JP5939947B2 - ショットキー型トランジスタの駆動回路 - Google Patents
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Description
このように、入力端子22とGaNトランジスタ21のゲートとの間に抵抗RGを接続すると、GaNトランジスタ21のブレークダウン電圧のばらつきを吸収し、GaNトランジスタ21の駆動能力を十分に引き出すことが可能になる。しかし、その場合は、抵抗RGが負荷となって信号の立ち上がりが遅くなり、スイッチング動作に遅延が発生する。
図4は、実施形態に係るショットキー型トランジスタの駆動回路を示す図である。
図7は、第2の実施形態に係るショットキー型トランジスタの駆動回路を示す図である。図7において図4と同一物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。なお、図7では図4のGaNトランジスタ21及び負荷RLの図示を省略している。
Claims (5)
- 入力信号が与えられる入力端子と、
ショットキー型トランジスタのゲートに接続される出力端子と、
第1の電源ラインと、
前記第1の電源ラインよりも電位が低い第2の電源ラインと、
前記ショットキー型トランジスタと同様に形成され、ソース及びドレインの少なくとも一方が前記第2の電源ラインに接続されたリファレンストランジスタと、
前記第1の電源ラインと前記リファレンストランジスタのゲートとの間に接続される抵抗と、
前記抵抗と前記リファレンストランジスタのゲートとの間の第1のノードに接続され、前記第1のノードと同じ又はそれよりも低い電圧を第2のノードに供給する電圧発生部と、
前記入力端子に入力される信号に応じて前記第2のノードの電圧を前記出力端子に伝達するスイッチング素子と
を有することを特徴とするショットキー型トランジスタの駆動回路。 - 前記電圧発生部がMOSトランジスタにより形成され、該MOSトランジスタのソースが前記第2の電源ラインに接続され、ドレインが前記第2のノードに接続され、ゲートが前記第1のノードに接続されていることを特徴とする請求項1に記載のショットキー型トランジスタの駆動回路。
- 前記リファレンストランジスタが、前記ショットキー型トランジスタと同一半導体チップ上に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のショットキー型トランジスタの駆動回路。
- 前記リファレンストランジスタを複数有し、それらのリファレンストランジスタが同一半導体チップ上に相互に離隔して配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のショットキー型トランジスタの駆動回路。
- 前記抵抗の抵抗値RGは、前記第1の電源ラインの電圧をVG1、前記リファレンストランジスタのブレークダウン電圧をVG2、ブレークダウンが発生したときに前記抵抗を介して前記リファレンストランジスタのゲートに流れる電流をIGとしたときに、RG=(VG1−VG2)/IGの式で与えられる値又はそれ以上の値に設定されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のショットキー型トランジスタの駆動回路。
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