JP5834758B2 - 半導体モジュール - Google Patents
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図1は、第一実施形態に係る半導体モジュール1が冷却器3に熱伝導性グリス5を介して設置されている様子を示す断面図である。図2(a)(b)(c)は、各々、半導体モジュール1の斜視図、底面図、断面図である。なお、図1と図2(a)(b)(c)は、後述の所定温度T0未満の通常温度T(T<T0)での状態を示す。
半導体モジュール1と冷却器3は、半導体素子7の発熱によって、それらの温度が変化し熱膨張又は熱収縮する。低温から高温に温度変化した場合は、半導体モジュール1及び冷却器3が体積膨張するため、冷却器3の表面3aと放熱板9の一方の面9aの間の隙間(即ちグリスの存在する空間)は狭まる。熱伝導性グリス5は、半導体モジュール1の搭載される冷却器3の表面3aから外部に流出しようとする。
図5と図6は、第二実施形態に係る半導体モジュール1が冷却器3に設置されている様子を示す断面図である。第二実施形態において、外周縁部11は、線膨張係数の異なる複数(少なくとも二つ以上)の部材で形成されている。これら複数の部材の線膨張係数は、いずれも放熱板9の線膨張係数より大きい。他の構成は、第一実施形態と同じであり、説明を省略する。
図7は、第三実施形態に係る半導体モジュール1が冷却器3に設置されている様子を示す断面図である。半導体モジュール1は、半導体素子7と、半導体素子7の上下の両側に設けられた二つの放熱板9と、二つの放熱板9の周囲に形成された外周縁部11とを備える。外周縁部11の線膨張係数は、放熱板9の線膨張係数より大きい。二つの冷却器3は、半導体モジュール1の両側に熱伝導性グリス5を介して設けられる。
3 冷却器
3a 表面
5 熱伝導性グリス
7 半導体素子
9 放熱板
9a 一方の面
11 外周縁部
11a 対向面
11b 第一の部材
11c 第二の部材
Claims (5)
- 冷却器に熱伝導性グリスを介して載置された半導体モジュールであって、
半導体素子が取り付けられ、一方の面において前記熱伝導性グリスを介して前記冷却器の表面と対向する放熱板と、
前記冷却器と対向する対向面を有し、前記放熱板の周囲に形成された外周縁部と、を備え、
前記外周縁部の前記対向面は、温度が高いほど前記冷却器に対して近接するように温度に応じて移動し、且つ、少なくとも予め定められた所定温度以上の温度で前記放熱板の前記一方の面よりも前記冷却器に対して近接することを特徴とする半導体モジュール。 - 前記外周縁部の線膨張係数は、前記放熱板の線膨張係数よりも大きく、
前記外周縁部の前記対向面は、温度上昇に伴う前記外周縁部の熱膨張によって、前記所定温度以上の温度で前記放熱板の前記一方の面よりも前記冷却器に対して近接することを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記外周縁部は、第一の部材と、前記放熱板に対して前記第一の部材よりも外側に位置する第二の部材とを備え、
前記第二の部材の線膨張係数が、前記第一の部材の線膨張係数よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記半導体素子の両側に前記放熱板が形成され、
前記半導体モジュールが前記冷却器と他の冷却器に挟み込まれて、前記半導体モジュールと各冷却器の間に熱伝導性グリスが介在することを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記外周縁部の前記対向面は、前記所定温度未満の温度で、前記放熱板の前記一方の面よりも前記冷却器から離れることを特徴とする請求項1から4のいずれか一つに記載の半導体モジュール。
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