JP5964121B2 - 磁気記録媒体に用いる密着膜層用CrTi系合金およびスパッタリング用ターゲット材並びにそれを使用した垂直磁気記録媒体 - Google Patents
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Description
(1)CrTi系合金において、原子比における組成式が(Cr,Mo,W)X (Ti,Ta,Zr)100-X 、40≦X≦70で表され、かつCr元素に対してMo,Wの1種または2種をMo+W:10〜X/2at%、Ti元素に対してTa,Zrの1種または2種をTa+Zr≦20at%(0%を含む)の範囲で置換することを特徴とする磁気記録媒体に用いる密着膜層用CrTi系合金。
(3)前記(1)または(2)に記載の磁気記録媒体に用いる密着膜層用CrTi系合金を使用した垂直磁気記録媒体にある。
密着層の膜厚を低減するために、従来の密着層の特性であるアモルファスを維持しつつ、その電気伝導率を上げることができる組成について検討したところ、CrをMo,Wに置換することで、電気伝導率を向上させることができること。また、Cr,Mo,Wを適切な範囲にしつつ、3種類以上の元素を含むことで、従来組成と同等のアモルファス性を保つことができた。
Mo+W:10〜X/2at%
本発明合金において、Crはガラス基板、軟磁性裏打ち膜との密着性を向上させる元素であるが、それと周期律表で同族のMo,Wは、近い特性を示し、かつCrよりも電気伝導度が高い元素である。Crをこれらの元素に置換することで、高い電気伝導率が得られるが、10at%未満では、顕著な効果が見られないため、10at%以上の範囲とした。好ましくは15at%以上が必要である。上限については、基本元素のCr含有量との関係からX/2at%とした。
Cr系合金(Cr,Mo,W)の比率および合金に含まれる元素の種類は合金のアモルファス性に影響を及ぼす。(Cr,Mo,W)の比率が40%未満、または70%超の場合は密着膜として必要なアモルファス性が低下する。また、(Cr,Mo,W)の比率は、望ましくは45〜65%である。また、アモルファス性は元素種が多いほど高まるため、3種以上の元素を含ませることで、アモルファス性を向上させることができる。
また、Ta,Zrは、TiをZr,Taの高融点金属で置換することにより電気伝導性を向上させた元素であり、しかも、Tiと周期律表で同族のZr、またはTaは近い特性を示し、TiにTa,Zr元素を置換することで、電気伝導性をより向上させることができるが20at%を超える添加はその効果が飽和することから、その上限を20%とした。
表1に示す組成で純金属(純度3N以上)なる原料粉末を混合し、HIP成形(熱間等方圧プレス)の原料粉末として用いた。混合は、V型混合機を使用した。HIP成形用ビレットは、直径200mm、長さ10mmの炭素鋼製缶に原料粉末を充填したのち、真空脱気、封入し作製した。この粉末充填ビレットを温度1050℃、圧力120MPa、保持時間2時間の条件でHIP成形した。その後、成形体から直径95mm、厚さ2mmの軟磁性合金スパッタリングターゲット材を作製した。このスパタリングターゲット材を用い密着層薄膜をガラス基板上に作製した。
特許出願人 山陽特殊製鋼株式会社
代理人 弁理士 椎 名 彊
Claims (3)
- CrTi系合金において、原子比における組成式が(Cr,Mo,W)X (Ti,Ta,Zr)100-X 、40≦X≦70で表され、かつCr元素に対してMo,Wの1種または2種をMo+W:10〜X/2at%、Ti元素に対してTa,Zrの1種または2種をTa+Zr≦20at%(0%を含む)の範囲で置換することを特徴とする磁気記録媒体に用いる密着膜層用CrTi系合金。
- 請求項1に記載の磁気記録媒体に用いる密着膜層用CrTi系合金を用いたスパッタリングターゲット材。
- 請求項1または請求項2に記載の磁気記録媒体に用いる密着膜層用CrTi系合金を使用した垂直磁気記録媒体。
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