JP2005209335A - 新規基層構造を有する磁気記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】 データ記録層の粒子サイズを削減し、ノイズが減少される磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 本発明に従って構成される磁気記録媒体は、基板と、前記基板の上に形成される第１、第２、及び第３の基層と、前記基層の上に形成される磁気データ記録層と、を含んでいる。基層は、典型的には、ｂｃｃ結晶構造を有し、Ｃｒ又はＣｒ合金を備えている。磁気データ記録層は、ｈｃｐ結晶構造を有し、Ｃｏ合金を含んでいる。第２の基層は、典型的には、Ｂのような物質を含み、第２の基層及びその上に配置される層の結晶サイズを減少させ、また、結晶間隔を増大させる傾向がある。
【選択図】 図３
【解決手段】 本発明に従って構成される磁気記録媒体は、基板と、前記基板の上に形成される第１、第２、及び第３の基層と、前記基層の上に形成される磁気データ記録層と、を含んでいる。基層は、典型的には、ｂｃｃ結晶構造を有し、Ｃｒ又はＣｒ合金を備えている。磁気データ記録層は、ｈｃｐ結晶構造を有し、Ｃｏ合金を含んでいる。第２の基層は、典型的には、Ｂのような物質を含み、第２の基層及びその上に配置される層の結晶サイズを減少させ、また、結晶間隔を増大させる傾向がある。
【選択図】 図３
Description
本発明は、磁気記録媒体に関する。
図１は、基板２（例えば、ＮｉＰ合金２ｂでメッキされたアルミニウム合金２ａ）、Ｃｒ（又はＣｒ合金）基層４、磁気Ｃｏ合金層５、及び保護膜６を含む、典型的な従来技術の磁気記録媒体１を例証する。ＮｉＰ合金層２ｂは、層４、５、及び６の蒸着よりも前にテクスチャー加工される。Ｃｒ基層４は、ｂｃｃ結晶構造及び（２００）結晶方位を有している。基層４は、ｈｃｐＣｏ合金層５が凝集し、
結晶方位で成長させることを保障する。さらに、Ｃｒ基層４はまた、磁気Ｃｏ合金層５が層３で形成されるテクスチャーラインの方向に磁気異方性を示すことを保障する。
単一のＣｒ基層４を用いる代わりに、第１及び第２のＣｒ基層４ａ、４ｂを含む記録媒体１ａを形成することが知られている（図２）。例えば、Ｍａｌｈｏｔｒａらに発行された特許文献１を参照すると、層４ａがＣｒであって、層４ｂがＣｒＭｏ20合金である構造について述べている。（この中で用いられているように、合金ＣｒＡxとは組成Ｃｒ100-xＡxのことをいう。同様に、ＣｒＡxＢyは、組成Ｃｒ100-x-yＡxＢyのことをいう。）純粋なＣｒは、ＣｒＭｏ20層４ｂよりもＮｉｐ層２ｂと適合し、ＣｒＭｏ20は、純粋なＣｒよりもＣｏ合金に対してより良く凝集する表面を提供する。従って、図２の媒体１ａは、図１の媒体１よりもより良い性能を示す。（Ｍａｌｈｏｔｒａは、媒体１ａがノイズ性能を改良したことを示す報告をしている。）
本発明に従って構成される磁気記録媒体は、基板、基板上に形成される第１の基層、第１の基層上に形成される第２の基層、第２の基層上に形成される第３の基層、及び第３の基層上に形成される磁気合金層を含む。基層は、典型的には、ｂｃｃ結晶構造を有し、Ｃｒ又はＣｒ合金を含み得る。磁気合金層は、典型的には、ｈｃｐ結晶構造を有し、Ｃｏ合金を含む。
一実施例では、基板は、ガラス、ガラスセラミック、又は無電解ニッケル−リン合金メッキで覆われたアルミニウム合金を含んでいる。例えば、ガラス又はガラスセラミック基板に対する幾つかの例では、アモルファス金属層が基板と第１の基層の間に与えられる。
一実施例では、第１の基層は、Ｃｒ又はＣｒＸを備えており、ここで、Ｘは１又は複数のＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｏ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、又はＣである。Ｘは０％から４０％の濃度を有し得る。上述のように、第１の基層は、典型的には、ｂｃｃ結晶構造を有している。第１の基層は、核形成層としての役割を果たす。
第２の基層は、典型的には、Ｃｒ及びＢを備えており、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｏ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、又はＣのような１又は複数の付加的な物質を含み得る。Ｂは、１％から１５％の間の濃度を有し、一実施例では、３％から１０％の間である。理論によって拘束されるわけではないが、Ｂ（ホウ素）は結晶境界で偏析する傾向があり、また、結晶はそれがＢの不在の状態にあるときよりも小さくなる傾向もあると考えられている。第２の基層の結晶は、第３の基層及び磁気合金層の結晶を成長させるための型板としての役割を果たす。従って、磁気合金層の結晶サイズは、効果的に削減される。また、上述の偏析効果は、結果として、磁気合金層において粒子分離を生じさせる。また、これは、媒体によって示されるノイズの量を削減する。
第３の基層は、典型的には、Ｃｒを備え、また、１又は複数の付加物である、例えば、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｏ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、又はＣも含み得る。これが（Ｂを含む）第２の基層上に直接的にＣｏ合金磁気層を形成する場合、（第２の基層の表面に移動する傾向にある）ホウ素は、磁気層のエピタキシャル成長に悪影響を及ぼし、所望の結晶学的テクスチャーに達することは難しい。（Ｂが欠乏しているか又はＢが実質的にない）第３の基層を提供することによって、これは、この影響を妨げる。一実施例では、第３の基層は、１％未満のホウ素を含んでいる。
基板のＮｉＰメッキされた表面にホウ素含有の基層を形成しようとする場合、それは、所望の結晶学的テクスチャーの情報を阻害する。従って、望ましい実施例では、第１の基層はまた、ホウ素が欠乏しているか又は実質的にない。一実施例では、第１の基層は、１％未満のホウ素を含んでいる。
第２の基層は、Ｂに対する付加物である、例えば、Ｍｏ又はＴａを含み得る。また、前記付加物は、結晶粒界の圧力及び／又は上述の偏析機構を変更することによって媒体ノイズを削減し得る。（Ｂに対する付加物の）第２の基層に提供され得る偏析現象を示す他の付加物は、Ｃｒの不溶性又は極小可溶性を示すＳｉ、Ｐ、ＳｉＯ2、又は他の物質を含んでいる。また、上述のように、Ｗ、Ｒｕ、Ｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、及び／又はＣが含まれ得る。
本発明の第１実施例
本発明の一実施例に従って構成される記録媒体１００（図３）は、基板１０２、３つの基層１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、磁気層１０６、及び保護膜１０８を含んでいる。基板１０２は、典型的には、無電解メッキＮｉＰ１０２ｂで覆われたアルミニウム合金基板１０２ａを含んでいる。しかしながら、基板１０２は、ガラス、ガラスセラミック、又は同様の他の構造を含み得る。
本発明の一実施例に従って構成される記録媒体１００（図３）は、基板１０２、３つの基層１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、磁気層１０６、及び保護膜１０８を含んでいる。基板１０２は、典型的には、無電解メッキＮｉＰ１０２ｂで覆われたアルミニウム合金基板１０２ａを含んでいる。しかしながら、基板１０２は、ガラス、ガラスセラミック、又は同様の他の構造を含み得る。
テクスチャーラインは、典型的には、例えば機械的なテクスチャー処理を用いてＮｉＰ層１０２ｂの表面で形成される。これらのテクスチャーラインは、典型的には、円周方向に広がり、すなわち一般には（所定のクロスハッチングを用いて）円周方向に広がる。随意に、これは２００２年１１月１８日にＡｎｄｒｅｗ Ｈｏｍｏｌａによって出願された特許文献２に記載され、参照によってこの中に取り込まれている方法を用いて実現され得る。
基層１０４ａ、１０４ｂ、及び１０４ｃは、典型的には、スパッタリング又は他の真空蒸着技術によって形成される。例えば、インライン式又はスタティックなスパッタリング装置が用いられ得る。（スパッタリング装置はＡｎｅｌｖａ３０１０システム、ＵｌｖａｃＳＨＤインラインシステム、Ｉｎｔｅｖａｃ２５０Ｂシステム、又は他のシステムであり得る。）スパッタリングは、３から１０ミリトルのＡｒ気圧で実現され、１００から１０００Ｗの間でスパッタリングターゲットに印加される。一実施例では、層１０４ａは、例えばＣｒＭｏ6又はＣｒＯ0.5のＣｒ又はＣｒ合金である。層１０４ｂは、ＣｒＢ、ＣｒＲｕＢ、ＣｒＭｏＢのようなＣｒ合金である。例えば、層１０４ｂは、ＣｒＭｏxであり、ここで、ｘは１０から２５の間であり、ｙは、１から１０の間の例えばＣｒＢ1、ＣｒＢ2、ＣｒＢ5、ＣｒＢ7、ＣｒＢ10、ＣｒＭｏ10Ｂ5、ＣｒＭｏ15Ｂ5、ＣｒＭｏ15Ｂ7、ＣｒＭｏ15Ｔｉ5Ｂ3、ＣｒＲｕ5Ｂ5、又はＣｒＴｉ5Ｂ5である。層１０４ｃは、ＣｒＭｏx合金であり、ここで、ｘは１０から２５の間の例えばＣｒＭｏ15、ＣｒＭｏ20、ＣｒＭｏ25、ＣｒＭｏ20Ｔａ2、又はＣｒＭｏ15Ｒｕ5である。層１０４は、１．５から１０ｎｍまでの厚さであり、例えば２から５ｎｍの間の厚さである。一実施例では、層１０４ａ、１０４ｂ、及び１０４ｃは、それぞれ３、２、及び２ｎｍの厚さである。別の実施例では、それらは、４、２．５、及び２．５ｎｍの厚さである。
層１０６は、典型的には、Ｃｏ磁気合金であり、以下に述べるような構成を有し得る。層１０８は、炭素、水酸化炭素、窒化炭素、水素と窒素の両方を含む炭素、ジルコニアのようなセラミック物質、又は他の適当な硬質物質であり得る。保護膜は、２００３年５月２０日にＬａｉｒｓｏｎらに発行された特許文献３に記載され、参照によってこの中に取り込まれている構造を有し得る。層１０６及び１０８は、スパッタリングのような真空蒸着によって形成され得る。加えて、Ｌａｉｒｓｏｎによって述べられているもののような他の蒸着処理が用いられ得る。典型的には、Ｌａｉｒｓｏｎによって述べられているような潤滑材（示されていない）もまた、媒体に適用され得る。
図は、（説明の簡単のため）基板１０２の片側に配置される様々な層を示しているが、上述の層もまた、（典型的には）基板１０２の両側に配置され得る。
層１０４ａ、１０４ｂ、及び１０４ｃは、典型的には、ｂｃｃ結晶構造及び（２００）結晶方向を有する。望ましくは、層１０４ａ、１０４ｂ、及び１０４ｃの主成分はＣｒである。
層１０６は、
結晶方向を有する磁気ｈｃｐ Ｃｏ合金である。基層１０４は、基板１０２に形成されたテクスチャーラインの方向に沿って一般には磁気異方性と同様に、層１０６の
方向を容易にする。層１０６は、長手記録用に用いられる。
上述のように、本発明に従って構成される磁気ディスクは、優れた信号対雑音比（“ＳＮＲ”）を示す。以下の表Ｉは、ディスクＡ及びＢを比較した実験の結果を示す。ディスクＡは、従来技術に従って構成され、ＮｉＰメッキＡｌ合金基板、４ｎｍの厚さのＣｒ第１基層、４ｎｍの厚さのＣｒＭｏ第２基層、及びＣｏＰｔＢＣｒ磁気合金を含むようにした。ディスクＢは、Ｃｒ第１基層、ＣｒＭｏＢ第２基層、及びＣｒＭｏ第３基層を含むようにした。（基層は、それぞれ３、２．５及び２．５ｎｍの厚さとした。）見て分かるように、（本発明に従って構成される）ディスクＢは、優れたＳＮＲを示した。上述したように、これは、ホウ素が粒子サイズを削減し、第２基層の粒子分離を増大させる傾向があるという事実によると考えられている。この削減された粒子サイズ及び増大した粒子分離は、第３基層及び磁気層の場合と同様の効果を生じさせ、これによって媒体ノイズを削減する。
表Ｉ
ディスク 基層構造 媒体ＳＮＲ（ｄＢ） 合計ＳＮＲ（ｄＢ）
Ａ Ｃｒ／ＣｒＭｏ ２２．４ ２０．６
Ｂ Ｃｒ／ＣｒＭｏＢ／ＣｒＭｏ ２２．９ ２０．９
ディスク 基層構造 媒体ＳＮＲ（ｄＢ） 合計ＳＮＲ（ｄＢ）
Ａ Ｃｒ／ＣｒＭｏ ２２．４ ２０．６
Ｂ Ｃｒ／ＣｒＭｏＢ／ＣｒＭｏ ２２．９ ２０．９
以下の表ＩＩは、（第１Ｃｒ基層、第２ＣｒＢ基層、及び第３ＣｒＭｏ基層を含む）ディスクＤと（第１Ｃｒ基層及び第２ＣｒＭｏ基層を含む）ディスクＣのノイズ特性を比較する。表ＩＩに対する基層の厚さは、表示１の場合と同様とした。再度、ディスクＤのＳＮＲがディスクＣのそれよりも良い（大きい）ことが理解され得る。
表ＩＩ
ディスク 基層構造 媒体ＳＮＲ（ｄＢ） 合計ＳＮＲ（ｄＢ）
Ｃ Ｃｒ／ＣｒＭｏ ２１．０ １９．５
Ｄ Ｃｒ／ＣｒＢ／ＣｒＭｏ ２１．５ ２０．０
ディスク 基層構造 媒体ＳＮＲ（ｄＢ） 合計ＳＮＲ（ｄＢ）
Ｃ Ｃｒ／ＣｒＭｏ ２１．０ １９．５
Ｄ Ｃｒ／ＣｒＢ／ＣｒＭｏ ２１．５ ２０．０
以下の表ＩＩＩは、（第１Ｃｒ基層、第２ＣｒＲｕＢ基層、及び第３ＣｒＭｏ基層を含む）ディスクＦと（第１Ｃｒ基層及び第２ＣｒＭｏ基層を含む）ディスクＥのノイズ特性を比較する。表ＩＩＩに対する層の厚さは、表Ｉ及びＩＩに対するものと同様とした。再度、（Ｂを備える中間層を含む３つの基層を備える）ディスクＦのＳＮＲは、（２つの基層のみを有する）ディスクＥのそれよりも良い（大きい）ことが理解され得る。
表ＩＩＩ
ディスク 基層構造 媒体ＳＮＲ（ｄＢ） 合計ＳＮＲ（ｄＢ）
Ｅ Ｃｒ／ＣｒＭｏ ２０．９ １９．４
Ｆ Ｃｒ／ＣｒＲｕＢ／ＣｒＭｏ ２１．５ １９．９
ディスク 基層構造 媒体ＳＮＲ（ｄＢ） 合計ＳＮＲ（ｄＢ）
Ｅ Ｃｒ／ＣｒＭｏ ２０．９ １９．４
Ｆ Ｃｒ／ＣｒＲｕＢ／ＣｒＭｏ ２１．５ １９．９
層１０４ｂがＣｒＲｕＢを備える代替的な実施例では、Ｒｕの含量は２％から２０％の間であり、Ｂの含量は１から１０％の間であり得る。
以下の表ＩＶは、（２つの基層を含む）ディスクＧを（様々な厚さを有する３つの基層を備える）ディスクＨ，Ｉ，Ｊ，及びＫと比較する。見て分かるように、本発明に従って構成される３つの基層を含むディスクは、優れたＳＮＲを示した。この結果は、層の厚さにほとんど影響を受けなかった。
表ＩＶ
ディスク 基層構造 媒体ＳＮＲ（ｄＢ） 合計ＳＮＲ（ｄＢ）
Ｇ ５ｎｍＣｒ／
３ｎｍＣｒＭｏ １６．５ １５．６
Ｈ ２．６ｎｍＣｒＭｏ／
２．６ｎｍＣｒＭｏＢ／
２．６ｎｍＣｒＭｏ １６．９ １６．０
Ｉ ３ｎｍＣｒＭｏ／
３ｎｍＣｒＭｏＢ／
３ｎｍＣｒＭｏ １７．１ １６．２
Ｊ ３．４ｎｍＣｒＭｏ／
３．４ｎｍＣｒＭｏＢ／
３．４ｎｍＣｒＭｏ １６．８ １６．０
Ｋ ４ｎｍＣｒＭｏ／
２ｎｍＣｒＭｏＢ／
２ｎｍＣｒＭｏ １６．８ １６．０
ディスク 基層構造 媒体ＳＮＲ（ｄＢ） 合計ＳＮＲ（ｄＢ）
Ｇ ５ｎｍＣｒ／
３ｎｍＣｒＭｏ １６．５ １５．６
Ｈ ２．６ｎｍＣｒＭｏ／
２．６ｎｍＣｒＭｏＢ／
２．６ｎｍＣｒＭｏ １６．９ １６．０
Ｉ ３ｎｍＣｒＭｏ／
３ｎｍＣｒＭｏＢ／
３ｎｍＣｒＭｏ １７．１ １６．２
Ｊ ３．４ｎｍＣｒＭｏ／
３．４ｎｍＣｒＭｏＢ／
３．４ｎｍＣｒＭｏ １６．８ １６．０
Ｋ ４ｎｍＣｒＭｏ／
２ｎｍＣｒＭｏＢ／
２ｎｍＣｒＭｏ １６．８ １６．０
上述したように、第３基層１０４ｃが存在しない場合、層１０４ｂのホウ素は、磁気層１０６のエピタキシアル成長に悪影響を及ぼす。以下の表Ｖは、層１０４ｃがないディスクＬ、及び層１０４ｃを含むディスクＭに対する信号対雑音比を例証する。見て分かるように、ディスクＭは、ディスクＬと対比して優れたノイズ性能を示す。
表Ｖ
ディスク 基層構造 媒体ＳＮＲ（ｄＢ） 合計ＳＮＲ（ｄＢ）
Ｌ Ｃｒ／ＣｒＭｏＢ ２１．５ １９．８
Ｍ Ｃｒ／ＣｒＭｏＢ／ＣｒＭｏ ２２．９ ２０．９
ディスク 基層構造 媒体ＳＮＲ（ｄＢ） 合計ＳＮＲ（ｄＢ）
Ｌ Ｃｒ／ＣｒＭｏＢ ２１．５ １９．８
Ｍ Ｃｒ／ＣｒＭｏＢ／ＣｒＭｏ ２２．９ ２０．９
本発明の第２実施例
図４を参照すると、本発明の代替的な実施例において、核形成層１０５が、第３基層１０４ｃと磁気合金１０６の間に与えられる。核形成層１０５は、典型的には、磁気合金１０６の面内位置付けを容易にするｈｃｐＣｏＣｒ合金である。核形成層１０５に関する詳細は、２００２年１２月３１日にＢｅｒｔｅｒｏらに発行された特許文献４に記載され、この中に参照によって取り込まれている。また、一実施例では、層１０５はＣｏ及びＣｒに加えてＴａを備えており、比較的低速で蒸着される。層１０５は、基層１０４ｃと磁気合金１０６の間の格子整合を容易にする。
図４を参照すると、本発明の代替的な実施例において、核形成層１０５が、第３基層１０４ｃと磁気合金１０６の間に与えられる。核形成層１０５は、典型的には、磁気合金１０６の面内位置付けを容易にするｈｃｐＣｏＣｒ合金である。核形成層１０５に関する詳細は、２００２年１２月３１日にＢｅｒｔｅｒｏらに発行された特許文献４に記載され、この中に参照によって取り込まれている。また、一実施例では、層１０５はＣｏ及びＣｒに加えてＴａを備えており、比較的低速で蒸着される。層１０５は、基層１０４ｃと磁気合金１０６の間の格子整合を容易にする。
本発明の第３実施例
図５を参照すると、第３実施例では、本発明に従って構成される磁気ディスクは、第３基層１０４ｃの上に形成される第１磁気層１０６ａ、中間層１０７（典型的にはＲｕ）、及び中間層１０７の上に形成される第２磁気層１０６ｂを含んでいる。中間層１０７は、典型的には、３から１０オングストロームの厚さであり、磁気層１０６ａと１０６ｂの間の反強磁性結合を容易にする。反強磁性結合は、記録媒体の温度安定性を高める一方で、近接の磁化された領域間の遷移領域の長さを縮める。前記反磁性の層に関係する詳細、及びそれと共に関係して用いられ得る磁気フィルムは、２００２年２月１２日にＢｅｒｔｅｒｏらによって出願された特許文献５に示され、この中に参照によって取り込まれている。
図５を参照すると、第３実施例では、本発明に従って構成される磁気ディスクは、第３基層１０４ｃの上に形成される第１磁気層１０６ａ、中間層１０７（典型的にはＲｕ）、及び中間層１０７の上に形成される第２磁気層１０６ｂを含んでいる。中間層１０７は、典型的には、３から１０オングストロームの厚さであり、磁気層１０６ａと１０６ｂの間の反強磁性結合を容易にする。反強磁性結合は、記録媒体の温度安定性を高める一方で、近接の磁化された領域間の遷移領域の長さを縮める。前記反磁性の層に関係する詳細、及びそれと共に関係して用いられ得る磁気フィルムは、２００２年２月１２日にＢｅｒｔｅｒｏらによって出願された特許文献５に示され、この中に参照によって取り込まれている。
本発明の第４実施例
図６の実施例に従う磁気記録媒体は、ＣｏＣｒaＰｔbＢcである上位磁気層１０６ｄを備えているが、ここで、ａは９から１８、ｂは８から１６、ｃは８から１８である。その下の磁気層１０６ｃはＣｏＣｒdＰｔeＸfＢgであり得るが、ここで、ｄは２０から２５、ｅは８から１６、ＸはＷ、Ｔｂ、Ｖ、又はＴｉ、ｆは０から５、ｇは０から１０であり得る。その下の磁気層１０６ｂはＣｏＣｒhＴａiＢjであり得るが、ここで、ｈは１０から２０、ｉは０から７、ｊは０から６である。その下はＲｕ中間層１０７であり、その下は磁気層１０６ａである。層１０６ａはＣｏＣｒkＴａlＢmであり得るが、ここで、ｋは１０から２０、ｌは０から７、ｍは０から６である。その下はＣｏＣｒnＴａoＢpの核形成層１０５であるが、ｎは１２から２５、ｏは０から５、ｐは０から６である。
図６の実施例に従う磁気記録媒体は、ＣｏＣｒaＰｔbＢcである上位磁気層１０６ｄを備えているが、ここで、ａは９から１８、ｂは８から１６、ｃは８から１８である。その下の磁気層１０６ｃはＣｏＣｒdＰｔeＸfＢgであり得るが、ここで、ｄは２０から２５、ｅは８から１６、ＸはＷ、Ｔｂ、Ｖ、又はＴｉ、ｆは０から５、ｇは０から１０であり得る。その下の磁気層１０６ｂはＣｏＣｒhＴａiＢjであり得るが、ここで、ｈは１０から２０、ｉは０から７、ｊは０から６である。その下はＲｕ中間層１０７であり、その下は磁気層１０６ａである。層１０６ａはＣｏＣｒkＴａlＢmであり得るが、ここで、ｋは１０から２０、ｌは０から７、ｍは０から６である。その下はＣｏＣｒnＴａoＢpの核形成層１０５であるが、ｎは１２から２５、ｏは０から５、ｐは０から６である。
本発明に従って構成される磁気記録媒体は、典型的には、ディスクドライブ内に取り込まれている磁気ディスク（例えば、図７に示されるようなディスクドライブ１２０内に取り込まれているディスク１００）である。ディスク１００は、スピンドル１２２に取り付けられ、次にモーター１２４に連結され、モーター１２４によって回転させられる。一組のリードライトヘッド１２６ａ、１２６ｂは、ディスク１００に極めて接近して浮動し、ディスク１００の各面において磁気記録層からデータを読み出し、磁気記録層へデータを書き込む。リードライトヘッド１２６ａ、１２６ｂは、アーム１２８ａ、１２８ｂに取り付けられ、次にロータリアクチュエータ１３０に結合され、ディスク１００上の多様なトラックに隣接するヘッド１２６ａ、１２６ｂを移動する。
図７はドライブ１２０内の１つのディスクを例証するが、他の実施例では、複数のディスクがドライブ１２０内に存在し得る。また、図６はディスク１００の両面においてデータをリードライトするための２つのリードライトヘッド１２６ａ、１２６ｂを示すが、他の実施例では、ただ一つのリードライトヘッドが、ディスク１００の片面からのみデータを読み出し、又は、ディスク１００の片面へのみデータを書き込むために与えられる。
本発明は特定の実施例に関して述べてられているが、当業者は、本発明の意図及び範囲から出発する情報及び詳細なしに、変更がなされ得ることを認識するであろう。例えば、付加的な層が上述の層の間に挿入され得る。また、付加的な物質が上述の層内に取り込まれ得る。第１及び第３の層１０４ａ、１０４ｃは、例えば１％未満の少量のホウ素を有し得る。しかしながら、前記ホウ素含量は、ノイズ又は粒子サイズを減らすこと、又は結晶学的なテクスチャーの損失を生じさせることすらない。異なる層の厚さ及び組成が使用され得る。従って、全ての前記変更は本発明の範囲内にある。
１００・・・記録媒体
１０２・・・基板
１０２ａ・・・アルミニウム合金基板
１０２ｂ・・・無電解メッキＮｉＰ
１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ・・・基層
１０５・・・核形成層
１０６・・・磁気層
１０６ａ・・・第１磁気層
１０６ｂ・・・第２磁気層
１０７・・・中間層
１０８・・・保護膜
１０２・・・基板
１０２ａ・・・アルミニウム合金基板
１０２ｂ・・・無電解メッキＮｉＰ
１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ・・・基層
１０５・・・核形成層
１０６・・・磁気層
１０６ａ・・・第１磁気層
１０６ｂ・・・第２磁気層
１０７・・・中間層
１０８・・・保護膜
Claims (15)
- 基板と、
前記基板上に形成される第１のｂｃｃ基層と、
前記第１の基層の上に形成される第２のｂｃｃ基層であって、ホウ素を含んでいる前記第２の基層と、
前記第２のｂｃｃ基層の上に形成される第３のｂｃｃ基層と、
磁気合金データ記録層と、
を含んでいる磁気記録媒体。 - 前記第１、第２、及び第３の基層は、ｂｃｃＣｒ合金を含み、前記磁気合金データ記録層は、ｈｃｐＣｏ合金を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の媒体。
- 前記第１及び第３の基層は、実質的にホウ素が欠乏していることを特徴とする請求項２に記載の媒体。
- 前記第１及び第３の基層は、１％未満のホウ素を含んでいることを特徴とする請求項２に記載の媒体。
- 前記第２の基層における前記ホウ素は、前記磁気合金データ記録層において粒子分離を生じさせることを特徴とする請求項１に記載の媒体。
- 前記第２の基層における前記ホウ素は、前記磁気合金データ記録層において粒子サイズを削減させることを特徴とする請求項１に記載の媒体。
- 前記ホウ素は、前記磁気記録媒体におけるノイズを減少させることを特徴とする請求項１に記載の媒体。
- 基板と、
前記基板上に形成されるＣｒを含む第１の基層と、
前記第１の基層の上に形成されるＣｒ及び少なくとも１つの付加物を含む第２の基層と、
前記第２の基層の上に形成されるＣｒを含む第３の基層と、
前記第３の基層の上に形成される磁気合金データ記録層と、
を含む磁気記録媒体であって、
前記付加物は、前記磁気合金データ記録層において粒子分離を生じさせることを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記付加物は、前記磁気合金データ記録層におけるノイズ及び粒子サイズを減少させることを特徴とする請求項８に記載の媒体。
- 基板と、
前記基板上に形成されるＣｒを含む第１の基層と、
前記第１の基層の上に形成されるＣｒ及び少なくとも１つの付加物を含む第２の基層と、
前記第２の基層の上に形成されるＣｒを含む第３の基層と、
前記第３の基層の上に形成される磁気合金データ記録層と、
を含む磁気記録媒体であって、
前記付加物は、前記磁気合金データ記録層において粒子サイズを減少させることを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記第１、第２、及び第３の基層は、ｂｃｃ結晶構造を有し、前記磁気合金データ記録層は、ｈｃｐＣｏ合金を含み、前記第１及び第３の基層は、実質的に前記付加物が欠乏していることを特徴とする請求項８又は１０に記載の媒体。
- 前記第３の基層と前記磁気合金データ記録層の間に形成される核形成層をさらに含んでいる請求項１、８、又は１０に記載の媒体。
- 前記基板と前記第１の基層の間にアモルファス金属層をさらに含んでいる請求項１、８、又は１０に記載の媒体。
- 前記磁気合金データ記録層の上に形成される結合層と、前記結合層の上に形成される第２の磁気層と、をさらに含み、
前記磁気合金データ記録層及び前記第２の磁気層は、互いに反強磁性に結合されることを特徴とする請求項１、８、又は１０に記載の媒体。 - 請求項１、８、又は１０の磁気記録媒体を備えている磁気ディスクドライブ。
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