JP5936247B2 - トンネル電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
2:ソース領域
3:ドレイン領域
4:チャネル領域
5:ソース−チャネル・ゲート電極
5’:ソース−チャネル界面
6:ドレイン−チャネル・ゲート電極
6’:ドレイン−チャネル界面
5”、6”:絶縁体
7:距離
8:プルダウン回路
Claims (14)
- トンネル電界効果トランジスタであって、
対応するソース半導体材料を含む少なくともソース領域と、対応するドレイン半導体材料を含む少なくともドレイン領域と、対応するチャネル半導体材料を含み、かつ、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に配置された少なくともチャネル領域とを含み、
少なくとも前記ソース領域と前記チャネル領域間の界面上に設けられた少なくともソース−チャネル・ゲート電極と、
前記ソース−チャネル・ゲート電極と、少なくとも前記ソース領域と前記チャネル領域間の前記界面との間に設けられた、前記ソース−チャネル・ゲート電極に対応する少なくとも絶縁体と、
少なくとも前記ドレイン領域と前記チャネル領域間の界面上に設けられた少なくともドレイン−チャネル・ゲート電極と、
前記ドレイン−チャネル・ゲート電極と少なくとも前記ドレイン領域と前記チャネル領域間の前記界面との間に設けられた、前記ドレイン−チャネル・ゲート電極に対応する少なくとも絶縁体と、
をさらに含み、
前記ソース−チャネル・ゲート電極は、前記ソース領域と前記チャネル領域間の前記界面に形成されたトンネル接合部間に流れるトンネル電流を制御するように構成可能であり、前記ドレイン−チャネル・ゲート電極は、前記ドレイン領域と前記チャネル領域間の前記界面に形成されたトンネル接合部間に流れるトンネル電流を制御するように構成可能である、トンネル電界効果トランジスタ。 - XNOR論理ゲート及びXOR論理ゲートのうちの一方を実装するように構成可能な、請求項1に記載のトンネル電界効果トランジスタ。
- 前記ソース−チャネル・ゲート電極と前記ドレイン−チャネル・ゲート電極との間の距離は、前記トンネル電界効果トランジスタがオンモード及びオフモードのうちの一方で動作可能であるように選択される、請求項1又は請求項2に記載のトンネル電界効果トランジスタ。
- 前記ソース−チャネル・ゲート電極と前記ドレイン−チャネル・ゲート電極との間の前記距離は、10nm−100nmの範囲になるように選択される、請求項3に記載のトンネル電界効果トランジスタ。
- 平坦な膜、垂直起立二次元層、ナノワイヤの幾何学的形状及び管状構成のうちの1つで実装される、前記請求項のいずれかに記載のトンネル電界効果トランジスタ。
- 前記ソース半導体材料は、少なくとも前記ドレイン半導体材料とは異なるように選択される、前記請求項のいずれかに記載のトンネル電界効果トランジスタ。
- 前記ソース半導体材料、前記チャネル半導体材料、及び前記ドレイン半導体材料は、同じであるように選択される、請求項1から請求項6までのいずれかに記載のトンネル電界効果トランジスタ。
- 前記ソース半導体材料、前記チャネル半導体材料、及び前記ドレイン半導体材料は、互いに異なるように選択される、請求項1から請求項5までのいずれかに記載のトンネル電界効果トランジスタ。
- 前記ソース半導体材料及び前記ドレイン半導体材料のそれぞれのドーピング・プロファイルは、前記ソース領域と前記チャネル領域間の前記界面、及び、前記ドレイン領域と前記チャネル領域間の前記界面において確立されるそれぞれの電界の操作を容易にするように選択される、前記請求項のいずれかに記載のトンネル電界効果トランジスタ。
- 前記ソース領域と前記チャネル領域間の前記界面及び/又は前記ドレイン領域と前記チャネル領域間の前記界面に歪みを印加するように構成可能な歪みアプリケータをさらに含む、前記請求項のいずれかに記載のトンネル電界効果トランジスタ。
- トンネル電界効果トランジスタを製造するための方法であって、
対応するソース半導体材料を含む少なくともソース領域を準備するステップと、
対応するドレイン半導体材料を含む少なくともドレイン領域を準備するステップと、
対応するチャネル半導体材料を含み、かつ、前記ソース領域と前記ドレイン領域間に配置された少なくともチャネル領域を準備するステップと、
を含み、
少なくとも前記ソース領域と前記チャネル領域間の界面上に少なくともソース−チャネル・ゲート電極を設けるステップと、
前記ソース−チャネル・ゲート電極と少なくとも前記ソース領域と前記チャネル領域間
の前記界面との間に、前記ソース−チャネル・ゲート電極に対応する少なくとも絶縁体を設けるステップと、
少なくとも前記ドレイン領域と前記チャネル領域間の界面上に少なくともドレイン−チャネル・ゲート電極を設けるステップと、
前記ドレイン−チャネル・ゲート電極と少なくとも前記ドレイン領域と前記チャネル領域間の前記界面との間に、前記ドレイン−チャネル・ゲート電極に対応する少なくとも絶縁体を設けるステップと、
をさらに含み、
前記ソース領域と前記チャネル領域間の前記界面に形成されたトンネル接合部間に流れるトンネル電流を制御するように、前記ソース−チャネル・ゲート電極を構成するステップと、前記ドレイン領域と前記チャネル領域間の前記界面に形成されたトンネル接合部間に流れるトンネル電流を制御するように、前記ドレイン−チャネル・ゲート電極を構成するステップとを含む方法。 - XNOR論理ゲート及びXOR論理ゲートのうちの一方を実装するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 前記ソース−チャネル・ゲート電極と前記ドレイン−チャネル・ゲート電極との間の距離を、前記トンネル電界効果トランジスタがオンモード及びオフモードのうちの一方で動作可能であるように選択するステップをさらに含む、請求項11又は請求項12のいずれかに記載の方法。
- 前記ソース−チャネル・ゲート電極と前記ドレイン−チャネル・ゲート電極との間の前記距離は、10nm−100nmの範囲になるように選択される、請求項13に記載の方法。
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