JP2008027505A - 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来のものに比べて大きな外部磁場に対して軟磁性裏打ち層の磁壁形成の抑止を行いながら、裏打ち層のＨｋをさらに向上させ、かつ生産性を高めた垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層と非磁性下地層と磁気記録層と保護膜とが順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、前記裏打ち層と前記下地層と磁気記録層と前記保護膜とが蒸着法により形成されてなり、前記裏打ち層が軟磁性裏打ち下層と非磁性金属層と軟磁性裏打ち上層の積層体であり、前記非磁性金属層が、金属層形成後に０．１〜１００ａｔ％の窒素を含む窒素含有ガスで表面暴露処理されてなるものであることを特徴とする垂直磁気記録媒体およびその製造方法。
【選択図】図１
【解決手段】非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層と非磁性下地層と磁気記録層と保護膜とが順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、前記裏打ち層と前記下地層と磁気記録層と前記保護膜とが蒸着法により形成されてなり、前記裏打ち層が軟磁性裏打ち下層と非磁性金属層と軟磁性裏打ち上層の積層体であり、前記非磁性金属層が、金属層形成後に０．１〜１００ａｔ％の窒素を含む窒素含有ガスで表面暴露処理されてなるものであることを特徴とする垂直磁気記録媒体およびその製造方法。
【選択図】図１
Description
本発明は、垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関する。この磁気記録媒体は各種磁気記録装置への搭載用として有用である。
近年、磁気記録の高密度化を実現する技術の一つとして、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。
垂直磁気記録媒体は硬質磁性材料からなる磁気記録層と、この磁気記録層への記録に用いられる、磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料を含有する裏打ち層から構成されている。このような構造の垂直磁気記録媒体において問題となるノイズのひとつであるスパイクノイズは、裏打ち層である軟磁性層に形成された磁壁によるものであることが知られている。
垂直磁気記録媒体は硬質磁性材料からなる磁気記録層と、この磁気記録層への記録に用いられる、磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料を含有する裏打ち層から構成されている。このような構造の垂直磁気記録媒体において問題となるノイズのひとつであるスパイクノイズは、裏打ち層である軟磁性層に形成された磁壁によるものであることが知られている。
磁壁形成およびノイズ発生のメカニズムは以下の通りである。
基体上に軟磁性層を形成すると、軟磁性層の異方性が小さいために軟磁性層の内外周辺部において静磁エネルギーを減少させるために還流磁区が発生する。実用程度の軟磁性層の膜厚では磁壁はブロッホ型となっており、磁壁内でスピンは膜厚方向に回転していることから、磁壁上下端に垂直方向の磁極が現れることになり、これがノイズの原因となる。
そのため、垂直磁気記録媒体の低ノイズ化のためには、軟磁性層の内外周辺部における磁壁形成を阻止する必要がある。
基体上に軟磁性層を形成すると、軟磁性層の異方性が小さいために軟磁性層の内外周辺部において静磁エネルギーを減少させるために還流磁区が発生する。実用程度の軟磁性層の膜厚では磁壁はブロッホ型となっており、磁壁内でスピンは膜厚方向に回転していることから、磁壁上下端に垂直方向の磁極が現れることになり、これがノイズの原因となる。
そのため、垂直磁気記録媒体の低ノイズ化のためには、軟磁性層の内外周辺部における磁壁形成を阻止する必要がある。
この軟磁性裏打ち層の磁壁の制御については、例えば軟磁性裏打ち層間に非磁性金属を挟むことにより（例えば、特許文献１、２参照。）裏打ち軟磁性膜の主要部分を占める軟磁性膜の磁化方向を互いに１８０°異なる向きに向けるようにして反強磁性的に結合させ、しかも基板が円板状である場合には、磁化の方向を円板状基板の周方向に揃えることにより、ノイズの原因となる磁壁の発生を抑制することができる。
このように、軟磁性裏打ち層間に非磁性金属を挟んだ構造を有する裏打ち層において、軟磁性裏打ち層間に働く結合力（交換結合磁界）は、非磁性金属膜厚の増大に伴い振動的に減衰し、反強磁性的な結合をもたらす結合力が最大となる非磁性金属膜厚は使用する非磁性金属の電子構造や結晶配向に依存する。また、軟磁性裏打ち層の特性を評価するパラメータの１つである異方性磁界Ｈｋは、軟磁性材料の飽和磁化Ｍｓや膜厚、裏打ち層間の結合力、即ち非磁性金属層の膜厚等により決定される。
高品質の垂直磁気記録媒体を提供する上で、ヘッドの書き込み磁界の軟磁性裏打ち層からの戻り磁界の影響により、書き込みを行った近隣の記録データが小さくなっていくという現象（隣接トラック消去）が大きな問題となっている。この隣接トラック消去を防止する手段の一つとして、軟磁性裏打ち層のＨｋを増大させることが効果的である。
軟磁性裏打ち層のＨｋの値は主に、前述した非磁性金属層の膜厚や、軟磁性材料のＭｓ、膜厚等の値に応じて変化する。また、軟磁性裏打ち層のＨｋは、形成プロセスや層構成によっても変化し、例えば、構造面からＨｋを高める手法として、軟磁性裏打ち層の上層や下層に反強磁性薄膜を形成し、交換結合を利用して磁化をピン止めする方法が提案されているが、十分大きなＨｋを得るためには、製膜後に数分から数時間を要する熱処理をする必要があったり、また、軟磁性層と反強磁性層を何層にも積層する必要があったりするなど、複雑かつコスト高な方法を採用する必要があり、生産性において解決すべき問題点を多々残しているのが現状である。
本発明はこのような問題の存在に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、従来のものに比べて大きな外部磁場に対して軟磁性裏打ち層の磁壁形成の抑止を行いながら、軟磁性裏打ち層のＨｋをさらに向上させ、かつ生産性を高めた垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
即ち、本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層と非磁性下地層と磁気記録層と保護膜とが順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、前記裏打ち層と前記下地層と磁気記録層と前記保護膜とが蒸着法により形成されてなり、前記裏打ち層が軟磁性裏打ち下層と非磁性金属層と軟磁性裏打ち上層の積層体であり、前記非磁性金属層が、金属層形成後に０．１〜１００ａｔ％の窒素を含む窒素含有ガスで表面暴露処理されてなるものであることを特徴とする。
また、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体上に蒸着法により軟磁性裏打ち下層、非磁性金属層をこの順に形成し、形成された非磁性金属層の表面を０．１〜１００ａｔ％の窒素を含む窒素含有ガスで表面暴露処理した後、その上に蒸着法により軟磁性裏打ち上層を形成する軟磁性裏打ち層形成工程と、形成された軟磁性裏打ち層の上に蒸着法により非磁性下地層を形成する非磁性下地層形成工程と、形成された非磁性下地層の上に蒸着法により磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程と、形成された磁気記録層の上に蒸着法により保護膜を形成する保護膜形成工程を有することを特徴とする。
本発明によれば特別な層構成を必要とすることなく、記録再生特性の更なる向上の達成に効果的な軟磁性裏打ち層のＨｋの高い垂直磁気記録媒体を得ることができる。また、本発明の製造方法によれば、コストの増大を伴うことなく高性能の垂直磁気記録媒体を製造でき、かつ大量生産に適した優れた製造方法である。
以下、図面を参照しつつ本発明を説明する。
図１は本発明の垂直磁気記録媒体の１実施態様を示す断面模式図である。
本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１上に少なくとも軟磁性裏打ち層９と非磁性下地層５と磁気記録層６と保護膜７とが順次積層された構造を有しており、図１に示す例では、保護膜７の上に液体潤滑層８が設けられている。軟磁性裏打ち層９は軟磁性裏打ち下層２と非磁性金属層３と軟磁性裏打ち上層４の積層体であり、この非磁性金属層３は、金属層形成後に窒素含有ガスで表面暴露処理されてなる。
図１は本発明の垂直磁気記録媒体の１実施態様を示す断面模式図である。
本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１上に少なくとも軟磁性裏打ち層９と非磁性下地層５と磁気記録層６と保護膜７とが順次積層された構造を有しており、図１に示す例では、保護膜７の上に液体潤滑層８が設けられている。軟磁性裏打ち層９は軟磁性裏打ち下層２と非磁性金属層３と軟磁性裏打ち上層４の積層体であり、この非磁性金属層３は、金属層形成後に窒素含有ガスで表面暴露処理されてなる。
本発明において用いられる非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体で用いられる基体であればいずれも用いることができ、具体例としては、ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金、強化ガラス、結晶化ガラスなどを挙げることができる。
本発明で用いられる非磁性下地層５は磁気記録層６の結晶配向性や結晶粒径を制御するために設けられるものであり、ＲｕあるいはＲｕ含有合金を非磁性下地層用金属として用いることができる。
本発明において用いられる磁気記録層６としては、少なくともＣｏとＣｒを含む合金の強磁性材料が好ましく用いられる。この合金としては、その六方最密充填構造のｃ軸が膜面に垂直方向に配向していることが好ましい。
保護膜７は必要な機械的強度、耐熱性、耐酸化性、耐腐食性等を備えたものであればよく、従来より使用されている材料であれば特に材料組成を限定するものではないが、例えば、カーボンを主体とした薄膜が好適に用いられる。液体潤滑層８としては、例えば、パーフルオロポリエーテル形の潤滑剤が好ましく用いられる。
前記軟磁性裏打ち層９の構成要素のひとつである軟磁性裏打ち下層２および軟磁性裏打ち上層４としては、ＮｉＦｅ系合金、センダスト(ＦｅＳｉＡｌ)合金、飽和磁束密度の大きなＦｅＣｏ合金等の結晶質合金や、非晶質のＣｏ合金、例えばＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることができる。この軟磁性裏打ち下層２および軟磁性裏打ち上層４の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、生産性との兼ね合いも考慮して、いずれも１０〜５００ｎｍであることが好ましい。
軟磁性裏打ち下層２および軟磁性裏打ち上層４の磁化容易軸は、基板面と平行で互いに１８０°異なる向きに結合している必要がある。その理由は、非磁性金属層３を間に挟んだ軟磁性裏打ち下層２および軟磁性裏打ち上層４同士の磁化が反平行に反強磁性的に結合している場合、その結合強度以下の外部磁界を印加しても磁化の向きは変化しない。即ち、軟磁性層中に磁壁を生じず、スパイクノイズの発生を抑制できるからである。
非磁性金属層３としては、Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｒｅのいずれかの金属又はその合金を主体とする材料を用いることができる。この非磁性金属層３の膜厚は、軟磁性裏打ち下層２および軟磁性裏打ち上層４の磁化容易軸が基板面と平行で互いに１８０°異なる方向を向き、かつ、強い結合強度が得られるように適切に選ぶ必要があるが、外部磁場に対する高度の耐性を得るためには、その膜厚を０．１〜５ｎｍとすることが好ましい。その理由は以下の通りである。
非磁性金属層３の膜厚を０ｎｍから次第に厚くしていくと、軟磁性裏打ち下層２および軟磁性裏打ち上層４の磁化容易軸が基板と平行で互いに同じ方向を向く結合（強磁性的な結合）と基板面と平行で互いに１８０°異なる方向を向く結合（反強磁性的な結合）が交互に現れる。例えば、非磁性金属層４としてＲｕを用いた場合、Ｒｕ膜厚が０〜０．３ｎｍの範囲では軟磁性裏打ち下層２および軟磁性裏打ち上層４は強磁性的に結合し、０．３〜１．２ｎｍでは反強磁性的に結合する。さらに膜厚を増加させると、１．２〜１．８ｎｍでは強磁性的に結合し、１．８〜３．０ｎｍでは反強磁性的に結合する。
この強磁性的な結合をする膜厚範囲、反強磁性的結合をする膜厚範囲は用いる金属により異なり、したがって、反強磁性的結合を示す膜厚は種々の金属を用いた場合を考慮すると、０．１ｎｍ以上であることが好ましい。
軟磁性裏打ち下層２および軟磁性裏打ち上層４の結合強度は非磁性金属層３の膜厚が増加するに従い減少する。結合強度が強いほど外部磁場に対する耐性が強くなることから、非磁性金属層３に用いる金属の種類により異なるが、ハードディスクドライブ中の浮揚磁場に対して十分な耐性を確保するためには非磁性金属層３の膜厚は５ｎｍ以下であることが好ましい。
軟磁性裏打ち下層２および軟磁性裏打ち上層４の結合強度は非磁性金属層３の膜厚が増加するに従い減少する。結合強度が強いほど外部磁場に対する耐性が強くなることから、非磁性金属層３に用いる金属の種類により異なるが、ハードディスクドライブ中の浮揚磁場に対して十分な耐性を確保するためには非磁性金属層３の膜厚は５ｎｍ以下であることが好ましい。
この非磁性金属層３は、０．１〜１００ａｔ％の窒素を含む窒素含有ガスで表面暴露処理されてなる。表面が０．１〜１００ａｔ％の窒素を含む窒素含有ガスで表面暴露処理されてなる非磁性金属層を軟磁性裏打ち下層２および軟磁性裏打ち上層４の間に有する軟磁性裏打ち層９は、この表面処理をされていない非磁性金属層を磁性裏打ち下層２および軟磁性裏打ち上層４の間に有する軟磁性裏打ち層の異方性磁界Ｈｋの値と比較して、２００Ｏｅから３００Ｏｅ程度のＨｋの向上が見られる。窒素含有ガス中の窒素濃度が０．１ａｔ％未満では上述のＨｋ向上効果が不十分となる。窒素含有ガスが１００ａｔ％窒素でないときの窒素以外のガス成分としては、Ａｒなどの不活性ガスを挙げることができる。この窒素含有ガスは窒素と不活性ガス以外に、２ａｔ％未満であれば酸素を含んでいても窒素によるＨｋ向上効果をさほど損なうことがないので酸素を含んでいてもよい。
窒素含有ガスによる表面暴露処理の処理時間は０．１〜１０秒であることが好ましい。上記下限以下では表面暴露処理効果が不十分となり、上記上限を超えても処理効果の更なる向上はなく、使用するガスがコスト高の原因ともなる。
窒素含有ガスによる表面暴露処理の処理時間は０．１〜１０秒であることが好ましい。上記下限以下では表面暴露処理効果が不十分となり、上記上限を超えても処理効果の更なる向上はなく、使用するガスがコスト高の原因ともなる。
前記裏打ち層と前記下地層と磁気記録層と前記保護膜とが蒸着法により形成されている。蒸着法としては物理的蒸着法、化学的蒸着法（ＣＶＤ法）を挙げることができ、物理的蒸着法としてはスパッタ法、真空蒸着法を挙げることができる。即ち、前記蒸着法としては、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法を挙げることができる。スパッタ法としては、ＤＣ（直流）マグネトロンスパッタ法、ＲＦ（高周波）マグネトロンスパッタ法を挙げることができる。
複数の層を蒸着法で形成する場合、すべての層を同一の蒸着法で形成してもよく、形成する層によって異なる蒸着法を選んでもよい。即ち、蒸着法としてスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法のいずれかもしくはこれらの２以上の組み合わせを採用することができる。
複数の層を蒸着法で形成する場合、すべての層を同一の蒸着法で形成してもよく、形成する層によって異なる蒸着法を選んでもよい。即ち、蒸着法としてスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法のいずれかもしくはこれらの２以上の組み合わせを採用することができる。
次に、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法について説明する。
本発明の製造方法は、まず、非磁性基体１上に蒸着法により軟磁性裏打ち下層２、非磁性金属層３をこの順に形成し、形成された非磁性金属層３の表面を０．１〜１００ａｔ％の窒素を含む窒素含有ガスで表面暴露処理した後、その上に蒸着法により軟磁性裏打ち上層４を形成する軟磁性裏打ち層５形成工程を有する。非磁性基体１、軟磁性裏打ち下層２、非磁性金属層３、軟磁性裏打ち上層５を構成する素材は垂直磁気記録媒体の説明の項で述べたものが用いられる。
本発明の製造方法は、まず、非磁性基体１上に蒸着法により軟磁性裏打ち下層２、非磁性金属層３をこの順に形成し、形成された非磁性金属層３の表面を０．１〜１００ａｔ％の窒素を含む窒素含有ガスで表面暴露処理した後、その上に蒸着法により軟磁性裏打ち上層４を形成する軟磁性裏打ち層５形成工程を有する。非磁性基体１、軟磁性裏打ち下層２、非磁性金属層３、軟磁性裏打ち上層５を構成する素材は垂直磁気記録媒体の説明の項で述べたものが用いられる。
本製造方法において、前記裏打ち層下層の膜厚が１０〜５００ｎｍであり、前記非磁性金属層の膜厚が０．１〜５ｎｍであり、前記軟磁性裏打ち上層の膜厚が１０〜５００ｎｍであることが好ましい。その理由は垂直磁気記録媒体の説明の項で述べたとおりである。
さらに、本発明の製造方法は、こうして形成された軟磁性裏打ち層９の上に蒸着法により非磁性下地層５を形成する非磁性下地層形成工程を有する。非磁性下地層５を構成する素材は垂直磁気記録媒体の説明の項で述べたものが用いられる。
さらに、本発明の製造方法は、こうして形成された非磁性下地層５の上に蒸着法により磁気記録層６を形成する磁気記録層形成工程を有する。磁気記録層６を形成する素材は垂直磁気記録媒体の説明の項で述べたものが用いられる。
さらに、本発明の製造方法は、こうして形成された磁気記録層６の上に蒸着法により保護膜７を形成する保護層形成工程を有する。
本発明の製造方法で用いられる蒸着法は垂直磁気記録媒体の説明の項で述べたと同様である。
本発明の製造方法で用いられる蒸着法は垂直磁気記録媒体の説明の項で述べたと同様である。
本発明の製造方法においては、こうして形成された保護膜７の上に液体潤滑剤層８を設ける液体潤滑剤層形成工程を有してもよい。潤滑剤としては前述のものを用いることができ、液体潤滑剤層形成には、例えば、ディップコート法、スピンコート法を採用することができる。
以下に、本発明の垂直磁気記録媒体およびその製造方法を実験例によりさらに説明する。
［実験例１］
非磁性基体１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製、Ｎ−５ガラス基板）を用い、これを洗浄後にスパッタ装置内に導入し、Ｃｏ８５Ｚｒ１０Ｎｂ５ターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタ法によりＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち下層２を１１０ｎｍ成膜し、引き続きＲｕターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタ法によりＲｕ非磁性金属層３を０．８ｎｍ成膜した。
非磁性基体１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製、Ｎ−５ガラス基板）を用い、これを洗浄後にスパッタ装置内に導入し、Ｃｏ８５Ｚｒ１０Ｎｂ５ターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタ法によりＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち下層２を１１０ｎｍ成膜し、引き続きＲｕターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタ法によりＲｕ非磁性金属層３を０．８ｎｍ成膜した。
次に、１０ａt％窒素ガスを含有するＡｒガス（Ａｒ−１０％Ｎ２ガス）を用い、１０ｍＴｏｒｒの雰囲気下でＲｕ非磁性金属層３の表面を３秒間窒素暴露処理した。そして再び、Ｃｏ８５Ｚｒ１０Ｎｂ５ターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタ法によりＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち上層２を９０ｎｍ製膜した。次にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜７をＤＣマグネトロンスパッタ法で１０ｎｍ成膜した後、スパッタ装置から取り出した。その後、パーフルオロポリエーテルからなる２ｎｍ厚の液体潤滑層８をディップコート法により形成し、非磁性下地層と磁気記録層を有さない円板状の垂直磁気記録媒体の部分モデル体を作製した。
なお、非磁性金属層の膜厚は、軟磁性裏打ち層のＨｋの値が最大となる膜厚を選択し、窒素暴露プロセスの有無によるＨｋの増減を検証するために、比較実験例も含めて各実験例における非磁性金属層の膜厚を同じにした。
なお、非磁性金属層の膜厚は、軟磁性裏打ち層のＨｋの値が最大となる膜厚を選択し、窒素暴露プロセスの有無によるＨｋの増減を検証するために、比較実験例も含めて各実験例における非磁性金属層の膜厚を同じにした。
得られた媒体の、磁化困難軸方向（半径方向）におけるヒステリシスループを振動試料磁力計（ＶＳＭ）により測定した結果を図３に示す。軟磁性裏打ち層のＨｋ値は、これら困難軸方向のヒステリシスループにおいて、磁化が飽和した際の印加磁場の値（Ｏｅ）として求められる。実験例１の垂直磁気記録媒体のＨｋの値は７５４Ｏｅと求められた。
［実験例２］
窒素暴露プロセスにおいてＡｒ−０．１％Ｎ２ガスを用いて１０秒間暴露した以外は実験例１と同様にして、非磁性下地層と磁気記録層を有さない円板状の垂直磁気記録媒体の部分モデル体を作製した。得られた媒体を用いて実験例１と同様にしてＨｋ値を求めた。その結果を実験例１の結果とともに表１に示す。
窒素暴露プロセスにおいてＡｒ−０．１％Ｎ２ガスを用いて１０秒間暴露した以外は実験例１と同様にして、非磁性下地層と磁気記録層を有さない円板状の垂直磁気記録媒体の部分モデル体を作製した。得られた媒体を用いて実験例１と同様にしてＨｋ値を求めた。その結果を実験例１の結果とともに表１に示す。
［実験例３］
窒素暴露プロセスにおいて１００％Ｎ２ガスを用いた以外は実験例１と同様にして、非磁性下地層と磁気記録層を有さない円板状の垂直磁気記録媒体の部分モデル体を作製した。得られた媒体を用いて実験例１と同様にしてＨｋ値を求めた。その結果を実験例１の結果とともに表１に示す。
窒素暴露プロセスにおいて１００％Ｎ２ガスを用いた以外は実験例１と同様にして、非磁性下地層と磁気記録層を有さない円板状の垂直磁気記録媒体の部分モデル体を作製した。得られた媒体を用いて実験例１と同様にしてＨｋ値を求めた。その結果を実験例１の結果とともに表１に示す。
［実験例４］
窒素暴露プロセスにおいて、酸素を加えたＡｒ−１０％Ｎ２−２％Ｏ２ガスを用いた以外は実験例１と同様にして、非磁性下地層と磁気記録層を有さない円板状の垂直磁気記録媒体の部分モデル体を作製した。得られた媒体を用いて実験例１と同様にしてＨｋ値を求めた。その結果を実験例１の結果とともに表１に示す。
窒素暴露プロセスにおいて、酸素を加えたＡｒ−１０％Ｎ２−２％Ｏ２ガスを用いた以外は実験例１と同様にして、非磁性下地層と磁気記録層を有さない円板状の垂直磁気記録媒体の部分モデル体を作製した。得られた媒体を用いて実験例１と同様にしてＨｋ値を求めた。その結果を実験例１の結果とともに表１に示す。
［比較実験例１］
窒素暴露プロセスを行わない以外は実験例１と同様にして、非磁性下地層と磁気記録層を有さない円板状の垂直磁気記録媒体の部分モデル体を作製した。
得られた媒体の、磁化困難軸方向（半径方向）におけるヒステリシスループを振動試料磁力計（ＶＳＭ）により測定した結果を図２に示す。比較実験例１の垂直磁気記録媒体のＨｋの値は３９８Ｏｅと求められた。
窒素暴露プロセスを行わない以外は実験例１と同様にして、非磁性下地層と磁気記録層を有さない円板状の垂直磁気記録媒体の部分モデル体を作製した。
得られた媒体の、磁化困難軸方向（半径方向）におけるヒステリシスループを振動試料磁力計（ＶＳＭ）により測定した結果を図２に示す。比較実験例１の垂直磁気記録媒体のＨｋの値は３９８Ｏｅと求められた。
［実施例１］
実験例１と同様にして化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製、Ｎ−５ガラス基板）からなる非磁性基体１の上にＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち下層２とＲｕ非磁性金属層３を積層し、Ｒｕ非磁性金属層３の表面を窒素暴露処理した後、ＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち上層２を成膜した。こうして得られた軟磁性裏打ち層９の上にスパッタ装置内で、ＤＣマグネトロンスパッタ法により非磁性下地層５としてＴａを６ｎｍ成膜し、さらにその上に磁気記録層６としてＣｏ７７Ｃｒ９Ｐｔ１０ＳｉＯ２４を２０ｎｍ成膜し、この磁気記録層６の上に実験例１と同様にしてカーボンからなる保護膜７を形成した後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑層８を形成し、円板状の垂直磁気記録媒体を得た。得られた垂直磁気記録媒体のＳＮ比を表１に示す。
実験例１と同様にして化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製、Ｎ−５ガラス基板）からなる非磁性基体１の上にＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち下層２とＲｕ非磁性金属層３を積層し、Ｒｕ非磁性金属層３の表面を窒素暴露処理した後、ＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち上層２を成膜した。こうして得られた軟磁性裏打ち層９の上にスパッタ装置内で、ＤＣマグネトロンスパッタ法により非磁性下地層５としてＴａを６ｎｍ成膜し、さらにその上に磁気記録層６としてＣｏ７７Ｃｒ９Ｐｔ１０ＳｉＯ２４を２０ｎｍ成膜し、この磁気記録層６の上に実験例１と同様にしてカーボンからなる保護膜７を形成した後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑層８を形成し、円板状の垂直磁気記録媒体を得た。得られた垂直磁気記録媒体のＳＮ比を表１に示す。
［実施例２〜４、比較例１］
実験例１と同様にする代わりに実験例２〜４、比較実験例１と同様にする以外は実施例１と同様にして、実施例２〜４、比較例１の垂直磁気記録媒体を得た。得られたこれらの垂直磁気記録媒体のＳＮ比を表１に示す。
実験例１と同様にする代わりに実験例２〜４、比較実験例１と同様にする以外は実施例１と同様にして、実施例２〜４、比較例１の垂直磁気記録媒体を得た。得られたこれらの垂直磁気記録媒体のＳＮ比を表１に示す。
実験例１と比較実験例の比較から、窒素暴露プロセスを行うことにより約１．９倍のＨｋ向上効果が得られていることがわかる。即ち、複雑かつコスト高な方法を用いることなく、単に窒素暴露処理という簡便な方法でＨｋを高めることができることがわかった。
また、表１から、非磁性金属表面を暴露する暴露処理ガス中の窒素濃度が増加するにつれて軟磁性裏打ち層のＨｋが向上していることがわかる。例えば、１００％窒素ガスで暴露処理した実験例３の垂直磁気記録媒体のＨｋは７９１Ｏｅとなり、比較実験例のそれの約２倍であり、表１中で最も高い値を示している。なお、窒素含有ガスの暴露処理時間は０．１〜１０秒の間でＨｋの差異は認められなかった。
また、実験例４から、暴露処理用の窒素含有ガス中に酸素が含有されていても窒素によるＨｋ向上効果を示すことができることがわかった。
また、表１から、非磁性金属表面を暴露する暴露処理ガス中の窒素濃度が増加するにつれて軟磁性裏打ち層のＨｋが向上していることがわかる。例えば、１００％窒素ガスで暴露処理した実験例３の垂直磁気記録媒体のＨｋは７９１Ｏｅとなり、比較実験例のそれの約２倍であり、表１中で最も高い値を示している。なお、窒素含有ガスの暴露処理時間は０．１〜１０秒の間でＨｋの差異は認められなかった。
また、実験例４から、暴露処理用の窒素含有ガス中に酸素が含有されていても窒素によるＨｋ向上効果を示すことができることがわかった。
また、実施例１〜４、比較例１から、軟磁性裏打ち層のＨｋの値が大きいほど良好なＳＮ比が得られることが認められる。例えば、窒素暴露なしの比較例１に比べ、１００％窒素ガスを用いた実施例３では、約１．０ｄＢのＳＮ比の改善が見られる。
本発明によれば、特別な層構成を必要とすることなく、非磁性金属層の表面を窒素ガスで暴露するという簡単なプロセスでＨｋの増大を図ることができるので、コストの増大もほとんどなく、かつ大量生産にも適しており、垂直磁気記録媒体のＳＮ比向上手段として有用である。
１：非磁性基体
２：軟磁性裏打ち下層
３：非磁性金属層
４：軟磁性裏打ち上層
５：非磁性下地層
６：磁気記録層
７：保護膜
８：液体潤滑層
９：軟磁性裏打ち層
２：軟磁性裏打ち下層
３：非磁性金属層
４：軟磁性裏打ち上層
５：非磁性下地層
６：磁気記録層
７：保護膜
８：液体潤滑層
９：軟磁性裏打ち層
Claims (8)
- 非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層と非磁性下地層と磁気記録層と保護膜とが順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、前記裏打ち層と前記下地層と磁気記録層と前記保護膜とが蒸着法により形成されてなり、前記裏打ち層が軟磁性裏打ち下層と非磁性金属層と軟磁性裏打ち上層の積層体であり、前記非磁性金属層が、金属層形成後に０．１〜１００ａｔ％の窒素を含む窒素含有ガスで表面暴露処理されてなるものであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 前記蒸着法が、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法のいずれか１つもしくはそれらの２以上の組み合わせであることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記軟磁性裏打ち層下層の膜厚が１０〜５００ｎｍであり、前記非磁性金属層の膜厚が０．１〜５ｎｍであり、前記軟磁性裏打ち上層の膜厚が１０〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１または２記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記非磁性金属層が、Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｒｅのいずれかの金属又はその合金を主体とする材料からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 非磁性基体上に蒸着法により軟磁性裏打ち下層、非磁性金属層をこの順に形成し、形成された非磁性金属層の表面を０．１〜１００ａｔ％の窒素を含む窒素含有ガスで表面暴露処理した後、その上に蒸着法により軟磁性裏打ち上層を形成する軟磁性裏打ち層形成工程と、形成された軟磁性裏打ち層の上に蒸着法により非磁性下地層を形成する非磁性下地層形成工程と、形成された非磁性下地層の上に蒸着法により磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程と、形成された磁気記録層の上に蒸着法により保護膜を形成する保護膜形成工程を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記蒸着法が、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法のいずれか１つもしくはそれらの２以上の組み合わせであることを特徴とする請求項５記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記軟磁性裏打ち層下層の膜厚が１０〜５００ｎｍであり、前記非磁性金属層の膜厚が０．１〜５ｎｍであり、前記軟磁性裏打ち上層の膜厚が１０〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項５または６記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記非磁性金属層が、Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｒｅのいずれかの金属又はその合金を主体とする材料からなることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
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| US6753103B2 (en) * | 2002-10-04 | 2004-06-22 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Double layered perpendicular magnetic recording media with nanocrystalline structured FEHFN soft magnetic back layer |
| US7179549B2 (en) * | 2004-01-21 | 2007-02-20 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium having novel underlayer structure |
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