06-18 2016-01-19 Nexplanar Corporation Polishing pad having porogens with liquid filler
US9649741B2 (en) * 2014-07-07 2017-05-16 Jh Rhodes Company, Inc. Polishing material for polishing hard surfaces, media including the material, and methods of forming and using same
US9873180B2 (en) * 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10875145B2 (en) * 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US10399201B2 (en) * 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
WO2016061585A1 (en) * 2014-10-17 2016-04-21 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
CN113579992A (zh) 2014-10-17 2021-11-02 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
JP6476924B2 (ja) 2015-01-30 2019-03-06 株式会社リコー 研磨シート、研磨具、及び、研磨方法
US10092998B2 (en) * 2015-06-26 2018-10-09 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of making composite polishing layer for chemical mechanical polishing pad
WO2017019906A1 (en) * 2015-07-30 2017-02-02 Jh Rhodes Company, Inc. Polymeric lapping materials, media and systems including polymeric lapping material, and methods of forming and using same
TWI754275B (zh) * 2015-10-16 2022-02-01 美商應用材料股份有限公司 拋光墊及形成其之方法
WO2017074773A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Applied Materials, Inc. An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
CN105500183B (zh) * 2015-11-26 2018-08-10 上海集成电路研发中心有限公司 一种研磨垫及其使用周期检测方法
CN105598866B (zh) * 2015-12-28 2017-07-21 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种电镀超硬材料砂轮的制造方法
KR20240015161A (ko) 2016-01-19 2024-02-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다공성 화학적 기계적 연마 패드들
US10391605B2 (en) * 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
JP7193221B2 (ja) 2016-01-25 2022-12-20 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法、並びに、研磨加工品の製造方法
TWI629297B (zh) * 2016-07-05 2018-07-11 智勝科技股份有限公司 研磨層及其製造方法以及研磨方法
US10195713B2 (en) 2016-08-11 2019-02-05 3M Innovative Properties Company Lapping pads and systems and methods of making and using the same
US20180304539A1 (en) 2017-04-21 2018-10-25 Applied Materials, Inc. Energy delivery system with array of energy sources for an additive manufacturing apparatus
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
AU2019200390B2 (en) 2018-01-31 2024-04-11 Dow Global Technologies Llc Coating formulation with a poly(oxyalkylene-urethane) associative thickener modified with a hydrophobic oligomer
CN110815037B (zh) * 2018-08-08 2021-07-30 湖北鼎龙控股股份有限公司 抛光垫及其制备方法、应用
CN112654655A (zh) 2018-09-04 2021-04-13 应用材料公司 先进抛光垫配方
CN108972319A (zh) * 2018-09-18 2018-12-11 长鑫存储技术有限公司 化学机械研磨垫及其制备方法
US20200230781A1 (en) * 2019-01-23 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Polishing pads formed using an additive manufacturing process and methods related thereto
US11845157B2 (en) * 2019-05-07 2023-12-19 Cmc Materials, Inc. Chemical mechanical planarization pads via vat-based production
CN110614580B (zh) * 2019-10-22 2021-11-19 西安奕斯伟材料科技有限公司 抛光垫及其制备方法、化学机械研磨设备
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
CN113070810A (zh) * 2020-01-03 2021-07-06 铨科光电材料股份有限公司 晶圆抛光垫
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
US20240100648A1 (en) * 2022-09-22 2024-03-28 Cmc Materials Llc Chemical mechanical polishing pads with a disulfide bridge
JP2024144269A (ja) * 2023-03-29 2024-10-11 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッドの製造方法

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1953983A (en) * 1928-02-07 1934-04-10 Carborundum Co Manufacture of rubber bonded abrasive articles
JPS6179575A (ja) * 1984-09-25 1986-04-23 Achilles Corp 研磨基布およびその製造方法
IE61697B1 (en) 1987-12-22 1994-11-16 De Beers Ind Diamond Abrasive product
US5190568B1 (en) 1989-01-30 1996-03-12 Ultimate Abrasive Syst Inc Abrasive tool with contoured surface
US5014468A (en) * 1989-05-05 1991-05-14 Norton Company Patterned coated abrasive for fine surface finishing
US5177908A (en) * 1990-01-22 1993-01-12 Micron Technology, Inc. Polishing pad
US5020283A (en) * 1990-01-22 1991-06-04 Micron Technology, Inc. Polishing pad with uniform abrasion
US5212910A (en) * 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
JP2980682B2 (ja) * 1993-06-02 1999-11-22 大日本印刷株式会社 研磨テープおよびその製造方法
US5453106A (en) * 1993-10-27 1995-09-26 Roberts; Ellis E. Oriented particles in hard surfaces
US5391210A (en) * 1993-12-16 1995-02-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5958794A (en) * 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
US5609517A (en) * 1995-11-20 1997-03-11 International Business Machines Corporation Composite polishing pad
US5624303A (en) * 1996-01-22 1997-04-29 Micron Technology, Inc. Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
JPH106218A (ja) * 1996-06-27 1998-01-13 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> ドレッシング用研磨材製品
US6194317B1 (en) * 1998-04-30 2001-02-27 3M Innovative Properties Company Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer
KR100485846B1 (ko) 1997-05-09 2005-04-28 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 모자이크 폴리싱 패드 및 그와 관련된 방법
US5921855A (en) 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
JP2000033553A (ja) * 1998-05-11 2000-02-02 Sony Corp 研磨パッドおよび研磨方法
JP2918883B1 (ja) * 1998-07-15 1999-07-12 日本ピラー工業株式会社 研磨パッド
US6299508B1 (en) * 1998-08-05 2001-10-09 3M Innovative Properties Company Abrasive article with integrally molded front surface protrusions containing a grinding aid and methods of making and using
US6183346B1 (en) 1998-08-05 2001-02-06 3M Innovative Properties Company Abrasive article with embossed isolation layer and methods of making and using
US6413153B1 (en) * 1999-04-26 2002-07-02 Beaver Creek Concepts Inc Finishing element including discrete finishing members
US6179887B1 (en) * 1999-02-17 2001-01-30 3M Innovative Properties Company Method for making an abrasive article and abrasive articles thereof
US6217426B1 (en) * 1999-04-06 2001-04-17 Applied Materials, Inc. CMP polishing pad
US6498101B1 (en) * 2000-02-28 2002-12-24 Micron Technology, Inc. Planarizing pads, planarizing machines and methods for making and using planarizing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic device substrate assemblies
US6736709B1 (en) 2000-05-27 2004-05-18 Rodel Holdings, Inc. Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US6454634B1 (en) 2000-05-27 2002-09-24 Rodel Holdings Inc. Polishing pads for chemical mechanical planarization
US20030207659A1 (en) * 2000-11-03 2003-11-06 3M Innovative Properties Company Abrasive product and method of making and using the same
JP2002172563A (ja) 2000-11-24 2002-06-18 Three M Innovative Properties Co 研磨テープ
KR100857504B1 (ko) * 2000-12-01 2008-09-08 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드용 쿠션층
US6523215B2 (en) * 2001-04-04 2003-02-25 Saint-Gobain Abrasives Technology Company Polishing pad and system
US6544373B2 (en) * 2001-07-26 2003-04-08 United Microelectronics Corp. Polishing pad for a chemical mechanical polishing process
JP2003053657A (ja) * 2001-08-10 2003-02-26 Ebara Corp 研磨面構成部材及び該研磨面構成部材を用いた研磨装置
JP3851135B2 (ja) * 2001-10-17 2006-11-29 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
US7399516B2 (en) * 2002-05-23 2008-07-15 Novellus Systems, Inc. Long-life workpiece surface influencing device structure and manufacturing method
US8602851B2 (en) 2003-06-09 2013-12-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Controlled penetration subpad
US7201647B2 (en) 2002-06-07 2007-04-10 Praxair Technology, Inc. Subpad having robust, sealed edges
US6838169B2 (en) 2002-09-11 2005-01-04 Psiloquest, Inc. Polishing pad resistant to delamination
KR100465649B1 (ko) 2002-09-17 2005-01-13 한국포리올 주식회사 일체형 연마 패드 및 그 제조 방법
JP2004243428A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Rodel Nitta Co 研磨パッド
US20040224616A1 (en) * 2003-04-25 2004-11-11 Jsr Corporation Polishing pad and chemical mechanical polishing method
US6884156B2 (en) 2003-06-17 2005-04-26 Cabot Microelectronics Corporation Multi-layer polishing pad material for CMP
JP2005074614A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Nitta Haas Inc 研磨パッドの製造方法および研磨パッド
US7654885B2 (en) * 2003-10-03 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad
US7204742B2 (en) * 2004-03-25 2007-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port
JP2005277130A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US7198549B2 (en) 2004-06-16 2007-04-03 Cabot Microelectronics Corporation Continuous contour polishing of a multi-material surface
US7097542B2 (en) * 2004-07-26 2006-08-29 Intel Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad
JP2006140240A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Renesas Technology Corp 研磨パッド、研磨装置及び半導体装置の製造方法
WO2006057720A1 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Rajeev Bajaj Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with pressure control and process monitor
US7846008B2 (en) 2004-11-29 2010-12-07 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad
US7169029B2 (en) 2004-12-16 2007-01-30 3M Innovative Properties Company Resilient structured sanding article
TWI385050B (zh) * 2005-02-18 2013-02-11 Nexplanar Corp 用於cmp之特製拋光墊及其製造方法及其用途
JP4620501B2 (ja) * 2005-03-04 2011-01-26 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
JP2006346805A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 積層研磨パッド
JP4904027B2 (ja) * 2005-08-10 2012-03-28 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
WO2007104063A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Rimpad Tech Ltd. Composite polishing pad
US7235114B1 (en) 2006-03-16 2007-06-26 3M Innovative Properties Company Flexible abrasive article
US8083820B2 (en) * 2006-12-22 2011-12-27 3M Innovative Properties Company Structured fixed abrasive articles including surface treated nano-ceria filler, and method for making and using the same
WO2008154185A2 (en) 2007-06-08 2008-12-18 Applied Materials, Inc. Thin polishing pad with window and molding process
TWI388402B (en) * 2007-12-06 2013-03-11 Methods for orienting superabrasive particles on a surface and associated tools
JP2010029996A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Toray Ind Inc 研磨パッド
US20100317262A1 (en) * 2009-06-16 2010-12-16 Zine-Eddine Boutaghou Abrasive article with uniform height abrasive particles
SG181890A1 (en) * 2009-12-22 2012-07-30 3M Innovative Properties Co Polishing pad and method of making the same
CN101823242B (zh) * 2010-04-29 2012-06-06 沈阳理工大学 基于葵花籽粒分布结构的仿生抛光垫及制造方法
US20120302148A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Rajeev Bajaj Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon
US9067297B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer

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EP2857145B1 (en) 2018-12-26
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