JPH11134631A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH11134631A JPH11134631A JP29392197A JP29392197A JPH11134631A JP H11134631 A JPH11134631 A JP H11134631A JP 29392197 A JP29392197 A JP 29392197A JP 29392197 A JP29392197 A JP 29392197A JP H11134631 A JPH11134631 A JP H11134631A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、磁気媒体の下地膜との整合性に優
れ、安定して非磁性特性を得ることができ、非晶質のＮ
ｉＰ層に代わることができる層を備えた磁気記録媒体を
提供する。 【解決手段】 本発明は非磁性基板を用いた磁気記録媒
体であって、前記基板直上に３５ａｔ％以上５０ａｔ％
以下のＴｉを含むＣｒＴｉ系層が形成されている磁気記
録媒体。あるいは前記基板直上に１５ａｔ％以上３５ａ
ｔ％以下のＺｒを含むＣｒＺｒ系層が形成されている磁
気記録媒体である。
れ、安定して非磁性特性を得ることができ、非晶質のＮ
ｉＰ層に代わることができる層を備えた磁気記録媒体を
提供する。 【解決手段】 本発明は非磁性基板を用いた磁気記録媒
体であって、前記基板直上に３５ａｔ％以上５０ａｔ％
以下のＴｉを含むＣｒＴｉ系層が形成されている磁気記
録媒体。あるいは前記基板直上に１５ａｔ％以上３５ａ
ｔ％以下のＺｒを含むＣｒＺｒ系層が形成されている磁
気記録媒体である。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等に用いられる磁気記録媒体に関するものである。
等に用いられる磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気記録媒体の基板には、Ａｌ合
金基板が用いられていた。近年、磁気記録媒体の基板に
ガラス基板が用いられる場合がある。また、今後、有機
材料で作製された基板を用いることも検討されている。
Ａｌ合金基板を用いる磁気記録媒体では、Ａｌ合金基板
上にＮｉＰのメッキを行なった上に、Ｃｒ系の下地膜を
形成し、さらにその上にＣｏ系磁性膜を形成するのが普
通である。最近では、Ｃｒ系の下地膜以外にもＮｉ−Ａ
ｌ系下地膜の適用等も報告されている。
金基板が用いられていた。近年、磁気記録媒体の基板に
ガラス基板が用いられる場合がある。また、今後、有機
材料で作製された基板を用いることも検討されている。
Ａｌ合金基板を用いる磁気記録媒体では、Ａｌ合金基板
上にＮｉＰのメッキを行なった上に、Ｃｒ系の下地膜を
形成し、さらにその上にＣｏ系磁性膜を形成するのが普
通である。最近では、Ｃｒ系の下地膜以外にもＮｉ−Ａ
ｌ系下地膜の適用等も報告されている。
【０００３】ＮｉＰ層はＡｌ基板の硬質化を第１の目的
として設けられ、磁気ヘッドの衝撃に耐えること、非磁
性、熱安定性が高いこと、ノジュールやピットが生じな
いことおよび磁気記録媒体の下地膜との整合性の良さが
要求される。また、ＮｉＰ層の第２の目的は、ＮｉＰ層
を非晶質層とすることによって、Ｃｒ系やＮｉ−Ａｌ系
等の下地膜を配向して形成させるためである。配向した
下地膜によって、Ｃｏ系の磁性膜をエピタキシャル成長
させることができる。
として設けられ、磁気ヘッドの衝撃に耐えること、非磁
性、熱安定性が高いこと、ノジュールやピットが生じな
いことおよび磁気記録媒体の下地膜との整合性の良さが
要求される。また、ＮｉＰ層の第２の目的は、ＮｉＰ層
を非晶質層とすることによって、Ｃｒ系やＮｉ−Ａｌ系
等の下地膜を配向して形成させるためである。配向した
下地膜によって、Ｃｏ系の磁性膜をエピタキシャル成長
させることができる。
【０００４】また、上述したＡｌではなく、ガラスを基
板として用いた磁気記録媒体は、硬質化としてのＮｉＰ
層は必須ではないが、ガラスに直接に下地膜となるＣｒ
膜やＮｉ−Ａｌ膜を形成すると、ガラス上では下地膜が
配向せず、Ｃｏ系磁性膜等のエピタキシャル成長のため
の下地膜にすることが難しいと言う問題があり、ＮｉＰ
の非晶質層がなお使用されている。また、有機材料で作
製された基板においても、Ａｌ基板と同様のＮｉＰ層が
基板に形成されて使用されている。たとえば、このよう
なＮｉＰ層を形成する方法には、無電解メッキする方法
や、特開昭６３−２１７５２５号公報に記載されるよう
に、非磁性基板上にＮｉＰをスパッタすることにより、
ＮｉＰの非晶質層を得る方法が使用されている。
板として用いた磁気記録媒体は、硬質化としてのＮｉＰ
層は必須ではないが、ガラスに直接に下地膜となるＣｒ
膜やＮｉ−Ａｌ膜を形成すると、ガラス上では下地膜が
配向せず、Ｃｏ系磁性膜等のエピタキシャル成長のため
の下地膜にすることが難しいと言う問題があり、ＮｉＰ
の非晶質層がなお使用されている。また、有機材料で作
製された基板においても、Ａｌ基板と同様のＮｉＰ層が
基板に形成されて使用されている。たとえば、このよう
なＮｉＰ層を形成する方法には、無電解メッキする方法
や、特開昭６３−２１７５２５号公報に記載されるよう
に、非磁性基板上にＮｉＰをスパッタすることにより、
ＮｉＰの非晶質層を得る方法が使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記ＮｉＰ層は、磁性
膜の下層となるため、磁性膜への磁気的影響を抑えるた
め、非磁性であること要求される。しかし、前述のＮｉ
Ｐ非晶質層は、非晶質状態では非磁性であるが、磁気記
録媒体を得るために適用される加熱、たとえばＣｒ，Ｎ
ｉ−Ａｌ等の配向性を制御するための基板温度の加熱に
よって、結晶化する危険があり、こうなると部分的に磁
性を持つ可能性がある。また、ＮｉＰをスパッタして非
晶質膜を形成する場合に、必要となるＮｉＰターゲット
は大変脆く、スパッタ中に破損しないようにその取り扱
いを慎重に行なう必要があり、ターゲットを用いて形成
する場合には扱いにくいものであった。
膜の下層となるため、磁性膜への磁気的影響を抑えるた
め、非磁性であること要求される。しかし、前述のＮｉ
Ｐ非晶質層は、非晶質状態では非磁性であるが、磁気記
録媒体を得るために適用される加熱、たとえばＣｒ，Ｎ
ｉ−Ａｌ等の配向性を制御するための基板温度の加熱に
よって、結晶化する危険があり、こうなると部分的に磁
性を持つ可能性がある。また、ＮｉＰをスパッタして非
晶質膜を形成する場合に、必要となるＮｉＰターゲット
は大変脆く、スパッタ中に破損しないようにその取り扱
いを慎重に行なう必要があり、ターゲットを用いて形成
する場合には扱いにくいものであった。
【０００６】本発明の目的は、磁気媒体の下地膜との整
合性に優れ、安定して非磁性特性を得ることができ、Ｎ
ｉＰ層に代わることができる層を備えた磁気記録媒体を
提供することである。
合性に優れ、安定して非磁性特性を得ることができ、Ｎ
ｉＰ層に代わることができる層を備えた磁気記録媒体を
提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ＮｉＰ層に
代えることができる層として、その上に形成する磁性膜
の下地膜が格子定数が０．２９ｎｍ近傍（典型的には
０．２８〜０．３０ｎｍ）の体心立方構造の結晶である
ことから、この結晶との整合性という点よりＣｒ系に着
目した。そして、下地膜の更に下層とするために必要で
ある非磁性特性および非晶質層の形成しやすさを満足さ
せる添加元素を検討した。その結果、３５ａｔ％以上、
５０ａｔ％以下のＴｉを含むＣｒＴｉ系の層、あるいは
１５ａｔ％以上、３５ａｔ％以下のＺｒを含むＣｒＺｒ
系の層を作製すると、非磁性であり、格子定数が０．２
９ｎｍ近傍の体心立方構造の結晶との整合性のよい非晶
質層が作製できることを見いだし本発明に到達した。
代えることができる層として、その上に形成する磁性膜
の下地膜が格子定数が０．２９ｎｍ近傍（典型的には
０．２８〜０．３０ｎｍ）の体心立方構造の結晶である
ことから、この結晶との整合性という点よりＣｒ系に着
目した。そして、下地膜の更に下層とするために必要で
ある非磁性特性および非晶質層の形成しやすさを満足さ
せる添加元素を検討した。その結果、３５ａｔ％以上、
５０ａｔ％以下のＴｉを含むＣｒＴｉ系の層、あるいは
１５ａｔ％以上、３５ａｔ％以下のＺｒを含むＣｒＺｒ
系の層を作製すると、非磁性であり、格子定数が０．２
９ｎｍ近傍の体心立方構造の結晶との整合性のよい非晶
質層が作製できることを見いだし本発明に到達した。
【０００８】すなわち、本発明は非磁性基板を用いた磁
気記録媒体であって、前記基板直上に３５ａｔ％以上５
０ａｔ％以下のＴｉを含むＣｒＴｉ系層が形成されてい
る磁気記録媒体である。
気記録媒体であって、前記基板直上に３５ａｔ％以上５
０ａｔ％以下のＴｉを含むＣｒＴｉ系層が形成されてい
る磁気記録媒体である。
【０００９】また、もう一つの本発明は、非磁性基板を
用いた磁気記録媒体であって、前記基板直上に１５ａｔ
％以上３５ａｔ％以下のＺｒを含むＣｒＺｒ系層が形成
されている磁気記録媒体である。
用いた磁気記録媒体であって、前記基板直上に１５ａｔ
％以上３５ａｔ％以下のＺｒを含むＣｒＺｒ系層が形成
されている磁気記録媒体である。
【００１０】本発明は、特に非磁性基板がガラスである
場合、基板直上に形成される層の硬さが大きな問題とな
らず好ましい。また、本発明において形成するＣｒＴｉ
系層あるいはＣｒＺｒ系層には、非磁性かつ非晶質が形
成でき、Ｃｒの体心立方構造との整合性を崩さない範囲
で、他の添加元素を加えることが可能である。また、本
発明において形成するＣｒＴｉ系層あるいはＣｒＺｒ系
層は、金属同士であり、ＮｉＰよりも脆性が緩和され
る。したがって、ターゲットの脆さが少なくなり、スパ
ッタリング法による形成も容易である。
場合、基板直上に形成される層の硬さが大きな問題とな
らず好ましい。また、本発明において形成するＣｒＴｉ
系層あるいはＣｒＺｒ系層には、非磁性かつ非晶質が形
成でき、Ｃｒの体心立方構造との整合性を崩さない範囲
で、他の添加元素を加えることが可能である。また、本
発明において形成するＣｒＴｉ系層あるいはＣｒＺｒ系
層は、金属同士であり、ＮｉＰよりも脆性が緩和され
る。したがって、ターゲットの脆さが少なくなり、スパ
ッタリング法による形成も容易である。
【００１１】
【発明の実施の形態】上述したように、本発明の重要な
特徴は、非磁性基板が用いられている磁気記録媒体にお
いて、非磁性基板上に３５ａｔ％以上５０ａｔ％以下の
Ｔｉを含むＣｒＴｉ系層もしくは１５ａｔ％以上３５ａ
ｔ％以下のＺｒを含むＣｒＺｒ系層を採用したことにあ
る。この層は、スパッタリングにより非磁性の非晶質層
が容易に形成でき、その後にかかる熱履歴により、部分
的に結晶化したとしても非磁性を保つことができるもの
である。さらに、この層は、Ｃｒをベースとすることか
ら、その上に形成する磁性媒体の下地膜との整合性に優
れている。
特徴は、非磁性基板が用いられている磁気記録媒体にお
いて、非磁性基板上に３５ａｔ％以上５０ａｔ％以下の
Ｔｉを含むＣｒＴｉ系層もしくは１５ａｔ％以上３５ａ
ｔ％以下のＺｒを含むＣｒＺｒ系層を採用したことにあ
る。この層は、スパッタリングにより非磁性の非晶質層
が容易に形成でき、その後にかかる熱履歴により、部分
的に結晶化したとしても非磁性を保つことができるもの
である。さらに、この層は、Ｃｒをベースとすることか
ら、その上に形成する磁性媒体の下地膜との整合性に優
れている。
【００１２】ＣｒＴｉ系にあっては、５０ａｔ％を越え
るＴｉを含有すると、体心立方構造が崩れて異相が出現
する可能性があるので、非晶質としても磁性膜の下地膜
との整合性が悪くなり、好ましくない。また、３５ａｔ
％未満のＴｉでは、非晶質化しにくいという問題があ
る。本発明者によれば、３５ａｔ％未満のＴｉ量の膜を
スパッタリングにて形成すると、Ｘ線回折で分析すると
シャープなピークが見られ、スパッタリングによっては
容易に非晶質化できないことがわかった。非晶質化でき
ないと、基板の影響が遮断できず、磁性膜の下地膜を配
向させにくくなる。そのため、本発明においては、Ｃｒ
Ｔｉ系の場合、３５ａｔ％以上５０ａｔ％以下のＴｉ量
とした。
るＴｉを含有すると、体心立方構造が崩れて異相が出現
する可能性があるので、非晶質としても磁性膜の下地膜
との整合性が悪くなり、好ましくない。また、３５ａｔ
％未満のＴｉでは、非晶質化しにくいという問題があ
る。本発明者によれば、３５ａｔ％未満のＴｉ量の膜を
スパッタリングにて形成すると、Ｘ線回折で分析すると
シャープなピークが見られ、スパッタリングによっては
容易に非晶質化できないことがわかった。非晶質化でき
ないと、基板の影響が遮断できず、磁性膜の下地膜を配
向させにくくなる。そのため、本発明においては、Ｃｒ
Ｔｉ系の場合、３５ａｔ％以上５０ａｔ％以下のＴｉ量
とした。
【００１３】ＣｒＺｒ系にあっては、３５ａｔ％を越え
るＺｒを含有すると、体心立方構造が崩れて異相が出現
する可能性があるので、非晶質としても磁性膜の下地膜
との整合性が悪くなり、好ましくない。また、１５ａｔ
％未満のＺｒでは、非晶質化しにくいという問題があ
る。本発明者によれば、１５ａｔ％未満のＺｒ量の膜を
スパッタリングにて形成すると、Ｘ線回折で分析すると
シャープなピークが見られ、スパッタリングによっては
容易に非晶質化できないことがわかった。ＣｒＴｉの場
合と同様に、非晶質化できないと、基板の影響が遮断で
きず、磁性膜の下地膜を配向させにくくなる。そのた
め、本発明においては、ＣｒＺｒ系の場合、１５ａｔ％
以上３５ａｔ％以下のＺｒ量とした。
るＺｒを含有すると、体心立方構造が崩れて異相が出現
する可能性があるので、非晶質としても磁性膜の下地膜
との整合性が悪くなり、好ましくない。また、１５ａｔ
％未満のＺｒでは、非晶質化しにくいという問題があ
る。本発明者によれば、１５ａｔ％未満のＺｒ量の膜を
スパッタリングにて形成すると、Ｘ線回折で分析すると
シャープなピークが見られ、スパッタリングによっては
容易に非晶質化できないことがわかった。ＣｒＴｉの場
合と同様に、非晶質化できないと、基板の影響が遮断で
きず、磁性膜の下地膜を配向させにくくなる。そのた
め、本発明においては、ＣｒＺｒ系の場合、１５ａｔ％
以上３５ａｔ％以下のＺｒ量とした。
【００１４】
【実施例】表１に示す組成を有するＣｒＴｉおよびＣｒ
Ｚｒのφ１０１のターゲットおよび同寸法の純Ｃｒター
ゲットを作製し、２５０℃に加熱したコーニング社製＃
７０５９ガラス上にＤＣ５００Ｗ、Ａｒ圧０．６Ｐａの
条件で２０００Åスパッタした。得られた層の組成は、
ターゲット組成と実質的に変わらなかった。ついで、Ｘ
線回折により非晶質化の有無を確認した。結果を表１に
示す。
Ｚｒのφ１０１のターゲットおよび同寸法の純Ｃｒター
ゲットを作製し、２５０℃に加熱したコーニング社製＃
７０５９ガラス上にＤＣ５００Ｗ、Ａｒ圧０．６Ｐａの
条件で２０００Åスパッタした。得られた層の組成は、
ターゲット組成と実質的に変わらなかった。ついで、Ｘ
線回折により非晶質化の有無を確認した。結果を表１に
示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】本発明に適用するＣｒ−４０ａｔ％Ｔｉ、
Ｃｒ−２０ａｔ％Ｚｒ層のＸ線回折チャートの例を図１
および図２に示す。また、比較例として、Ｃｒ−３０ａ
ｔ％Ｔｉ、Ｃｒ−１０ａｔ％Ｚｒおよび純ＣｒのＸ線回
折チャートの例をそれぞれ図３〜図５に示す。本発明の
層のＸ線チャートである図１および図２は、非晶質に特
有のハローパターンとなっており、非晶質層となってい
ることがわかる。一方、比較例の層のＸ線チャートであ
る図３〜図５は、すべて鋭いピークが確認され結晶化し
ていることがわかる。
Ｃｒ−２０ａｔ％Ｚｒ層のＸ線回折チャートの例を図１
および図２に示す。また、比較例として、Ｃｒ−３０ａ
ｔ％Ｔｉ、Ｃｒ−１０ａｔ％Ｚｒおよび純ＣｒのＸ線回
折チャートの例をそれぞれ図３〜図５に示す。本発明の
層のＸ線チャートである図１および図２は、非晶質に特
有のハローパターンとなっており、非晶質層となってい
ることがわかる。一方、比較例の層のＸ線チャートであ
る図３〜図５は、すべて鋭いピークが確認され結晶化し
ていることがわかる。
【００１７】また、非晶質層のＸ線チャートである図１
および図２の不鮮明なピーク位置は、図５に示す格子定
数が０．２９ｎｍの体心立方構造の結晶である純Ｃｒ層
のＸ線チャートの鮮明なピーク位置と一致しており、磁
性膜の下地膜となる格子定数が０．２９ｎｍ程度のＣｒ
合金あるいはＡｌ−Ｎｉ系合金等の体心立方構造の結晶
との整合性が高いことがわかる。
および図２の不鮮明なピーク位置は、図５に示す格子定
数が０．２９ｎｍの体心立方構造の結晶である純Ｃｒ層
のＸ線チャートの鮮明なピーク位置と一致しており、磁
性膜の下地膜となる格子定数が０．２９ｎｍ程度のＣｒ
合金あるいはＡｌ−Ｎｉ系合金等の体心立方構造の結晶
との整合性が高いことがわかる。
【００１８】
【発明の効果】本発明により、磁性膜の下地膜に対して
整合性の良い非晶質層を提供することができ、また安定
した非磁性特性が得られるため、非磁性基板を用いた磁
気記録媒体の信頼性向上に有効な技術となる。
整合性の良い非晶質層を提供することができ、また安定
した非磁性特性が得られるため、非磁性基板を用いた磁
気記録媒体の信頼性向上に有効な技術となる。
【図１】本発明に適用するＣｒＴｉ系層のＸ線チャート
の一例である。
の一例である。
【図２】本発明に適用するＣｒＺｒ系層のＸ線チャート
の一例である。
の一例である。
【図３】比較例のＣｒＴｉ系層のＸ線チャートの一例で
ある。
ある。
【図４】比較例のＣｒＺｒ系層のＸ線チャートの一例で
ある。
ある。
【図５】純Ｃｒ層のＸ線チャートの一例である。
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基板を用いた磁気記録媒体であっ
て、前記基板直上に３５ａｔ％以上５０ａｔ％以下のＴ
ｉを含むＣｒＴｉ系層が形成されていることを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板を用いた磁気記録媒体であっ
て、前記基板直上に１５ａｔ％以上３５ａｔ％以下のＺ
ｒを含むＣｒＺｒ系層が形成されていることを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基板はガラスであることを特徴と
する請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29392197A JPH11134631A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29392197A JPH11134631A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11134631A true JPH11134631A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17800892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29392197A Abandoned JPH11134631A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11134631A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7670694B2 (en) | 2006-12-22 | 2010-03-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Media for recording devices |
| JP2011252227A (ja) * | 2010-05-06 | 2011-12-15 | Hitachi Metals Ltd | Ｃｒ−Ｔｉ合金ターゲット材 |
| WO2012023475A1 (ja) * | 2010-08-17 | 2012-02-23 | 山陽特殊製鋼株式会社 | ＣｒＴｉ系合金およびスパッタリング用ターゲット材、垂直磁気記録媒体、ならびにそれらの製造方法 |
| TWI576835B (zh) * | 2012-04-18 | 2017-04-01 | Sanyo Special Steel Co Ltd | A CrTi-based alloy for a bonded film for a magnetic recording medium, a target material for sputtering, and a perpendicular magnetic recording medium |
-
1997
- 1997-10-27 JP JP29392197A patent/JPH11134631A/ja not_active Abandoned
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7670694B2 (en) | 2006-12-22 | 2010-03-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Media for recording devices |
| JP2011252227A (ja) * | 2010-05-06 | 2011-12-15 | Hitachi Metals Ltd | Ｃｒ−Ｔｉ合金ターゲット材 |
| WO2012023475A1 (ja) * | 2010-08-17 | 2012-02-23 | 山陽特殊製鋼株式会社 | ＣｒＴｉ系合金およびスパッタリング用ターゲット材、垂直磁気記録媒体、ならびにそれらの製造方法 |
| JP2012041585A (ja) * | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Sanyo Special Steel Co Ltd | ＣｒＴｉ系合金およびスパッタリング用ターゲット材並びにそれらを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| TWI576835B (zh) * | 2012-04-18 | 2017-04-01 | Sanyo Special Steel Co Ltd | A CrTi-based alloy for a bonded film for a magnetic recording medium, a target material for sputtering, and a perpendicular magnetic recording medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040910 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050711 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050729 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Effective date: 20050927 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |