JP5938589B2 - 酸化セリウム砥粒再生方法 - Google Patents
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Description
特にガラス材向け遊離砥粒研磨加工を行った場合には、使用後の研磨スラリー中には、研磨に寄与していない未使用状の砥粒と、ガラス加工屑と、ガラス加工屑が砥粒に付着した使用済み砥粒が混在している。
特許文献1には、研磨屑と砥粒を含有する使用済みの研磨スラリーに遠心力を作用させつつ、回転させる径方向の外側により強く働く電界による吸引力を用いて研磨屑を分離する方法が提案されている。
これまで酸化セリウム砥粒は安価であったため、一般的に研磨能力の低下と共に産業廃棄物として処理されてきた。
しかし、この砥粒はレアアースの一種であり、現在、世界的な情勢を受けて価格高騰並びに入手困難なため、研磨メーカーは困窮している。
そこで、使用済み酸化セリウム砥粒を高速に再生する技術並びに廉価な装置を開発することが前述の社会的背景を受けて嘱望されている。一手段として、酸化セリウム砥粒の表面に付着したガラス加工屑(Si水和物)を、洗浄剤等を用いて剥離する方法などが試みられている。
しかも、洗浄剤等を用いた再生の場合には、研磨液中に洗浄剤等が溶け込んでしまうため、更に洗浄剤自体を除去するための処理が必要となるものであった。
そして、本発明の第1の工程として、前記の前処理にて得られた使用済みスラリー中の砥粒(ガラスの加工屑であるSi水和物が砥粒周囲に付着)を、物理的接触衝突により、Si水和物を脱離させる処理操作で再生砥粒を回収することを目的とする。
続く第2の工程として、前記第1の工程にて脱離後に浮遊するSi水和物と再生砥粒とを分別させる操作を行う。即ち再生砥粒を沈降させ、浮遊するSi水和物と比重差を利用し、Si水和物の再付着を抑制し排出させる。このために沈降技術が重要である。ここで、排出するSi水和物を含む溶液の廃液処理技術も開発することを目的とする。
そして、バブリング処理の方法により、得られた回収砥粒は、研磨レートが未使用砥粒を用いた時の97%まで回復し、高い再生効果を実証することができることが確認された。
目標としては、使用済みスラリーに残存する未使用砥粒のうち、分離率50%以上/回を、多段化して80%以上の分離を達成する。
Si水和物が周囲に付着した砥粒に対し、物理的な接触衝突エネルギーを与えるための具体的な手法としては、後述する実施例にて詳述するように、高速撹拌処理、バブリング処理、超音波処理、高圧噴射について行った。
また、この第1の工程のSi水和物脱離技術においては、それぞれの接触衝突技術に用いる脱離エネルギーを最小化することにより、最適な装置スペックを決定することを次なる目的とする。
その結果、理想的なSi水和物を脱離させるための最適条件として以下のように提言された。
(ア)砥粒を接触衝突させる時に、0砥粒を正面から衝突させずに擦り合わせるように衝突させること。
(イ)Si水和物を脱離させるには、一回だけではなく複数回接触衝突させるように、回転速度及び撹拌時間を上げること。
(ウ)砥粒とSi水和物間のCe−O結合と水分子との化学反応性を挙げるため、温度を上げること。
このように、Si水和物の脱離シミュレーションから、Si水和物を脱離させるための最適条件を理論的立場から導出することに成功した。
高速撹拌処理は、撹拌機を用いて90〜1400rpmの範囲で撹拌を行い、接触衝突することにより、Si水和物の脱離を図る。
エアバブリング処理は、脱離・沈降貯槽内部に配備されたエア配管より、エアを0.1〜2.0Mpaの圧力にて噴射することにより、Si水和物の脱離を図る。ここで、槽内のエアノズル配置は、それぞれが10°〜120°の角度で配備した。エアノズル配置につきまして10°〜120°の範囲で可変とした。
高圧噴射は、スラリーを脱離・沈降貯槽内部に設けた衝突壁に向けて高圧ポンプにて10°から90°の角度にて噴射することにより、Si水和物の脱離を図る。
超音波処理は、脱離・沈降貯槽内部に超音波振動子を配備し、25kH以上、0.2kW〜1.5kWの超音波によるキャビテーションを用いてSi水和物の脱離を図る。
これらの高速撹拌処理、高圧エアを用いたバブリング処理、高圧ポンプを用いた高圧噴射、超音波を用いたキャビテーション処理では、何れも効率よくSi水和物を脱離することができたが、中でもバブリング処理、高圧噴射、超音波処理では、特に短時間で、高いSi脱離率を実現できることが確認された。
その後の後処理技術として、排出するSi水和物を含む溶液の廃液処理技術も開発することを次なる目的とする。
1)電界フィルタリング部の構成
電界フィルタリング技術は、使用済みスラリーから未使用砥粒と砥粒にSi水和物が付着した使用済み砥粒とを遠心力・重力・電界強度の傾きを用いて分離する技術である。図1にこの電界フィルタリング技術の模式図を示す。
図に示すように、質量の重い使用済み砥粒は重力の作用により内側排出口より排出される。また、質量の軽い未使用砥粒は、分離槽の自転による遠心力と、槽内に設けた傾斜により外周部に向かって増加する電界による吸引力の作用によって、外側排出口より排出する。これらの力を最適化することで良好な分離作用が発揮される電界フィルタリング技術を確立する。
図2に試作開発を行った再生実験装置(電界フィルタリング部)の全体図を示す。
本装置部は、スラリー投入部、分離処理を行う分離槽、分離槽に電界を供給するためのスリップリングシステム、分離槽を自転させる分離槽回転モーター、未使用砥粒排出口、ガラス加工屑排出口の2系統の排出口より構成され、分離槽は5.3〜267rpmの範囲で回転数が変化可能である。また、本装置は電界を用いるため、電極並びにスラリー流路には絶縁処理を施した。
図3に分離槽内部の断面図を示す。
分離槽は直径φ141mmであり、上下に電極が具備可能な構成となっている。
この電界フィルタリングにおいては、分離率は電界強度の傾斜が大きな影響を及ぼす。電界強度は上下の電極間距離に依存することから、傾斜角が異なる3種類の電極を試作開発し、最適な傾きを求める。
図4に試作した3種類の電極外観写真、並びに断面図を示す。電極には耐食性、絶縁性に配慮し、アルマイト処理を施したアルミ材を用いた。
電極(1)の傾斜角は10°、電極(2)の傾斜角は8°、電極(3)の傾斜角は5°となっており、それぞれ異なる電界強度にて実験が可能である。また、それぞれの電極には使用済み砥粒のガラス加工屑を排出するための排出穴が設けられており、分離効率を高める排出穴系の選択が可能となっている。
a)信号発生部、電圧増幅部の回路一体化
電界フィルタリング部の実用化を念頭に置くと、電界供給源となる本装置の小型化ならびに大幅な低廉化への可能性が開かれないと、大きな障害になる。(従来は高電圧供給源だけで、200万円以上する。)高い絶縁性や良好な冷却性などの機能を保持しつつ、組込ソフトウエアを実装した専用のCPU回路でカスタム化し、低周波信号発生回路を同じ基板上に形成することで小型化を図った。開発した小型高圧低周波電源回路図を図5に示す。
b)小型高圧低周波高電圧の制御方法の確立
この電界フィルタリングでは周波数を変更してフィルタリングの効果を確認するため、出力電圧ならびに周波数を制御可能な電源装置として開発する。しかし、既存の回路方式では制御が複雑になり実現性が乏しい。そこで、組込ソフトウエアを導入して、低周波信号の波形生成、最適な印加周波数の制御を行うことにより、回路を簡略化するとともに使用部品点数を低減させて最小限のハード構成により、およそ1/13の小型化に成功し、さらに軽量な電源装置を開発するに至った。開発した電界制御部を図6に示す。得られた波形を図7に示す。繰り返し方形波にて、印加周波数は0.5〜200Hzの範囲調整が可能となった。
1)電界フィルタリング予備実験
1)−1実験試料
試作開発した電界フィルタリング部を用いて、初めに分離槽回転数・印加電圧の基礎的条件を求めるため、予備実験として未使用砥粒の粒径選別実験を実施した。
本実験に用いる砥粒を決定するため、粒度分布計(島津製作所製SALD−1100)を用いて砥粒A・砥粒B・砥粒Cの3種類の未使用状態の砥粒を測定した。図8にそれぞれの測定結果を示す。この結果より、幅広い粒度分布を持ち、我々が想定する使用済みスラリーに含まれる未使用砥粒に近似可能な粒度分布を有する『砥粒B』を使用することとした。
分離予備実験条件を以下に示す。
(1)砥粒/濃度:砥粒B/5wt%
(2)分離槽回転数:40,90,120,150rpm
(3)印加電圧:(1)0kV,(2)1kV
(4)周波数:20Hz
(5)波形:矩形波
上記、印加電界条件にて、ラボ基礎実験を実施した。
評価手法としては、実施計画書では、ガラス加工屑(Si水和物の付着した砥粒)の分離評価には、白色顕微干渉計を用いた粒径把握を行う予定であったがより高精細に測定・計測を行うため、電子顕微鏡(SEM)を用いて評価した。はじめに内外の排出口から得られるスラリー排出量のバランスを評価するため、排出スラリー重量を測定する。第二に分離効果の確認手法は、2−1−1項で述べたそれぞれの排出口より得られる砥粒をSEMにて粒径比較を行った。SEMによる砥粒観察は、スラリーを乾燥させる必要がある。
図9に示すように砥粒を純水に分散させた後に乾燥させて、凝集等の変化を確認したところ、未使用状態と同様の画像が得られることから、本評価手法は適用可能であると判断した。本手法を用いて電界有無時に得られる砥粒径の比較を行う。
図10に各回転の排出口より得られたスラリー量を示す。無電界時の分離槽回転数40rpmでは未使用砥粒に加わる遠心力が弱く、スラリーの排出は確認できなかった。一方、分離槽回転数が120又は150rpmでは発生する遠心力が強いため、ガラス加工屑(Si水和物付着砥粒)排出口から多くのスラリーが排出され、未使用砥粒排出口からのスラリーは少量のしか得られなかった。分離槽回転数90rpmでは、未使用砥粒排出口とガラス加工屑排出口より同程度のスラリーが排出された。
1kVの印加電界時にて分離槽回転数40rpmでは、未使用砥粒排出口から少量ではあるが、スラリー排出が確認できた。これは電界による吸引力が作用したためであると考えられる。また、分離槽回転数120又は150rpmでは、無電界時よりも未使用砥粒排出口からのスラリー排出が顕著であり、40rpm同様、電界による吸引力が作用しやすいものと考える。分離槽回転数90rpmでは、無電界時と同様、未使用砥粒排出口とガラス加工屑排出口より排出されたスラリーは、ほぼ同等量が確認された。これより、スラリーの排出量としては90rpmが適当であることを得た。
無電界時はいずれの回転数においても各排出口より排出された。それぞれの砥粒径に大きな差は確認できず、分離効果は得られなかった。一方、1kVの電界印加時は、分離槽回転数40又は120rpmにて、砥粒粒径に差は確認できなかったが、90又は150rpmでは、未使用砥粒排出口より排出された砥粒では小径砥粒が、ガラス加工屑排出口より排出されたスラリーには大径砥粒が多く含まれていることが確認でき、良好な分離効果が得られた。
以上の結果より、各排出口から同程度のスラリー量を取得でき、良好な分離効果が得られる90rpm,1kVを基礎条件と設定し、使用済みのスラリーを用いた電界フィルタリング実験を行う。
2)−1使用済みスラリーの製作
電界フィルタリング実験で用いる使用済みスラリーは、以下の条件で研磨を行い準備した。
(1)研磨機:4way両面研磨装置
(2)加工圧:105gf/cm2
(3)回転数:40rpm
(4)工作物:BK−7
(5)試料枚数:9枚/回
(6)スラリー:砥粒B+純水
(7)スラリー濃度/使用砥粒量:5wt%/1.25kg
砥粒には予備実験同様、砥粒Bを採用し、スラリー濃度も、同様に5wt%と設定した。上記の条件にて繰り返し研磨を行い、研磨レートの低下が使用済みと定義した。図12に研磨レートの推移を示す。研磨時間が2280分経過し研磨レートが約10%低下したため、使用済みスラリーであると判断し、本砥粒を用いて分離実験を行う。
以下に使用済みスラリーの状態を示す。
(1)砥粒/濃度:砥粒B/6.8wt%(比重1.06)
(2)使用時間:2280分(38時間)
(3)工作物:BK−7
(4)pH9.3
また、電界フィルタリング実験条件を以下に示す。
(1)分離槽回転数:90rpm
(2)印加電圧:0、0.5、1.0、2.0、3.0kV
(3)周波数:20Hz
(4)波形:矩形波
分離槽の回転数は予備実験で得た90rpmと設定し、最適な電界印加条件を得るために電圧を4水準に振り、分離槽回転数との相関を評価した。フィルタリング効果の評価は、分離予備実験同様、SEM画像による評価を採用した。
図13に各条件におけるSEM画像を示す。印加電圧を2、3kVとした場合、未使用砥粒排出口から粒径の大きい砥粒が排出された。これは電界による吸引力が強くガラス加工屑も未使用砥粒排出口側に引き寄せられたためであると考える。また無電界時には、分離予備実験と同様未使用砥粒排出口から大径のガラス加工屑(Si水和物付着砥粒)が排出されており、フィルタリング効果は得られなかった。
そこで印加電圧0.5,1.0kVにした場合、未使用砥粒排出口からは小径の未使用砥粒が、内側のガラス加工屑排出口からは大径のガラス加工屑が排出されたことを確認した。
これより、0.5,1.0kVの電圧印加によって、良好な分離効果が得られた。
図14にE=1kV印加時の内側、外側から得られた砥粒の拡大画像を示す。
外側から排出された砥粒のSEM画像には粒子径の大きい砥粒は存在せず、これより90%以上の分離率を得た。また、内側より得られた砥粒は無電界時と比較すると、大きな凝集体を作っており、興味深いデータが得られた。今後の補完研究により、これらの詳細を明らかにしていく。
本装置部は、前処理工程である電界フィルタリング部にて分離されたガラス加工屑に対し、物理的な接触衝突エネルギーを与え、Si水和物の脱離除去を行う装置部である。図15にSi水和物脱離処理のイメージ図を示す。ガラス加工屑(Si水和物が付着した使用済み砥粒)に物理的なエネルギーを与えることにより、それぞれを接触衝突させる。この接触衝突により、砥粒に付着しているSi水和物は溶媒中に脱離される。更に脱離したSi水和物を除去することで砥粒の再生を実現するものである。
(1)高速撹拌処理によるSi水和物脱離実験
初めに、バブリング処理・超音波処理・高速撹拌処理による脱離手法において、もっとも衝突物理エネルギーが低いと予想される高速撹拌処理について、Si水和物脱離実験を行い、研磨実験を通して評価・比較した。ラボレベルの実験において、研究を進める上で実験試料数増加を目的として、当初予定の試料容量を2Lから500mlに変更した。
再生した砥粒は、図16に示す簡易撹拌実験装置により再生した。装置に用いた機材 を、表1に示す。また、研磨評価実験装置の概要を表2、実験研磨機を図17に示す。
砥粒の再生実験手順を図18に示す。Si水和物分離工程(1)の凝集剤添加後のpH値は、事前実験を実施して求めたものである。詳細については「迅速砥粒沈降技術の確立」で後述する。
c)実験結果
撹拌速度については、濁度を比較実験の指標として用いたその結果を図19に示す。ここで、濁度は水の濁りの程度を数値化したもので、測定値が小さいほど濁りの度合いが低いことを示す。この結果から脱離処理としては、回転速度200rpm以上が良好であることが明らかになった。ただし、実験過程において、200rpmではビーカー底面部の砥粒が十分に撹拌されていない場合もあったため、最適撹拌速度は300rpm以上とした。また、撹拌時間依存性の研磨実験結果を図20に示す。ここではバージンスラリー(未使用砥粒)の研磨レートを100としたところ、撹拌時間2分において最も研磨レートが回復することが分かった。
(1)項の脱離工程(高速撹拌処理)を洗浄と呼ぶことにすると、Si水和物の除去率は、繰り返し洗浄することで向上するものと考えられる。そこで、洗浄回数と研磨レートとの関係を調査する。
a)再生条件
砥粒にはTH−1300(中国製)を用い、バージンスラリー、使用済みスラリー、及び洗浄回数1〜3回の再生スラリーを表2と同条件で実験を実施し比較した。砥粒の再生手順は前項同様、撹拌時間2分、撹拌速度300rpm、凝集剤添加後のpH値6.2、静置時間5分とした。
b)実験結果
多段洗浄された研磨実験結果を図21に示す。洗浄回数を重ねることによってSi水和物の排出によって研磨レートが向上し、バージンスラリーに近づいていることが確認された。洗浄回数を重ねることでSi水和物を脱離排出できる知見を得た。また、また、他の衝突エネルギーによる脱離方法は本案よりも高いエネルギーが砥粒に供給されるため、ラボ実験での評価を実機レベルの評価へ移行することとした。
c)まとめ
バブリング処理、超音波処理、高圧噴射、高速撹拌処理による脱離手法において、もっとも衝突物理エネルギーが低いと予想される高速撹拌処理について、ラボレベルにおける最適な砥粒再生条件として、撹拌時間2分、撹拌速度は300rpm以上、洗浄回数3回以上が必要であることを得た。
図22に、試作開発を行ったSi水和物脱離部の全体図を示す。本装置部は主に(1)電界フィルタリング部より得られる使用済み砥粒すなわち加工屑を含むスラリーを貯液する加工屑貯槽、(2)Si水和物脱離処理並びに、その後段工程である砥粒の沈降処理を行う脱離・沈降貯槽、(3)得られた再生砥粒をストックする再生砥粒貯槽、(4)脱離したSi水和物をストックする廃液貯槽から構成されている。
各貯槽底部には、槽内の砥粒の残存を抑制するため、30°〜80°の傾斜が設けられており、槽材質は耐食性に配慮し、ステンレス材を用いた。
ガラス加工屑は加工屑貯槽より、モーターポンプによって脱離・沈降貯槽に移送され、搭載された各接触衝突手法によりSi脱離処理を行う。その後、同槽に具備されているpH連動式の薬注ポンプを用いて、pH管理方式にて沈降剤を投入し、砥粒を迅速に沈降させる。
沈降した砥粒とSi水和物が含まれる上澄み液の分離方法としては、配管中に光電センサーを具備し、透過率の差をセンシングすることにより、電動弁を切り替え、沈降砥粒は再生砥粒貯槽へ、Si水和物を含む上澄み液は廃液貯槽へ送る。
更に、再生砥粒貯槽はモーターポンプと配管されており、再度、脱離・沈降貯槽へ送液し、多段処理を行う事が可能である。
廃液貯槽は、脱離・沈降貯槽と同様に、pH連動式の薬注ポンプを搭載し、廃液処理技術の最適化実験が可能である。
各槽を接続している配管並びに給水配管には、電動弁及び給水電磁弁が具備され、脱離処理プロセスの自動運転が可能である。
図24に脱離処理沈降槽に具備されている高速撹拌方式、エアバブリング方式、高圧ポンプ方式、超音波方式を実施する各装置を示す。
高速撹拌方式は、撹拌機を用いて90〜1400rpmの範囲で撹拌を行い、接触衝突を実現する。
エアバブリング方式は、脱離・沈降貯槽内部に配備されたエア配管より、0.5Mpaの圧力にてエアを噴射する。ここで、砥粒同士が擦り合わされるように接触することが有効であるという東北大学のシミュレーション結果を踏まえ、槽内のエアノズル配置はそれぞれが対向する形で配備した。
高圧ポンプ方式は、スラリーを脱離・沈降貯槽内部に設けた衝突壁に向けて高圧噴射し、Siの脱離を図った。
超音波方式は、脱離・沈降貯槽内部に超音波振動子を配備し、超音波によるキャビテーションを用いて脱離を図った。
本研究に於いては脱離効果が高く且つ安価な手法を確立する必要があるため、実験により、これらより最適な方式を決定する。
1)Si水和物脱離部における脱離実験条件
開発したSi水和物脱離部を用いて、最適な接触衝突手法を決定するため、前述のラボレベルにおける脱離実験結果と前述のSi水和物の脱離メカニズムの解明から得られたシミュレーション結果を基に、脱離処理実験を行った。
脱離処理実験には、電界フィルタリング技術最適化実験において得られた使用済み砥粒すなわちガラス加工屑を含むスラリーを用いた。以下に脱離実験で用いる使用済みスラリーの状態を示す。
(1)砥粒:砥粒B
(2)濃度:約6.8wt%(比重1.060)
(3)スラリー量:1.192L
(4)使用時間:2280分(38時間)
(5)pH:9.3
(1)接触衝突手法:
・参考例1;高速撹拌(1200rpm)
・実施例1;エアバブリング(0.5Mpa)
エアノズル配置につきまして10°〜120°の範囲で可変とした。
・参考例2;高圧ポンプを用いたスラリー噴射による衝突
衝突壁に向けて10°から90°の角度にて噴射した。
・参考例3;超音波振動子によるキャビテーション
25kH以上、0.2kW〜1.5kWにて実施した。
(2)脱離処理時間:2min(前述のラボレベルにおける脱離実験結果より設定)
(3)沈降剤:凝集剤A
(4)処理段数:1段
なお、脱離処理時間、沈降剤条件は前述のラボレベルにおける脱離実験より設定した。
得られた再生砥粒の評価は、電界フィルタリング実験同様、SEM画像による砥粒形状
評価並びに再生砥粒を用いた研磨評価を採用した。
図25に各接触衝突手法で得られた再生砥粒のSEM画像を示す。
参考例1;高速撹拌を用いて得られた再生砥粒には、凝集状態の大径砥粒が多く含まれていることを確認した。一方、実施例1;エアバブリング、参考例3;超音波加振によるキャビテーション、参考例2;高圧ポンプによる噴射衝突を用いて得られた再生砥粒は、小径の砥粒が多く含まれていることを確認した。
Siの残存量については、当初、ICP MS(誘導プラズマ質量分析装置)にて評価を行う予定であったが、装置内のフィルターで情報が閉ざされる心配があり、十分な評価できなかった。そこで、エネルギー分散型X線分析(EDX)によって評価を行った。その測定例を図26に、Si残存量を図27に示す。いずれの手法もガラスの主成分SiO2に起因するSiが残存していた。これらの結果より、高速撹拌を除く接触衝突手法において良好なSiの脱離が行われた可能性があるが、沈降・分離工程にはまだ検討の余地があることが示唆される。
未使用砥粒の研磨レートを100%としたとき、使用済み砥粒の研磨レートは65%まで低下した。そこで、参考例1;高速撹拌により得られた再生砥粒を用いた研磨実験によって、研磨レートは77%まで回復した。したがって、明らかな砥粒の再生効果が確認された。
更に実施例1;高圧エアを用いたバブリング、参考例2;高圧噴射による衝突、参考例3;超音波振動子によるキャビテーションの3つの接触衝突手法により得られた再生砥粒を用いた研磨実験によって、研磨レートは未使用砥粒を用いた時の97%まで回復し、高い再生効果を実証することができた。
このとき使用済み砥粒が提供する研磨レートの低下率は35%に対し、再生による研磨レートの回復率のパーセンテージをSi脱離率と定義し、91%を達成した。
また、高い再生効果を得た上記3つの手法の内、研磨レートを勘案すると、最も安価な、実施例1;バブリング方式が最適な脱離手法であることを得た。
ラボレベルにおける脱離実験結果を基に、Si水和物脱離部の試作開発を行った。また、Si水和物の脱離メカニズムのシミュレーション結果を基に、Si水和物脱離部の各接触衝突手法を用いて脱離処理実験を行った。
実験結果より、参考例1;高速撹拌方式、実施例1;高圧エアを用いたバブリング方式、参考例2;高圧ポンプを用いたスラリー高圧噴射方式、参考例3;超音波を用いたキャビテーション方式の全ての方式で、砥粒の再生効果が確認された。しかも、実施例1、参考例2及び参考例3では、91%のSi脱離率を実現でき、目標である脱離率30%以上を達成し、高い再生効果を得た。
1)Si水和物脱離実験による再生砥粒研磨実験
前述のように実験した通り、開発した砥粒再生装置によって再生した砥粒について、参考例1;撹拌プロセス、実施例1;バブリング、参考例2;高圧噴射、参考例3;超音波
分散の4種類の再生プロセスによる研磨レートを図28のように得た。
図29に示す白色顕微干渉計(ZYGO社製NewView6300)を用い、再生スラリーによる研磨表面品位を、未使用スラリー、使用済みスラリーと比較した。
その結果を図30に示す。
未使用スラリーの研磨品位はRa値で0.741nmだったのものが、38時間使用済みスラリーでは0.840nmと悪化し、傷も増えていた。
これに対し、参考例1;撹拌プロセスでは粗さは0.839nmと回復せず不十分であることが分かった。また、研磨レートが回復した実施例1;バブリングプロセスでは、Raは0.744nmと未使用スラリー並みに向上したが、細かい傷が確認できた。参考例2;高圧噴射プロセスでは、Raも向上し、傷の発生も抑えられている事がわかった。実施例1;バブリングプロセスでも未使用スラリー並みの粗さは得られたが、傷まで含めた十分な再生には実施例1;高圧噴射が必要であると考えられる。
開発した砥粒再生装置によって再生した砥粒について、参考例1;撹拌プロセス、実施例1;バブリング、参考例2;高圧噴射、参考例3;超音波分散の4種類の再生プロセスによる研磨実験を通して評価を行った。その結果、研磨レート、表面粗さによる評価によって、再生プロセスを比較したところ、参考例1;撹拌プロセスはレート、粗さともに不十分で、実施例1;バブリングプロセス以上の物理衝突エネルギーによる再生が必要であることがわかった。
脱離処理後のスラリー液中に含まれるSiを効率的に排出除去するためには迅速に砥粒を沈降させる必要がある。基礎実験においては沈降に1時間を要したが、沈降技術の最適化を図り沈降時間30分以内を目指す。沈降技術として、スラリーを撹拌しながら凝集剤を投与する。比重の大きい砥粒を迅速に沈降させ、溶液中に脱離後浮遊しているSi水和物を速やかに排出することにより再付着を防止する。再分散性が良好で且つ研磨特性に悪影響を与えない凝集剤の選択を行い、沈降技術最適化実験を行う。
1)凝集剤添加による分離工程概要
脱離したSi水和物の分離工程についての概要図を図31に示す。砥粒の迅速沈降には、脱離したSi水和物を効率良く分離可能な凝集剤添加が必要である。砥粒には凝集しやすいpH値、すなわち等電位点が存在し、凝集剤の過剰添加、または不足した場合は迅速沈降の妨げになると考えられる。したがって、凝集剤添加後の砥粒は、スラリー静置後の上澄み液中に含まれる砥粒量が少ない、すなわち上澄み液の濁度が小さくなるほど沈降速度が速いと考えられる。実験例を図32に示す。凝集剤を用いて実験を実施し、添加量と沈降特性について調査した。
2)実験条件
図16の攪拌実験装置を用い、砥粒はMIREK E−40、攪拌条件及び砥粒静置時間を一定にした条件の基で実験を実施し、上澄み液の濁度により比較する。手順を図33に示す。
実験は7種類の使用済みスラリーについて実施した。各スラリーについて上澄み液の濁度が最小値となったpH値、及びその時の凝集剤添加量に着目し、それぞれ最適凝集剤添加量及び最適pH値とした。結果を表5に示す。この結果から、すべての使用済みスラリーを最適沈降速度とする最適pH値は6.0近傍となった。また、pH値と最適凝集剤添加量の関係を図34に示す。
1)実験概要
使用済みスラリーは、繰り返し研磨によって液中に加工屑が増えると、粘度の高い沈殿物が生成される場合がある。これより、研磨砥粒が液中に充分行き渡らなくなり、研磨レートの低下を招くおそれがある。そこで、使用済み砥粒と再生砥粒の再分散性を比較する実験を実施した。
2)実験手順および結果
MIREK E−21の使用済みスラリー及び再生スラリーを200gずつ用いて実験を実施した。実験手順を図35に示す。実験写真を図36、実験結果を図37に示す。最適pH値で再生した砥粒の再分散性は極めて良好であると考えられる。実機レベルでの再分散性に関する適用実験は、補完研究として継続して追及する。
実機レベルにて適用実験した結果については、〔実用化レベルのSi水和物脱離技術の最適化〕内の図18の砥粒再生手順の工程にあるように5分間での沈降が達成され、目標30分以内を達成した。
脱離処理後のスラリー液中に含まれるSiを効率的に排出除去するために、凝集剤を投与して迅速に砥粒を沈降させる沈降技術の最適化を図った。その結果、最適凝集剤添加量は使用済みスラリーのpH値に依存し、指数関数曲線を描いた。また、最適pH値については、pH6.0近傍であることが分かった。実機レベルにて適用実験した結果6分間での沈降が達成され、目標30分以内を達成した。
(イ)目的と目標
得られた再生砥粒の研磨レートを向上させるためには、pH、砥粒個体濃度を調整する必要がある。よってpH調整剤の添加量の最適化を図り、pH最適値±0.5以内を目指す。また、本研究にて開発する再生処理プロセスには化学的処理が含まれる。従って、再生により発生した廃液の処理においては関係法令等を遵守した処理方法の確立が必須である。BOD排出基準は国160mg/L、秋田県条例30mg/Lであり、この基準値の達成を可能とする処理技術を確立する。具体的には廃液に対して凝集剤の添加を行い、これより廃棄物と水に分別する。有限会社さとう技研は凝集実験による添加量の最適化並びにBOD測定評価を行う。
使用済みスラリーの再生プロセスはpH 6.0付近で砥粒を沈降させ、上澄み液排出後に新しい水を投入する。したがって、再生スラリーのpH値はpH 6.0〜7.0付近となり、バージンスラリーと同等の値をとることがわかった。これより、pH調整剤は不要であると考えられる。
1)実験概要
再生過程で発生した廃液の処理には、図38に示す凝集剤を用いて、水と廃棄物に分別する。処理前の廃液と処理後の水について実験を実施し、BOD値を比較する。廃液処理には図19の凝集剤とpH値調整用の苛性ソーダを用いた。実験手順を図39に示す。
2)実験結果とまとめ
実験結果を図40に示す。廃液処理後のBOD値は、処理前の34.1mg/Lから3.5mg/Lに低下し、事業目標である秋田県条例30mg/L以下を達成した。
使用済みスラリーの再生プロセスはpH6.0付近で砥粒を沈降させ、上澄み液排出後に新しい水を投入する。したがって、再生スラリーのpH値はpH6.0〜7.0付近となり、バージンスラリーと同等の値をとることがわかった。これより、pH調整剤は不要であると考えられる。また、廃液処理プロセスを検討した結果、BOD値は、処理前の34.1mg/Lから3.5mg/Lに低下し、事業目標である秋田県条例30mg/L以下を達成した。
Claims (3)
- 使用済み酸化セリウム砥粒の表面にSi水和物が付着している汚損砥粒を含む脱離・沈降貯槽内部に配備された環状のエア配管に、対向する一対のエアノズルが複数配置され、一対の前記エアノズルからエアを噴射し、バブリングにより、砥粒同士が擦り合わされるように接触又は衝突させる第1の工程と、該第1の工程にて脱離後に浮遊するSi水和物と再生砥粒とを分別させる第2の工程と、からなることを特徴とする酸化セリウム砥粒再生方法。
- 前処理として、研磨屑と酸化セリウム砥粒を含有する使用済みの研磨スラリーを分離筒に収容した状態で、軸を中心に回転させて径方向に遠心力を作用させつつ、軸方向の上下に電極を臨ませると共に径方向の内側より外側での配設間隔を狭めた状態で電界を作用させる処理を施すことにより、径方向の内側に設けた排出口から研磨屑や使用済み酸化セリウム砥粒と研磨屑の結合物を分離し、径方向の外側に設けた回収口から酸化セリウム砥粒を回収した後、請求項1に記載の再生方法を実施することを特徴とする酸化セリウム砥粒再生方法。
- 請求項1又は請求項2に記載の再生方法を実施した後、後処理として、凝集剤を投入して砥粒を凝集沈降させ、Si水和物を含む上澄み液と分離するか、或いは遠心分離により砥粒とSi水和物とを分離して、再生砥粒を回収し、Si水和物を含む上澄み液を廃棄することを特徴とする酸化セリウム砥粒再生方法。
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