KR20130138841A - 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드 - Google Patents

분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드 Download PDF

Info

Publication number
KR20130138841A
KR20130138841A KR1020137029736A KR20137029736A KR20130138841A KR 20130138841 A KR20130138841 A KR 20130138841A KR 1020137029736 A KR1020137029736 A KR 1020137029736A KR 20137029736 A KR20137029736 A KR 20137029736A KR 20130138841 A KR20130138841 A KR 20130138841A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hardness
protrusions
mixture
polishing
molded
Prior art date
Application number
KR1020137029736A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101621789B1 (ko
Inventor
라지브 바자즈
핑 후앙
로버트 커프리치
윌리엄 씨 앨리슨
리차드 프렌트젤
다이앤 스코트
Original Assignee
넥스플래너 코퍼레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 넥스플래너 코퍼레이션 filed Critical 넥스플래너 코퍼레이션
Publication of KR20130138841A publication Critical patent/KR20130138841A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101621789B1 publication Critical patent/KR101621789B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • B24D18/0009—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for using moulds or presses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D5/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting only by their periphery; Bushings or mountings therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
    • B29C39/02—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C39/12—Making multilayered or multicoloured articles
    • B29C39/123—Making multilayered articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2075/00—Use of PU, i.e. polyureas or polyurethanes or derivatives thereof, as moulding material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2009/00—Layered products
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/736—Grinding or polishing equipment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Abstract

분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드들이 설명되어 있다. 일 예에서, 기판을 연마하기 위한 연마 패드는 연마면과 후면을 가지는 균일체를 포함한다. 균일체는 제 1 경도를 가지는 재료로 이루어진다. 복수 개의 분리된 돌출부들은 균일체의 연마면 상에 배치되고, 이 연마면과 공유 결합된다. 복수 개의 분리된 돌출부들은 제 1 경도와 상이한 제 2 경도를 가지는 재료로 이루어진다. 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 연마체를 가진 연마 패드들을 제조하는 방법 또한 설명되어 있다.

Description

분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드{POLISHING PAD WITH HOMOGENEOUS BODY HAVING DISCRETE PROTRUSIONS THEREON}
본 발명의 실시예들은 화학적 기계적 연마(CMP) 기술분야에 있고, 특히 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드들의 기술분야에 있다.
일반적으로 CMP로 약칭되는 화학적-기계적 평탄화 또는 화학적-기계적 연마는 반도체 제조에 있어서 반도체 웨이퍼 또는 다른 기판을 평탄화하기 위해 사용되는 기술이다.
이 공정은, 웨이퍼보다 대체로 큰 직경을 가진 연마 패드 및 리테이닝 링과 함께, 연마성이면서 부식성인 화학적 슬러리(통상 콜로이드(colloid)라 함)를 사용한다. 연마 패드와 웨이퍼는 동적 연마 헤드에 의해 함께 가압되고, 플라스틱 리테이닝 링에 의해 적소에 유지된다. 동적 연마 헤드는 연마 동안 회전된다. 이 접근법은 재료의 제거에 도움이 되고, 임의의 불규칙적인 표면형상이라도 평평하게 하기 쉬워서, 웨이퍼를 편평하게 하거나 평탄하게 한다. 이는 추가적인 회로 소자들의 형성을 위해 웨이퍼를 설치하기 위하여 필요할 수 있다. 예를 들어, 이는, 전체 표면을 포토리소그래피(photolithography) 시스템의 피사계 심도(depth of field) 내에 이르게 하거나 그 위치에 기초하여 재료를 선택적으로 제거하기 위하여 필요할 수 있다. 통상의 피사계 심도의 필요조건은 최신 50 나노미터 이하 기술 노드에 대해 옹스트롬 수준으로 낮아진다.
재료 제거 공정은 목재 위의 사포질과 같이 단순히 연마 스크랩 공정이 아니다. 슬러리 내의 화학물질도 또한 제거될 재료와 반응하는 작용 및/또는 제거될 재료를 연약화시키는 작용을 한다. 연마제는 이 연약화 과정을 가속하고, 연마 패드는 반응한 재료들을 표면으로부터 닦아내는데 도움이 된다. 슬러리 기술에서의 진전과 더불어, 연마 패드는 더욱 복잡해지는 CMP 공정들에서 중요한 역할을 한다.
그러나, CMP 패드 기술의 발전에는 추가적인 개선이 요구된다.
본 발명의 실시예들은 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드를 포함한다.
일 실시예에서, 기판을 연마하기 위한 연마 패드는 연마면과 후면을 가지는 균일체를 포함한다. 균일체는 제 1 경도를 가지는 재료로 이루어진다. 복수 개의 분리된 돌출부들은 균일체의 연마면 상에 배치되고, 이 연마면과 공유 결합된다. 복수 개의 분리된 돌출부들은 제 1 경도와 상이한 제 2 경도를 가지는 재료로 이루어진다.
다른 실시예에서, 기판을 연마하기 위한 연마 패드는 연마면과 후면을 가지는 균일체를 포함한다. 균일체는 제 1 경도를 가지는 재료로 이루어진다. 연마면은 패턴을 가지는 복수 개의 돌출부들을 포함한다. 복수 개의 분리된 돌출부들은 균일체의 연마면의 복수 개의 돌출부들 상에 배치되고, 이 돌출부들과 정렬된다. 복수 개의 분리된 돌출부들은 제 1 경도와 상이한 제 2 경도를 가지는 재료로 이루어진다. 복수 개의 분리된 돌출부들은 패턴을 가진다. 충전층은 균일체 상에서 균일체의 연마면의 복수 개의 돌출부들 둘레에 배치된다. 충전층은 복수 개의 분리된 돌출부들의 재료로 이루어진다.
다른 실시예에서, 기판을 연마하기 위한 연마 패드를 제조하는 방법은 제 1 혼합물을 성형 몰드 기저부 내에 형성하기 위해서 제 1 세트의 폴리머화가능한 재료들을 혼합하는 단계를 포함한다. 제 1 혼합물은 연마면과 후면을 가지는 몰드성형된 균일체를 형성하기 위해서 적어도 부분적으로 경화된다. 제 2 세트의 폴리머화가능한 재료들은 제 2 혼합물을 몰드성형된 균일체 상에 형성하기 위해서 혼합된다. 성형 몰드의 덮개는 제 2 혼합물 내에 위치된다. 덮개는 덮개 위에 배치된 그루브들의 패턴을 가진다. 덮개가 제 2 혼합물 내에 위치되는 상태에서, 제 2 혼합물은 적어도 부분적으로 경화되어, 몰드성형된 균일체의 연마면 상에 배치되는 복수 개의 분리된 돌출부들을 형성한다. 복수 개의 분리된 돌출부들은 덮개의 그루브들의 패턴에 대응하는 패턴을 가진다.
본 발명은 기판을 연마하기 위한 연마 패드 및 기판을 연마하기 위한 연마 패드를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 연마 패드에 의하여 연마층들 사이의 화학 결합을 강하게 해서 그 박리 가능성을 상당히 감소시킴으로써 연마 패드의 수명을 연장시킬 수 있다.
도 1에는 본 발명의 실시예에 따르는, 분리된(discrete) 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체(homogeneous body)를 가진 연마 패드의 단면도가 도시되어 있다.
도 2에는 본 발명의 실시예에 따르는, 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 다른 연마 패드의 단면도가 도시되어 있다.
도 3에는 본 발명의 실시예에 따르는, 분리된 6각 타일 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드의 평면도가 도시되어 있다.
도 4에는 본 발명의 실시예에 따르는, 원호형상 분리된 돌출부들을 그 위에 가진 연마 패드의 평면도가 도시되어 있다.
도 5에는 본 발명의 실시예에 따르는, 분리된 직선 부분 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드의 평면도가 도시되어 있다.
도 6에는 본 발명의 실시예에 따르는, 국소 투명(local area transparency; LAT) 영역 및/또는 지시 영역을 포함하고 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드의 평면도가 도시되어 있다.
도 7a 내지 도 7g에는 본 발명에 따르는, 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드의 제조에 사용되는 공정의 단면도가 도시되어 있다.
도 8a 내지 도 8d에는 본 발명에 따르는, 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 다른 연마 패드의 제조에 사용되는 공정의 단면도가 도시되어 있다.
도 9에는 본 발명에 따르는, 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드와 함께 사용가능한 연마 장치의 등측도가 도시되어 있다.
분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드는 본 명세서에 설명된다. 다음의 설명에서, 본 발명의 실시예에 관한 완전한 이해를 제공하기 위하여 특정 연마 패드 구성 및 설계와 같은 수개의 특정 세부사항이 설명된다. 본 발명의 실시예가 이들 특정 세부사항 없이도 실시될 수 있다는 것은 당해 기술분야의 통상의 기술자에게 자명할 것이다. 다른 예에서, 반도체 기판의 CMP를 실행하기 위한 연마 패드와 슬러리의 조합에 관한 세부사항과 같은 공지의 처리 기술은, 본 발명의 실시예를 불필요하게 불명료하게 하지 않기 위하여 상세하게 설명되지 않는다. 더욱이, 도면에 나타나 있는 여러 가지 실시예들이 예시하기 위한 것이고 반드시 일정한 비율로 도시된 것은 아니라는 점은 이해되어야 한다.
CMP 공정용 연마 패드는 횡방향-웨이퍼 연마 균일도 대 내부 금형 연마 균일도 사이와 같이 성능면에서 상충관계(trade-offs)를 가질 수 있다. 예를 들어, 경질 연마 패드는 양호한 금형 수준 평탄화를 나타내지만, 조악한 횡방향-웨이퍼 균일도를 나타낼 수 있다. 이에 반하여, 연질 연마 패드는 조악한 금형 수준 평탄화를 나타낼 수 있지만(예컨대, 이 연질 연마 패드는 금형 내부에 디싱(dishing)을 야기할 수 있음), 양호한 웨이퍼 수준 균일도를 나타낼 수 있다. 상술한 성능 상충관계를 경감시키는 것에 대한 접근법은 내부-웨이퍼 연마 효과와 내부-금형 연마 효과를 분리시키는 것일 수 있다.
일 실시예에서, 연질 서브패드는 경질 연마층과 쌍을 이루고 있다. 그러나, 타일 구조체와 같이 경질 연마층을 구성하는 구조체는 연마 공정 동안 연질 서브패드쪽으로 압축될 때 바람직하지 않게도 위로 구부려지기 쉽다. 더욱이, 연질 서브패드로부터 경질 연마층의 특징부들의 박리는 연마 패드의 수명을 상당히 감소시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상술된 성능 상충관계를 경감시키는 것에 대한 접근법은 연질 균일체와 공유결합되는 분리된 경질 돌출부들을 가지는 연마 패드의 형성을 포함한다. 다른 연마 패드는 연질 균일체 상에 배치되는 분리된 경질 돌출부들을 가지는데, 이 돌출부는 압축 동안 분리된 돌출부들이 밑에 있는 균일체 속으로 쓰러지는 것을 억제하기 위해서 측면을 지지하지만 불연속인 경질의 부재들을 가진다. 밑에 있는 경질 균일체들 상에 배치되는 연질 연마 돌출부들과 같은 반대 배열 또한 여기에서 고려될 수 있다는 것은 이해되어야 한다.
이러한 다층 연마 패드들은 돌출부들과 밑에 있는 균일체 사이의 화학 결합을 보장하기 위해서 몰딩 공정으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 다층 CMP 패드들은 제 2 패드 전구체를 부분적으로 경화처리된 제 1 패드 전구체 위에 형성하여 모든 부분들을 함께 추가로 경화시킴으로써 인시츄(in-situ) 제조된다. 제 1 재료는 미리 프레스성형되거나 프레스성형되지 않을 수 있다. 어느 경우에나, 전체 패드는 일체형 연마 패드로서 프레스성형되어 후 경화처리된다. 이러한 인시츄 접근법을 이용함으로써, 층들 사이의 화학 결합은 매우 강해서, 박리의 가능성을 감소시키거나 제거할 수 있다. 일 실시예에서, 미리 프레스하는 단계 또는 프레스하는 단계는 몰딩 장치의 상부와 하부를 함께 이동시키는 단계를 수반한다.
본 발명의 일 양태에서, 연마 패드는 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 실질적으로 편평한 균일체가 제공된다. 예를 들어, 도 1에는 본 발명의 일 실시예에 따라, 분리된 돌출부들을 가지는 균일체를 가진 연마 패드의 단면도가 도시되어 있다.
도 1을 참조하면, 연마 패드(100)는 기판을 연마하기 위하여 제공된다. 연마 패드(100)는 연마면(104)과 후면(106)을 가지는 균일체(102)를 포함한다. 균일체(102)는 제 1 경도를 가지는 재료로 이루어진다. 또한 연마 패드(100)는 균일체(102)의 연마면(104) 상에 배치되는 복수 개의 분리된 돌출부(108)들을 포함한다. 복수 개의 분리된 돌출부(108)들은 제 1 경도와 상이한 제 2 경도를 가지는 재료로 이루어진다. 일 실시예에서, 균일체(102)의 연마면(104)은 도 1에 도시된 바와 같이 실질적으로 편평하고, 복수 개의 분리된 돌출부(108)들 사이에 노출되어 있다. 이러한 일 실시예에서, 복수 개의 분리된 돌출부(108)들 각각은 균일체(102)의 연마면(104) 전체 평면에서 대략 5 내지 50mm 범위의 최단 치수를 가진다.
본 발명에 일 실시예에 따르면, 균일체(102)의 재료의 경도(제 1 경도)는 복수 개의 분리된 돌출부(108)들의 재료의 경도(제 2 경도)보다 작다. 이러한 일 실시예에서, 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 작고, 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 30보다 크다. 이러한 특정 실시예에서, 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 25보다 작고, 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 크다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 균일체(102)의 재료의 경도(제 1 경도)는 복수 개의 분리된 돌출부(108)들의 재료의 경도(제 2 경도)보다 크다. 이러한 일 실시예에서, 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 작고, 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 30보다 크다. 이러한 특정 실시예에서, 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 25보다 작고, 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 크다.
본 발명의 다른 양태에서, 연마 패드에는 표면형상적으로 패턴이 형성된 균일체가 제공되고, 이 균일체는 분리된 돌출부들을 그 위에 가진다. 예를 들어, 도 2에는 본 발명의 일 실시예에 따라, 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 다른 연마 패드의 단면도가 도시되어 있다.
도 2를 참조하면, 연마 패드(200)는 기판을 연마하기 위하여 제공된다. 연마 패드(200)는 연마면(204)과 후면(206)을 가지는 균일체(202)를 포함한다. 균일체(202)는 제 1 경도를 가지는 재료로 이루어진다. 균일체(202)의 연마면(204)은 패턴을 가지는 복수 개의 돌출부(207)들을 포함한다. 또한 연마 패드(200)는 균일체(202)의 연마면(204)의 복수 개의 돌출부(207)들 상에 배치되고, 이 돌출부들과 정렬되는 복수 개의 분리된 돌출부(208)들을 포함한다. 복수 개의 분리된 돌출부(208)들은 복수 개의 돌출부(207)들의 패턴을 가지고, 제 1 경도와 상이한 제 2 경도를 가지는 재료로 이루어진다. 또한 연마 패드(200)는 균일체(202) 상에 배치되는 충전층(210)을 균일체(202)의 연마면(204)의 복수 개의 돌출부(207)들 둘레에서 포함한다. 충전층은 복수 개의 분리된 돌출부(208)들의 재료로 이루어진다. 이러한 일 실시예에서, 복수 개의 돌출부(207)들 각각 및 복수 개의 분리된 돌출부(208)들 각각은 균일체(202)의 연마면(204)의 전체 평면에서 대략 5 내지 50mm 범위의 최단 치수를 가진다.
일 실시예에서, 충전층(210)은 복수 개의 분리된 돌출부(208)들과 불연속적이다. 즉, 도 2를 참조하면, 충전층은 위치(212)에서 복수 개의 분리된 돌출부(208)들에 결합되지 않거나 이 돌출부들과 연속적이지 않는다. 이러한 배열은 연마 공정 동안 복수 개의 분리된 돌출부(208)들 각각을 균일체(202) 쪽으로 자유롭게 압축시킬 수 있다. 그러나, 불연속적인 충전층(210)의 존재는 복수 개의 분리된 돌출부(208)들 각각이 균일체(202) 쪽으로 압축됨에 따라 돌출부(208)들 각각의 양쪽면을 안내하고 지지할 수 있다. 그러나, 다른 실시예에서, 충전층(210)은 복수 개의 분리된 돌출부(208)들과 연속적이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 균일체(202)의 재료의 경도(제 1 경도)는 충전층(210)과 복수 개의 분리된 돌출부(208)들의 재료의 경도(제 2 경도)보다 작다. 이러한 일 실시예에서, 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 작고, 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 30보다 크다. 이러한 특정 실시예에서, 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 25보다 작고, 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 크다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 균일체(202)의 재료의 경도(제 1 경도)는 충전층(210)과 복수 개의 분리된 돌출부(208)들의 재료의 경도(제 2 경도)보다 크다. 이러한 일 실시예에서, 제 2 경도는 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 작고, 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 30보다 크다. 이러한 특정 실시예에서, 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 25보다 작고, 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 크다.
연마 패드들(100, 200) 내부의 상이한 재료의 부분들은 서로 공유 결합될 수 있다. 예를 들어, 도 1을 참조하면, 일 실시예에서, 복수 개의 분리된 돌출부(108)들은 균일체(102)의 연마면(104) 위에 배치되고 이 연마면과 공유 결합된다. 다른 예에서, 도 2를 참조하면, 일 실시예에서, 복수 개의 분리된 돌출부(208)들과 충전층(210) 모두는 균일체(202)와 공유 결합된다. 구체적으로, 충전층(210)은 연마면(204)의 패턴 내부에서 공유 결합되는 반면, 복수 개의 분리된 돌출부(208)들은 연마면(204)의 패턴의 정상에서 공유 결합된다.
일 실시예에서, "공유 결합(covalently bonded)"이라는 용어는 제 1 재료(예컨대, 균일체(102 또는 202)의 재료)의 원자들이 제 2 재료(예컨대, 복수 개의 분리된 돌출부들(108 또는 208)의 재료)원자들과 전자를 공유하거나 가교결합되어, 실제 화학 결합을 유발한다. 이러한 공유 결합은 정전기적 상호작용과 구별되는데, 이 정전기적 상호작용은 연마 패드의 일부가 절단되어 상이한 재료의 삽입 구역으로 교체된다면 발생할 수 있다. 또한 공유 결합은 나사, 못, 아교 또는 다른 접착제를 통한 결합과 같은 기계적 결합과 구별된다. 아래에서 상술되는 바와 같이, 공유 결합은 복수 개의 분리된 돌출부들을 가진 연마체를 적어도 어느 정도 함께 경화시킴으로써 달성될 수 있고, 이는 복수 개의 분리된 돌출부들과 연마체의 완전한 개별적인 성형과는 정반대이다.
연마 패드(100 또는 200)의 재료들은 몰드성형될 수 있다. 예를 들어, 도 1을 참조하면, 일 실시예에서, 균일체(102)는 몰드성형된 균일체이고, 복수 개의 분리된 돌출부(108)들은 복수 개의 몰드성형된 돌출부들이다. 다른 예에서, 도 2를 참조하면, 일 실시예에서, 균일체(202)는 몰드성형된 균일체이고, 복수 개의 분리된 돌출부(208)들은 복수 개의 몰드성형된 돌출부들이고, 충전층(210)은 몰드성형된 충전층이다.
"몰드성형된(molded)"이라는 용어는 균일체 및/또는 균일체 상의 분리된 돌출부들이 도 7a 내지 도 7g 및 도 8a 내지 도 8d와 함께 이하에서 더 상세하게 설명되는 바와 같이 성형 몰드 내에 형성된다는 것을 지시하는데 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 몰드성형된 분리된 돌출부들은 컨디셔닝(conditioning) 및/또는 연마 시 대략 1 내지 5 미크론 제곱 평균 제곱근(root mean square)의 범위 의 연마 표면 거칠기를 가진다. 일 실시예에서, 몰드성형된 분리된 돌출부들은 컨디셔닝 및/또는 연마 시 대략 2.35 미크론 제곱 평균 제곱근의 연마 표면 거칠기를 가진다. 일 실시예에서, 몰드성형된 분리된 돌출부들은 25℃에서 대략 30 내지 500 메가파스칼(MPa) 범위의 저장 탄성율(storage modulus)을 가진다. 다른 실시예에서, 몰드성형된 분리된 돌출부들은 25℃에서 대략 30 메가파스칼(MPa)보다 작은 범위의 저장 탄성율을 가진다. 일 실시예에서, 도 7a 내지 도 7g 및 도 8a 내지 도 8d와 함께 설명되는 바와 같이, 연마 패드는 몰드성형된 연마체와 연마체 상의 몰드성형된 분리된 돌출부들로 이루어진다.
연마 패드들(100 또는 200)은 열경화성 폴리우레탄 재료로 이루어진 균일체를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 균일체는 열경화성인 폐포(closed cell) 폴리우레탄 재료로 이루어진다. 일 실시예에서, "균일(homogeneous)"이라는 용어는 열경화성인 폐포 폴리우레탄 재료의 조성이 균일체의 전체 조성에 걸쳐 일정하다는 것을 지시하는데 사용된다. 예를 들어, 일 실시예에서, "균일한"이라는 용어는, 예컨대 함침성 펠트 또는 상이한 재료의 다층 조성물(복합재료)로 이루어진 연마체와 연마 패드를 제외한다.
일 실시예에서, "열경화성(thermoset)"이라는 용어는 비가역적으로 경화하는 폴리머 재료를 지시하는데 사용되는데, 예를 들어, 이 폴리머 재료에 대한 전구체는 경화에 의해 비가역적으로 변하여 비용융성, 불용성 폴리머 망상조직(network)이 된다. 예를 들어, 일 실시예에서, "열경화성"이라는 용어는, 가열될 때 액체로 바뀌고 충분히 냉각될 때 바로 유리질 상태로 바뀌는 폴리머로 이루어진 재료들, 예컨대 "열가소성(thermoplast)" 재료들, 즉 "열가소성물질(thermoplastics)"로 이루어진 연마 패드들은 제외한다. 열경화성 재료들로 만들어진 연마 패드들은, 화학 반응에서 폴리머를 형성하기 위해 반응하는 저 분자량 전구체들로부터 통상 제조되는 반면, 열가소성 재료들로 만들어진 패드들은, 연마 패드가 물리적 공정에서 형성되도록 상 변화를 일으키기 위해서 미리 존재하는 폴리머를 가열함으로써 통상 제조된다는 점을 유의해야 한다. 폴리우레탄 열경화성 폴리머는 여기에서 설명되는 연마 패드를 제조하기 위하여 안정된 열적 기계적 특성, 화학적 환경에 대한 저항성 및 내마모성 특성에 기초하여 선택될 수 있다.
일 실시예에서, 도 1을 참조하면, 균일체(102)의 재료는 제 1 열경화성 폴리우레탄 재료로 이루어지고, 복수 개의 분리된 돌출부(108)들의 재료는 상이한 제 2 열경화성 폴리우레탄 재료로 이루어진다. 일 실시예에서, 도 2를 참조하면, 균일체(202)의 재료는 제 1 열경화성 폴리우레탄 재료로 이루어지고, 복수 개의 돌출부(208)들과 충전층(210)의 재료는 상이한 제 2 열경화성 폴리우레탄 재료로 이루어진다.
일 실시예에서, 연마 패드들(100 또는 200)과 같이 여기에서 설명되는 연마 패드들은 연마체 및/또는 연마체 상의 분리된 돌출부들을 포함하고, 이 분리된 돌출부들은 그 내부에 복수 개의 폐포 기공들을 가진다. 일 실시예에서, 복수 개의 폐포 기공들은 복수 개의 포로겐이다. 예를 들어, "포로겐(porogen)"이라는 용어는 "중공형(hollow)" 중앙부들을 가진 마이크로 또는 나노 크기의 구형 입자 또는 어느 정도 구형 입자를 지시하는데 사용될 수 있다. 중공형 중앙부들은 고체 재료로 채워지는 것이 아니라, 기체 코어 또는 액체 코어를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 복수 개의 폐포 기공들은 미리 확장되어 가스가 충전된 EXPANCELTM로 이루어지는데, 이 EXPANCELTM은 연마체 및/또는 연마 패드의 분리된 돌출부들 전체에 걸쳐(예컨대, 그 안의 추가 구성요소로서) 분포된다. 특정 실시예에서, EXPANCELTM은 펜테인으로 충전되어 있다. 일 실시예에서, 복수 개의 폐포 기공들 각각은 대략 10 내지 100 미크론 범위의 직경을 가진다. 일 실시예에서, 복수 개의 폐포 기공들은 서로 분리되어 있는 기공들을 포함한다. 이는 개포(open cell) 기공들과 대조되는데, 개포 기공은 일반 스펀지 내의 기공들에서와 같이 터널을 통하여 서로 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 폐포 기공들 각각은 상술된 바와 같이 포로겐의 셸(a shell of porogen)과 같은 물리적인 셸(physical shell)을 포함한다. 그러나, 다른 실시예에서, 폐포 기공들 각각은 물리적인 셸을 포함하지 않는다. 일 실시예에서, 복수 개의 폐포 기공들은 균일체의 열경화성 폴리우레탄 재료 또는 균일체 상에 배치되는 균일한 복수 개의 분리된 돌출부들의 열경화성 폴리우레탄 재료 전체에 걸쳐 본질적으로 고르게 분포된다.
일 실시예에서, 복수 개의 폐포들의 농도 내지 밀도는 균일체(예컨대 102 또는 202)와 복수 개의 분리된 돌출부들(예컨대, 108 또는 208) 사이에서 상이하다. 이러한 일 실시예에서, 균일체 내의 폐포들의 농도 내지 밀도는 복수 개의 분리된 돌출부들 내의 폐포들의 농도 내지 밀도보다 작다. 이러한 특정 실시예에서, 균일체 내에는 폐포들이 없는 반면, 복수 개의 분리된 돌출부들 내에는 폐포들이 있다. 대체 실시예에서, 균일체 내의 폐포들의 농도 내지 밀도는 복수 개의 분리된 돌출부들 내의 폐포들의 농도 내지 밀도보다 크다. 다른 실시예에서, 폐포들의 유형은 균일체와 복수 개의 분리된 돌출부들 사이에서 상이하다.
일 실시예에서, 연마 패드들(100 또는 200)과 같이 여기에 설명되는 연마 패드들은 불투명한 분리된 돌출부들 및/또는 연마체를 포함한다. 일 실시예에서, "불투명(opaque)"이라는 용어는 대략 10% 이하의 가시광선이 통과하는 것을 허용하는 재료를 지시하는데 사용된다. 일 실시예에서, 연마체 및/또는 분리된 돌출부들은 대부분 불투명한데, 이는 전적으로 감마제(lubricant)와 같은 불투명 입자 충전재가 분리된 돌출부들 및/또는 연마체 전체에 걸쳐서(예컨대, 그 내부의 추가 구성요소들로서) 포함되어 있기 때문이다. 특정 실시예에서, 불투명 입자 충전재는 질화붕소, 불화 세륨, 흑연, 불화 흑연, 황화 몰리브덴, 황화 니오븀, 활석, 황화 탄탈룸, 이황화 텅스텐 또는 테플론(Teflon®)과 같은 재료이지만, 이에 제한되지 않는다.
일 실시예에서, 입자 충전재의 농도 내지 불투명도는 균일체(예컨대 102 또는 202)와 복수 개의 분리된 돌출부들(예컨대, 108 또는 208) 사이에서 상이하다. 이러한 일 실시예에서, 균일체 내의 입자 충전재의 농도는 복수 개의 분리된 돌출부 내의 입자 충전재의 농도보다 작다. 이러한 특정 실시예에서, 균일체 내에는 입자 충전재가 포함되지 않는 반면, 복수 개의 분리된 돌출부들 내에는 입자 충전재가 포함된다. 대체 실시예에서, 균일체 내의 입자 충전재의 농도는 복수 개의 분리된 돌출부들 내의 입자 충전재의 농도보다 크다. 다른 실시예에서, 입자 충전재의 유형은 균일체와 복수 개의 분리된 돌출부들 사이에서 상이하다.
본 발명의 일 양태에서, 복수 개의 분리된 돌출부들(108 또는 208)은 CMP 공정 동안 연마에 적합한 패턴을 가질 수 있다. 일반적인 제 1 예에서, 본 발명의 일부 실시예들은 타일 패턴을 가지는 복수 개의 분리된 돌출부들을 포함한다. 이러한 특정 실시예에서, 도 3에는 본 발명의 일 실시예에 따르는, 분리된 육각 타일 돌출부(302)들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드(300)의 평면도가 도시되어 있다. 이러한 다른 특정 실시예는 복수 개의 원형 타일, 타원형 타일, 정사각형 타일, 직사각형 타일 또는 그 조합을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다.
일반적인 제 2 예에서, 본 발명의 일부 실시예들은 곡선 모양의 패턴을 가지는 복수 개의 분리된 돌출부들을 포함한다. 이러한 특정 예에서, 도 4에는 본 발명의 일 실시예에 따르는, 균일체 상에 원호형상 분리된 돌출부(402)들을 가지는 균일체를 가진 연마 패드(400)의 평면도가 도시되어 있다. 이러한 다른 특정 실시예는 연마 패드의 실질적인 원형 균일체 상에 배치되는, 부분적으로 원주상에 배치된 복수 개의 돌출부들을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다.
일반적인 제 3 예에서, 본 발명의 일부 실시예들은 직선 모양의 패턴을 가지는 복수 개의 분리된 돌출부들을 포함한다. 이러한 특정 예에서, 도 5에는 본 발명에 따르는 분리된 직선 부분 돌출부(502)들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드(500)의 평면도가 도시되어 있다. 나타나 있는 분리된 직선 부분 돌출부들은 연마 표면의 반경에 대해 본질적으로 직각이다. 그러나, 본 발명의 실시예 또한 연마 표면의 반경에 대해 정확히 직각이 아닌 분리된 직선 부분들을 포함할 수 있다는 것은 이해되어야 한다. 이러한 실시예에서, 분리된 직선 부분들은 동심 또는 대략 동심인 다각형 배열의 일부를 형성할 수 있지만, 그 전부를 형성하지는 않는다. 대응하는 반경과의 상대적인 결합은 정확히 90도는 아니고, 아마도 90도에서 약간 모자란 각도이다. 그럼에도 불구하고 이러한 거의 직각 또는 대략 직각인 분리된 직선 부분들은 본 발명의 범위와 사상 내에 있는 것으로 여겨진다.
일 실시예에서, 연마 패드들(100, 200, 300, 400 또는 500)과 같이 여기에 설명되는 연마 패드들은 기판들을 연마하는데 적합하다. 기판은 디바이스 또는 디바이스 상에 배치되는 다른 층들을 가지는 실리콘 기판과 같이 반도체 제조 산업에서 사용되는 한가지일 수 있다. 그러나, 기판은 MEMS 장치, 레티클 또는 태양광 모듈용 기판과 같은 것일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 따라서, 여기에서 사용되는 바와 같이 "기판을 연마하기 위한 연마 패드"로 지칭하는 것은 이들 및 관련 가능성을 포함하도록 의도되어 있다.
균일체와 균일체 상에 배치되는 분리된 돌출부들의 치수결정은 적용처에 따라 변경될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 특정 파라미터들은 연마 패드, 즉 이러한 균일체를 포함하고, 균일체 상에 배치되면서 종래의 처리 장치 또는 나아가 종래의 화학적 기계적 처리 공정과 함께 사용가능한 분리된 돌출부들을 가진 연마 패드들을 만드는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 균일체와 균일체 상에 배치되는 분리된 돌출부들의 조합은 대략 0.075 인치 내지 0.130 인치 범위, 예컨대 대략 1.9 내지 3.3mm 범위의 두께를 가진다. 일 실시예에서, 균일체는 대략 20 인치 내지 30.3 인치의 범위, 예컨대 50 내지 77cm의 범위, 가능하게는 대략 10 인치 내지 42 인치, 예컨대 25 내지 107cm의 범위의 직경을 가진다. 일 실시예에서, 균일체 및/또는 균일체 상에 배치되는 분리된 돌출부들은 대략 6% 내지 36% 총 공극 체적 범위, 가능하게는 대략 15% 내지 35% 총 공극 체적 범위의 기공 밀도(pore density)를 가진다. 일 실시예에서, 균일체와 균일체 상에 배치되는 분리된 돌출부들의 조합은 대략 2.5%의 압축률을 가진다. 일 실시예에서, 균일체는 대략 0.70 내지 1.05 g/cm3의 범위의 밀도를 가진다.
본 발명의 다른 양태에서, 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드는, 예컨대 와전류 탐지 시스템에 이용하기 위한 탐지 영역을 더 포함한다. 예를 들어, 도 6에는 본 발명에 따르는 국소 투명(LAT) 영역 및/또는 지시 영역을 포함하고 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드(600)의 평면도가 도시되어 있다.
도 6을 참조하면, 연마 패드(600)의 연마 표면(602)은 연마 패드(600)의 후면에 배치되는 탐지 영역의 위치를 지시하는 지시 영역(604)를 포함한다. 일 실시예에서, 지시 영역(604)은 도 6에 도시된 바와 같이 돌출부(608)들의 제 2 패턴으로 돌출부(606)들의 패턴을 차단한다. 와전류 탐지 영역과 같은 적합한 탐지 영역의 예시들은, 2010년 9월 30일에 출원되고 넥스플래너 코퍼레이션(NexPlanar Corporation)에 양도된 미국 특허 출원 제12/895,465호에 설명되어 있다.
다른 양태에서, 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드는 연마 패드 내에 배치되는 국소 투명(LAT) 영역을 더 포함한다. 예를 들어, 도 6을 참조하면, LAT 영역(610)은 연마 패드(600)의 연마체 내에 배치된다. 도 6에 도시된 바와 같이, LAT 영역(604)은 돌출부(606)들의 패턴을 차단한다. 일 실시예에서, LAT 영역(610)은 연마 패드(600)의 균일체 내에 배치되고, 이 균일체와 공유 결합된다. 적합한 LAT 영역들의 예시들은 2010년 9월 30일에 출원되어 넥스플래너 코퍼레이션에 양도된 미국 특허 출원 제12/895,465에 설명되어 있다.
본 발명의 다른 양태에서, 균일체 상에 배치되는 복수 개의 분리된 돌출부들을 가진 균일체를 가지는 연마 패드들은 몰딩 공정으로 제조될 수 있다. 이러한 제 1 예에서, 도 7a 내지 도 7g에는 본 발명의 일 실시예에 따르는, 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드의 제조에 이용되는 공정의 단면도가 도시되어 있다.
도 7a를 참조하면, 성형 몰드(700)가 제공된다. 도 7b를 참조하면, 프리-폴리머(702)와 경화제(704)는 도 7c에 도시된 바와 같이 성형 몰드 내에서 제 1 혼합물(706)을 형성하기 위해서 혼합된다. 일 실시예에서, 프리-폴리머(702)와 경화제(704)를 혼합하는 단계는 이소시안산염과 방향족 디아민 화합물을 각각 혼합하는 단계를 포함한다. 일 실시예에서, 혼합하는 단계는 연마 패드의 불투명 몰드성형된 균일체를 최종적으로 제공하기 위해서 불투명 입자 충전재를 프리-폴리머(702)와 경화제(704)에 첨가하는 단계를 더 포함한다. 특정 실시예에서, 불투명 입자 충전재는 질화붕소, 불화 세륨, 흑연, 불화 흑연, 황화 몰리브덴, 황화 니오븀, 활석, 황화 탄탈룸, 이황화 텅스텐 또는 테플론(Teflon®)과 같은 재료이지만, 이에 제한되지 않는다.
일 실시예에서, 제 1 혼합물(706)은 열경화성 폐포 폴리우레탄 재료로 이루어진 몰드성형된 균일체를 최종적으로 형성하는데 사용된다. 일 실시예에서, 제 1 혼합물(706)은 경질 균일체를 최종적으로 형성하는데 사용되고, 단일 유형의 경화제만이 사용된다. 다른 실시예에서, 제 1 혼합물(706)은 연질 균일체를 최종적으로 형성하는데 사용되고, 제 1 경화제와 제 2 경화제의 조합이 사용된다. 예를 들어, 특정 실시예에서, 프리-폴리머는 폴리우레탄 전구체를 포함하고, 제 1 경화제는 방향족 디아민 화합물을 포함하며, 제 2 경화제는 에테르 결합을 가지는 화합물을 포함한다. 특정 실시예에서, 폴리우레탄 전구체는 이소시안산염이고, 제 1 경화제는 방향족 디아민이며, 제 2 경화제는 폴리테트라메틸렌 글리콜, 아미노 기능화 글리콜 또는 아미노 기능화 폴리옥시프로필렌과 같은 경화제이지만 이에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 프리-폴리머, 제 1 경화제 및 제 2 경화제는 대략 100 몰부(parts) 프리-폴리머, 85 몰부(parts) 제 1 경화제 및 15 몰부(parts) 제 2 경화제의 몰비를 가진다. 프리-폴리머와 제 1 경화제 및 제 2 경화제의 특정 성질에 기초해서 또는 다양한 경도 값을 가진 균일체를 제공하기 위해, 다양한 몰비가 사용될 수 있다는 것은 이해되어야 한다.
도 7d를 참조하면, 혼합물(706)은 연마면(710)과 후면(712)을 가지는 몰드성형된 균일체를 형성하기 위해서 적어도 부분적으로 경화된다. 부분적으로 경화시키는 단계는 성형 몰드 덮개가 존재하거나 부존재하는 상태에서 몰드(700)를 가열함으로써 실행될 수 있다. 그리고 나서 제 2 프리-폴리머와 제 2 경화제는 도 7e에 도시된 바와 같이 몰드성형된 균일체(708) 상에 제 2 혼합물(714)을 형성하기 위해서 혼합된다. 일 실시예에서, 제 2 혼합물(714)은 경질 재료를 형성하기 위한 것이고 단일 경화제와 함께 프리-폴리머가 사용되는 반면(2 탱크 공정), 제 1 혼합물(706)은 연질 재료를 형성하기 위한 것이고 제 1 경화제 및 제 2 경화제와 함께 프리-폴리머가 사용된다(3 탱크 공정). 대체 실시예에서, 제 1 혼합물(706)은 경질 재료를 형성하기 위한 것이고 단일 경화제와 함께 프리-폴리머가 사용되는 반면(2 탱크 공정), 제 2 혼합물(714)은 연질 재료를 형성하기 위한 것이고 제 1 경화제 및 제 2 경화제와 함께 프리-폴리머가 사용된다(3 탱크 공정). 따라서, 일 실시예에서, 제 2 혼합물(714)은 제 1 혼합물(706)과 상이하다. 그러나, 대체 실시예에서, 2개의 혼합물들은 동일하다. 또한, 일 실시예에서, 제 2 혼합물은 부분적으로 또는 완전히 경화된 제 1 혼합물(706) 상에 분배된다. 그러나, 대체 실시예에서, 제 2 혼합물(714)을 분배하는 단계 또는 주입하는 단계는, 동일 층이지만 상이한 영역에 적용되도록, 제 1 혼합물(706) 속에 인시츄 주입될 수 있다. 이러한 특정 실시예에서, 중앙 링과 외부 링은 상이한 제제(formulation)들을 가진다. 2개의 개별적인 층들이 형성되는 일 실시예에서, 층들 사이의 화학 결합을 강화하기 위하여, 상이한 층들 내부의 작용기의 비율은 상이하고, 예컨대 한 층은 -NCO가 많고 다른 층은 -NH2 및/또는 -OH가 많다. 일 실시예에서, 코팅은 상이한 층들 사이에 가해진다. 일 실시예에서, 침투가 층들 사이에서 발생하고, 공유 결합과 같은 화학 결합을 강화한다.
일 실시예에서, 제 2 프리-폴리머와 제 2 경화제를 혼합하는 단계는 불투명한 복수 개의 분리된 돌출부(718)들을 형성하기 위해서 불투명 입자 충전재를 제 2 프리-폴리머와 제 2 경화제에 첨가하는 단계를 더 포함한다. 일 실시예에서, 제 1 혼합물(706)을 형성하기 위해서 제 1 프리-폴리머와 제 1 경화제를 혼합하는 단계는 제 1 혼합물(706)에서 가스를 제거하는 단계를 포함하고, 제 2 혼합물(714)을 형성하기 위해서 제 2 프리-폴리머와 제 2 경화제를 혼합하는 단계는 제 2 혼합물(714)에서 가스를 제거하는 단계를 포함한다.
도 7f를 참조하면, 성형 몰드(700)의 덮개(716)는 제 2 혼합물(714) 속에 위치된다. 덮개(716)의 평면도는 위에 나타나 있는 반면, a-a'축의 단면도는 도 7f의 아래에 나타나 있다. 덮개(716)는, 도 7f에 도시된 바와 같이 도 3과 함께 설명된 돌출부들의 패턴에 대응하는 그루브들의 패턴과 같이, 덮개 위에 배치된 그루브들의 패턴을 가진다. 그러나, 대신하여, 덮개(716)는 도 4와 도 5와 함께 설명된 돌출부들의 그루브들에 대응하는 그루브들의 패턴을 가진다.
여기에 설명되는 실시예가 성형 몰드(700)의 덮개(716)를 하강시키는 것을 설명하고, 성형 몰드(700)의 기저부와 덮개(716)를 함께 작동시키는 달성만을 필요로 한다는 것은 이해되어야 한다. 즉, 일부 실시예에서는 성형 몰드(700)의 기저부가 성형 몰드의 덮개(716)를 향하여 들어올려지는 반면, 다른 실시예에서는 성형 몰드(700)의 기저부가 성형 몰드(700)의 덮개(716)를 향하여 들어올려짐과 동시에 덮개(716)가 기저부를 향하여 하강된다.
덮개(716)가 제 2 혼합물(714) 내에 위치되는 상태에서, 제 2 혼합물(714)은 적어도 부분적으로 경화되어, 몰드성형된 균일체(708)의 연마면 상에 배치되는 복수 개의 분리된 돌출부(718)들을 형성한다. 덮개(716)의 그루브들의 패턴은 성형 몰드(700) 내의 제 2 혼합물(714)로부터 돌출부들의 패턴을 스탬핑처리하는데 사용된다. 제 2 혼합물(714)은 몰드성형된 분리된 돌출부(718)들을 제공하기 위해서 압력 하에서(예컨대, 덮개(716)가 적소에 있는 상태) 가열될 수 있다. 일 실시예에서, 성형 몰드(700)에서 가열하는 단계는 덮개(716)가 존재하는 상태에서 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하는데, 이 덮개는 제 2 혼합물(714)을 성형 몰드(700)에서 대략 2 내지 12 lb/in2 범위의 압력 및 대략 200 내지 260도의 화씨 온도 범위로 막는다.
일 실시예에서, 제 2 혼합물(714)은 제 1 혼합물(706)과 상이하고, 제 1 혼합물(706)과 제 2 혼합물(714)을 완전히 경화시킬 때, 복수 개의 분리된 돌출부(718)들의 경도는 몰드성형된 균일체(708)의 경도와 상이하다. 일 실시예에서, 제 2 혼합물(714)을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계는 복수 개의 분리된 돌출부(718)들을 몰드성형된 균일체(708)와 공유 결합시키는 단계를 포함한다. 일 실시예에서, 몰드성형된 균일체(708)를 형성하는 단계는 제 1 열경화성 폴리우레탄 재료를 형성하는 단계를 포함하고, 복수 개의 분리된 돌출부(718)들을 형성하는 단계는 상이한 제 2 열경화성 폴리우레탄 재료를 형성하는 단계를 포함한다.
도 7g를 참조하면, 연마 패드(720)는 균일체 상에 배치되는 복수 개의 분리된 돌출부(718)들을 가진 몰드성형된 균일체(708)를 성형 몰드(700)로부터 제거시 제공된다. 복수 개의 분리된 돌출부(718)들은 덮개(716)의 그루브들의 패턴에 대응하는 패턴을 가진다. 연마 패드(720)의 평면도는 도 7g의 아래에 나타나 있는 반면, b-b'축의 단면도는 도 7g의 위에 나타나 있다. 일 실시예에서, 몰드성형된 균일체(708)의 연마면(710)은 도 7g의 단면도에 도시되어 있는 바와 같이 실질적으로 편평하고, 복수 개의 분리된 돌출부(718)들 사이에 노출되어 있다.
가열을 통하여 더 경화시키는 단계는 바람직할 수 있고, 연마 패드(720)를 오븐에 위치시켜서 가열함으로써 실행될 수 있다. 따라서, 일 실시예에서, 제 1 혼합물(706)과 제 2 혼합물(714)을 경화시키는 단계는 성형 몰드(700)에서 우선 부분적으로 경화시키는 단계 및 오븐 내에서 더 경화시키는 단계를 포함한다. 어떤 방법이든, 연마 패드(720)는 최종적으로 제공되고, 여기서 연마 패드(720)의 몰드성형된 균일체(708)는 균일체 상에 배치되는 복수 개의 몰드성형된 돌출부(718)들을 가진 연마면(710)을 가진다. 일 실시예에서, 몰드성형된 균일체(708)와 복수 개의 몰드성형된 돌출부(718)들 모두는 열경화성 폴리우레탄 재료들로 이루어지고, 복수 개의 폐포 기공들은 열경화성 폴리우레탄 재료들 내에 배치된다.
도 7a 내지 도 7g와 함께 설명되는 것과 유사한 방식은 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 표면형상적으로 패턴이 형성된 균일체를 가진 연마 패드를 제조하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 8a 내지 도 8d에는 본 발명의 일 실시예에 따르는, 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 다른 연마 패드의 제조에 사용되는 공정의 단면도가 도시되어 있다.
도 7c를 다시 참조한 다음 도 8a를 참조하면, 실질적으로 편평한 표면을 균일체(708)에 제공하기 위해서 제 1 혼합물(706)을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 대신하여, 덮개(716)(도 7f와 함께 설명됨)는 덮개(716)의 그루브들의 패턴에 대응하는 패턴을 가진 복수 개의 돌출부(804)들을 가지는 연마면(802)을 가진 몰드성형된 균일체(800)를 우선 형성하는데 사용된다. 예를 들어, 제 1 혼합물(706)을 형성하기 위해서 제 1 프리-폴리머와 제 1 경화제를 혼합하는 단계 다음이지만 제 2 혼합물(714)을 형성하기 위해서 제 2 프리-폴리머와 제 2 경화제를 혼합하는 단계 이전에, 성형 몰드(700)의 덮개(716)는 제 1 혼합물(706) 속에 위치된다. 덮개가 제 1 혼합물(706) 내에 위치되는 상태에서, 제 1 혼합물(706)은 도 8b에 도시된 바와 같이 적어도 부분적으로 경화된다.
도 8c를 참조하면, 제 2 프리-폴리머와 제 2 경화제는 몰드성형된 균일체(800) 상에 제 2 혼합물(714)을 형성하기 위해서 혼합된다. 그리고 나서 성형 몰드(700)의 덮개(716)는 도 8d에 도시된 바와 같이 제 2 혼합물(714) 속에 위치된다. 덮개(716)가 제 2 혼합물(714) 내에 위치되는 상태에서, 제 2 혼합물(714)은 적어도 부분적으로 경화되어, 몰드성형된 균일체(800)의 연마면(802)의 복수 개의 돌출부(804)들 상에 배치되고 이 돌출부들과 정렬되는 복수 개의 분리된 돌출부(718)들을 형성한다. 덮개(716)의 그루브들의 패턴은 성형 몰드(700) 내에서 제 2 혼합물(714)로부터 돌출부들의 패턴을 스탬핑처리하는데 사용된다. 그리고 나서 제 2 혼합물(714)은 몰드성형된 분리된 돌출부(718)들을 제공하기 위해서 압력 하에서(예컨대, 덮개(716)가 적소에 있는 상태) 가열될 수 있다. 일 실시예에서, 성형 몰드(700) 내에서 가열하는 단계는 덮개(716)가 존재하는 상태에서 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하는데, 이 덮개는 제 2 혼합물(714)을 성형 몰드(700)에서 대략 2 내지 12 lb/in2 범위의 압력 및 대략 200 내지 260도의 화씨 온도 범위로 막는다. 따라서, 도 2와 함께 설명되는 연마 패드(200)와 같은 연마 패드는 형성될 수 있다.
다시 도 8d를 참조하면, 일 실시예에서, 몰드성형된 균일체(800) 상에 제 2 혼합물(714)을 형성하는 단계는, 몰드성형된 균일체(800) 상에 배치되는 충전층(806)을 형성하기에 충분히 큰 제 2 혼합물(714)의 양을 몰드성형된 균일체(800)의 연마면(802)의 복수 개의 돌출부(804)들 둘레에 형성하는 단계를 포함한다. 이러한 일 실시예에서, 제 2 혼합물(714)의 양은 제 2 혼합물(714)로부터 형성되는 복수 개의 분리된 돌출부(718)들과 불연속적인 충전층(806)을 형성하기에 충분히 적다. 이러한 불연속적인 예시는 도 2의 연마 패드(200)와 함께 상술되었다. 일 실시예에서, 회전판은 몰드성형된 균일체(800)의 연마면(802) 상에서 분배되는 제 2 혼합물(714)의 두께와 량을 제어하는데 사용된다.
일 실시예에서, 복수 개의 분리된 돌출부(718)들은 몰드성형된 균일체(800)의 연마면(802)의 복수 개의 돌출부(804)들 상에 형성되고 이 돌출부들과 정렬된다. 이 정렬은 약간의 일부 정렬불량을 허용할 수 있다. 예를 들어, 대략 1 인치당 1/1,000까지의 범위의 오차(slippage)는 덮개(716)의 제 1 혼합물(706)과 제 2 혼합물(714) 각각으로의 개별적인 도입 사이에서 허용가능하다.
일 실시예에서, 도 7b를 참조하면, 혼합하는 단계는 폐포 기공들을 연마 패드의 최종적으로 형성된 연마체 내에 제공하기 위해서 복수 개의 포로겐(722)들을 프리-폴리머(702)와 경화제(704)에 첨가하는 단계를 더 포함한다. 따라서, 일 실시예에서, 폐포 기공 각각은 물리적인 셸을 가진다. 다른 실시예에서, 도 7b를 참조하면, 혼합하는 단계는 폐포 기공들을 연마 패드의 최종적으로 형성된 연마체 내에 제공하기 위해서 가스(724)를 프리-폴리머(702)와 경화제(704) 속으로 또는 프리-폴리머와 경화제로 형성된 생성물 속으로 분사하는 단계를 포함한다. 따라서, 일 실시예에서, 폐포 기공 각각은 물리적인 셸을 가지지 않는다. 조합의 일 실시예에서, 혼합하는 단계는 각각 물리적인 셸을 가지는 폐포 기공들의 제 1 부분을 제공하기 위해서 복수 개의 포로겐(722)들을 프리-폴리머(702)와 경화제(704)에 첨가하는 단계 및, 각각 물리적인 셸을 가지지 않는 폐포 기공들의 제 2 부분을 제공하기 위해서 가스(724)를 프리-폴리머(702)와 경화제(704) 속으로 또는 프리-폴리머와 경화제로부터 형성된 생성물 속으로 분사하는 단계를 더 포함한다. 또 다른 실시예에서, 프리-폴리머(702)는 이소시안산염이고, 혼합하는 단계는 각각 물리적인 셸을 가지지 않는 폐포 기공들을 제공하기 위해서 물(H2O)을 프리-폴리머(702)와 경화제(704)에 첨가하는 단계를 더 포함한다. 일 실시예에서, 도 7e와 도 8c를 참조하면, 복수 개의 포로겐들은 몰드성형된 복수 개의 분리된 돌출부(718)들 내에 유사하게 포함될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에서 고려되는 돌출부 패턴들은 인시츄 형성될 수 있다. 예를 들어, 상술된 바와 같이, 압축-몰딩 공정은 균일체 상에 배치되는 몰드성형된 분리된 돌출부들을 가지는 몰드성형된 균일체를 가진 연마 패드를 형성하는데 사용될 수 있다. 몰딩 공정을 사용함으로써, 패드 내부의 매우 균일한 돌출부 치수는 달성될 수 있다. 더욱이, 매우 연질의 깨끗한 돌출부 표면들과 함께 굉장히 반복생산가능한 돌출부 치수는 생성될 수 있다. 다른 이점들은 감소된 결점과 미세 스크래치 및 더 크게 사용가능한 돌출부 깊이를 포함할 수 있다.
여기에 설명되는 연마 패드는 여러 가지 화학적 기계적 연마 장치로 사용하는데 적합할 수 있다. 예시로서, 도 9에는 본 발명의 일 실시예에 따르는, 균일체 상의 분리된 돌출부들을 가지는 균일체를 가진 연마 패드와 함께 사용가능한 연마 장치의 등측도가 도시되어 있다.
도 9를 참조하면, 연마 장치(900)는 플래턴(904)을 포함한다. 플래턴(904)의 상면(902)은 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드를 지지하는데 사용될 수 있다. 플래턴(904)은 스핀들 회전(906)과 슬라이더 요동(slider oscillation)(908)을 제공하도록 구성될 수 있다. 시료 운반장치(210)는, 예컨대 반도체 웨이퍼를 연마 패드로 연마하는 동안 반도체 웨이퍼(911)를 적소에 유지하는데 사용된다. 시료 운반장치(910)는 현가 장치(912)에 의해 더 지지된다. 슬러리 공급장치(914)는 반도체 웨이퍼의 연마 전과 이 연마 중에 슬러리를 연마 패드의 표면에 제공하기 위하여 포함된다. 컨디셔닝 유닛(990)도 포함될 수 있고, 일 실시예에서는 연마 패드의 컨디셔닝을 위한 다이아몬드 팁을 포함한다.
이와 같이, 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체들을 가진 연마 패드가 개시되어 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 연마하기 위한 연마 패드는 연마면과 후면을 가지는 균일체를 포함한다. 균일체는 제 1 경도를 가지는 재료로 이루어진다. 복수 개의 분리된 돌출부들은 균일체의 연마면 위에 배치되고 연마면과 공유 결합된다. 복수 개의 분리된 돌출부들은 제 1 경도와 상이한 제 2 경도를 가지는 재료로 이루어진다. 일 실시예에서, 균일체의 연마면은 실질적으로 편평하고 복수 개의 분리된 돌출부들 사이에 노출되어 있다. 일 실시예에서, 충전층은 균일체 상에서 균일체의 연마면의 복수 개의 돌출부들 둘레에 배치되고, 충전층은 복수 개의 분리된 돌출부들의 재료로 이루어진다. 일 실시예에서, 균일체는 몰드성형된 균일체이고, 복수 개의 분리된 돌출부들은 복수 개의 몰드성형된 돌출부들이다.

Claims (44)

  1. 기판을 연마하기 위한 연마 패드로서, 상기 연마 패드는:
    연마면과 후면을 가지고, 제 1 경도를 가지는 재료를 구비하는 균일체; 및
    상기 균일체의 연마면 상에 배치되고 상기 연마면과 공유 결합되고, 상기 제 1 경도와 상이한 제 2 경도를 가지는 재료를 구비하는 복수 개의 분리된 돌출부들;을 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 균일체의 연마면은 실질적으로 편평하고, 상기 복수 개의 분리된 돌출부들 사이에 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 균일체는 몰드성형된 균일체이고,
    상기 복수 개의 분리된 돌출부들은 복수 개의 몰드성형된 돌출부들인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 균일체의 재료는 제 1 열경화성 폴리우레탄 재료를 구비하고, 상기 복수 개의 분리된 돌출부들의 재료는 상이한 제 2 열경화성 폴리우레탄 재료를 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 균일체의 재료의 제 1 경도는 상기 복수 개의 분리된 돌출부들의 재료의 제 2 경도보다 작은 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 작고, 상기 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 30보다 큰 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 25보다 작고, 상기 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 큰 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 균일체의 재료의 제 1 경도는 상기 복수 개의 분리된 돌출부들의 재료의 제 2 경도보다 큰 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 작고, 상기 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 30보다 큰 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 25보다 작고, 상기 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 큰 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 균일체는 실질적으로 원형이고, 상기 복수 개의 분리된 돌출부들 중 하나 이상은 부분적으로 원주 상에 배치된 돌출부 또는 원호형상 돌출부인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 분리된 돌출부들은 원형 타일, 타원형 타일, 정사각형 타일, 육각형 타일 및 직사각형 타일로 이루어지는 그룹에서 선택되는 복수 개의 타일을 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 분리된 돌출부들 각각은 상기 균일체의 연마면의 전체 평면 내에서 대략 5 내지 50mm 범위의 최단 치수를 가지는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 균일체의 후면 내에 배치되는 탐지 영역을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 균일체 내에 배치되는 국소 투명(LAT) 영역을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  16. 기판을 연마하기 위한 연마 패드로서, 상기 연마 패드는:
    패턴을 가지는 복수 개의 돌출부들을 구비하는 연마면과, 후면을 가지고, 제 1 경도를 가지는 재료를 구비하는 균일체;
    상기 균일체의 연마면의 복수 개의 돌출부들 상에 배치되고 상기 돌출부들과 정렬되고, 상기 제 1 경도와 상이한 제 2 경도를 가지는 재료를 구비하며, 상기 패턴을 가지는 복수 개의 분리된 돌출부들; 및
    상기 균일체의 연마면의 복수 개의 돌출부들 둘레에서 상기 균일체 상에 배치되고, 상기 복수 개의 분리된 돌출부들의 재료를 구비하는 충전층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 충전층은 상기 복수 개의 분리된 돌출부들과 불연속적인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 충전층과 상기 복수 개의 분리된 돌출부들 모두는 상기 균일체와 공유 결합되는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 균일체는 몰드성형된 균일체이고,
    상기 복수 개의 분리된 돌출부들은 복수 개의 몰드성형된 돌출부들이며,
    상기 충전층은 몰드성형된 충전층인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 균일체의 재료는 제 1 열경화성 폴리우레탄 재료를 구비하고, 상기 복수 개의 분리된 돌출부들과 상기 충전층의 재료는 상이한 제 2 열경화성 폴리우레탄 재료를 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 균일체의 재료의 제 1 경도는 상기 복수 개의 분리된 돌출부들과 상기 충전층의 재료의 제 2 경도보다 작은 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 작고, 상기 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 30보다 큰 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 25보다 작고, 상기 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 큰 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  24. 제 16 항에 있어서,
    상기 균일체의 재료의 제 1 경도는 상기 복수 개의 분리된 돌출부들과 상기 충전층의 재료의 제 2 경도보다 큰 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 작고, 상기 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 30보다 큰 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 제 2 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 25보다 작고, 상기 제 1 경도는 대략 쇼어 경도 D 스케일로 40보다 큰 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  27. 제 16 항에 있어서,
    상기 균일체는 실질적으로 원형이고, 상기 복수 개의 분리된 돌출부들 중 하나 이상은 부분적으로 원주 상에 배치된 돌출부 또는 원호형상 돌출부인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  28. 제 16 항에 있어서,
    상기 복수 개의 분리된 돌출부들은 원형 타일, 타원형 타일, 정사각형 타일, 육각형 타일 및 직사각형 타일로 이루어지는 그룹에서 선택되는 복수 개의 타일을 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  29. 제 16 항에 있어서,
    상기 복수 개의 분리된 돌출부들 각각은 상기 균일체의 연마면의 전체 평면 내에서 대략 5 내지 50mm 범위의 최단 치수를 가지는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  30. 제 16 항에 있어서,
    상기 균일체의 후면 내에 배치되는 탐지 영역을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  31. 제 16 항에 있어서,
    상기 균일체 내에 배치되는 국소 투명(LAT) 영역을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  32. 기판을 연마하기 위한 연마 패드를 제조하는 방법으로서, 상기 방법은:
    성형 몰드의 기저부 내에 제 1 혼합물을 형성하기 위해서 제 1 세트의 폴리머화가능한 재료들을 혼합하는 단계;
    연마면과 후면을 가지는 몰드성형된 균일체를 형성하기 위해서 상기 제 1 혼합물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계;
    제 2 혼합물을 상기 몰드성형된 균일체 상에 형성하기 위해서 제 2 세트의 폴리머화가능한 재료들을 혼합하는 단계;
    상기 성형 몰드의 덮개를 상기 제 2 혼합물 속에 위치시켜, 상기 덮개가 그 위에 배치된 그루브들의 패턴을 가지게 하는 단계; 및
    상기 덮개가 상기 제 2 혼합물 내에 위치되는 상태에서, 상기 제 2 혼합물을 적어도 부분적으로 경화시켜, 상기 몰드성형된 균일체의 연마면 상에 배치되고 상기 덮개의 상기 그루브들의 패턴에 대응하는 패턴을 가지는 복수 개의 분리된 돌출부들을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 제 1 혼합물을 형성하기 위해서 상기 제 1 세트의 폴리머화가능한 재료들을 혼합하는 단계 다음이지만 상기 제 2 혼합물을 형성하기 위해서 상기 제 2 세트의 폴리머화가능한 재료들을 혼합하는 단계 이전에, 상기 성형 몰드의 덮개를 상기 제 1 혼합물 속에 위치시키는 단계; 및
    상기 덮개가 상기 제 1 혼합물 내에 위치되는 상태에서, 상기 제 1 혼합물을 적어도 부분적으로 경화시키는 것을 실행하여, 상기 덮개의 상기 그루브들의 패턴에 대응하는 패턴을 가지는 복수 개의 돌출부들을 구비하는 상기 연마면을 가진 상기 몰드성형된 균일체를 형성하는 단계;를 더 구비하고,
    상기 복수 개의 분리된 돌출부들은 상기 몰드성형된 균일체의 연마면의 복수 개의 돌출부들 상에 형성되고 상기 돌출부들과 정렬되는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 제 2 혼합물을 상기 몰드성형된 균일체 상에 형성하는 단계는, 상기 몰드성형된 균일체 상에 배치되는 충전층을 형성하기에 충분히 큰 제 2 혼합물의 양을 상기 몰드성형된 균일체의 연마면의 복수 개의 돌출부들 둘레에 형성하는 단계를 구비하고,
    상기 제 2 혼합물의 양은 상기 제 2 혼합물로부터 형성된 상기 복수 개의 분리된 돌출부들과 불연속적인 상기 충전층을 형성하기에 충분히 작은 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제 32 항에 있어서,
    상기 제 1 세트의 폴리머화가능한 재료들은 제 1 프리-폴리머와 제 1 경화제를 구비하고, 상기 제 2 세트의 폴리머화가능한 재료들은 제 2 프리-폴리머와 제 2 경화제를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제 32 항에 있어서,
    상기 몰드성형된 균일체의 연마면은 실질적으로 편평하고, 상기 복수 개의 분리된 돌출부들 사이에 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  37. 제 32 항에 있어서,
    상기 제 2 혼합물은 상기 제 1 혼합물과 상이하고,
    상기 제 1 혼합물과 상기 제 2 혼합물을 완전히 경화시킬 때, 상기 복수 개의 분리된 돌출부들의 경도는 상기 몰드성형된 균일체의 경도와 상이한 것을 특징으로 하는 방법.
  38. 제 32 항에 있어서,
    상기 제 2 혼합물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계는 상기 복수 개의 분리된 돌출부들을 상기 몰드성형된 균일체와 공유 결합시키는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  39. 제 32 항에 있어서,
    상기 몰드성형된 균일체를 형성하는 단계는 제 1 열경화성 폴리우레탄 재료를 형성하는 단계를 구비하고, 상기 복수 개의 분리된 돌출부들을 형성하는 단계는 상이한 제 2 열경화성 폴리우레탄 재료를 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  40. 제 32 항에 있어서,
    상기 제 2 세트의 폴리머화가능한 재료들을 혼합하는 단계는, 복수 개의 포로겐들을 상기 제 2 세트의 폴리머화가능한 재료들에 첨가하여, 각각 물리적인 셸을 가지는 복수 개의 폐포 기공들을 상기 복수 개의 분리된 돌출부들 내에 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  41. 제 32 항에 있어서,
    상기 제 2 세트의 폴리머화가능한 재료를 혼합하는 단계는, 가스를 상기 제 2 세트의 폴리머화가능한 재료들 속으로 또는 그 재료들로부터 형성된 생성물 속으로 분사하여, 각각 물리적인 셸을 가지지 않는 복수 개의 폐포 기공들을 상기 복수 개의 분리된 돌출부들 내에 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  42. 제 32 항에 있어서,
    상기 제 2 세트의 폴리머화가능한 재료들을 혼합하는 단계는, 복수 개의 불투명한 분리된 돌출부들을 형성하기 위해서, 불투명 입자 충전재를 상기 제 2 세트의 폴리머화가능한 재료들에 첨가하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  43. 제 32 항에 있어서,
    상기 복수 개의 분리된 돌출부들과 상기 몰드성형된 균일체를 오븐 내에서 경화시키는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  44. 제 35 항에 있어서,
    상기 제 1 혼합물을 형성하기 위해서 상기 제 1 프리-폴리머와 상기 제 1 경화제를 혼합하는 단계는 상기 제 1 혼합물에서 가스를 제거하는 단계를 구비하고,
    상기 제 2 혼합물을 형성하기 위해서 상기 제 2 프리-폴리머와 상기 제 2 경화제를 혼합하는 단계는 상기 제 2 혼합물에서 가스를 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020137029736A 2011-05-23 2012-05-16 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드 KR101621789B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/113,655 2011-05-23
US13/113,655 US20120302148A1 (en) 2011-05-23 2011-05-23 Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon
PCT/US2012/038212 WO2012162066A1 (en) 2011-05-23 2012-05-16 Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157029108A Division KR101831909B1 (ko) 2011-05-23 2012-05-16 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130138841A true KR20130138841A (ko) 2013-12-19
KR101621789B1 KR101621789B1 (ko) 2016-05-17

Family

ID=46147792

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157029108A KR101831909B1 (ko) 2011-05-23 2012-05-16 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드
KR1020137029736A KR101621789B1 (ko) 2011-05-23 2012-05-16 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157029108A KR101831909B1 (ko) 2011-05-23 2012-05-16 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20120302148A1 (ko)
EP (2) EP2714331B1 (ko)
JP (3) JP5657178B2 (ko)
KR (2) KR101831909B1 (ko)
CN (1) CN103561907B (ko)
TW (2) TWI504479B (ko)
WO (1) WO2012162066A1 (ko)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016061544A1 (en) * 2014-10-17 2016-04-21 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
JP2017510470A (ja) * 2014-04-03 2017-04-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 研磨パッド及びシステム、並びにその作製方法及び使用方法
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US10384330B2 (en) 2014-10-17 2019-08-20 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11524384B2 (en) 2017-08-07 2022-12-13 Applied Materials, Inc. Abrasive delivery polishing pads and manufacturing methods thereof
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120302148A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Rajeev Bajaj Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon
WO2013042507A1 (ja) * 2011-09-22 2013-03-28 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
US9067297B2 (en) * 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer
EP2785496B1 (en) * 2011-11-29 2021-11-24 CMC Materials, Inc. Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer
US9067298B2 (en) * 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer
KR102100654B1 (ko) * 2012-04-02 2020-04-14 토마스 웨스트 인코포레이티드 폴리머 연마패드의 원심주조를 위한 방법 및 시스템 및 상기 방법으로 만들어진 연마패드
US10722997B2 (en) 2012-04-02 2020-07-28 Thomas West, Inc. Multilayer polishing pads made by the methods for centrifugal casting of polymer polish pads
US10022842B2 (en) 2012-04-02 2018-07-17 Thomas West, Inc. Method and systems to control optical transmissivity of a polish pad material
US9597769B2 (en) 2012-06-04 2017-03-21 Nexplanar Corporation Polishing pad with polishing surface layer having an aperture or opening above a transparent foundation layer
US9649742B2 (en) 2013-01-22 2017-05-16 Nexplanar Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions
US10160092B2 (en) * 2013-03-14 2018-12-25 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions having tapered sidewalls
US20150038066A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Nexplanar Corporation Low density polishing pad
JP6295807B2 (ja) * 2014-04-28 2018-03-20 株式会社リコー 研磨具、及び、研磨装置
US9238294B2 (en) * 2014-06-18 2016-01-19 Nexplanar Corporation Polishing pad having porogens with liquid filler
US9649741B2 (en) * 2014-07-07 2017-05-16 Jh Rhodes Company, Inc. Polishing material for polishing hard surfaces, media including the material, and methods of forming and using same
WO2016061585A1 (en) * 2014-10-17 2016-04-21 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
JP6476924B2 (ja) 2015-01-30 2019-03-06 株式会社リコー 研磨シート、研磨具、及び、研磨方法
US10092998B2 (en) * 2015-06-26 2018-10-09 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of making composite polishing layer for chemical mechanical polishing pad
CN108136563A (zh) * 2015-07-30 2018-06-08 Jh罗得股份有限公司 聚合磨光材料、包含聚合磨光材料的介质和系统及其形成和使用方法
TWI816269B (zh) * 2015-10-16 2023-09-21 美商應用材料股份有限公司 拋光墊及形成其之方法
CN113103145B (zh) * 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
CN105500183B (zh) * 2015-11-26 2018-08-10 上海集成电路研发中心有限公司 一种研磨垫及其使用周期检测方法
CN105598866B (zh) * 2015-12-28 2017-07-21 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种电镀超硬材料砂轮的制造方法
US10456886B2 (en) 2016-01-19 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Porous chemical mechanical polishing pads
JP7193221B2 (ja) 2016-01-25 2022-12-20 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法、並びに、研磨加工品の製造方法
TWI629297B (zh) * 2016-07-05 2018-07-11 智勝科技股份有限公司 研磨層及其製造方法以及研磨方法
US10195713B2 (en) 2016-08-11 2019-02-05 3M Innovative Properties Company Lapping pads and systems and methods of making and using the same
US20180304539A1 (en) 2017-04-21 2018-10-25 Applied Materials, Inc. Energy delivery system with array of energy sources for an additive manufacturing apparatus
AU2019200390B2 (en) 2018-01-31 2024-04-11 Dow Global Technologies Llc Coating formulation with a poly(oxyalkylene-urethane) associative thickener modified with a hydrophobic oligomer
CN110815037B (zh) * 2018-08-08 2021-07-30 湖北鼎龙控股股份有限公司 抛光垫及其制备方法、应用
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
CN108972319A (zh) * 2018-09-18 2018-12-11 长鑫存储技术有限公司 化学机械研磨垫及其制备方法
US20200230781A1 (en) * 2019-01-23 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Polishing pads formed using an additive manufacturing process and methods related thereto
TWI738323B (zh) * 2019-05-07 2021-09-01 美商Ｃｍｃ材料股份有限公司 化學機械拋光墊及化學機械拋光晶圓之方法
CN110614580B (zh) * 2019-10-22 2021-11-19 西安奕斯伟材料科技有限公司 抛光垫及其制备方法、化学机械研磨设备
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
CN113070810A (zh) * 2020-01-03 2021-07-06 铨科光电材料股份有限公司 晶圆抛光垫
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
WO2024064259A1 (en) * 2022-09-22 2024-03-28 Cmc Materials Llc Chemical mechanical polishing pads with a disulfide bridge
JP2024144269A (ja) * 2023-03-29 2024-10-11 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッドの製造方法

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1953983A (en) * 1928-02-07 1934-04-10 Carborundum Co Manufacture of rubber bonded abrasive articles
JPS6179575A (ja) * 1984-09-25 1986-04-23 Achilles Corp 研磨基布およびその製造方法
IE61697B1 (en) 1987-12-22 1994-11-16 De Beers Ind Diamond Abrasive product
US5190568B1 (en) 1989-01-30 1996-03-12 Ultimate Abrasive Syst Inc Abrasive tool with contoured surface
US5014468A (en) * 1989-05-05 1991-05-14 Norton Company Patterned coated abrasive for fine surface finishing
US5020283A (en) * 1990-01-22 1991-06-04 Micron Technology, Inc. Polishing pad with uniform abrasion
US5177908A (en) * 1990-01-22 1993-01-12 Micron Technology, Inc. Polishing pad
US5212910A (en) * 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
EP0664187B1 (en) * 1993-06-02 1999-10-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Grinding tape and method of manufacturing the same
US5453106A (en) * 1993-10-27 1995-09-26 Roberts; Ellis E. Oriented particles in hard surfaces
US5391210A (en) * 1993-12-16 1995-02-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5958794A (en) * 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
US5609517A (en) * 1995-11-20 1997-03-11 International Business Machines Corporation Composite polishing pad
US5624303A (en) * 1996-01-22 1997-04-29 Micron Technology, Inc. Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
JPH106218A (ja) * 1996-06-27 1998-01-13 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> ドレッシング用研磨材製品
US6194317B1 (en) * 1998-04-30 2001-02-27 3M Innovative Properties Company Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer
WO1998050201A1 (en) 1997-05-09 1998-11-12 Rodel Holdings, Inc. Mosaic polishing pads and methods relating thereto
US5921855A (en) 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
JP2000033553A (ja) * 1998-05-11 2000-02-02 Sony Corp 研磨パッドおよび研磨方法
JP2918883B1 (ja) * 1998-07-15 1999-07-12 日本ピラー工業株式会社 研磨パッド
US6183346B1 (en) 1998-08-05 2001-02-06 3M Innovative Properties Company Abrasive article with embossed isolation layer and methods of making and using
US6299508B1 (en) * 1998-08-05 2001-10-09 3M Innovative Properties Company Abrasive article with integrally molded front surface protrusions containing a grinding aid and methods of making and using
US6413153B1 (en) * 1999-04-26 2002-07-02 Beaver Creek Concepts Inc Finishing element including discrete finishing members
US6179887B1 (en) * 1999-02-17 2001-01-30 3M Innovative Properties Company Method for making an abrasive article and abrasive articles thereof
US6217426B1 (en) * 1999-04-06 2001-04-17 Applied Materials, Inc. CMP polishing pad
US6498101B1 (en) * 2000-02-28 2002-12-24 Micron Technology, Inc. Planarizing pads, planarizing machines and methods for making and using planarizing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic device substrate assemblies
US6454634B1 (en) 2000-05-27 2002-09-24 Rodel Holdings Inc. Polishing pads for chemical mechanical planarization
US6736709B1 (en) 2000-05-27 2004-05-18 Rodel Holdings, Inc. Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US20030207659A1 (en) * 2000-11-03 2003-11-06 3M Innovative Properties Company Abrasive product and method of making and using the same
JP2002172563A (ja) 2000-11-24 2002-06-18 Three M Innovative Properties Co 研磨テープ
US7192340B2 (en) * 2000-12-01 2007-03-20 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad, method of producing the same, and cushion layer for polishing pad
US6523215B2 (en) * 2001-04-04 2003-02-25 Saint-Gobain Abrasives Technology Company Polishing pad and system
US6544373B2 (en) * 2001-07-26 2003-04-08 United Microelectronics Corp. Polishing pad for a chemical mechanical polishing process
JP2003053657A (ja) * 2001-08-10 2003-02-26 Ebara Corp 研磨面構成部材及び該研磨面構成部材を用いた研磨装置
JP3851135B2 (ja) * 2001-10-17 2006-11-29 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
US7399516B2 (en) * 2002-05-23 2008-07-15 Novellus Systems, Inc. Long-life workpiece surface influencing device structure and manufacturing method
US7201647B2 (en) 2002-06-07 2007-04-10 Praxair Technology, Inc. Subpad having robust, sealed edges
US8602851B2 (en) 2003-06-09 2013-12-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Controlled penetration subpad
US6838169B2 (en) 2002-09-11 2005-01-04 Psiloquest, Inc. Polishing pad resistant to delamination
KR100465649B1 (ko) 2002-09-17 2005-01-13 한국포리올 주식회사 일체형 연마 패드 및 그 제조 방법
JP2004243428A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Rodel Nitta Co 研磨パッド
DE602004001268T2 (de) * 2003-04-25 2007-06-06 Jsr Corp. Polierkissen und chemisch-mechanisches Polierverfahren
US6884156B2 (en) 2003-06-17 2005-04-26 Cabot Microelectronics Corporation Multi-layer polishing pad material for CMP
JP2005074614A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Nitta Haas Inc 研磨パッドの製造方法および研磨パッド
US7654885B2 (en) * 2003-10-03 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad
US7204742B2 (en) * 2004-03-25 2007-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port
JP2005277130A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US7198549B2 (en) 2004-06-16 2007-04-03 Cabot Microelectronics Corporation Continuous contour polishing of a multi-material surface
US7097542B2 (en) * 2004-07-26 2006-08-29 Intel Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad
JP2006140240A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Renesas Technology Corp 研磨パッド、研磨装置及び半導体装置の製造方法
US7846008B2 (en) 2004-11-29 2010-12-07 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad
US7530880B2 (en) 2004-11-29 2009-05-12 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with pressure control and process monitor
US7169029B2 (en) 2004-12-16 2007-01-30 3M Innovative Properties Company Resilient structured sanding article
TWI385050B (zh) * 2005-02-18 2013-02-11 Nexplanar Corp 用於ｃｍｐ之特製拋光墊及其製造方法及其用途
JP4620501B2 (ja) * 2005-03-04 2011-01-26 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
JP2006346805A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 積層研磨パッド
JP4904027B2 (ja) * 2005-08-10 2012-03-28 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
US20070212979A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Rimpad Tech Ltd. Composite polishing pad
US7235114B1 (en) 2006-03-16 2007-06-26 3M Innovative Properties Company Flexible abrasive article
US8083820B2 (en) * 2006-12-22 2011-12-27 3M Innovative Properties Company Structured fixed abrasive articles including surface treated nano-ceria filler, and method for making and using the same
JP5363470B2 (ja) * 2007-06-08 2013-12-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 窓付きの薄い研磨パッド及び成形プロセス
TWI388402B (en) * 2007-12-06 2013-03-11 Methods for orienting superabrasive particles on a surface and associated tools
JP2010029996A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Toray Ind Inc 研磨パッド
US20100317262A1 (en) * 2009-06-16 2010-12-16 Zine-Eddine Boutaghou Abrasive article with uniform height abrasive particles
WO2011087737A2 (en) * 2009-12-22 2011-07-21 3M Innovative Properties Company Polishing pad and method of making the same
CN101823242B (zh) * 2010-04-29 2012-06-06 沈阳理工大学 基于葵花籽粒分布结构的仿生抛光垫及制造方法
US20120302148A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Rajeev Bajaj Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon
US9067297B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017513722A (ja) * 2014-04-03 2017-06-01 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 研磨パッド及びシステム、並びにその作製方法及び使用方法
JP2017510470A (ja) * 2014-04-03 2017-04-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 研磨パッド及びシステム、並びにその作製方法及び使用方法
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10953515B2 (en) 2014-10-17 2021-03-23 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of forming a polishing pads by use of an additive manufacturing process
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10384330B2 (en) 2014-10-17 2019-08-20 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US12023853B2 (en) 2014-10-17 2024-07-02 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US10493691B2 (en) 2014-10-17 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US10537974B2 (en) 2014-10-17 2020-01-21 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
WO2016061544A1 (en) * 2014-10-17 2016-04-21 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US11958162B2 (en) 2014-10-17 2024-04-16 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11446788B2 (en) 2014-10-17 2022-09-20 Applied Materials, Inc. Precursor formulations for polishing pads produced by an additive manufacturing process
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
KR20220146708A (ko) * 2014-10-17 2022-11-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스에 의해 제조되는 폴리싱 패드들
US11724362B2 (en) 2014-10-17 2023-08-15 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
US11524384B2 (en) 2017-08-07 2022-12-13 Applied Materials, Inc. Abrasive delivery polishing pads and manufacturing methods thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014515319A (ja) 2014-06-30
CN103561907B (zh) 2017-05-31
TW201538274A (zh) 2015-10-16
TWI630067B (zh) 2018-07-21
US20150056900A1 (en) 2015-02-26
EP2714331B1 (en) 2015-04-01
KR101621789B1 (ko) 2016-05-17
EP2857145A1 (en) 2015-04-08
EP2714331A1 (en) 2014-04-09
TWI504479B (zh) 2015-10-21
JP6309559B2 (ja) 2018-04-11
TW201309419A (zh) 2013-03-01
JP2015006731A (ja) 2015-01-15
CN103561907A (zh) 2014-02-05
WO2012162066A1 (en) 2012-11-29
EP2857145B1 (en) 2018-12-26
US9296085B2 (en) 2016-03-29
KR20150122806A (ko) 2015-11-02
JP5657178B2 (ja) 2015-01-21
JP5965453B2 (ja) 2016-08-03
US20120302148A1 (en) 2012-11-29
JP2016135542A (ja) 2016-07-28
KR101831909B1 (ko) 2018-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20130138841A (ko) 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드
US9931728B2 (en) Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer
TWI513545B (zh) 具有基礎層及拋光表層之拋光墊
US9931729B2 (en) Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer
TWI533368B (zh) 具孔直徑多模態分佈之拋光墊
TWI634968B (zh) 包含具有透明基準層上的隙縫或開孔之拋光表面層之拋光墊
TWI385050B (zh) 用於ｃｍｐ之特製拋光墊及其製造方法及其用途
JP2023041640A (ja) フッ素化ポリ尿素コポリマーパッド

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190429

Year of fee payment: 4