JP5951193B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。

携帯電話機等の情報通信機器においては、中央演算処理装置（以下、ＣＰＵと呼ぶ）と液晶ディスプレイとの間のデジタル信号の伝送路としてフレキシブル配線回路（以下、ＦＰＣと呼ぶ）基板が用いられる。ＦＰＣ基板は、主として絶縁層およびその絶縁層上に形成される差動伝送路を備える。

近年、情報通信機器により伝送される情報量の増大に伴い、使用されるデジタル信号の高周波化が図られている。しかしながら、ＦＰＣ基板においては、高周波領域のデジタル信号が伝送されることにより、高調波に起因する高周波ノイズが差動伝送路から発生する場合がある。

高周波ノイズを遮断するために、差動伝送路が形成された絶縁層上に金属製のシールド層が設けられる。この場合、差動伝送路において、デジタル信号の伝送損失が大きくなる。そのため、デジタル信号の高周波化には限界がある。

一方、差動伝送路の本数を増加させることにより、ＦＰＣ基板において伝送可能な情報量を増大させることができる。この場合、ＦＰＣ基板上での差動伝送路の高密度化に伴い、差動伝送路のレイアウトの自由度が制限される。そのため、差動伝送路の長さ方向において、差動伝送路を構成する導体線路の幅および間隔が不連続になると、差動伝送路における差動インピーダンスの連続性を確保することは難しい。

特開２００２−１５８４１１号公報

特許文献１には、導体回路パターンの一部領域に重なる絶縁層の部分の厚みを、導体回路パターンの他の領域に重なる絶縁層の部分の厚みに比べて薄くすることにより導体回路パターンの一部領域の特性インピーダンスを調整することが記載されている。この場合、絶縁層の厚みを調整することにより差動伝送路における差動インピーダンスを部分的に調整し、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。しかしながら、絶縁層の厚みを調整することができない場合には、差動インピーダンスの連続性を確保することができない。そのため、差動伝送路のレイアウトの自由度が制限される。

本発明の目的は、差動伝送路の差動インピーダンスの連続性を確保しつつ差動伝送路のレイアウトの自由度を向上させることが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。

［Ａ］本発明
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１および第２の伝送線路により構成される差動伝送路と、接地導体層とを備え、接地導体層が第１の絶縁層を挟んで差動伝送路に対向するように接地導体層、第１の絶縁層および差動伝送路が積層され、差動伝送路の一部における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔は、差動伝送路の他の部分における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔よりも小さく、接地導体層は、第１および第２の導体層を含み、第１の導体層は、差動伝送路の一部および他の部分に重なるように形成され、第２の導体層は、差動伝送路の他の部分に重なりかつ一部に重ならないように形成され、第２の導体層は、第１の導体層と接触するように第１の導体層に積層され、差動伝送路の一部に重なる接地導体層の部分の厚みは、差動伝送路の他の部分に重なる接地導体層の部分の厚みよりも小さく、差動伝送路の一部における第１および第２の伝送線路の幅と差動伝送路の他の部分における第１および第２の伝送線路の幅とは互いに等しいものである。
第１の発明に係る配線回路基板においては、差動伝送路の一部における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が、差動伝送路の他の部分における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔よりも小さい。接地導体層の厚みが一定である場合、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が小さい差動伝送路の部分の差動インピーダンスは、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が大きい差動伝送路の部分の差動インピーダンスに比べて小さい。そのため、接地導体層の厚みが一定である場合には、差動伝送路の上記の一部における差動インピーダンスは、差動伝送路の上記の他の部分における差動インピーダンスよりも低い。
一方、差動インピーダンスは、差動伝送路の単位長さ当たりのインダクタンスの平方根に比例する。差動伝送路の上記の一部に重なる接地導体層の部分の厚みを、差動伝送路の上記の他の部分に重なる接地導体層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動伝送路の上記の一部におけるインダクタンスを高くすることができる。これにより、差動伝送路の上記の一部における差動インピーダンスを高くすることができる。したがって、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。
また、差動インピーダンスの連続性を確保しつつ差動伝送路の異なる部分で第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔を異ならせることができる。したがって、差動伝送路のレイアウトの自由度が向上する。
このように、差動伝送路の差動インピーダンスの連続性を確保しつつ差動伝送路のレイアウトの自由度を向上させることができる。
（２）第１の絶縁層は一面および他面を有し、差動伝送路は、第１の絶縁層の一面上に形成され、接地導体層は、第１の絶縁層の他面上に形成されてもよい。
それにより、差動伝送路がマイクロストリップラインとして機能する。差動伝送路の上記の一部に対向する接地導体層の部分の厚みを、差動伝送路の上記の他の部分に対向する接地導体層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。
（３）差動伝送路を覆うように第１の絶縁層の一面上に形成された第２の絶縁層と、第２の絶縁層を挟んで差動伝送路に対向するように第２の絶縁層上に形成されたシールド層とをさらに備え、差動伝送路の一部に重なるシールド層の部分の厚みは、差動伝送路の他の部分に重なるシールド層の部分の厚みよりも小さくてもよい。
この場合、差動伝送路の上記の一部に対向するシールド層の部分の厚みを差動伝送路の上記の他の部分に対向するシールド層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動伝送路の上記の一部における差動インピーダンスを十分に高くすることが可能となる。その結果、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。
（４）第２の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１および第２の伝送線路により構成される差動伝送路と、第２の絶縁層と、接地導体層とを備え、接地導体層が第２の絶縁層を挟んで差動伝送路に対向するように第１の絶縁層、差動伝送路、第２の絶縁層および接地導体層がこの順に積層され、差動伝送路の一部における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔は、差動伝送路の他の部分における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔よりも小さく、接地導体層は、第１および第２の導体層を含み、第１の導体層は、差動伝送路の一部および他の部分に重なるように形成され、第２の導体層は、差動伝送路の他の部分に重なりかつ一部に重ならないように形成され、第２の導体層は、第１の導体層と接触するように第１の導体層に積層され、差動伝送路の一部に重なる接地導体層の部分の厚みは、差動伝送路の他の部分に重なる接地導体層の部分の厚みよりも小さく、差動伝送路の一部における第１および第２の伝送線路の幅と差動伝送路の他の部分における第１および第２の伝送線路の幅とは互いに等しいものである。
第２の発明に係る配線回路基板においては、第１の発明に係る配線回路基板と同様に、差動伝送路の差動インピーダンスの連続性を確保しつつ差動伝送路のレイアウトの自由度を向上させることができる。
また、接地導体層を、差動伝送路から放射されるノイズを遮断するためのシールド層として用いることができる。差動伝送路の上記の一部に対向するシールド層の部分の厚みを、差動伝送路の上記の他の部分に対向するシールド層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。
（５）差動伝送路の一部に重なる接地導体層の部分の厚みは、差動伝送路を伝送する信号の周波数における接地導体層の表皮深さよりも小さくてもよい。
接地導体層が差動伝送路を伝送する信号の周波数における接地導体層の表皮深さよりも小さい範囲内にある場合、接地導体層の厚みに対する差動インピーダンスの変化率が大きくなる。これにより、差動伝送路の上記の一部に重なる接地導体層の部分の厚みを差動伝送路を伝送する信号の周波数における接地導体層の表皮深さよりも小さくすることにより、差動インピーダンスの調整可能な範囲を大きくすることができる。その結果、差動インピーダンスの連続性を容易に確保することができる。
（６）第３の発明に係る配線回路基板の製造方法は、第１および第２の導体層を含む接地導体層が第１の絶縁層を挟んで第１および第２の伝送線路により構成される差動伝送路に対向するように、接地導体層、第１の絶縁層および差動伝送路が積層された積層体を作製する工程を備え、積層体を作製する工程は、差動伝送路の一部における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が差動伝送路の他の部分における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔よりも小さくなるようにかつ差動伝送路の一部における第１および第２の伝送線路の幅と差動伝送路の他の部分における第１および第２の伝送線路の幅とが互いに等しくなるように、差動伝送路を形成する工程と、差動伝送路の一部および他の部分に重なるように第１の導体層を形成し、差動伝送路の他の部分に重なるとともに第１の導体層に接触しかつ一部に重ならないように第２の導体層を形成することにより、差動伝送路の一部に重なる接地導体層の部分の厚みが差動伝送路の他の部分に重なる接地導体層の部分の厚みよりも小さくなるように、接地導体層を形成する工程とを含むものである。
第３の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、差動伝送路の一部における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が差動伝送路の他の部分における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔よりも小さくなるように差動伝送路が形成される。
接地導体層の厚みが一定である場合、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が小さい差動伝送路の部分の差動インピーダンスは、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が大きい差動伝送路の部分の差動インピーダンスに比べて小さい。そのため、接地導体層の厚みが一定である場合には、差動伝送路の上記の一部における差動インピーダンスは、差動伝送路の上記の他の部分における差動インピーダンスよりも低い。
一方、差動インピーダンスは、差動伝送路の単位長さ当たりのインダクタンスの平方根に比例する。差動伝送路の上記の一部に重なる接地導体層の部分の厚みが差動伝送路の上記の他の部分に重なる接地導体層の部分の厚みよりも小さくなるように、接地導体層が形成される。これにより、差動伝送路の上記の一部におけるインダクタンスを高くすることができる。それにより、差動伝送路の上記の一部における差動インピーダンスを高くすることができる。したがって、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。
また、差動インピーダンスの連続性を確保しつつ差動伝送路の異なる部分で第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔を異ならせることができる。したがって、差動伝送路のレイアウトの自由度が向上する。
このように、差動伝送路の差動インピーダンスの連続性を確保しつつ差動伝送路のレイアウトの自由度を向上させることができる。
（７）第１の絶縁層は一面および他面を有し、差動伝送路を形成する工程は、差動伝送路を第１の絶縁層の一面上に形成する工程を含み、接地導体層を形成する工程は、接地導体層を第１の絶縁層の他面上に形成する工程を含んでもよい。
それにより、差動伝送路がマイクロストリップラインとして機能する。差動伝送路の上記の一部に対向する接地導体層の部分の厚みを、差動伝送路の上記の他の部分に対向する接地導体層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。
（８）配線回路基板の製造方法は、差動伝送路を覆うように第１の絶縁層の一面上に第２の絶縁層を形成する工程と、シールド層が第２の絶縁層を挟んで差動伝送路に対向するように第２の絶縁層上にシールド層を形成する工程とをさらに備え、シールド層を形成する工程は、差動伝送路の一部に重なるシールド層の部分の厚みが差動伝送路の他の部分に重なるシールド層の部分の厚みよりも小さくなるようにシールド層を形成する工程を含んでもよい。
この場合、差動伝送路の上記の一部に対向するシールド層の部分の厚みを差動伝送路の上記の他の部分に対向するシールド層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動伝送路の上記の一部における差動インピーダンスを十分に高くすることが可能となる。その結果、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。
（９）第４の発明に係る配線回路基板の製造方法は、第１および第２の導体層を含む接地導体層が第２の絶縁層を挟んで第１および第２の伝送線路により構成される差動伝送路に対向するように、第１の絶縁層、第１および第２の伝送線路、第２の絶縁層および接地導体層がこの順で積層された積層体を作製する工程を備え、積層体を作製する工程は、差動伝送路の一部における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が差動伝送路の他の部分における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔よりも小さくなるようにかつ差動伝送路の一部における第１および第２の伝送線路の幅と差動伝送路の他の部分における第１および第２の伝送線路の幅とが互いに等しくなるように、差動伝送路を形成する工程と、差動伝送路の一部および他の部分に重なるように第１の導体層を形成し、差動伝送路の他の部分に重なるとともに第１の導体層と接触しかつ一部に重ならないように第２の導体層を形成することにより、差動伝送路の一部に重なる接地導体層の部分の厚みが差動伝送路の他の部分に重なる接地導体層の部分の厚みよりも小さくなるように、接地導体層を形成する工程とを含むものである。
第４の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、第３の発明に係る配線回路基板の製造方法と同様に、差動伝送路の差動インピーダンスの連続性を確保しつつ差動伝送路のレイアウトの自由度を向上させることができる。
また、接地導体層を、差動伝送路から放射されるノイズを遮断するためのシールド層として用いることができる。差動伝送路の上記の一部に対向するシールド層の部分の厚みを、差動伝送路の上記の他の部分に対向するシールド層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。
（１０）接地導体層を形成する工程において、差動伝送路の一部に重なる接地導体層の部分の厚みを、差動伝送路を伝送する信号の周波数における接地導体層の表皮深さよりも小さくてもよい。
接地導体層が差動伝送路を伝送する信号の周波数における接地導体層の表皮深さよりも小さい範囲内にある場合、接地導体層の厚みに対する差動インピーダンスの変化率が大きくなる。これにより、差動伝送路の上記の一部に重なる接地導体層の部分の厚みを差動伝送路を伝送する信号の周波数における接地導体層の表皮深さよりも小さくすることにより、差動インピーダンスの調整可能な範囲を大きくすることができる。その結果、差動インピーダンスの連続性を容易に確保することができる。
［Ｂ］参考形態
（１）第１の参考形態に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１および第２の伝送線路により構成される差動伝送路と、第１の導体層とを備え、第１の導体層が第１の絶縁層を挟んで差動伝送路に対向するように第１の導体層、第１の絶縁層および差動伝送路が積層され、差動伝送路の一部における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔は、差動伝送路の他の部分における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔よりも小さく、差動伝送路の一部に重なる第１の導体層の部分の厚みは、差動伝送路の他の部分に重なる第１の導体層の部分の厚みよりも小さいものである。

第１の参考形態に係る配線回路基板においては、差動伝送路の一部における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が、差動伝送路の他の部分における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔よりも小さい。第１の導体層の厚みが一定である場合、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が小さい差動伝送路の部分の差動インピーダンスは、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が大きい差動伝送路の部分の差動インピーダンスに比べて小さい。そのため、第１の導体層の厚みが一定である場合には、差動伝送路の上記の一部における差動インピーダンスは、差動伝送路の上記の他の部分における差動インピーダンスよりも低い。

一方、差動インピーダンスは、差動伝送路の単位長さ当たりのインダクタンスの平方根に比例する。差動伝送路の上記の一部に重なる第１の導体層の部分の厚みを、差動伝送路の上記の他の部分に重なる第１の導体層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動伝送路の上記の一部におけるインダクタンスを高くすることができる。これにより、差動伝送路の上記の一部における差動インピーダンスを高くすることができる。したがって、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。

また、差動インピーダンスの連続性を確保しつつ差動伝送路の異なる部分で第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔を異ならせることができる。したがって、差動伝送路のレイアウトの自由度が向上する。

このように、差動伝送路の差動インピーダンスの連続性を確保しつつ差動伝送路のレイアウトの自由度を向上させることができる。

（２）第１の絶縁層は一面および他面を有し、差動伝送路は、第１の絶縁層の一面上に形成され、第１の導体層は、第１の絶縁層の他面上に形成されてもよい。

この場合、第１の導体層を接地導体層として用いることができる。それにより、差動伝送路がマイクロストリップラインとして機能する。差動伝送路の上記の一部に対向する接地導体層の部分の厚みを、差動伝送路の上記の他の部分に対向する接地導体層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。

（３）差動伝送路を覆うように第１の絶縁層の一面上に形成された第２の絶縁層と、第２の絶縁層を挟んで差動伝送路に対向するように第２の絶縁層上に形成された第２の導体層とをさらに備え、差動伝送路の一部に重なる第２の導体層の部分の厚みは、差動伝送路の他の部分に重なる第２の導体層の部分の厚みよりも小さくてもよい。

この場合、差動伝送路の上記の一部に対向する第２の導体層の部分の厚みを差動伝送路の上記の他の部分に対向する第２の導体層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動伝送路の上記の一部における差動インピーダンスを十分に高くすることが可能となる。その結果、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。

（４）配線回路基板は、一面を有する第２の絶縁層をさらに備え、差動伝送路は、第２の絶縁層の一面上に形成され、第１の絶縁層は、差動伝送路を覆うように第２の絶縁層の一面上に形成され、第１の導体層は、第１の絶縁層を挟んで差動伝送路に対向するように第１の絶縁層上に形成されてもよい。

この場合、第１の導体層を、差動伝送路から放射されるノイズを遮断するためのシールド層として用いることができる。差動伝送路の上記の一部に対向するシールド層の部分の厚みを、差動伝送路の上記の他の部分に対向するシールド層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。

（５）差動伝送路の一部に重なる第１の導体層の部分の厚みは、差動伝送路を伝送する信号の周波数における第１の導体層の表皮深さよりも小さくてもよい。

第１の導体層が差動伝送路を伝送する信号の周波数における第１の導体層の表皮深さよりも小さい範囲内にある場合、第１の導体層の厚みに対する差動インピーダンスの変化率が大きくなる。これにより、差動伝送路の上記の一部に重なる第１の導体層の部分の厚みを差動伝送路を伝送する信号の周波数における第１の導体層の表皮深さよりも小さくすることにより、差動インピーダンスの調整可能な範囲を大きくすることができる。その結果、差動インピーダンスの連続性を容易に確保することができる。

（６）第２の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、第１の導体層が第１の絶縁層を挟んで第１および第２の伝送線路により構成される差動伝送路に対向するように、第１の導体層、第１の絶縁層および差動伝送路が積層された積層体を作製する工程を備え、積層体を作製する工程は、差動伝送路の一部における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が差動伝送路の他の部分における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔よりも小さくなるように、差動伝送路を形成する工程と、差動伝送路の一部に重なる第１の導体層の部分の厚みが差動伝送路の他の部分に重なる第１の導体層の部分の厚みよりも小さくなるように、第１の導体層を形成する工程とを含むものである。

第２の参考形態に係る配線回路基板の製造方法においては、差動伝送路の一部における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が差動伝送路の他の部分における第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔よりも小さくなるように差動伝送路が形成される。

第１の導体層の厚みが一定である場合、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が小さい差動伝送路の部分の差動インピーダンスは、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が大きい差動伝送路の部分の差動インピーダンスに比べて小さい。そのため、第１の導体層の厚みが一定である場合には、差動伝送路の上記の一部における差動インピーダンスは、差動伝送路の上記の他の部分における差動インピーダンスよりも低い。

一方、差動インピーダンスは、差動伝送路の単位長さ当たりのインダクタンスの平方根に比例する。差動伝送路の上記の一部に重なる第１の導体層の部分の厚みが差動伝送路の上記の他の部分に重なる第１の導体層の部分の厚みよりも小さくなるように、第１の導体層が形成される。これにより、差動伝送路の上記の一部におけるインダクタンスを高くすることができる。それにより、差動伝送路の上記の一部における差動インピーダンスを高くすることができる。したがって、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。

また、差動インピーダンスの連続性を確保しつつ差動伝送路の異なる部分で第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔を異ならせることができる。したがって、差動伝送路のレイアウトの自由度が向上する。

このように、差動伝送路の差動インピーダンスの連続性を確保しつつ差動伝送路のレイアウトの自由度を向上させることができる。

（７）第１の絶縁層は一面および他面を有し、差動伝送路を形成する工程は、差動伝送路を第１の絶縁層の一面上に形成する工程を含み、第１の導体層を形成する工程は、第１の導体層を第１の絶縁層の他面上に形成する工程を含んでもよい。

この場合、第１の導体層を接地導体層として用いることができる。それにより、差動伝送路がマイクロストリップラインとして機能する。差動伝送路の上記の一部に対向する接地導体層の部分の厚みを、差動伝送路の上記の他の部分に対向する接地導体層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。

（８）配線回路基板の製造方法は、差動伝送路を覆うように第１の絶縁層の一面上に第２の絶縁層を形成する工程と、第２の導体層が第２の絶縁層を挟んで差動伝送路に対向するように第２の絶縁層上に第２の導体層を形成する工程とをさらに備え、第２の導体層を形成する工程は、差動伝送路の一部に重なる第２の導体層の部分の厚みが差動伝送路の他の部分に重なる第２の導体層の部分の厚みよりも小さくなるように第２の導体層を形成する工程を含んでもよい。

この場合、差動伝送路の上記の一部に対向する第２の導体層の部分の厚みを差動伝送路の上記の他の部分に対向する第２の導体層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動伝送路の上記の一部における差動インピーダンスを十分に高くすることが可能となる。その結果、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。

（９）積層体を作製する工程は、第１の絶縁層を形成する工程をさらに含み、差動伝送路を形成する工程は、一面を有する第２の絶縁層の一面上に差動伝送路を形成する工程を含み、第１の絶縁層を形成する工程は、差動伝送路を覆うように第２の絶縁層の一面上に第１の絶縁層を形成する工程を含み、第１の導体層を形成する工程は、第１の絶縁層を挟んで差動伝送路に対向するように第１の絶縁層上に第１の導体層を形成する工程を含んでもよい。

この場合、第１の導体層を、差動伝送路から放射されるノイズを遮断するためのシールド層として用いることができる。差動伝送路の上記の一部に対向するシールド層の部分の厚みを、差動伝送路の上記の他の部分に対向するシールド層の部分の厚みよりも小さくすることにより、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。

（１０）第１の導体層を形成する工程は、差動伝送路の一部に重なる第１の導体層の部分の厚みを、差動伝送路を伝送する信号の周波数における第１の導体層の表皮深さよりも小さくする工程を含んでもよい。

第１の導体層が差動伝送路を伝送する信号の周波数における第１の導体層の表皮深さよりも小さい範囲内にある場合、第１の導体層の厚みに対する差動インピーダンスの変化率が大きくなる。これにより、差動伝送路の上記の一部に重なる第１の導体層の部分の厚みを差動伝送路を伝送する信号の周波数における第１の導体層の表皮深さよりも小さくすることにより、差動インピーダンスの調整可能な範囲を大きくすることができる。その結果、差動インピーダンスの連続性を容易に確保することができる。

本発明によれば、差動伝送路の差動インピーダンスの連続性を確保しつつ差動伝送路のレイアウトの自由度を向上させることができる。

第１の実施の形態に係るＦＰＣ基板の模式的平面図である。 （ａ）は図１のＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線断面図である。 図１および図２のＦＰＣ基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 図１および図２のＦＰＣ基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 第１のシミュレーションの結果を示す図である。 第２のシミュレーションの結果を示す図である。 第３のシミュレーションの結果を示す図である。 第２の実施の形態に係るＦＰＣ基板の構成を示す断面図である。 第４のシミュレーションの結果を示す図である。 第３の実施の形態に係るＦＰＣ基板の構成を示す断面図である。 第４の実施の形態に係るＦＰＣ基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 第４の実施の形態に係るＦＰＣ基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 第５の実施の形態に係るＦＰＣ基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 第６の実施の形態に係るＦＰＣ基板を示す模式的平面図である。 第７の実施の形態に係るＦＰＣ基板を示す模式的断面図である。

本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しつつ説明する。以下では、本発明の実施の形態に係る配線回路基板として、屈曲性を有するフレキシブル配線回路基板（以下、ＦＰＣ基板と呼ぶ）の構造およびその製造方法について説明する。

［１］第１の実施の形態
（１）ＦＰＣ基板の構造
図１は第１の実施の形態に係るＦＰＣ基板の模式的平面図である。図２（ａ）は図１のＡ−Ａ線断面図であり、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線断面図である。図１および図２（ａ），（ｂ）に示すように、ＦＰＣ基板１は、主としてベース絶縁層１０、２つの差動伝送路２０、カバー絶縁層３０および接地導体層４０を有する。

ベース絶縁層１０の上面には、第１、第２、第３および第４の領域ａ１，ａ２，ａ３，ａ４が設けられている。第１の領域ａ１から第２の領域ａ２に延びるように２つの差動伝送路２０が設けられている。各差動伝送路２０は、差動信号を伝送するために用いられ、一対の伝送線路２０ａ，２０ｂにより構成される。２つの差動伝送路２０は互いに隣接するように配置されている。

２つの差動伝送路２０の長さ方向において、第２の領域ａ２の幅は第１の領域ａ１の幅よりも小さい。第２、第３および第４の領域ａ２，ａ３，ａ４は、２つの差動伝送路２０の長さ方向に直交する方向に沿って並ぶように設けられている。第２の領域ａ２は、第３および第４の領域ａ３，ａ４の間に位置する。

各伝送線路２０ａ，２０ｂの一端部および他端部には接続パッド２１，２２がそれぞれ形成されている。一対の伝送線路２０ａ，２０ｂは、一端部から他端部にかけて互いに間隔を隔てて隣り合う。ベース絶縁層１０の第１および第２の領域ａ１，ａ２上には、接続パッド２１，２２を除いて一対の伝送線路２０ａ，２０ｂを覆うようにカバー絶縁層３０が設けられる。各伝送線路２０ａ，２０ｂの接続パッド２１，２２には、電子機器等の端子が接続される。

ベース絶縁層１０の第３の領域ａ３上には、電子部品２が実装されている。ベース絶縁層１０の第４の領域ａ４上には、３本の伝送線路９０が所定のパターンで形成されている。各伝送線路９０の一端部および他端部には接続パッド９１，９２がそれぞれ形成されている。さらに、ベース絶縁層１０の第４の領域ａ４上には、接続パッド９１，９２を除いて伝送線路９０を覆うようにカバー絶縁層３０が設けられる。各伝送線路９０の接続パッド９１，９２には、電子機器等の端子が接続される。

ベース絶縁層１０の下面に、接地導体層４０が形成されている。これにより、接地導体層４０と差動伝送路２０とがベース絶縁層１０を挟んで対向する。接地導体層４０は、第２の導体層４１および金属薄膜４２を含む。

ベース絶縁層１０の上面には、第３の領域ａ３が電子部品２の実装領域を確保するために設けられ、第４の領域ａ４が差動伝送路２０以外の伝送線路９０の形成領域を確保するために設けられる。そのため、第３の領域ａ３と第４の領域ａ４との間に設けられる第２の領域ａ２では、差動伝送路２０の形成領域が制限される。

それにより、第２の領域ａ２上の一対の伝送線路２０ａ，２０ｂに直交するＦＰＣ基板１の任意の断面における一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓは、第１の領域ａ１上の一対の伝送線路２０ａ，２０ｂに直交するＦＰＣ基板１の任意の断面における一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓよりも小さく設定される。

後述する第１のシミュレーション結果に示すように、第１〜第４の領域ａ１〜ａ４において、接地導体層４０の厚みが一定に設定されている場合、一対の伝送線路２０ａ，２０ｂに直交するＦＰＣ基板１の任意の断面において、一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが小さくなると、間隔Ｓが小さい差動伝送路２０の部分の差動インピーダンスが低くなる。この場合、差動伝送路２０の差動インピーダンスの連続性を確保するために、伝送線路２０ａの幅Ｗ１および伝送線路２０ｂの幅Ｗ２を調整することが好ましい。

本例では、第２の領域ａ２上の一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが、第１の領域ａ１上の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓよりも小さい。そのため、第２の領域ａ２上の伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が第１の領域ａ１上の伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２と等しい場合には、第２の領域ａ２における差動インピーダンスが低くなる。

後述する第１のシミュレーション結果によれば、伝送線路２０ａの幅Ｗ１および伝送線路２０ｂの幅Ｗ２を小さくすることにより、第２の領域ａ２における差動インピーダンスを高くすることができる。しかしながら、一定の誤差範囲で形成可能な伝送線路２０ａ，２０ｂの寸法には限界がある。すなわち、伝送線路２０ａの幅Ｗ１および伝送線路２０ｂの幅Ｗ２の値には下限値がある。そのため、伝送線路２０ａの幅Ｗ１および伝送線路２０ｂの幅Ｗ２を小さくすることができない場合には、第２の領域ａ２における差動インピーダンスを高くすることができない。したがって、差動インピーダンスの連続性を確保することができない。

後述する第２および第３のシミュレーション結果によれば、伝送線路２０ａの幅Ｗ１、伝送線路２０ｂの幅Ｗ２、および一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが一定である場合でも、接地導体層４０の厚みを変更することにより、差動伝送路２０の差動インピーダンスを調整することが可能である。

そこで、本実施の形態では、第２領域ａ２に重なる接地導体層４０の部分の厚みｔ４２が、第１、第３および第４領域ａ１，ａ３，ａ４に重なる接地導体層４０の部分の厚みｔ４０に比べて小さくなるように設定される。これにより、第２の領域ａ２における差動伝送路２０の差動インピーダンスを、第１の領域ａ１における差動伝送路２０の差動インピーダンスと一致するように調整することができる。その結果、差動伝送路２０における差動インピーダンスの連続性が確保される。

また、接地導体層４０の厚みｔ４２が差動伝送路２０を伝送するデジタル信号の周波数における接地導体層４０の表皮深さよりも十分に小さい範囲内にある場合、接地導体層４０の厚みｔ４２に対する差動インピーダンスの変化率が大きくなる。したがって、図１および図２のＦＰＣ基板１において、第２の領域ａ２における接地導体層４０の厚みｔ４２は、差動伝送路２０を伝送するデジタル信号の周波数における接地導体層４０の表皮深さよりも小さくなるように設定することが好ましい。これにより、差動インピーダンスの調整可能な範囲を大きくすることができる。その結果、差動インピーダンスの連続性を容易に確保することができる。

上記のように、差動インピーダンスの連続性を確保しつつ第１の領域ａ１における伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓと第２の領域ａ２における伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓとを異ならせることができる。したがって、差動伝送路２０の差動インピーダンスの連続性を確保しつつ差動伝送路２０のレイアウトの自由度を向上させることができる。また、ベース絶縁層１０上の電子部品２の実装領域および３本の伝送線路９０のレイアウトの自由度が向上する。

（２）ＦＰＣ基板１の製造方法
図３および図４は、図１および図２のＦＰＣ基板１の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。図１および図２のＦＰＣ基板１は、例えばサブトラクティブ法により作製される。

図３（ａ），（ｃ）および図４（ａ），（ｃ）は、図１のＡ−Ａ線断面に相当する断面を示し、図３（ｂ），（ｄ）および図４（ｂ），（ｄ）は、図１のＢ−Ｂ線断面に相当する断面を示す。以下では、図１の第３の領域ａ３に電子部品２を実装する点および図１の第４の領域ａ４に３本の伝送線路９０を形成する点についての説明は省略する。そのため、図３および図４では、図１の電子部品２および伝送線路９０の図示を省略する。

まず、図３（ａ），（ｂ）に示すように、三層基材３を用意する。三層基材３においては、ベース絶縁層１０の上面および下面にそれぞれ第１の導体層２０ｘおよび第２の導体層４１が設けられている。

ベース絶縁層１０はポリイミドからなり、第１の導体層２０ｘおよび第２の導体層４１は銅からなる。ベース絶縁層１０の厚みｔ１０は例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以上２５μｍ以下である。第１の導体層２０ｘの厚みｔ２０は例えば３μｍ以上４０μｍ以下であり、好ましくは８μｍ以上２５μｍ以下である。同様に、第２の導体層４１の厚みｔ４１は例えば３μｍ以上４０μｍ以下であり、好ましくは８μｍ以上２５μｍ以下である。

次に、図３（ｃ），（ｄ）に示すように、通常のフォトレジスト形成工程、露光工程、現像工程およびエッチング工程により第１の導体層２０ｘをパターニングすることにより、ベース絶縁層１０の上面に２つの差動伝送路２０を形成する。各差動伝送路２０においては、一対の伝送線路２０ａ，２０ｂが隣り合う。

同様に、通常のフォトレジスト形成工程、露光工程、現像工程およびエッチング工程により第２の導体層４１をパターニングする。本例では、ベース絶縁層１０に直交する方向において、ベース絶縁層１０の第２の領域ａ２に重なる第２の導体層４１の部分が除去される。

一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２は例えば１０μｍ以上１００μｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以上７５μｍ以下である。本例では、第１の領域ａ１における伝送線路２０ａの幅Ｗ１と第２の領域ａ２における伝送線路２０ａの幅Ｗ１とは等しい。また、第１の領域ａ１における伝送線路２０ｂの幅Ｗ２と第２の領域ａ２における伝送線路２０ｂの幅Ｗ２とは等しい。一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓは例えば２０μｍ以上２００μｍ以下であり、好ましくは２０μｍ以上１００μｍ以下である。本例では、第１の領域ａ１における一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓは、第２の領域ａ２における一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓよりも大きい。

なお、図１および図２のＦＰＣ基板１において、第４の領域ａ４の３本の伝送線路９０は、上記の差動伝送路２０の形成工程で、第１の導体層２０ｘをパターニングすることにより差動伝送路２０とともにベース絶縁層１０上に形成される。

続いて、図４（ａ），（ｂ）に示すように、スパッタリング、蒸着または無電解めっき等の一般的な方法により、ベース絶縁層１０の下面、第２の導体層４１の下面、およびパターニングにより形成された第２の導体層４１の側面を覆うように金属薄膜４２を形成する。このようにして、ベース絶縁層１０の下面に第２の導体層４１および金属薄膜４２からなる接地導体層４０が形成される。

金属薄膜４２は、銅薄膜である。金属薄膜４２の厚みｔ４２は例えば０．０８μｍ以上１μｍ以下であり、好ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。

次に、図４（ｃ），（ｄ）に示すように、ベース絶縁層１０の上面上にポリイミドからなるカバー絶縁層３０を形成する。カバー絶縁層３０の厚みｔ３０は例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以上２５μｍ以下である。

上記のようにして、ＦＰＣ基板１が完成する。ベース絶縁層１０およびカバー絶縁層３０の材料としては、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の絶縁材料を用いてもよい。

第１の導体層２０ｘ、第２の導体層４１および金属薄膜４２の材料としては、銅に代えて金、ニッケルまたはアルミニウム等の他の金属を用いてもよいし、銅合金またはアルミニウム合金等の合金を用いてもよい。第２の導体層４１および金属薄膜４２は接地導体層４０を構成する。

本実施の形態では、三層基材３を用いてベース絶縁層１０の上面に差動伝送路２０を形成し、ベース絶縁層１０の下面に接地導体層４０を形成する例を説明したが、差動伝送路２０および接地導体層４０の形成方法はこれに限られない。例えば、基材として一層のベース絶縁層１０を用意し、その上面および下面にそれぞれ導体層を形成してパターニングにより差動伝送路２０および接地導体層４０を形成してもよい。

上記のように、本実施の形態では、ベース絶縁層１０の上面および下面に差動伝送路２０および接地導体層４０をサブトラクティブ法により形成する例を説明した。これに限らず、差動伝送路２０および接地導体層４０は、セミアディティブ法またはアディティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。

図１のＦＰＣ基板１においては、第３の領域ａ３に電子部品２が設けられるが、第３の領域ａ３には電子部品２の代りに他の接地導体層が設けられてもよい。

（３）各構成要素の寸法と差動伝送路の伝送特性との関係
（３−１）第１のシミュレーション
ここで、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが異なる複数種類のＦＰＣ基板１について、伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２と差動インピーダンスＺｄｉｆｆとの関係を第１のシミュレーションにより求めた。

具体的には、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが４０μｍ、５０μｍ、７５μｍおよび１００μｍである４種類のＦＰＣ基板１について、伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２と差動インピーダンスＺｄｉｆｆとの関係を求めた。伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２を１０μｍから１００μｍまでに設定した。接地導体層４０の厚みｔ４０は、１３μｍで一定とした。

第１のシミュレーションにおいて、伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２は一端部から他端部にかけて互いに等しくかつ一定に設定される。また、一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓも一端部から他端部にかけて互いに等しくかつ一定に設定される。さらに、ベース絶縁層１０を挟んで伝送線路２０ａ，２０ｂに対向する接地導体層４０の厚みｔ４０は一定に設定される。伝送線路２０ａ，２０ｂの厚みｔ２０は１３μｍであり、ベース絶縁層１０の厚みｔ１０は２５μｍである。カバー絶縁層３０の厚みｔ３０は２８μｍである。

図５は、第１のシミュレーションの結果を示す図である。図５においては、縦軸は差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆを示し、横軸は伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２を示す。

図５に示すように、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが４０μｍである場合には、伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が小さくなるほど差動インピーダンスＺｄｉｆｆが高くなり、伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が大きくなるほど差動インピーダンスＺｄｉｆｆが低くなる。

同様に、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが５０μｍ、７５μｍおよび１００μｍである場合にも、伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が小さくなるほど差動インピーダンスＺｄｉｆｆが高くなり、伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が大きくなるほど差動インピーダンスＺｄｉｆｆが低くなる。

一方、伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が一定である場合には、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが小さくなるほど差動インピーダンスＺｄｉｆｆが低くなり、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが大きくなるほど差動インピーダンスＺｄｉｆｆが高くなる。

したがって、伝送線路２０ａ，２０ｂの長さ方向において、伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が一定でかつ伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが部分的に小さくなる場合には、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが小さくなる差動伝送路２０の部分の差動インピーダンスＺｄｉｆｆが差動伝送路２０の他の部分の差動インピーダンスＺｄｉｆｆに比べて低くなることがわかる。

この場合、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが小さくなる部分の伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２を小さくすることが考えられる。これにより、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが小さくなる部分の差動インピーダンスＺｄｉｆｆを高くすることにより、伝送線路２０ａ，２０ｂの長さ方向の差動インピーダンスＺｄｉｆｆの連続性を確保することが可能となる。しかしながら、上述のように、伝送線路２０ａの幅Ｗ１および伝送線路２０ｂの幅Ｗ２の値には下限値がある。そのため、伝送線路２０ａの幅Ｗ１および伝送線路２０ｂの幅Ｗ２を小さくすることができない場合には、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの連続性を確保することができない。

（３−２）第２のシミュレーション
差動伝送路２０に伝送されるデジタル信号の周波数が高い場合（例えば、１００ＭＨｚ以上）に、差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆは、次式（１）により近似することができる。

Ｚｄｉｆｆ＝ √（Ｌ／Ｃ）・・・（１）
式（１）において、Ｌは差動伝送路２０の単位長さ当たりのインダクタンスを示し、Ｃは差動伝送路２０の単位長さ当たりのキャパシタンスを示す。

ここで、差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆと差動伝送路２０を伝送するデジタル信号の周波数との関係を第２のシミュレーションにより求めた。

具体的には、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが５０μｍ、７５μｍおよび１００μｍでありかつ接地導体層４０の厚みｔ４０が１０μｍで一定でありかつ伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が５０μｍで一定である３種類のＦＰＣ基板１について、差動インピーダンスＺｄｉｆｆとデジタル信号の周波数との関係を求めた。同様に、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが５０μｍ、７５μｍおよび１００μｍでありかつ接地導体層４０の厚みｔ４０が０．１μｍで一定でありかつ伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が５０μｍで一定である３種類のＦＰＣ基板１について、差動インピーダンスＺｄｉｆｆとデジタル信号の周波数との関係を求めた。デジタル信号の周波数を３０ＭＨｚ程度から１ＧＨｚまでの範囲に設定した。

第２のシミュレーションにおいて、伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２は一端部から他端部にかけて互いに等しくかつ一定に設定される。また、一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓも一端部から他端部にかけて互いに等しくかつ一定に設定される。さらに、ベース絶縁層１０を挟んで伝送線路２０ａ，２０ｂに対向する接地導体層４０の厚みｔ４０は一定に設定される。伝送線路２０ａ，２０ｂの厚みｔ２０は、１３μｍであり、ベース絶縁層１０の厚みｔ１０は２５μｍである。カバー絶縁層３０の厚みｔ３０は２８μｍである。

図６は、第２のシミュレーションの結果を示す図である。図６においては、縦軸は差動伝送路２０のインダクタンスＬを示し、横軸は差動伝送路２０を伝送するデジタル信号の周波数を示す。

図６に示すように、接地導体層４０の厚みｔ４０が１０μｍでありかつデジタル信号の周波数が３０ＭＨｚ程度から１ＧＨｚまでの範囲内にある場合には、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが大きいほどインダクタンスＬが高くなり、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが小さいほどインダクタンスＬが低くなることがわかる。

同様に、接地導体層４０の厚みｔ４０が０．１μｍでありかつデジタル信号の周波数が３０ＭＨｚ程度から１ＧＨｚまでの範囲内にある場合には、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが大きいほどインダクタンスＬが高くなり、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが小さいほどインダクタンスＬが低くなることがわかる。

さらに、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが５０μｍでありかつデジタル信号の周波数が３０ＭＨｚ程度から１ＧＨｚまでの範囲内にある場合には、接地導体層４０の厚みｔ４０が０．１μｍである場合のインダクタンスＬは、接地導体層４０の厚みｔ４０が１０μｍである場合のインダクタンスＬに比べて高い。

同様に、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが７５μｍおよび１００μｍでありかつデジタル信号の周波数が３０ＭＨｚ程度から１ＧＨｚまでの範囲内にある場合には、接地導体層４０の厚みｔ４０が０．１μｍである場合のインダクタンスＬは、接地導体層４０の厚みｔ４０が１０μｍである場合のインダクタンスＬに比べて高い。

第２のシミュレーション結果によれば、デジタル信号の周波数が３０ＭＨｚ程度から１ＧＨｚまでの範囲内にある場合には、接地導体層４０の厚みｔ４０を変更することにより、差動伝送路２０のインダクタンスＬが調整可能であることがわかる。これにより、上式（１）から、接地導体層４０の厚みｔ４０を変更することにより差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆを調整可能であることがわかる。

ここで、接地導体層４０の厚みｔ４０が差動伝送路２０を伝送するデジタル信号の周波数における接地導体層４０の表皮深さよりも大きいと、差動伝送路２０をデジタル信号が伝送する際に接地導体層４０に十分な渦電流が発生しやすくなる。そのため、接地導体層４０の厚みｔ４０に対する差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化率は、接地導体層４０の厚みｔ４０がデジタル信号の周波数における接地導体層４０の表皮深さよりも大きい範囲で小さくなる。

一方、接地導体層４０の厚みｔ４０が接地導体層４０の表皮深さよりも小さくなるほど、差動伝送路２０をデジタル信号が伝送する際に接地導体層４０に発生する渦電流が小さくなる。そのため、接地導体層４０の厚みｔ４０に対する差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化率は、接地導体層４０の厚みｔ４０がデジタル信号の周波数における接地導体層４０の表皮深さよりも小さくなるほど大きくなる。

上記より、接地導体層４０の厚みｔ４０をデジタル信号の周波数における接地導体層４０の表皮深さよりも十分に小さくすることが好ましい。これにより、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの調整可能な範囲を大きくすることができる。その結果、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの連続性を容易に確保することができる。

例えば、差動伝送路２０が銅でありかつ差動伝送路２０を伝送するデジタル信号の周波数が１ＧＨｚの場合、差動伝送路２０の表皮深さは２．０９μｍである。したがって、１ＧＨｚ以下の周波数のデジタル信号を差動伝送路２０に伝送する場合には、図１の第２の領域ａ２における接地導体層４０の厚みｔ４２は、０μｍよりも大きく２．０９μｍよりも十分に小さい範囲に設定することが好ましい。

（３−３）第３のシミュレーション
差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆと接地導体層４０の厚みｔ４０との関係を第３のシミュレーションにより求めた。

具体的には、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが５０μｍ、７５μｍおよび１００μｍでありかつ伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が５０μｍで一定である３種類のＦＰＣ基板１について、差動インピーダンスＺｄｉｆｆと接地導体層４０の厚みｔ４０との関係を求めた。接地導体層４０の厚みｔ４０を０．１μｍから１０μｍまでに設定した。本例では、差動伝送路２０を伝送するデジタル信号の周波数が１ＧＨｚである。そのため、接地導体層４０の表皮深さは２．０９μｍである。

第３のシミュレーションにおいて、伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２は一端部から他端部にかけて互いに等しくかつ一定に設定される。また、一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓも一端部から他端部にかけて互いに等しくかつ一定に設定される。さらに、ベース絶縁層１０を挟んで伝送線路２０ａ，２０ｂに対向する接地導体層４０の厚みｔ４０は一定に設定される。伝送線路２０ａ，２０ｂの厚みｔ２０は、１３μｍであり、ベース絶縁層１０の厚みｔ１０は２５μｍである。カバー絶縁層３０の厚みｔ３０は２８μｍである。

図７は、第３のシミュレーションの結果を示す図である。図７においては、縦軸は差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆを示し、横軸は接地導体層４０の厚みｔ４０を示す。

図７に示すように、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが５０μｍである場合には、接地導体層４０の厚みｔ４０が０．１μｍから１μｍに近づくにつれて差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆが小さくなる。接地導体層４０の厚みｔ４０が１μｍから１０μｍまでの範囲内にある場合には、差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆの値はほぼ一定になる。

同様に、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが７５μｍおよび１００μｍである場合には、接地導体層４０の厚みｔ４０が０．１μｍから１μｍに近づくにつれて差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆが小さくなる。接地導体層４０の厚みｔ４０が１μｍから１０μｍまでの範囲内にある場合には、差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆの値はほぼ一定になる。

これにより、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが一定である場合には、接地導体層４０の厚みｔ４０を表皮深さ（２．０９μｍ）よりも小さい０．１μｍから１μｍの範囲内で調整することにより、差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆを十分に調整することが可能であることが明らかとなった。

［２］第２の実施の形態
（１）ＦＰＣ基板の構成
第２の実施の形態に係るＦＰＣ基板の構成について、第１の実施の形態に係るＦＰＣ基板１と異なる点を説明する。

図８は第２の実施の形態に係るＦＰＣ基板の構成を示す断面図である。図８（ａ）は図１のＡ−Ａ線断面に相当する断面を示し、図８（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線断面に相当する断面を示す。

図８（ａ），（ｂ）に示すように、第２の実施の形態に係るＦＰＣ基板１においては、図１のカバー絶縁層３０の上面に差動伝送路２０から放射される高周波ノイズを遮断するためのシールド層が設けられる。

図８（ａ），（ｂ）に示すように、シールド層５０と差動伝送路２０とがカバー絶縁層３０を挟んで対向する。シールド層５０は、金属薄膜５１およびめっき層５２を含む。金属薄膜５１およびめっき層５２は銅からなる。金属薄膜５１の厚みは例えば０．０８μｍ以上１μｍ以下であり、好ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。めっき層５２の厚みは例えば２μｍ以上２５μｍ以下であり、好ましくは３μｍ以上２０μｍ以下である。

後述する第４のシミュレーション結果によれば、伝送線路２０ａの幅Ｗ１、伝送線路２０ｂの幅Ｗ２および一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが一定である場合、差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆは、シールド層５０の厚みが大きくなるにつれて高くなり、シールド層５０の厚みが小さくなるにつれて低くなる。

そこで、第２領域ａ２に重なるシールド層５０の部分の厚みが、第１、第３および第４領域ａ１，ａ３，ａ４に重なるシールド層５０の部分の厚みに比べて小さくなるように設定される。これにより、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの調整可能な範囲が拡大される。

すなわち、接地導体層４０の厚みｔ４０を調整しても第２の領域ａ２における差動インピーダンスＺｄｉｆｆを十分に高くすることができない場合に、第２領域ａ２に重なるシールド層５０の部分の厚みを他の部分に比べて小さくする。これにより、差動インピーダンスＺｄｉｆｆをさらに高くすることができる。その結果、差動伝送路２０における差動インピーダンスＺｄｉｆｆの連続性が確保される。

第２領域ａ２に重なるシールド層５０の部分の厚みは、デジタル信号の周波数におけるシールド層５０の表皮深さよりも十分に小さく設定することが好ましい。この場合においても、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの調整可能な範囲を大きくすることができる。その結果、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの連続性を容易に確保することができる。

本例のＦＰＣ基板１は、次のようにして作製される。図４（ｃ），（ｄ）の工程の後、スパッタリング、蒸着または無電解めっき等の一般的な方法により、カバー絶縁層３０の上面に金属薄膜５１を形成する。続いて、第２の領域ａ２に重なる部分を除く領域で、電解めっきにより金属薄膜５１上にめっき層５２を形成する。これにより、図８のＦＰＣ基板１が完成する。

本実施の形態では、金属薄膜５１およびめっき層５２の材料としては、銅に代えて金、ニッケルまたはアルミニウム等の他の金属を用いてもよいし、銅合金またはアルミニウム合金等の合金を用いてもよい。

（２）第４のシミュレーション
シールド層５０が設けられたＦＰＣ基板１について、差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆとシールド層５０の厚みとの関係を第４のシミュレーションにより求めた。

具体的には、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが５０μｍ、７５μｍおよび１００μｍでありかつ伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が４０μｍで一定である３種類のＦＰＣ基板１について、差動インピーダンスＺｄｉｆｆと接地導体層４０の厚みｔ４０との関係を求めた。シールド層５０の厚みを０．０７μｍ程度から１０μｍまでに設定した。本例では、差動伝送路２０を伝送するデジタル信号の周波数が１ＧＨｚである。そのため、シールド層５０の表皮深さは２．０９μｍである。

第４のシミュレーションにおいて、伝送線路２０ａ，２０ｂの幅Ｗ１，Ｗ２は一端部から他端部にかけて互いに等しくかつ一定に設定される。また、一対の伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓも一端部から他端部にかけて互いに等しくかつ一定に設定される。さらに、ベース絶縁層１０を挟んで伝送線路２０ａ，２０ｂに対向する接地導体層４０の厚みｔ４０は一定に設定される。また、カバー絶縁層３０を挟んで伝送線路２０ａ，２０ｂに対向するシールド層５０の厚みは一定に設定される。伝送線路２０ａ，２０ｂの厚みｔ２０は、１３μｍであり、ベース絶縁層１０の厚みｔ１０は２５μｍである。カバー絶縁層３０の厚みｔ３０は３８μｍである。

図９は、第４のシミュレーションの結果を示す図である。図９においては、縦軸は差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆを示し、横軸はシールド層５０の厚みを示す。

図９に示すように、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが５０μｍである場合には、シールド層５０の厚みが０．０７μｍ程度から１μｍに近づくにつれて差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆが小さくなる。シールド層５０の厚みが１μｍから１０μｍまでの範囲では、差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆの値はほぼ一定になる。

同様に、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが７５μｍおよび１００μｍである場合には、シールド層５０の厚みが０．０７μｍ程度から１μｍに近づくにつれて差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆが小さくなる。シールド層５０の厚みが１μｍから１０μｍまでの範囲では、差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆの値はほぼ一定になる。

これにより、伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが一定である場合には、シールド層５０の厚みを表皮深さ（２．０９μｍ）よりも小さい０．０７μｍ程度から１μｍの範囲で調整することにより、差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆを調整することが可能であることが明らかとなった。

［３］第３の実施の形態
第３の実施の形態に係るＦＰＣ基板の構成について、第２の実施の形態に係るＦＰＣ基板１と異なる点を説明する。

図１０は、第３の実施の形態に係るＦＰＣ基板の構成を示す断面図である。図１０（ａ）は図１のＡ−Ａ線断面に相当する断面を示し、図１０（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線断面に相当する断面を示す。

図１０（ａ），（ｂ）に示すように、第３の実施の形態に係るＦＰＣ基板１においては、図８のベース絶縁層１０の下面に一定の厚みｔ４０を有する第２の導体層４１が形成される。また、第２の導体層４１の下面に図８の金属薄膜４２が形成されない。

図１０に示すように、本実施の形態に係るＦＰＣ基板１において、第２領域ａ２に重なるシールド層５０の部分の厚みが、第１、第３および第４領域ａ１，ａ３，ａ４に重なるシールド層５０の部分の厚みに比べて小さくなるように設定される場合には、第１〜４の領域ａ１〜ａ４における接地導体層４０の厚みｔ４０が一定に設定されてもよい。この場合においても、差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆを調整することが可能である。したがって、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの連続性を確保することができる。

［４］第４の実施の形態
第４の実施の形態に係るＦＰＣ基板について、第１の実施の形態に係るＦＰＣ基板１と異なる点を製造方法とともに説明する。

図１１および図１２は、第４の実施の形態に係るＦＰＣ基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。図１１（ａ），（ｃ）および図１２（ａ），（ｃ）は、図１のＡ−Ａ線断面に相当する断面を示し、図１１（ｂ），（ｄ）および図１２（ｂ），（ｄ）は、図１のＢ−Ｂ線断面に相当する断面を示す。

まず、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、二層基材３Ｂを用意する。二層基材３Ｂにおいては、ベース絶縁層１０の上面に第１の導体層２０ｘが設けられている。次に、図１１（ｃ），（ｄ）に示すように、第１の導体層２０ｘをパターニングすることにより、ベース絶縁層１０の上面に２つの差動伝送路２０を形成する。

続いて、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、スパッタリング、蒸着または無電解めっき等の一般的な方法により、ベース絶縁層１０の下面を覆うように金属薄膜４２を形成する。金属薄膜４２は、銅薄膜である。金属薄膜４２の厚みｔ４２は例えば０．０８μｍ以上１μｍ以下であり、好ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。

その後、図１２（ｃ），（ｄ）に示すように、第２の領域ａ２に重なる金属薄膜４２の部分を除いて、金属薄膜４２の下面にめっき層４３を形成する。めっき層４３は銅からなる。めっき層４３の厚みは例えば２μｍ以上２５μｍ以下であり、好ましくは３μｍ以上２０μｍ以下である。

最後に、図４（ｃ），（ｄ）の工程と同様に、ベース絶縁層１０の上面上にポリイミドからなるカバー絶縁層３０を形成する。これにより、ＦＰＣ基板１が完成する。

金属薄膜４２およびめっき層４３の材料としては、銅に代えて金、ニッケルまたはアルミニウム等の他の金属を用いてもよいし、銅合金またはアルミニウム合金等の合金を用いてもよい。

［５］第５の実施の形態
第５の実施の形態に係るＦＰＣ基板について、第４の実施の形態に係るＦＰＣ基板１と異なる点を製造方法とともに説明する。

図１３は、第５の実施の形態に係るＦＰＣ基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。図１３（ａ），（ｃ）は、図１のＡ−Ａ線断面に相当する断面を示し、図１３（ｂ），（ｄ）は、図１のＢ−Ｂ線断面に相当する断面を示す。

図１１（ａ），（ｂ）の工程の後、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１０の上面に２つの差動伝送路２０を形成し、ベース絶縁層１０の下面を覆うように金属薄膜４２を形成する。金属薄膜４２は銅薄膜である。金属薄膜４２の厚みｔ４２は例えば０．０８μｍ以上１μｍ以下であり、好ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。

続いて、図１３（ｃ），（ｄ）に示すように、第２の領域ａ２に重なる金属薄膜４２の部分を除いて、金属薄膜４２の下面に導電性の接着剤層４９を形成し、接着剤層４９の下面に金属膜４４を貼り付ける。導電性の接着剤層４９としては、金属等の導電性材料の微粒子が分散されたエポキシ系樹脂を用いることができる。接着剤層４９の厚みｔ４９は例えば５μｍ以上２５μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下である。

金属膜４４は銅膜である。金属膜４４の厚みｔ４４は例えば２μｍ以上２５μｍ以下であり、好ましくは３μｍ以上２０μｍ以下である。

最後に、図４（ｃ），（ｄ）の工程と同様に、ベース絶縁層１０の上面上にポリイミドからなるカバー絶縁層３０を形成する。これにより、ＦＰＣ基板１が完成する。

金属薄膜４２および金属膜４４の材料としては、銅に代えて金、ニッケルまたはアルミニウム等の他の金属を用いてもよいし、銅合金またはアルミニウム合金等の合金を用いてもよい。

［６］第６の実施の形態
図１４は、第６の実施の形態に係るＦＰＣ基板を示す模式的平面図である。図１４に示すように、本実施の形態に係るＦＰＣ基板１においては、図１の第３および第４の領域ａ３，ａ４に相当するベース絶縁層１０の部分が存在しない。そのため、２つの差動伝送路２０の長さ方向において、ＦＰＣ基板１の幅が段階的に変化している。このような場合でも、第１および第２の領域ａ１，ａ２に重なるように設けられる接地導体層４０の厚みｔ４０を部分的に調整することにより、ベース絶縁層１０上に形成される差動伝送路２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆの連続性を確保することができる。

［７］第７の実施の形態
図１５は、第７の実施の形態に係るＦＰＣ基板を示す模式的断面図である。図１５（ａ）に伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが小さい領域におけるＦＰＣ基板１の断面が示され、図１５（ｂ）に伝送線路２０ａ，２０ｂの間隔Ｓが大きい領域におけるＦＰＣ基板１の断面が示される。

図１５（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＦＰＣ基板１においては、ベース絶縁層１０の上面および下面にそれぞれ差動伝送路２０が形成される。ベース絶縁層１０の上面および下面にそれぞれ差動伝送路２０が形成される場合には、ベース絶縁層１０を挟んで対向するように差動伝送路２０および接地導体層４０が配置される。これにより、差動伝送路２０のレイアウトの自由度がさらに向上する。

［８］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、ベース絶縁層１０が第１の絶縁層の例であり、カバー絶縁層３０が第２の絶縁層の例であり、伝送線路２０ａ，２０ｂがそれぞれ第１および第２の伝送線路の例であり、差動伝送路２０が差動伝送路の例であり、接地導体層４０が請求項１〜３，５〜８，１０の接地導体層の例であり、シールド層５０が請求項４，５，９，１０の接地導体層の例であり、シールド層５０が請求項３のシールド層の例である。金属薄膜４２が請求項１，６の第１の導体層の例であり、第２の導体層４１、めっき層４３または金属膜４４が請求項１，６の第２の導体層の例であり、金属薄膜５１が請求項４，９の第１の導体層の例であり、めっき層５２が請求項４，９の第２の導体層の例である。

また、第２の領域ａ２上に形成された差動伝送路２０の部分が差動伝送路の一部の例であり、第１の領域ａ１上に形成された差動伝送路２０の部分が差動伝送路の他の部分の例である。第２領域ａ２に重なる接地導体層４０の部分の厚みｔ４２および第２領域ａ２に重なる金属薄膜５１の部分の厚みが差動伝送路の一部に重なる接地導体層の部分の厚みの例である。

さらに、第１の領域ａ１に重なる接地導体層４０の部分の厚みｔ４０および第２領域ａ２に重なるシールド層５０の部分の厚みが差動伝送路の他の部分に重なる接地導体層の部分の厚みの例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、携帯電話等の電気機器に有効に利用することができる。

１ ＦＰＣ基板
２ 電子部品
１０ ベース絶縁層
２０ 差動伝送路
２０ａ，２０ｂ，９０ 伝送線路
２０ｘ 第１の導体層
２１，２２，９１，９２ 接続パッド
３０ カバー絶縁層
４０ 接地導体層
４１ 第２の導体層
４２，５１ 金属薄膜
４３，５２ めっき層
４４ 金属膜
４９ 接着剤層
５０ シールド層
ａ１ 第１の領域
ａ２ 第２の領域
ａ３ 第３の領域
ａ４ 第４の領域
ｔ１０，ｔ２０，ｔ３０，ｔ４０，ｔ４１，ｔ４２，ｔ４４，ｔ４９ 厚み
Ｓ 間隔
Ｗ１，Ｗ２ 幅

Claims (10)

1. 第１の絶縁層と、
   第１および第２の伝送線路により構成される差動伝送路と、
   接地導体層とを備え、
   前記接地導体層が前記第１の絶縁層を挟んで前記差動伝送路に対向するように前記接地導体層、前記第１の絶縁層および前記差動伝送路が積層され、
   前記差動伝送路の一部における前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路との間隔は、前記差動伝送路の他の部分における前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路との間隔よりも小さく、
   前記接地導体層は、第１および第２の導体層を含み、
   前記第１の導体層は、前記差動伝送路の前記一部および前記他の部分に重なるように形成され、
   前記第２の導体層は、前記差動伝送路の前記他の部分に重なりかつ前記一部に重ならないように形成され、
   前記第２の導体層は、前記第１の導体層と接触するように前記第１の導体層に積層され、
   前記差動伝送路の前記一部に重なる前記接地導体層の部分の厚みは、前記差動伝送路の前記他の部分に重なる前記接地導体層の部分の厚みよりも小さく、
   前記差動伝送路の前記一部における前記第１および第２の伝送線路の幅と前記差動伝送路の前記他の部分における前記第１および第２の伝送線路の幅とは互いに等しいことを特徴とする配線回路基板。
2. 前記第１の絶縁層は一面および他面を有し、
   前記差動伝送路は、前記第１の絶縁層の前記一面上に形成され、
   前記接地導体層は、前記第１の絶縁層の前記他面上に形成されることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
3. 前記差動伝送路を覆うように前記第１の絶縁層の前記一面上に形成された第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層を挟んで前記差動伝送路に対向するように前記第２の絶縁層上に形成されたシールド層とをさらに備え、
   前記差動伝送路の前記一部に重なる前記シールド層の部分の厚みは、前記差動伝送路の前記他の部分に重なる前記シールド層の部分の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項２記載の配線回路基板。
4. 第１の絶縁層と、
   第１および第２の伝送線路により構成される差動伝送路と、
   第２の絶縁層と、
   接地導体層とを備え、
   前記接地導体層が前記第２の絶縁層を挟んで前記差動伝送路に対向するように前記第１の絶縁層、前記差動伝送路、前記第２の絶縁層および前記接地導体層がこの順に積層され、
   前記差動伝送路の一部における前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路との間隔は、前記差動伝送路の他の部分における前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路との間隔よりも小さく、
   前記接地導体層は、第１および第２の導体層を含み、
   前記第１の導体層は、前記差動伝送路の前記一部および前記他の部分に重なるように形成され、
   前記第２の導体層は、前記差動伝送路の前記他の部分に重なりかつ前記一部に重ならないように形成され、
   前記第２の導体層は、前記第１の導体層と接触するように前記第１の導体層に積層され、
   前記差動伝送路の前記一部に重なる前記接地導体層の部分の厚みは、前記差動伝送路の前記他の部分に重なる前記接地導体層の部分の厚みよりも小さく、
   前記差動伝送路の前記一部における前記第１および第２の伝送線路の幅と前記差動伝送路の前記他の部分における前記第１および第２の伝送線路の幅とは互いに等しいことを特徴とする配線回路基板。
5. 前記差動伝送路の前記一部に重なる前記接地導体層の部分の厚みは、前記差動伝送路を伝送する信号の周波数における前記接地導体層の表皮深さよりも小さいことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
6. 第１および第２の導体層を含む接地導体層が第１の絶縁層を挟んで第１および第２の伝送線路により構成される差動伝送路に対向するように、前記接地導体層、前記第１の絶縁層および前記差動伝送路が積層された積層体を作製する工程を備え、
   前記積層体を作製する工程は、
   前記差動伝送路の一部における前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路との間隔が前記差動伝送路の他の部分における前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路との間隔よりも小さくなるようにかつ前記差動伝送路の前記一部における前記第１および第２の伝送線路の幅と前記差動伝送路の前記他の部分における前記第１および第２の伝送線路の幅とが互いに等しくなるように、前記差動伝送路を形成する工程と、
   前記差動伝送路の前記一部および前記他の部分に重なるように前記第１の導体層を形成し、前記差動伝送路の前記他の部分に重なるとともに前記第１の導体層に接触しかつ前記一部に重ならないように前記第２の導体層を形成することにより、前記差動伝送路の前記一部に重なる前記接地導体層の部分の厚みが前記差動伝送路の前記他の部分に重なる前記接地導体層の部分の厚みよりも小さくなるように、前記接地導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
7. 前記第１の絶縁層は一面および他面を有し、
   前記差動伝送路を形成する工程は、前記差動伝送路を前記第１の絶縁層の前記一面上に形成する工程を含み、
   前記接地導体層を形成する工程は、前記接地導体層を前記第１の絶縁層の前記他面上に形成する工程を含むことを特徴とする請求項６記載の配線回路基板の製造方法。
8. 前記差動伝送路を覆うように前記第１の絶縁層の前記一面上に第２の絶縁層を形成する工程と、
   シールド層が前記第２の絶縁層を挟んで前記差動伝送路に対向するように前記第２の絶縁層上に前記シールド層を形成する工程とをさらに備え、
   前記シールド層を形成する工程は、前記差動伝送路の前記一部に重なる前記シールド層の部分の厚みが前記差動伝送路の前記他の部分に重なる前記シールド層の部分の厚みよりも小さくなるように前記シールド層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
9. 第１および第２の導体層を含む接地導体層が第２の絶縁層を挟んで第１および第２の伝送線路により構成される差動伝送路に対向するように、第１の絶縁層、前記第１および第２の伝送線路、前記第２の絶縁層および前記接地導体層がこの順で積層された積層体を作製する工程を備え、
   前記積層体を作製する工程は、
   前記差動伝送路の一部における前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路との間隔が前記差動伝送路の他の部分における前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路との間隔よりも小さくなるようにかつ前記差動伝送路の前記一部における前記第１および第２の伝送線路の幅と前記差動伝送路の前記他の部分における前記第１および第２の伝送線路の幅とが互いに等しくなるように、前記差動伝送路を形成する工程と、
   前記差動伝送路の前記一部および前記他の部分に重なるように前記第１の導体層を形成し、前記差動伝送路の前記他の部分に重なるとともに前記第１の導体層と接触しかつ前記一部に重ならないように前記第２の導体層を形成することにより、前記差動伝送路の前記一部に重なる前記接地導体層の部分の厚みが前記差動伝送路の前記他の部分に重なる前記接地導体層の部分の厚みよりも小さくなるように、前記接地導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
10. 前記接地導体層を形成する工程において、前記差動伝送路の前記一部に重なる前記接地導体層の部分の厚みを、前記差動伝送路を伝送する信号の周波数における前記接地導体層の表皮深さよりも小さくすることを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。

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