JP5955251B2 - パワー半導体モジュール - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態1について、図面を用いて以下に説明する。図1は、実施の形態1に係るパワー半導体モジュール1の断面図であり、図2は、パワー半導体モジュール1の下面図である。
次に、実施の形態2に係るパワー半導体モジュール20について説明する。図4は、実施の形態2に係るパワー半導体モジュール20の断面図であり、図5は、パワー半導体モジュール20の下面図である。なお、実施の形態2において、実施の形態1で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態3に係るパワー半導体モジュール30について説明する。図6は、実施の形態3に係るパワー半導体モジュール30の断面図であり、図7は、パワー半導体モジュール30の冷却フィン31の平面図であり、図8は、図7のVIII-VIII線断面図である。なお、実施の形態3において、実施の形態1,2で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態4に係るパワー半導体モジュール40について説明する。図9は、実施の形態4に係るパワー半導体モジュール40の断面図であり、図10は、パワー半導体モジュール40の冷却フィン41の平面図であり、図11は、図10のXI-XI線断面図である。なお、実施の形態4において、実施の形態1〜3で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態5に係るパワー半導体モジュール50について説明する。図12は、実施の形態5に係るパワー半導体モジュール50の断面図であり、図13は、パワー半導体モジュール50の平面図である。なお、実施の形態5において、実施の形態1〜4で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態6に係るパワー半導体モジュール60について説明する。図14は、実施の形態6に係るパワー半導体モジュール60の断面図であり、図15は、パワー半導体モジュール60の下面図である。なお、実施の形態6において、実施の形態1〜5で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態7について説明する。図16は、実施の形態7に係るパワー半導体モジュール50を水冷ジャケット70に搭載した状態を示す断面図であり、図17は、水冷ジャケット70の平面図であり、図18は、図17のXVIII-XVIII線断面図である。なお、実施の形態7において、実施の形態1〜6で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
Claims (9)
- ベース部と、当該ベース部に形成されたフィン部とを有する冷却フィンと、
前記冷却フィンの前記ベース部に接合された絶縁層と、
前記絶縁層において前記冷却フィンが接合された面の反対側の面に接合された導電体と、
前記導電体において前記絶縁層が接合された面の反対側の面に接合された半導体チップと、
を備え、
前記ベース部は、それぞれ幅の異なる2つのベース部により構成され、
各前記ベース部は、前記絶縁層から離れるにつれて幅が小さくなるように形成され、
前記絶縁層が接合された側のベース部の側面は、前記絶縁層から離れるにつれて細くなるテーパ状に形成された、パワー半導体モジュール。 - ベース部と、当該ベース部に形成されたフィン部とを有する冷却フィンと、
前記冷却フィンの前記ベース部に接合された絶縁層と、
前記絶縁層において前記冷却フィンが接合された面の反対側の面に接合された導電体と、
前記導電体において前記絶縁層が接合された面の反対側の面に接合された半導体チップと、
を備え、
前記ベース部は、それぞれ幅の異なる3つのベース部により構成され、
各前記ベース部は、前記絶縁層から離れるにつれて幅が小さくなるように形成された、パワー半導体モジュール。 - 前記2つまたは3つのベース部のうち、前記絶縁層から最も遠く離れた位置に形成されたベース部にフィン部が形成された、請求項1または請求項2記載のパワー半導体モジュール。
- 前記冷却フィンのうち、前記フィン部と、前記絶縁層から最も遠く離れた位置に形成されたベース部と、前記絶縁層から2番目に遠く離れた位置に形成されたベース部における前記絶縁層から最も遠く離れた位置に形成された前記ベース部が形成された面とが露出するように、前記冷却フィンと、前記絶縁層と、前記導電体と、前記半導体チップとを封止するモールド樹脂をさらに備えた、請求項1〜3のいずれか1つに記載のパワー半導体モジュール。
- 前記絶縁層は、当該絶縁層が接合されるベース部の面の一部に接合され、
当該ベース部の面の残部にディンプルが形成された、請求項1〜4のいずれか1つに記載のパワー半導体モジュール。 - 前記2つまたは3つのベース部のうち、前記絶縁層から最も遠く離れた位置に形成されたベース部を除いたベース部に貫通穴が形成された、請求項1〜5のいずれか1つに記載のパワー半導体モジュール。
- 前記絶縁層から2番目に遠く離れた位置に形成されたベース部において、前記絶縁層から最も遠く離れた位置に形成されたベース部が形成された部分の外周部に溝が形成された、請求項1〜6のいずれか1つに記載のパワー半導体モジュール。
- 前記フィン部は、水冷ジャケットの開口部に差し込み可能に形成され、
前記フィン部が水冷ジャケットの開口部に差し込まれた状態で、前記絶縁層から2番目に遠く離れた位置に形成されたベース部において、前記絶縁層から最も遠く離れた位置に形成されたベース部が形成された部分の周縁部と、前記水冷ジャケットの前記開口部の周縁部とを当接させて、前記パワー半導体モジュールが前記水冷ジャケットに固定された、請求項1〜7のいずれか1つに記載のパワー半導体モジュール。 - 前記フィン部が前記水冷ジャケットの前記開口部に差し込まれた状態で、前記絶縁層から最も遠く離れた位置に形成されたベース部の外周面が、前記開口部の内周面に当接し、
当該ベース部の厚さは、前記開口部の内周面の幅と略同じである、請求項8記載のパワー半導体モジュール。
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