JP2005209335A - 新規基層構造を有する磁気記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に従って構成される磁気記録媒体は、基板と、前記基板の上に形成される第1、第2、及び第3の基層と、前記基層の上に形成される磁気データ記録層と、を含んでいる。基層は、典型的には、bcc結晶構造を有し、Cr又はCr合金を備えている。磁気データ記録層は、hcp結晶構造を有し、Co合金を含んでいる。第2の基層は、典型的には、Bのような物質を含み、第2の基層及びその上に配置される層の結晶サイズを減少させ、また、結晶間隔を増大させる傾向がある。
【選択図】 図3
Description
結晶方位で成長させることを保障する。さらに、Cr基層4はまた、磁気Co合金層5が層3で形成されるテクスチャーラインの方向に磁気異方性を示すことを保障する。
本発明の一実施例に従って構成される記録媒体100(図3)は、基板102、3つの基層104a、104b、104c、磁気層106、及び保護膜108を含んでいる。基板102は、典型的には、無電解メッキNiP102bで覆われたアルミニウム合金基板102aを含んでいる。しかしながら、基板102は、ガラス、ガラスセラミック、又は同様の他の構造を含み得る。
結晶方向を有する磁気hcp Co合金である。基層104は、基板102に形成されたテクスチャーラインの方向に沿って一般には磁気異方性と同様に、層106の
方向を容易にする。層106は、長手記録用に用いられる。
ディスク 基層構造 媒体SNR(dB) 合計SNR(dB)
A Cr/CrMo 22.4 20.6
B Cr/CrMoB/CrMo 22.9 20.9
ディスク 基層構造 媒体SNR(dB) 合計SNR(dB)
C Cr/CrMo 21.0 19.5
D Cr/CrB/CrMo 21.5 20.0
ディスク 基層構造 媒体SNR(dB) 合計SNR(dB)
E Cr/CrMo 20.9 19.4
F Cr/CrRuB/CrMo 21.5 19.9
ディスク 基層構造 媒体SNR(dB) 合計SNR(dB)
G 5nmCr/
3nmCrMo 16.5 15.6
H 2.6nmCrMo/
2.6nmCrMoB/
2.6nmCrMo 16.9 16.0
I 3nmCrMo/
3nmCrMoB/
3nmCrMo 17.1 16.2
J 3.4nmCrMo/
3.4nmCrMoB/
3.4nmCrMo 16.8 16.0
K 4nmCrMo/
2nmCrMoB/
2nmCrMo 16.8 16.0
ディスク 基層構造 媒体SNR(dB) 合計SNR(dB)
L Cr/CrMoB 21.5 19.8
M Cr/CrMoB/CrMo 22.9 20.9
図4を参照すると、本発明の代替的な実施例において、核形成層105が、第3基層104cと磁気合金106の間に与えられる。核形成層105は、典型的には、磁気合金106の面内位置付けを容易にするhcpCoCr合金である。核形成層105に関する詳細は、2002年12月31日にBerteroらに発行された特許文献4に記載され、この中に参照によって取り込まれている。また、一実施例では、層105はCo及びCrに加えてTaを備えており、比較的低速で蒸着される。層105は、基層104cと磁気合金106の間の格子整合を容易にする。
図5を参照すると、第3実施例では、本発明に従って構成される磁気ディスクは、第3基層104cの上に形成される第1磁気層106a、中間層107(典型的にはRu)、及び中間層107の上に形成される第2磁気層106bを含んでいる。中間層107は、典型的には、3から10オングストロームの厚さであり、磁気層106aと106bの間の反強磁性結合を容易にする。反強磁性結合は、記録媒体の温度安定性を高める一方で、近接の磁化された領域間の遷移領域の長さを縮める。前記反磁性の層に関係する詳細、及びそれと共に関係して用いられ得る磁気フィルムは、2002年2月12日にBerteroらによって出願された特許文献5に示され、この中に参照によって取り込まれている。
図6の実施例に従う磁気記録媒体は、CoCraPtbBcである上位磁気層106dを備えているが、ここで、aは9から18、bは8から16、cは8から18である。その下の磁気層106cはCoCrdPteXfBgであり得るが、ここで、dは20から25、eは8から16、XはW、Tb、V、又はTi、fは0から5、gは0から10であり得る。その下の磁気層106bはCoCrhTaiBjであり得るが、ここで、hは10から20、iは0から7、jは0から6である。その下はRu中間層107であり、その下は磁気層106aである。層106aはCoCrkTalBmであり得るが、ここで、kは10から20、lは0から7、mは0から6である。その下はCoCrnTaoBpの核形成層105であるが、nは12から25、oは0から5、pは0から6である。
102・・・基板
102a・・・アルミニウム合金基板
102b・・・無電解メッキNiP
104a、104b、104c・・・基層
105・・・核形成層
106・・・磁気層
106a・・・第1磁気層
106b・・・第2磁気層
107・・・中間層
108・・・保護膜
Claims (15)
- 基板と、
前記基板上に形成される第1のbcc基層と、
前記第1の基層の上に形成される第2のbcc基層であって、ホウ素を含んでいる前記第2の基層と、
前記第2のbcc基層の上に形成される第3のbcc基層と、
磁気合金データ記録層と、
を含んでいる磁気記録媒体。 - 前記第1、第2、及び第3の基層は、bccCr合金を含み、前記磁気合金データ記録層は、hcpCo合金を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の媒体。
- 前記第1及び第3の基層は、実質的にホウ素が欠乏していることを特徴とする請求項2に記載の媒体。
- 前記第1及び第3の基層は、1%未満のホウ素を含んでいることを特徴とする請求項2に記載の媒体。
- 前記第2の基層における前記ホウ素は、前記磁気合金データ記録層において粒子分離を生じさせることを特徴とする請求項1に記載の媒体。
- 前記第2の基層における前記ホウ素は、前記磁気合金データ記録層において粒子サイズを削減させることを特徴とする請求項1に記載の媒体。
- 前記ホウ素は、前記磁気記録媒体におけるノイズを減少させることを特徴とする請求項1に記載の媒体。
- 基板と、
前記基板上に形成されるCrを含む第1の基層と、
前記第1の基層の上に形成されるCr及び少なくとも1つの付加物を含む第2の基層と、
前記第2の基層の上に形成されるCrを含む第3の基層と、
前記第3の基層の上に形成される磁気合金データ記録層と、
を含む磁気記録媒体であって、
前記付加物は、前記磁気合金データ記録層において粒子分離を生じさせることを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記付加物は、前記磁気合金データ記録層におけるノイズ及び粒子サイズを減少させることを特徴とする請求項8に記載の媒体。
- 基板と、
前記基板上に形成されるCrを含む第1の基層と、
前記第1の基層の上に形成されるCr及び少なくとも1つの付加物を含む第2の基層と、
前記第2の基層の上に形成されるCrを含む第3の基層と、
前記第3の基層の上に形成される磁気合金データ記録層と、
を含む磁気記録媒体であって、
前記付加物は、前記磁気合金データ記録層において粒子サイズを減少させることを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記第1、第2、及び第3の基層は、bcc結晶構造を有し、前記磁気合金データ記録層は、hcpCo合金を含み、前記第1及び第3の基層は、実質的に前記付加物が欠乏していることを特徴とする請求項8又は10に記載の媒体。
- 前記第3の基層と前記磁気合金データ記録層の間に形成される核形成層をさらに含んでいる請求項1、8、又は10に記載の媒体。
- 前記基板と前記第1の基層の間にアモルファス金属層をさらに含んでいる請求項1、8、又は10に記載の媒体。
- 前記磁気合金データ記録層の上に形成される結合層と、前記結合層の上に形成される第2の磁気層と、をさらに含み、
前記磁気合金データ記録層及び前記第2の磁気層は、互いに反強磁性に結合されることを特徴とする請求項1、8、又は10に記載の媒体。 - 請求項1、8、又は10の磁気記録媒体を備えている磁気ディスクドライブ。
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