JP5900610B2 - 半導体装置および半導体装置用冷却器 - Google Patents
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Description
特許文献1には、フィンを収容する冷却部と、冷却部の短辺方向に徐々に縮小し、長辺方向に徐々に拡大する断面流路形状を有する部分構造部と、冷却部の短辺から徐々に拡大し、長辺から徐々に縮小する断面流路形状を有する部分構造部とからなる流路を備える冷却システムが開示されている。また、特許文献2には、多数の微細な流路からなる並列流路と、この並列流路における各流路へ冷媒を分配する第1のヘッダーと、並列流路から流出した冷媒が合流する第2のヘッダーとを有する冷却器が開示されている。また、特許文献3には、冷却液路の底面を形成する底部品の上面に上流部上り傾斜面および下流部下り傾斜面からなる隆起部を有する冷却装置が開示されている。また、特許文献4には、ヒートシンクの開口部の底面に流路断面積を滑らかに縮小させるスペーサを設けたパワーモジュール冷却部が開示されている。また、特許文献5には、ピン状フィンの先端とのクリアランスが流入口の側で大きく、流出口の側で小さくなるように流路カバーが構成された半導体冷却装置が開示されている。さらに、特許文献6には、冷媒の流入口側の高さが冷媒の流出口側の高さよりも低くなるように伝熱フィンが形成されている冷却装置が開示されている。
そこで、本発明の目的は、前記の課題を解決して、半導体装置が小型・高出力であっても、圧力損失が小さく、大きなポンプを使わなくても冷却性能を維持できるとともに、複数のパワー半導体チップを均等に冷却することができる半導体装置、およびこの半導体装置に用いる冷却器を提供することにある。
図1、図2(a)に示すように、半導体装置1は、パワー半導体チップ31が搭載された半導体モジュール30と、パワー半導体チップ31を冷却するための冷却器50とを備えている。
外囲ケース32は、O字形状または額縁形状で、かつ外形が略直方体形状の樹脂製のケースである。外囲ケース32は3枚の絶縁基板33を内装している。樹脂は例えばポリフェニレンサルファイドである。外囲ケース32の額縁部分の一辺には、主端子(U)34−1、主端子(V)34−2および主端子(W)34−3が設けられ、額縁部分の他の一辺には、電源端子(P)35−1および電源端子(N)35−2が設けられている。主端子(U)34−1、主端子(V)34−2および主端子(W)34−3は、パワー半導体チップ31のスイッチング制御により、例えば外部のモータを駆動させるための端子である。電源端子(P)35−1および電源端子(N)35−2は、外部から電源の供給を受ける端子である。
また、外囲ケース32の内部空間には、例えばシリコーンゲル、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂の封止材32eが充填されている。また、外囲ケース32の開口段差面32bは、樹脂製の蓋板32cが図示しない接着剤で固着され、閉蓋されている。また、開口部37は、外囲ケース32を後述する冷却器等にボルトで固定するために設けられている。
少なくとも2枚の絶縁基板33が、冷却部51の長手方向に沿って、冷媒導入部52側から順に並列するように、放熱ベース上に接合している。図3(a)では、同じ外形、大きさを有する、3枚の絶縁基板33−1、33−2、33−3が、冷媒導入部52側から冷媒排出部53へ向かう方向に沿って、隣り合って並列するように配置されている。
第1ヘッダー部54は、冷媒導入部52から冷却器50に導入される冷媒が冷却フィン41の側面に向かって均等に広がるよう傾斜した側壁を備え、断面積が徐々に大きくなる拡大部と、冷却フィン41の一端部を収容し、冷却フィン41内に冷媒を送り込むための傾斜面を備え、断面積が徐々に小さくなる縮小部とを有する。
図6(a)は、第1ヘッダー部54の底面と、冷却フィン41の底面に略平行な面56との境界57に現れる頂部(交線)が真っ直ぐ(I字状)である例を示している。冷却フィン41の底面に略平行な面56は、第1ヘッダー部54の底面と第2ヘッダー部55の底面の間に挟まれ、それぞれに連なっている。図6(b)〜(d)は、図6(a)の境界57の中央部を冷媒排出部53側に向かって、C字状に曲げた例である。いずれの例でも境界57の位置は、冷媒導入部52側の2点鎖線で示した絶縁基板33−1の中央部から冷媒排出部53側端部までの間の領域に対向する部分、すなわち領域の直下に位置している。図6(b)〜(d)のように第1ヘッダー部54の下流側端部の形状を、下流側に凸となるC字状とすることにより、冷却部51の幅方向の冷却効率をさらに均等にすることができる。
図7は、従来の半導体装置の要部断面図である。なお、図7において、図1ないし図6に示した構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付してその説明を省略する。
例えば、図7(a)に示す半導体装置では、冷却器500の冷却部510に、本発明の実施の形態の第1ヘッダー部54に相当する空間がない。また、図7(b)に示す半導体装置では、冷却部510に、本発明の実施の形態の第1ヘッダー部54と第2ヘッダー部55の間の、冷却フィン41の底面に平行な面56がない。また、図7(c)に示す半導体装置は、冷却部510に、本発明の実施の形態の第1ヘッダー部54と第2ヘッダー部55に相当する空間を有しておらず、かつ、冷媒導入部520および冷媒排出部530が冷却部510の底部に取り付けられており、本発明の実施の形態の構成と異なる。また、図7(d)に示す半導体装置では、冷却器500の冷却部510の冷媒導入部520側に第1ヘッダー部540を、さらに、冷媒排出部530側に第1ヘッダー部540と対称の、ほぼ同じ形状、寸法の第2ヘッダー部550を備えている。第1ヘッダー部540の底面の傾斜が付されている領域の長さIwと第2ヘッダー部550の底面の傾斜が付されている領域の長さOwがほぼ等しい。
30 半導体モジュール
31 パワー半導体チップ
32 外囲ケース
32a、32b 開口段差面
32c 蓋板
32e 封止材
32n ナット
33、33−1、33−2、33−3 絶縁基板
34、34−1、34−2、34−3 主端子
35、35−1、35−2 電源端子
35a 開口穴
36、36−1〜36−8 制御端子
37、37−1〜37−4 開口部
38 ねじ座
39 FWD
w1、w2、w3 ボンディングワイヤ
r1、r2 リード端子
40、40−1 放熱ベース板
41、41−1、41−2、41−3 冷却フィン
50 冷却器
51 冷却部
52 冷媒導入部
53 冷媒排出部
54 第1ヘッダー部
55 第2ヘッダー部
Claims (9)
- 半導体モジュールと、該半導体モジュール内の基板に搭載されたパワー半導体素子を冷却するための冷却器とを備える半導体装置であって、
放熱ベースと、
複数のピン部材または複数のブレード部材からなり、外形が略直方体形状の集合体である、前記放熱ベースの第1の主面に設けられた冷却フィンと、
前記冷却フィンを収容している冷却部と、該冷却部の長手方向の相対する両端にそれぞれ形成された冷媒導入部および冷媒排出部とを備えている、前記放熱ベースに固定された冷却器と、
前記冷却フィンの位置に対応するように前記放熱ベースの第2の主面の前記冷媒導入部側に接合された第1基板と、
前記第1基板の隣であって、前記放熱ベースの第2の主面の前記冷媒排出部側に接合された第2基板と、
を少なくとも備え、
さらに、前記冷却部が、
前記冷媒導入部から供給される冷媒が前記冷却フィンの冷媒導入部側の側面および底面から冷却フィン内に供給されるとともに、冷媒排出部に向かって流れるように、前記冷却フィンの底面に向かって傾斜している第1底面を少なくとも備える第1ヘッダー部と、
前記冷却フィンから排出される前記冷媒を前記冷媒排出部へ排出するように、前記冷却フィンの底面の端部の位置から傾斜している第2底面を少なくとも備える第2ヘッダー部と、
を備え、さらに
前記第1底面と前記第2底面の間に連なっている、前記冷却フィンの底面に平行な第3底面を備え、
前記冷却フィンの底面に対する前記第1底面の傾斜角が、前記第2底面の傾斜角より小さく、
前記第1底面と前記第3底面の交わる頂部が、前記第1基板の中央部下から前記冷媒排出部側端部下の間に位置している半導体装置。 - 半導体モジュールと、該半導体モジュール内の基板に搭載されたパワー半導体素子を冷却するための冷却器とを備える半導体装置であって、
放熱ベースと、
複数のピン部材または複数のブレード部材からなり、外形が略直方体形状の集合体である、前記放熱ベースの第1の主面に設けられた冷却フィンと、
前記冷却フィンを収容している冷却部と、該冷却部の長手方向の相対する両端にそれぞれ形成された冷媒導入部および冷媒排出部とを備えている、前記放熱ベースに固定された冷却器と、
前記冷却フィンの位置に対応するように前記放熱ベースの第2の主面の前記冷媒導入部側に接合された第1基板と、
前記第1基板の隣であって、前記放熱ベースの第2の主面の前記冷媒排出部側に接合された第2基板と、
を少なくとも備え、
さらに、前記冷却部が、
前記冷媒導入部から前記第1基板の冷媒排出部側の端部の間に、前記冷却フィンの底面に向かって傾斜した第1底面を備えている、前記冷媒導入部から供給される冷媒を前記冷却フィン側へ供給するための第1ヘッダー部と、
前記冷却フィンの底面の前記冷媒排出部側の端部の位置から傾斜した第2底面を備えている、前記冷却フィン側から排出される前記冷媒を前記冷媒排出部へ排出するための第2ヘッダー部と、
を備え、さらに
前記第1底面と前記第2底面の間に連なっている、前記冷却フィンの底面に平行な第3底面を備え、
前記冷却フィンの底面に対する前記第1底面の傾斜角が、前記第2底面の傾斜角より小さく、
前記第1底面と前記第3底面の交わる頂部が、前記第1基板の中央部下から前記冷媒排出部側端部下の間に位置している半導体装置。 - 前記第1ヘッダー部の体積が前記第2ヘッダー部の体積より大きい請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記冷媒導入部および冷媒排出部に接続される配管の内径が、前記ピン部材もしくはブレード部材の高さより大きい請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記冷却フィンの幅が、前記第1基板および第2基板の幅より大きく、前記冷却部の側壁が前記第1基板および第2基板の直下に位置しない請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記ピン部材の断面が円形、楕円形もしくは多角形であり、該ピン部材は千鳥状に前記放熱ベースに配列されている請求項1または2に記載の半導体装置。
- 半導体モジュールと、該半導体モジュール内の基板に搭載されたパワー半導体素子を冷却するための冷却器とを備える半導体装置であって、
放熱ベースと、
複数のピン部材または複数のブレード部材からなり、外形が略直方体形状の集合体である、前記放熱ベースの第1の主面に設けられた冷却フィンと、
前記冷却フィンを収容している冷却部と、該冷却部の長手方向の相対する両端にそれぞれ形成された冷媒導入部および冷媒排出部とを備えている、前記放熱ベースに固定された冷却器と、
前記冷却フィンの位置に対応するように前記放熱ベースの第2の主面の前記冷媒導入部側に接合された第1基板と、
前記第1基板の隣であって、前記放熱ベースの第2の主面の前記冷媒排出部側に接合された第2基板と、
を少なくとも備え、
前記冷却部は、前記冷媒導入部から供給される冷媒を前記冷却フィン側へ供給する第1ヘッダー部と、前記冷却フィン側から排出される前記冷媒を前記冷媒排出部へ排出する第2ヘッダー部とを備え、前記第1ヘッダー部内に露出している前記冷却フィンの側面および底面の面積が前記第2ヘッダー部に露出している前記冷却フィンの側面の面積より大きく、
前記第1ヘッダー部内に露出している前記冷却フィンの底面の面積が、第1ヘッダー部内に露出している前記冷却フィンの側面の面積より大きく、
前記第1ヘッダー部の第1底面が前記冷却フィンの底面に向かって傾斜しており、前記第2ヘッダー部の第2底面が前記冷却フィンの底面の前記冷媒排出部側の端部の位置から傾斜しており、
前記第1底面と前記第2底面の間に連なっている、前記冷却フィンの底面に平行な第3底面を備え、前記第1底面と前記第3底面とが交わる頂部が、前記第1基板の中央部下から前記冷媒排出部側端部下の間に位置している半導体装置。 - 放熱ベースと、放熱ベース上に並列して接合された少なくとも2つの基板と、それぞれの前記基板に搭載されたパワー半導体素子と、複数のピン部材または複数のブレード部材からなり、外形が略直方体形状の集合体である、前記放熱ベースに設けられた冷却フィンと、を少なくとも備える半導体モジュール、を冷却するための冷却器であって、
前記冷却フィンを収容する冷却部と、該冷却部の長手方向の相対する両端にそれぞれ形成された冷媒導入部および冷媒排出部とを備え、
前記冷却部が、
前記冷媒導入部から供給される冷媒が前記冷却フィンの冷媒導入部側の側面および底面から冷却フィン内に供給されるとともに、冷媒排出部に向かって流れるように、前記冷却フィンの底面に向かって傾斜している第1底面を少なくとも備える第1ヘッダー部と、
前記冷却フィンから排出される前記冷媒を前記冷媒排出部へ排出するように、前記冷却フィンの底面の端部の位置から傾斜している第2底面を少なくとも備える第2ヘッダー部と、を備え、
前記基板は前記冷媒導入部側に配置される第1基板と、該第1基板に並列して前記冷媒排出部側に配置される第2基板とを含み、前記第1底面は前記第1基板の中央部から前記冷媒排出部側端部の間の領域に対応する前記冷却フィンの底面に向かって傾斜するように形成され、
前記第1底面と前記第2底面との間に連なっている、前記冷却フィンの底面に平行な第3底面を備え、前記第1底面と前記第3底面とが交わる頂部が、前記第1基板の中央部下から前記冷媒排出部側端部下の間に位置するように構成され、
さらに前記放熱ベースに固定されて使用される冷却器。 - 前記冷却フィンの底面に対する前記第1底面の傾斜角が、前記第2底面の傾斜角より小さいように前記第1ヘッダー部および第2ヘッダー部が形成されている請求項8に記載の冷却器。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9192079B2 (en) * | 2008-09-26 | 2015-11-17 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Power electronic module cooling system and method |
WO2014069174A1 (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2015033724A1 (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-12 | 富士電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
US9646912B2 (en) * | 2013-09-10 | 2017-05-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and semiconductor module having cooling fins |
DE112013007667T5 (de) * | 2013-12-05 | 2016-08-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Leistungshalbleitervorrichtung |
JP6045749B2 (ja) * | 2014-04-03 | 2016-12-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2015178064A1 (ja) * | 2014-05-20 | 2015-11-26 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール用冷却器及びその製造方法 |
TWI590571B (zh) * | 2014-12-08 | 2017-07-01 | 強生控制科技公司 | 可變速驅動器系統及冷卻系統 |
KR20160128762A (ko) * | 2015-04-29 | 2016-11-08 | 주식회사 테라세미콘 | 실링부재 |
US20160338231A1 (en) * | 2015-05-14 | 2016-11-17 | Quantum Fuel Systems Technologies Worldwide, Inc. | Cooling systems and associated methods |
EP3745455B1 (en) * | 2015-06-03 | 2021-11-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Manufacturing method for heat radiation fins in liquid-type cooling apparatus |
US11218080B2 (en) | 2015-08-31 | 2022-01-04 | Faraday & Future Inc. | Inverter AC bus bar assembly |
US9241428B1 (en) * | 2015-08-31 | 2016-01-19 | Faraday & Future Inc. | Inverter assembly |
US10135355B2 (en) | 2015-08-31 | 2018-11-20 | Faraday&Future Inc. | Inverter DC bus bar assembly |
CN114522341A (zh) * | 2015-10-21 | 2022-05-24 | 诺伊斯佩拉医疗有限公司 | 用于刺激治疗的装置、系统和方法 |
JP2017084978A (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-18 | 株式会社豊田自動織機 | 冷却器 |
WO2017122473A1 (ja) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US10438865B2 (en) * | 2016-02-04 | 2019-10-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
EP3236725B8 (en) * | 2016-04-18 | 2020-03-11 | Rolls-Royce plc | Power electronics module |
TWI635248B (zh) * | 2016-09-02 | 2018-09-11 | 宏碁股份有限公司 | 蒸發器及其製作方法 |
JP6750416B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2020-09-02 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
DE102016125338B4 (de) * | 2016-12-22 | 2018-07-12 | Rogers Germany Gmbh | System zum Kühlen eines für elektrische Bauteile vorgesehenen Trägersubstrats und Trägersubstrat |
US10917992B2 (en) | 2017-01-13 | 2021-02-09 | Cree Fayetteville, Inc. | High power multilayer module having low inductance and fast switching for paralleling power devices |
US11696417B2 (en) | 2017-01-13 | 2023-07-04 | Wolfspeed, Inc. | High power multilayer module having low inductance and fast switching for paralleling power devices |
USD954667S1 (en) | 2017-01-13 | 2022-06-14 | Wolfspeed, Inc. | Power module |
CN108738368B (zh) * | 2017-02-13 | 2022-06-17 | 新电元工业株式会社 | 电子设备 |
FR3063201B1 (fr) * | 2017-02-17 | 2020-03-06 | Valeo Equipements Electriques Moteur | Onduleur de machine electrique tournante a refroidissement ameliore |
CN110383470B (zh) * | 2017-03-16 | 2023-05-09 | 三菱电机株式会社 | 冷却系统 |
JP6885126B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2021-06-09 | 富士電機株式会社 | インバータ装置 |
DE102017110722B4 (de) * | 2017-05-17 | 2021-03-18 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronische Anordnung und elektrisches Fahrzeug hiermit |
CN107359143A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-11-17 | 上海道之科技有限公司 | 一种绝缘栅双极型晶体管模块 |
US11251098B2 (en) * | 2017-11-01 | 2022-02-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device, production method therefor, and automobile |
JP6663899B2 (ja) * | 2017-11-29 | 2020-03-13 | 本田技研工業株式会社 | 冷却装置 |
CN110323273A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 富士电机株式会社 | 半导体装置、半导体封装、半导体模块及半导体电路装置 |
JP7205071B2 (ja) * | 2018-04-02 | 2023-01-17 | 富士電機株式会社 | 冷却装置、半導体モジュールおよび車両 |
EP3564992B1 (en) * | 2018-05-02 | 2021-07-07 | EKWB d.o.o. | Fluid-based cooling device for cooling at least two distinct first heat-generating elements of a heat source assembly |
USD883241S1 (en) * | 2018-06-04 | 2020-05-05 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Power module |
JP6493612B1 (ja) | 2018-08-13 | 2019-04-03 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュールおよび車両 |
USD903590S1 (en) * | 2018-09-12 | 2020-12-01 | Cree Fayetteville, Inc. | Power module |
US11129310B2 (en) * | 2018-11-22 | 2021-09-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module, vehicle and manufacturing method |
USD889423S1 (en) * | 2018-12-03 | 2020-07-07 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Power module |
WO2020146204A1 (en) * | 2019-01-10 | 2020-07-16 | Cree Fayetteville, Inc. | High power multilayer module having low inductance and fast switching for paralleling power devices |
JP7243262B2 (ja) * | 2019-02-15 | 2023-03-22 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール、車両および製造方法 |
CN113892172A (zh) * | 2019-05-30 | 2022-01-04 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
US20220230943A1 (en) * | 2019-07-02 | 2022-07-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Power module and manufacturing method therefor |
JP7092269B2 (ja) * | 2019-08-06 | 2022-06-28 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
US11758697B2 (en) * | 2019-09-26 | 2023-09-12 | Ohio State Innovation Foundation | Low inductance power module with vertical power loop structure and insulated baseplates |
US11937403B2 (en) * | 2019-10-23 | 2024-03-19 | Lumentum Operations Llc | Progressive heatsink |
USD942403S1 (en) * | 2019-10-24 | 2022-02-01 | Wolfspeed, Inc. | Power module having pin fins |
CN114365282A (zh) * | 2020-03-18 | 2022-04-15 | 富士电机株式会社 | 半导体模块 |
CN113035805A (zh) * | 2021-03-04 | 2021-06-25 | 阳光电源股份有限公司 | 液冷板及功率模组 |
EP4060725B1 (en) * | 2021-03-19 | 2023-07-26 | Hitachi Energy Switzerland AG | A cooling assembly for at least one semiconductor module, a power module and a method for manufacturing a power module |
US11729944B2 (en) | 2021-05-21 | 2023-08-15 | Quanta Computer Inc. | Cold plate with anti-clogging mechanism |
US11877425B2 (en) * | 2021-05-28 | 2024-01-16 | Gm Cruise Holdings Llc | Heat spreader with integrated fins |
JP2023023518A (ja) * | 2021-08-05 | 2023-02-16 | 日本電産株式会社 | 液冷ジャケット、および冷却装置 |
US20240098878A1 (en) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | Raytheon Technologies Corporation | Pin-fin cooling for printed circuit boards (pcbs) |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5002123A (en) * | 1989-04-20 | 1991-03-26 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Low pressure high heat transfer fluid heat exchanger |
US4953634A (en) * | 1989-04-20 | 1990-09-04 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Low pressure high heat transfer fluid heat exchanger |
JPH06326226A (ja) | 1993-03-15 | 1994-11-25 | Toshiba Corp | 冷却装置 |
JP2001035981A (ja) | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Toshiba Corp | 半導体素子用冷却器及びこれを用いた電力変換装置 |
JP3982180B2 (ja) | 2000-02-16 | 2007-09-26 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
US6414867B2 (en) * | 2000-02-16 | 2002-07-02 | Hitachi, Ltd. | Power inverter |
JP3800938B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-07-26 | 日産自動車株式会社 | パワーモジュールの冷却装置 |
JP4138562B2 (ja) | 2002-04-18 | 2008-08-27 | 株式会社日立製作所 | 車両用インバータ装置及びそれを搭載した電動車両 |
DE10317580B4 (de) * | 2002-04-18 | 2010-09-16 | Hitachi, Ltd. | Elektrische Wechselrichtervorrichtung mit einem Flüssigkeitskanal sowie Elektrofahrzeug mit einer derartigen Wechselrichtervorrichtung |
JP2004128439A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-04-22 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 発熱体冷却装置 |
JP2007081375A (ja) | 2005-08-18 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 冷却装置 |
JP4931480B2 (ja) | 2006-06-05 | 2012-05-16 | 三洋電機株式会社 | 電気化学素子及びそれを具備した電子機器 |
JP5046378B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-10-10 | ニチコン株式会社 | パワー半導体モジュール、および該モジュールを搭載したパワー半導体デバイス |
US7564129B2 (en) | 2007-03-30 | 2009-07-21 | Nichicon Corporation | Power semiconductor module, and power semiconductor device having the module mounted therein |
JP5155590B2 (ja) | 2007-04-13 | 2013-03-06 | 日本インター株式会社 | 冷却装置 |
EP2234153B1 (en) * | 2007-11-26 | 2019-07-03 | Showa Denko K.K. | Liquid-cooled type cooling device |
US20090145581A1 (en) * | 2007-12-11 | 2009-06-11 | Paul Hoffman | Non-linear fin heat sink |
JP2010123881A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Fujikura Ltd | コールドプレート |
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