JP2001035981A - 半導体素子用冷却器及びこれを用いた電力変換装置 - Google Patents

半導体素子用冷却器及びこれを用いた電力変換装置

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JP2001035981A
JP2001035981A JP20347199A JP20347199A JP2001035981A JP 2001035981 A JP2001035981 A JP 2001035981A JP 20347199 A JP20347199 A JP 20347199A JP 20347199 A JP20347199 A JP 20347199A JP 2001035981 A JP2001035981 A JP 2001035981A
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Toshiharu Obe
利春 大部
Kenji Kijima
研二 木島
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、冷媒が低流量でも冷却能力が高
く、且つ圧力損失が少なく、電力用半導体素子の大容量
化、高速化に適切に対応させることを目的とする。 【解決手段】 多数の微細な流路からなる並列流路４
と、この並列流路４における各流路へ冷媒１を分配する
第１のヘッダー３と、並列流路４から流出した冷媒１が
合流する第２のヘッダー５とを有することを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力用半導体素子
で発生する熱損失を放熱する半導体素子用冷却器及びこ
れを用いた電力変換装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電力用半導体素子は大容量化、高
速化し、熱損失が増大している。一方、信頼性や寿命の
点から、電力用半導体素子は或る温度内に保つ必要があ
る。このため、熱損失の増大に対応し、且つ電力用半導
体素子を或る温度内に保つ冷却能力に優れた半導体素子
用冷却器が必要となってきている。
【０００３】これに対し、従来の半導体素子用冷却器と
しては、例えば図１７に示すようなものがある（実公平
６−３９５０２号公報）。同図において、冷媒１が流れ
る渦巻き状の流路２５が中心部で反転し、逆の渦巻き状
となって冷媒出口に向かう構成となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体素子用冷
却器は、流路断面形状が比較的大きい１本の長い渦巻き
状の流路により構成されており、冷媒に熱を放熱するた
めの放熱面積が少ないため、１低流量領域では冷却能力
が低く、電力用半導体素子の熱損失増大、即ち大容量
化、高速化に対応することが困難である。２冷却能力を
向上させるためには、冷媒の流速を増し、熱伝達率を向
上させる必要があり、多くの流量が必要となる。３上述
したように、流速を早くする必要があり、且つ流路の長
さが長いので、圧力損失が大きい。４多くの冷媒流量が
必要となり、且つ圧力損失が大きいので、冷媒を循環さ
せるためのポンプが大型化する。５流量が多いので、冷
媒を循環させるための配管が大型化する。６上述した理
由により、従来の半導体素子用冷却器を用いた電力変換
装置は大型化し、コストが上昇する、等の問題がある。
【０００５】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
冷媒が低流量でも冷却能力が高く、且つ圧力損失が少な
く、電力用半導体素子の熱損失増大、即ち大容量化、高
速化に適切に対応することができる半導体素子用冷却器
を提供し、また、冷媒を循環させるのに必要なポンプや
配管等を小型化して電力変換装置を小型、低コスト化す
ることができる半導体素子用冷却器及びこれを用いた電
力変換装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の半導体素子用冷却器は、平型半導体
素子の電極面に加圧接触されるか又はモジュール型半導
体素子の放熱板にネジ取付けされ、内部を流れる冷媒に
より前記平型半導体素子又は前記モジュール型半導体素
子の熱損失を放熱する液冷却式の半導体素子用冷却器に
おいて、多数の微細な流路からなる並列流路と、この並
列流路における前記各流路へ前記冷媒を分配する第１の
ヘッダーと、前記並列流路から流出した前記冷媒が合流
する第２のヘッダーとを有することを要旨とする。この
構成により、冷媒の流路を多数の微細な流路からなる並
列流路とすることで、冷媒に放熱するための放熱面積を
大きくすることができ、低流量領域でも熱抵抗が小さく
なって冷却能力を高めることが可能となり、且つ圧力損
失が小さくなる。
【０００７】請求項２記載の半導体素子用冷却器は、上
記請求項１記載の半導体素子用冷却器において、前記並
列流路における各流路の断面形状の幅を１．５mm以下、
高さ／幅を１０以上としてなることを要旨とする。この
構成により、放熱面積である流路面積が大きくなり、冷
媒の低流量領域でも熱抵抗が小さくなって冷却能力が高
くなる。
【０００８】請求項３記載の半導体素子用冷却器は、上
記請求項１又は２記載の半導体素子用冷却器において、
前記平型半導体素子のカソード側電極面及びアノード側
電極面にそれぞれ加圧接触された第１の冷却器及び第２
の冷却器を備え、前記第１の冷却器内部を流れる冷媒の
流れ方向と、前記第２の冷却器内部を流れる冷媒の流れ
方向とを対向させてなることを要旨とする。この構成に
より、平型半導体素子に接触する第１、第２の冷却器の
各外壁面の温度分布が少なくなり、冷却能力を一層高め
ることが可能となる。
【０００９】請求項４記載の半導体素子用冷却器は、上
記請求項１，２又は３記載の半導体素子用冷却器におい
て、前記並列流路を流れる冷媒が流入口から流入し、流
出口から流出するまでの前記各流路の長さが全て等しく
なるように前記流入口及び流出口を配置してなることを
要旨とする。この構成により、並列流路における各流路
の圧力損失が略等しくなって、冷媒の流量バランスが良
好となり電力用半導体素子を均等に冷却することが可能
となる。
【００１０】請求項５記載の半導体素子用冷却器は、上
記請求項１又は４記載の半導体素子用冷却器において、
前記第１のヘッダー及び前記第２のヘッダーを複数個に
分割し、このヘッダー分割に応じて分割された或る単位
数の流路からなる各分割並列流路内を流れる冷媒の流れ
方向を対向させてなることを要旨とする。この構成によ
り、冷媒の温度上昇により発生する冷却器外壁面の温度
分布が一層少なくなり、冷却能力をさらに高めることが
可能となる。
【００１１】請求項６記載の半導体素子用冷却器は、上
記請求項５記載の半導体素子用冷却器において、前記並
列流路における各流路の断面形状の幅を２mm以下、高さ
／幅を５以上としてなることを要旨とする。この構成に
より、或る単位数の流路からなる各分割並列流路内を流
れる冷媒の流れ方向を対向させる構成とした場合におい
て、冷媒の低流量領域でも熱抵抗が小さくなって冷却能
力が高くなり、また圧力損失が低減する。
【００１２】請求項７記載の半導体素子用冷却器は、上
記請求項１乃至６の何れかに記載の半導体素子用冷却器
において、前記並列流路を薄板又はブレージングシート
の何れかを用いた積層構造とし、この並列流路と前記第
１のヘッダー及び前記第２のヘッダーとをロウ付けにて
構成してなることを要旨とする。この構成により、冷却
器材質がアルミニウム等の場合において多数の微細な流
路からなる並列流路を適切に形成することが可能とな
る。
【００１３】請求項８記載の半導体素子用冷却器は、上
記請求項１乃至６の何れかに記載の半導体素子用冷却器
において、前記並列流路を金属ブロックからワイヤカッ
トにより連続的に加工し構成し、この並列流路と前記第
１のヘッダー及び前記第２のヘッダーとをロウ付けして
なることを要旨とする。この構成により、冷却器材質が
銅等の場合において多数の微細な流路からなる並列流路
を適切に形成することが可能となる。
【００１４】請求項９記載の半導体素子用冷却器は、上
記請求項１，２，４，６，７又は８記載の半導体素子用
冷却器において、上下２層に分割した上層冷却器と下層
冷却器の各内部を流れる冷媒の流れ方向を対向させてな
ることを要旨とする。この構成により、電力用半導体素
子に接触する冷却器外壁面の温度分布が少なくなり、冷
却能力を一層高めることが可能となる。
【００１５】請求項１０記載の半導体素子用冷却器は、
上記請求項９記載の半導体素子用冷却器において、上下
の中央部に上下分割用の平板を挿入し、前記並列流路と
合わせて一体ロウ付けすることにより前記上層冷却器及
び下層冷却器を構成してなることを要旨とする。この構
成により、上下２層に分割した上層冷却器と下層冷却器
の構成を容易に実現することが可能となる。
【００１６】請求項１１記載の半導体素子用冷却器は、
上記請求項１乃至１０の何れかに記載の半導体素子用冷
却器において、冷却器外壁面に絶縁基板を接合し、この
絶縁基板上に金属電極を接合し、この金属電極上に電力
用半導体素子を接合し、前記電力用半導体素子、金属電
極及び絶縁基板を絶縁性の樹脂製パッケージに収納し、
前記冷却器外壁面と樹脂製パッケージは端部で接着して
なることを要旨とする。この構成により、モジュール型
半導体素子が放熱板を介さずに冷却器外壁面に直接接合
された構成となる。したがって、放熱板の熱伝導抵抗に
より温度上昇及び放熱板と冷却器外壁面の接触抵抗によ
る温度上昇分が無くなり、モジュール型構成の電力用半
導体素子に対する冷却能力を一層高めることが可能とな
る。
【００１７】請求項１２記載の半導体素子用冷却器は、
上記請求項１乃至１０の何れかに記載の半導体素子用冷
却器において、第１の冷却器及び第２の冷却器を備え、
前記第１の冷却器の第１の外壁面上に第１の熱緩衝用金
属平板を積層し、この第１の熱緩衝用金属平板上に電力
用半導体素子を配置し、この電力用半導体素子上に第２
の熱緩衝用金属平板を積層し、この第２の熱緩衝用金属
平板に第２の外壁面が接するように当該第２の熱緩衝用
金属平板上に前記第２の冷却器を配置し、前記電力用半
導体素子、第１、第２の熱緩衝用金属平板及び第１、第
２の外壁面の一部を絶縁性のパッケージに収納し、前記
第１、第２の外壁面と絶縁性のパッケージは端部で接着
してなることを要旨とする。この構成により、電力用半
導体素子である平型半導体素子が、カソード電極を兼ね
た第１の外壁面及びアノード電極を兼ねた第２の外壁面
に直接接触して冷却される構成となる。したがって、カ
ソード電極及びアノード電極の熱伝導抵抗による温度上
昇と、カソード電極及びアノード電極と第１、第２の外
壁面との接触抵抗による温度上昇分が無くなり、電力用
半導体素子に対する冷却能力を一層高めることが可能と
なる。
【００１８】請求項１３記載の電力変換装置は、上記請
求項１乃至１２の何れかに記載の半導体素子用冷却器を
使用してなることを要旨とする。この構成により、半導
体素子用冷却器は、冷媒が低流量でも冷却能力が高く、
また圧力損失が小さいので、冷媒を循環させるのに必要
なポンプや配管等が小型化し、電力変換装置を小型化す
ることが可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
【００２０】図１乃至図６は、本発明の第１の実施の形
態を示す図である。まず、図１及び図２（ａ），（ｂ）
を用いて、本実施の形態の半導体素子用冷却器の構成を
説明する。半導体素子用冷却器１０は、例えば、純水や
不凍液等の冷媒１が流入する流入口２と、流入口２と連
結し並列流路４へ冷媒１を分配する第１のヘッダー３
と、第１のヘッダー３と連結した並列流路４と、各並列
流路４から流出した冷媒１が合流する第２のヘッダー５
と、第２のヘッダー５と連結し冷媒１が流出する流出口
６とから構成されている。並列流路４における各流路の
幅は１．５mm以下、高さ／幅を１０以上とし、並列流路
４は、各流路を幅と同程度の間隔で並列に多数配置して
いる。半導体素子用冷却器１０の材質は、例えば銅やア
ルミニウムである。材質がアルミニウムの場合は、並列
流路４を薄板又はブレージングシートの積層構造とし、
ロウ付けにて並列流路４と第１のヘッダー３及び第２の
ヘッダー５を構成する。また、材質が銅の場合は、並列
流路４を銅ブロックからワイヤカットにより連続的に加
工して構成し、第１のヘッダー３及び第２のヘッダー５
とロウ付けして構成する。
【００２１】図５において、平型半導体素子８を冷却す
る場合は、半導体素子用冷却器１０，２０は、平型半導
体素子８のカソード側電極面１１及びアノード側電極面
９に、それぞれ加工接触により取付けられる。また、図
６において、モジュール型半導体素子１２を冷却する場
合は、半導体素子用冷却器１０は、モジュール型半導体
素子１２の放熱板１３にネジ取付けにより取付けられ
る。
【００２２】次に、上述のように構成された半導体素子
用冷却器１０の作用を説明する。半導体素子用冷却器１
０においては、冷却能力を表す熱抵抗Ｒ（Ｋ／Ｗ）は、
次式により推定できる。
【００２３】 Ｒ＝１／（η・ｈ・Ｓ） …（１） 但し、η；フィン効率 ｈ；熱伝達率（Ｋ／ｍ2 Ｗ） Ｓ；流路面積（放熱面積）（ｍ2 ） 半導体素子用冷却器１０の冷却能力を高める、即ち、熱
抵抗Ｒを低減するためには、放熱面積である流路面積Ｓ
を大きくするか、熱伝達率ｈを大きくする必要がある。
熱伝達率ｈは流速の関数であり、流速即ち流量が多くな
るほど大きくなる。図１、図２のように構成された半導
体素子用冷却器１０では、並列流路４における各流路の
断面形状の幅を１．５mm以下、高さ／幅を１０以上と
し、並列流路４は、各流路を幅と同程度の間隔で並列に
多数配置しているので、放熱面積である流路面積Ｓが大
きく、低流量でも熱抵抗Ｒが小さくなり、冷却能力が高
くなる。
【００２４】図３は、冷却器外形寸法を固定して計算し
た熱抵抗−流量特性を示している。
【００２５】流路幅を１．５mm、高さ／幅を１０とする
ことにより、１．５ l／min 以下の低流量領域でも、従
来の半導体素子用冷却器よりも熱抵抗Ｒが小さくなる。
さらに、流路幅を０．５mm、高さ／幅を３０とすること
により、１〜６ l／min の低〜中流量領域で、従来の半
導体素子用冷却器より熱抵抗Ｒが小さくなる。
【００２６】また、図４は、冷却器外形寸法を固定して
計算した圧力損失−流量特性を示している。図１、図２
のように構成された半導体素子用冷却器１０では、各並
列流路４を流れる冷媒１の流速は、従来の半導体素子用
冷却器に比べて非常に小さく、さらに各並列流路４の流
路長も短いので、圧力損失は小さくなる。流路幅を１．
５mm、高さ／幅が１０に場合には、１．５ l／min のと
きに圧力損失は約０．００６kPa であり、従来の半導体
素子用冷却器の圧力損失約２．３３６kPa の約１／４０
０である。さらに、流路幅を０．５mm、高さ／幅が３０
の場合でも６ l／min のときに圧力損失は従来の半導体
素子用冷却器の約１／８０と非常に小さくなる。
【００２７】さらに、図１、図２のように構成された半
導体素子用冷却器１０において発生する圧力損失は、冷
媒１が各並列流路４に流入及び流出するときに発生する
急拡大及び急縮小損失、並列流路４内部を冷媒１が流れ
ることにより発生する摩擦損失が主因である。冷媒１が
流入口２から各並列流路４に流入するまでの流路長がそ
れぞれ異なるので、流入口２から各並列流路４までの圧
力損失の大きさはそれぞれ異なるが、その圧力損失の大
きさは前述した急拡大及び急縮小損失、摩擦損失に比べ
て十分に小さい。これにより、流入口２から各並列流路
４を通り、流出口６に至るまでの圧力損失は各並列流路
４で大差なく、各並列流路４の流量バランスは略均等と
なる。
【００２８】上述したように、第１の実施の形態によれ
ば、放熱面積が大きく低流量でも熱抵抗が小さいので、
電力用半導体素子の温度上昇を低減することができ、熱
損失増大、即ち大容量化、高速化に対応することができ
る。電力用半導体素子の温度上昇を低減できるので、電
力用半導体素子の信頼性を向上させ、寿命の低下を防ぐ
ことができる。冷媒が低流量で圧力損失も小さいので、
ポンプや配管などを小型化できる。また、ポンプや配管
などが小さくなるので、電力変換装置を小型化、低コス
ト化できる。
【００２９】図７には、本発明の第２の実施の形態を示
す。本実施の形態は、半導体素子用冷却器を用いて平型
半導体素子（電力用半導体素子）８を冷却するようにし
たものである。図７において、平型半導体素子８のカソ
ード側電極面１１に加圧接触により取付けられた第１の
冷却器１０内部を流れる冷媒１の流れ方向と、アノード
側電極面９に加圧接触により取付けられた第２の冷却器
２０内部を流れる冷媒１の流れ方向とが対向するように
なっている。
【００３０】本実施の形態の作用を説明すると、本実施
の形態では、上記第１の実施の形態と同様の作用に加
え、カソード側電極面１１に取付けられた第１の冷却器
１０とアノード側電極面９に取付けられた第２の冷却器
２０をそれぞれ流れる冷媒１の流れ方向を対向させてい
るので、第１、第２の冷却器１０，２０の外壁面７の温
度分布が少なくなり、それにより平型半導体素子８の温
度上昇も少なくなり、平型半導体素子８の温度上昇を上
記第１の実施の形態以上に低減することができる。
【００３１】図８には、本発明の第３の実施の形態を示
す。本実施の形態は、各並列流路を流れる冷媒が流入
し、流出するまでの流路長が全て等しくなるようにした
ものである。
【００３２】図８（ａ），（ｂ）において、流入口２か
ら流入した冷媒１が各並列流路４を通り流出口６から流
出までの流路長が全て等しくなるように、流入口２と流
出口６とが、平面４角形状の半導体素子用冷却器１０Ａ
における略対角線上の位置に配置されている。
【００３３】上述のように構成された本実施の形態の半
導体素子用冷却器１０Ａは、上記第１、第２の実施の形
態と同様の作用に加え、流入口２から各並列流路４を通
り流出口６に至るまでの各流路の圧力損失が略等しくな
るので、各並列流路４の流量バランスが上記第１、第２
の実施の形態以上に均等になる。
【００３４】図９には、第３の実施の形態の他の構成例
を示す。この構成例の半導体素子用冷却器１０Ｂでは、
流入口２ａ，２ｂから流入した冷媒１が各並列流路４を
通り流出口６から流出までの流路長が全て等しくなるよ
うに、それぞれ２個の流入口２ａ，２ｂ及び第１のヘッ
ダー３ａ，３ｂを、中心線に対し軸対称に２箇所配置
し、その中心線位置に第２のヘッダー５及び流出口６を
配置している。作用、効果は図８の半導体素子用冷却器
１０Ａと略同様である。
【００３５】図１０乃至図１３には、本発明の第４の実
施の形態を示す。本実施の形態は、第１のヘッダー及び
第２のヘッダーをそれぞれ複数個に分割し、或る単位数
の流路からなる各分割並列流路内を流れる冷媒の流れ方
向を対向させるようにしたものである。図１０におい
て、半導体素子用冷却器１０Ｃは、ヘッダー分割用平板
１４により、第１のヘッダーが３個のヘッダー分割体３
ｃ，３ｄ，３ｅに分割され、第２のヘッダーが３個のヘ
ッダー分割体５ａ，５ｂ，５ｃに分割されている。この
合計６個のヘッダー分割体のうち、第１のヘッダー分割
体３ｄと第２のヘッダー分割体５ｂにそれぞれ流入口２
ａ，２ｂが連結され、第１のヘッダー分割体３ｃと第２
のヘッダー分割体５ｃにそれぞれ流出口６ａ，６ｂが連
結され、第２のヘッダー分割体５ａと第１のヘッダー分
割体３ｅが冷媒１のＵターン用ヘッダーとなっている。
そして、全並列流路４を４つに分割した或る単位数の流
路からなる分割並列流路内を流れる冷媒１の流れ方向が
対向するようになっている。
【００３６】図１１は、第４の実施の形態の他の構成例
を示している。この構成例の半導体素子用冷却器１０Ｄ
では、ヘッダー分割用平板１４により、第１のヘッダー
が３個のヘッダー分割体３ｆ，３ｇ，３ｈに分割され、
第２のヘッダーが２個のヘッダー分割体５ｄ，５ｅに分
割されている。この合計５個のヘッダー分割体のうち、
第１のヘッダー分割体３ｇに流入口２が連結され、第１
のヘッダー分割体３ｆ，３ｈにそれぞれ流出口６ｃ，６
ｄが連結され、第２のヘッダー分割体５ｄ，５ｅが冷媒
１のＵターン用ヘッダーとなっている。そして、前記と
同様に、全並列流路４を４つに分割した或る単位数の流
路からなる分割並列流路内を流れる冷媒１の流れ方向が
対向するようになっている。図１０、図１１の並列流路
４における各流路の断面形状の幅は２mm以下、高さ／幅
は５以上である。
【００３７】上述のように構成された本実施の形態の半
導体素子用冷却器１０Ｃ，１０Ｄは、上記第１〜第３の
実施の形態と同様の作用に加え、或る単位数の流路から
なる分割並列流路内を流れる冷媒１の流れ方向が対向す
るようになっているので、冷媒１の温度上昇により発生
する半導体素子用冷却器１０Ｃ，１０Ｄの外壁面７の温
度分布が半減し、それにより半導体素子用冷却器１０
Ｃ，１０Ｄに取付けられている平型半導体素子やモジュ
ール型半導体素子の温度上昇を第１〜第３の実施の形態
以上に低減できる。
【００３８】図１２は、冷却器外形寸法を固定して計算
した熱抵抗−流量特性を示している。流路幅を２．０m
m、高さ／幅を５とすることにより、１．２ l／min 以
下の低流量領域でも、従来の半導体素子用冷却器よりも
熱抵抗が小さくなる。さらに、流路幅を０．５mm、高さ
／幅を３０とすることにより、１〜６ l／min の低〜中
流量領域で、従来の半導体素子用冷却器より熱抵抗が小
さくなる。
【００３９】また、図１３は、冷却器外形寸法を固定し
て計算した圧力損失−流量特性を示している。流路幅を
２．０mm、高さ／幅が５の場合には、１．２ l／min の
ときに圧力損失は約０．０１７kPa であり、従来の半導
体素子用冷却器の圧力損失約１．６４６kPa の約１／１
００である。さらに、流路幅を０．５mm、高さ／幅が３
０の場合でも６ l／min のときに圧力損失は従来の半導
体素子用冷却器の約１／２０と非常に小さくなる。
【００４０】図１４には、本発明の第５の実施の形態を
示す。本実施の形態は、冷却器を上下２層に分割し、そ
れぞれ分割された上層冷却器と下層冷却器の内部を流れ
る冷媒の流れ方向を対向させたものである。図１４にお
いて、半導体素子用冷却器１０Ｅは、第１のヘッダー
３、並列流路４及び第２のヘッダー５が上下分割用平板
１５により上下２層に分割されて上層冷却器１０ａと下
層冷却器１０ｂになっている。そして、上層冷却器１０
ａに流入口２ａ及び流出口６ａを設け、下層冷却器１０
ｂにも同様に流入口２ｂ及び流出口６ｂを設け、上層冷
却器１０ａと下層冷却器１０ｂの各並列流路４内を流れ
る冷媒１の流れ方向が対向するようになっている。半導
体素子用冷却器１０Ｅは、中央部に挿入した上下分割用
平板１５を並列流路４と合わせて一体ロウ付けして構成
している。
【００４１】上述のように構成された本実施の形態の半
導体素子用冷却器１０Ｅは、上記第１〜第３の実施の形
態と同様の作用に加え、上下に分割した上層冷却器１０
ａと下層冷却器１０ｂの各並列流路４内を流れる冷媒１
の流れ方向が対向するようになっているので、第１〜第
３の実施の形態以上に、半導体素子用冷却器１０Ｅの外
壁面７の温度分布が少なくなり、外壁面７に取付けられ
る平型半導体素子やモジュール型半導体素子の温度上昇
が少なくなる。
【００４２】図１５には、本発明の第６の実施の形態を
示す。図１５（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ断面図であ
る。図１５（ａ），（ｂ）において、半導体素子用冷却
器１０の外壁面７に絶縁基板１６が接合され、絶縁基板
１６の上部に金属電極１７が接合され、金属電極１７の
上部に電力用半導体素子１８が接合されている。電力用
半導体素子１８、金属電極１７、絶縁基板１６は絶縁性
を有する樹脂製パッケージ１９に収納され、さらに半導
体素子用冷却器１０の外壁面７と樹脂製パッケージ１９
は端部で接着されて、半導体素子用冷却器１０の外壁面
７上に、モジュール型半導体素子１２が放熱板を介さず
に直接搭載されている。
【００４３】上述のように構成された本実施の形態の半
導体素子用冷却器１０は、前記第１、第２の実施の形態
と同様の作用に加え、モジュール型半導体素子１２が放
熱板を介さず直接外壁面７に接合され、冷却されるの
で、放熱板の熱伝導抵抗による温度上昇及び放熱板と外
壁面７の接触抵抗による温度上昇分が無くなり、モジュ
ール型半導体素子１２即ち、内部の電力用半導体素子１
８の温度上昇を第１、第２の実施の形態以上に低減でき
る。
【００４４】図１６には、本発明の第７の実施の形態を
示す。図１６（ｂ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ断面図であ
る。図１６（ａ），（ｂ）において、第１の半導体素子
用冷却器１０の外壁面７ａ上に第１の熱緩衝用金属平板
２１が積層され、第１の熱緩衝用金属平板２１の上に電
力用半導体素子２３が配置され、電力用半導体素子２３
の上部に第２の熱緩衝用金属平板２２が積層され、第２
の熱緩衝用金属平板２２に外壁面７ｂが接するように、
この第２の熱緩衝用金属平板２２の上に第２の半導体素
子用冷却器２０が積層されている。電力用半導体素子２
３、第１、第２の熱緩衝用金属平板２１，２２、外壁面
７ａ，７ｂの一部が絶縁性パッケージ２４に収納されて
いる。また、外壁面７ａ，７Ｂ、絶縁性パッケージ２４
は、端部で接合されている。外壁面７ａ，７ｂは、電力
用半導体素子（平型半導体素子）２３のアノード電極面
及びカソード電極面を兼ねている。
【００４５】上述のように構成された本実施の形態の第
１、第２の半導体素子用冷却器１０，２０は、前記第
１、第２の実施の形態と同様の作用に加え、電力用半導
体素子２３がアノード電極面を兼ねた外壁面７ｂ及びカ
ソード電極面を兼ねた外壁面７ａに接触して直接冷却さ
れるので、前記図５に示したような、カソード電極及び
アノード電極の熱伝導抵抗による温度上昇と、アノード
電極面及びカソード電極面と外壁面の接触抵抗による温
度上昇分が無くなり、平型半導体素子、即ち内部の電力
用半導体素子２３の温度上昇を第１、第２の実施の形態
以上に低減できる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の半
導体素子用冷却器によれば、多数の微細な流路からなる
並列流路と、この並列流路における前記各流路へ冷媒を
分配する第１のヘッダーと、前記並列流路から流出した
前記冷媒が合流する第２のヘッダーとを具備させたた
め、冷媒が低流量でも冷却能力を高めることができ、且
つ圧力損失が小さくなるので、電力用半導体素子の熱損
失増大、即ち大容量化、高速化に適切に対応することが
でき、また冷媒を循環させるのに必要なポンプや配管等
を小型化することができる。
【００４７】請求項２記載の半導体素子用冷却器によれ
ば、前記並列流路における各流路の断面形状の幅を１．
５mm以下、高さ／幅を１０以上としたため、放熱面積を
大きくすることができて、冷媒の低流量領域でも熱抵抗
が小さくなって冷却能力を高めることができる。
【００４８】請求項３記載の半導体素子用冷却器によれ
ば、前記平型半導体素子のカソード側電極面及びアノー
ド側電極面にそれぞれ加圧接触された第１の冷却器及び
第２の冷却器を備え、前記第１の冷却器内部を流れる冷
媒の流れ方向と、前記第２の冷却器内部を流れる冷媒の
流れ方向とを対向させたため、平型半導体素子に接触す
る第１、第２の冷却器の各外壁面の温度分布が少なくな
って、冷却能力を一層高めることができる。
【００４９】請求項４記載の半導体素子用冷却器によれ
ば、前記並列流路を流れる冷媒が流入口から流入し、流
出口から流出するまでの前記各流路の長さが全て等しく
なるように前記流入口及び流出口を配置したため、並列
流路における各流路の圧力損失が略等しくなり、冷媒の
流量バランスが良好となって、冷却能力を一層高めるこ
とができる。
【００５０】請求項５記載の半導体素子用冷却器によれ
ば、前記第１のヘッダー及び前記第２のヘッダーを複数
個に分割し、このヘッダー分割に応じて分割された或る
単位数の流路からなる各分割並列流路内を流れる冷媒の
流れ方向を対向させたため、冷媒の温度上昇により発生
する冷却器外壁面の温度分布が一層少なくなって、冷却
能力をさらに高めることができる。
【００５１】請求項６記載の半導体素子用冷却器によれ
ば、前記並列流路における各流路の断面形状の幅を２mm
以下、高さ／幅を５以上としたため、或る単位数の流路
からなる各分割並列流路内を流れる冷媒の流れ方向を対
向させる構成とした場合において、冷媒の低流量領域で
も熱抵抗が小さくなって冷却能力を高めることができ
る。
【００５２】請求項７記載の半導体素子用冷却器によれ
ば、前記並列流路を薄板又はブレージングシートの何れ
かを用いた積層構造とし、この並列流路と前記第１のヘ
ッダー及び前記第２のヘッダーとをロウ付けにて構成し
たため、冷却器材質がアルミニウム等の場合において多
数の微細な流路からなる並列流路を適切に形成すること
ができる。
【００５３】請求項８記載の半導体素子用冷却器によれ
ば、前記並列流路を金属ブロックからワイヤカットによ
り連続的に加工し構成し、この並列流路と前記第１のヘ
ッダー及び前記第２のヘッダーとをロウ付けしたため、
冷却器材質が銅等の場合において多数の微細な流路から
なる並列流路を適切に形成することができる。
【００５４】請求項９記載の半導体素子用冷却器によれ
ば、上下２層に分割した上層冷却器と下層冷却器の各内
部を流れる冷媒の流れ方向を対向させたため、電力用半
導体素子に接触する冷却器外壁面の温度分布が少なくな
って、冷却能力を一層高めることができる。
【００５５】請求項１０記載の半導体素子用冷却器によ
れば、上下の中央部に上下分割用の平板を挿入し、前記
並列流路と合わせて一体ロウ付けすることにより前記上
層冷却器及び下層冷却器を構成したため、上下２層に分
割した上層冷却器と下層冷却器を容易に構成することが
できる。
【００５６】請求項１１記載の半導体素子用冷却器によ
れば、冷却器外壁面に絶縁基板を接合し、この絶縁基板
上に金属電極を接合し、この金属電極上に電力用半導体
素子を接合し、前記電力用半導体素子、金属電極及び絶
縁基板を絶縁性の樹脂製パッケージに収納し、前記冷却
器外壁面と樹脂製パッケージは端部で接着したため、モ
ジュール型半導体素子が放熱板を介さずに冷却器外壁面
に直接接合された構成となるので、モジュール型構成の
電力用半導体素子に対する冷却能力を一層高めることが
できる。
【００５７】請求項１２記載の半導体素子用冷却器によ
れば、第１の冷却器及び第２の冷却器を備え、前記第１
の冷却器の第１の外壁面上に第１の熱緩衝用金属平板を
積層し、この第１の熱緩衝用金属平板上に電力用半導体
素子を配置し、この電力用半導体素子上に第２の熱緩衝
用金属平板を積層し、この第２の熱緩衝用金属平板に第
２の外壁面が接するように当該第２の熱緩衝用金属平板
上に前記第２の冷却器を配置し、前記電力用半導体素
子、第１、第２の熱緩衝用金属平板及び第１、第２の外
壁面の一部を絶縁性のパッケージに収納し、前記第１、
第２の外壁面と絶縁性のパッケージは端部で接着したた
め、電力用半導体素子である平型半導体素子が、カソー
ド電極を兼ねた第１の外壁面及びアノード電極を兼ねた
第２の外壁面に直接接触する構成となるので、電力用半
導体素子である平型半導体素子に対する冷却能力を一層
高めることができる。
【００５８】請求項１３記載の電力変換装置によれば、
請求項１乃至１２の何れかに記載の半導体素子用冷却器
を使用したため、半導体素子用冷却器へ冷媒を循環させ
るのに必要なポンプや配管等を小型化することができ
て、電力変換装置を小型、低コスト化することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態である半導体素子用
冷却器の斜視図である。
【図２】上記第１の実施の形態の平面及び側面断面図で
ある。
【図３】上記第１の実施の形態における熱抵抗−流量特
性を示す特性図である。
【図４】上記第１の実施の形態における圧力損失−流量
特性を示す特性図である。
【図５】上記第１の実施の形態の半導体素子用冷却器が
平型半導体素子の電極面に加圧接触された状態を示す斜
視図である。
【図６】上記第１の実施の形態の半導体素子用冷却器が
モジュール型半導体素子の放熱板にネジ取付けされた状
態を示す斜視図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態である半導体素子用
冷却器が平型半導体素子の電極面に加圧接触された状態
を示す斜視図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態の平面及び側面断面
図である。
【図９】上記第３の実施の形態の他の構成例を示す平面
断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態の平面断面図であ
る。
【図１１】上記第４の実施の形態の他の構成例を示す平
面断面図である。
【図１２】上記第４の実施の形態における熱抵抗−流量
特性を示す特性図である。
【図１３】上記第４の実施の形態における圧力損失−流
量特性を示す特性図である。
【図１４】本発明の第５の実施の形態の斜視図である。
【図１５】本発明の第６の実施の形態の平面図及び側面
断面図である。
【図１６】本発明の第７の実施の形態の斜視図及び側面
断面図である。
【図１７】従来の半導体素子用冷却器の平面断面図であ
る。
【符号の説明】
１ 冷媒 ２，２ａ，２ｂ 流入口 ３ 第１のヘッダー ４ 並列流路 ５ 第２のヘッダー ６，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ 流出口 ７，７ａ，７ｂ 外壁面 ８ 平型半導体素子 ９ アノード側電極面 １０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ （第
１の）半導体素子用冷却器 １１ カソード側電極面 １２ モジュール型半導体素子 １３ 放熱板 １４ ヘッダー分割用平板 １５ 上下分割用平板 １６ 絶縁基板 １７ 金属電極 １８，２３ 電力用半導体素子 １９，２４ 樹脂製パッケージ ２０ 第２の半導体素子用冷却器 ２１，２２ 第１、第２の熱緩衝用金属平板

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平型半導体素子の電極面に加圧接触され
    るか又はモジュール型半導体素子の放熱板にネジ取付け
    され、内部を流れる冷媒により前記平型半導体素子又は
    前記モジュール型半導体素子の熱損失を放熱する液冷却
    式の半導体素子用冷却器において、多数の微細な流路か
    らなる並列流路と、この並列流路における前記各流路へ
    前記冷媒を分配する第１のヘッダーと、前記並列流路か
    ら流出した前記冷媒が合流する第２のヘッダーとを有す
    ることを特徴とする半導体素子用冷却器。
  2. 【請求項２】 前記並列流路における各流路の断面形状
    の幅を１．５mm以下、高さ／幅を１０以上としてなるこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体素子用冷却器。
  3. 【請求項３】 前記平型半導体素子のカソード側電極面
    及びアノード側電極面にそれぞれ加圧接触された第１の
    冷却器及び第２の冷却器を備え、前記第１の冷却器内部
    を流れる冷媒の流れ方向と、前記第２の冷却器内部を流
    れる冷媒の流れ方向とを対向させてなることを特徴とす
    る請求項１又は２記載の半導体素子用冷却器。
  4. 【請求項４】 前記並列流路を流れる冷媒が流入口から
    流入し、流出口から流出するまでの前記各流路の長さが
    全て等しくなるように前記流入口及び流出口を配置して
    なることを特徴とする請求項１，２又は３記載の半導体
    素子用冷却器。
  5. 【請求項５】 前記第１のヘッダー及び前記第２のヘッ
    ダーを複数個に分割し、このヘッダー分割に応じて分割
    された或る単位数の流路からなる各分割並列流路内を流
    れる冷媒の流れ方向を対向させてなることを特徴とする
    請求項１又は４記載の半導体素子用冷却器。
  6. 【請求項６】 前記並列流路における各流路の断面形状
    の幅を２mm以下、高さ／幅を５以上としてなることを特
    徴とする請求項５記載の半導体素子用冷却器。
  7. 【請求項７】 前記並列流路を薄板又はブレージングシ
    ートの何れかを用いた積層構造とし、この並列流路と前
    記第１のヘッダー及び前記第２のヘッダーとをロウ付け
    にて構成してなることを特徴とする請求項１乃至６の何
    れかに記載の半導体素子用冷却器。
  8. 【請求項８】 前記並列流路を金属ブロックからワイヤ
    カットにより連続的に加工し構成し、この並列流路と前
    記第１のヘッダー及び前記第２のヘッダーとをロウ付け
    してなることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記
    載の半導体素子用冷却器。
  9. 【請求項９】 上下２層に分割した上層冷却器と下層冷
    却器の各内部を流れる冷媒の流れ方向を対向させてなる
    ことを特徴とする請求項１，２，４，６，７又は８記載
    の半導体素子用冷却器。
  10. 【請求項１０】 上下の中央部に上下分割用の平板を挿
    入し、前記並列流路と合わせて一体ロウ付けすることに
    より前記上層冷却器及び下層冷却器を構成してなること
    を特徴とする請求項９記載の半導体素子用冷却器。
  11. 【請求項１１】 冷却器外壁面に絶縁基板を接合し、こ
    の絶縁基板上に金属電極を接合し、この金属電極上に電
    力用半導体素子を接合し、前記電力用半導体素子、金属
    電極及び絶縁基板を絶縁性の樹脂製パッケージに収納
    し、前記冷却器外壁面と樹脂製パッケージは端部で接着
    してなることを特徴とする請求項１乃至１０の何れかに
    記載の半導体素子用冷却器。
  12. 【請求項１２】 第１の冷却器及び第２の冷却器を備
    え、前記第１の冷却器の第１の外壁面上に第１の熱緩衝
    用金属平板を積層し、この第１の熱緩衝用金属平板上に
    電力用半導体素子を配置し、この電力用半導体素子上に
    第２の熱緩衝用金属平板を積層し、この第２の熱緩衝用
    金属平板に第２の外壁面が接するように当該第２の熱緩
    衝用金属平板上に前記第２の冷却器を配置し、前記電力
    用半導体素子、第１、第２の熱緩衝用金属平板及び第
    １、第２の外壁面の一部を絶縁性のパッケージに収納
    し、前記第１、第２の外壁面と絶縁性のパッケージは端
    部で接着してなることを特徴とする請求項１乃至１０の
    何れかに記載の半導体素子用冷却器。
  13. 【請求項１３】 請求項１乃至１２の何れかに記載の半
    導体素子用冷却器を使用してなることを特徴とする電力
    変換装置。
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Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005166030A (ja) * 2003-11-11 2005-06-23 Showa Denko Kk 受熱器、受熱器の製造方法および放熱装置
WO2006115073A1 (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Nippon Light Metal Company, Ltd. 液冷ジャケット
JP2006324647A (ja) * 2005-04-21 2006-11-30 Nippon Light Metal Co Ltd 液冷ジャケット
JP2007184435A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Nakamura Mfg Co Ltd 冷却部を備えた電子部品用パッケージ、およびその形成方法
JP2007250701A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Hitachi Ltd 電子機器用冷却装置
WO2008084597A1 (ja) * 2007-01-11 2008-07-17 Aisin Aw Co., Ltd. 発熱体冷却構造及びその構造を備えた駆動装置
JP2008251652A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンク
JP2009176871A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンクおよび電気機器
JP2009253034A (ja) * 2008-04-07 2009-10-29 Toyota Industries Corp 半導体素子冷却装置
KR101031054B1 (ko) 2009-07-30 2011-04-25 선문대학교 산학협력단 반도체 부품용 냉각장치
CN102116464A (zh) * 2011-04-21 2011-07-06 无锡马山永红换热器有限公司 大功率led路灯散热器
JP2012084731A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Mitsubishi Electric Corp プレート積層型冷却装置
WO2012147544A1 (ja) 2011-04-26 2012-11-01 富士電機株式会社 半導体モジュール用冷却器及び半導体モジュール
WO2013054615A1 (ja) 2011-10-12 2013-04-18 富士電機株式会社 半導体モジュール用冷却器及び半導体モジュール
WO2013157467A1 (ja) 2012-04-16 2013-10-24 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置用冷却器
US8902589B2 (en) 2010-04-21 2014-12-02 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module and cooler
US9220182B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Honda Motor Co., Ltd. Semiconductor module cooler and semiconductor module
JP2016006826A (ja) * 2014-06-20 2016-01-14 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 半導体モジュール
US9263367B2 (en) 2013-10-16 2016-02-16 Honda Motor Co., Ltd. Semiconductor device
FR3030708A1 (fr) * 2014-12-22 2016-06-24 Airbus Operations Sas Plaque froide, formant notamment partie structurale d'un equipement a composants generateurs de chaleur
US9406586B2 (en) 2010-05-10 2016-08-02 Fujitsu Limited Cooling jacket and electronic device having the same
JP5975110B2 (ja) * 2012-10-29 2016-08-23 富士電機株式会社 半導体装置
US9673130B2 (en) 2014-08-06 2017-06-06 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device having a cooler
US9681591B2 (en) 2012-08-15 2017-06-13 Fujitsu Limited Heat-receiving device, cooling device, and electronic device
CN110828403A (zh) * 2019-10-24 2020-02-21 上海理工大学 一种组合式半导体单元控温盒
DE112015006041B4 (de) * 2015-01-22 2021-03-11 Mitsubishi Electric Corporation Halbleiteranordnung

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4521250B2 (ja) * 2003-11-11 2010-08-11 昭和電工株式会社 放熱装置およびその製造方法
JP2005166030A (ja) * 2003-11-11 2005-06-23 Showa Denko Kk 受熱器、受熱器の製造方法および放熱装置
WO2006115073A1 (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Nippon Light Metal Company, Ltd. 液冷ジャケット
JP2006324647A (ja) * 2005-04-21 2006-11-30 Nippon Light Metal Co Ltd 液冷ジャケット
JP4687541B2 (ja) * 2005-04-21 2011-05-25 日本軽金属株式会社 液冷ジャケット
JP2011040778A (ja) * 2005-04-21 2011-02-24 Nippon Light Metal Co Ltd 液冷ジャケット
JP2007184435A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Nakamura Mfg Co Ltd 冷却部を備えた電子部品用パッケージ、およびその形成方法
JP2007250701A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Hitachi Ltd 電子機器用冷却装置
WO2008084597A1 (ja) * 2007-01-11 2008-07-17 Aisin Aw Co., Ltd. 発熱体冷却構造及びその構造を備えた駆動装置
JP2008172024A (ja) * 2007-01-11 2008-07-24 Aisin Aw Co Ltd 発熱体冷却構造及びその構造を備えた駆動装置
DE112007002435T5 (de) 2007-01-11 2009-08-27 Aisin AW Co., Ltd., Anjo Kühlstruktur für Wärme erzeugendes Bauteil und Antriebseinheit, die diese enthält
DE112007002435B4 (de) * 2007-01-11 2014-10-23 Aisin Aw Co., Ltd. Kühlstruktur für Wärme erzeugendes Bauteil und Antriebseinheit, die diese enthält
US7569957B2 (en) 2007-01-11 2009-08-04 Aisini Aw Co., Ltd. Heating element cooling structure and drive device having the cooling structure
JP2008251652A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンク
JP2009176871A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンクおよび電気機器
JP2009253034A (ja) * 2008-04-07 2009-10-29 Toyota Industries Corp 半導体素子冷却装置
KR101031054B1 (ko) 2009-07-30 2011-04-25 선문대학교 산학협력단 반도체 부품용 냉각장치
US8902589B2 (en) 2010-04-21 2014-12-02 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module and cooler
US9406586B2 (en) 2010-05-10 2016-08-02 Fujitsu Limited Cooling jacket and electronic device having the same
JP2012084731A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Mitsubishi Electric Corp プレート積層型冷却装置
CN102116464A (zh) * 2011-04-21 2011-07-06 无锡马山永红换热器有限公司 大功率led路灯散热器
WO2012147544A1 (ja) 2011-04-26 2012-11-01 富士電機株式会社 半導体モジュール用冷却器及び半導体モジュール
US9237676B2 (en) 2011-04-26 2016-01-12 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module cooler and semiconductor module
WO2013054887A1 (ja) 2011-10-12 2013-04-18 富士電機株式会社 半導体モジュール用冷却器及び半導体モジュール
US9245821B2 (en) 2011-10-12 2016-01-26 Fuji Electric Co., Ltd. Cooling device for semiconductor module, and semiconductor module
US9293391B2 (en) 2011-10-12 2016-03-22 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module cooler and semiconductor module
WO2013054615A1 (ja) 2011-10-12 2013-04-18 富士電機株式会社 半導体モジュール用冷却器及び半導体モジュール
WO2013157467A1 (ja) 2012-04-16 2013-10-24 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置用冷却器
US9472488B2 (en) 2012-04-16 2016-10-18 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and cooler thereof
US9681591B2 (en) 2012-08-15 2017-06-13 Fujitsu Limited Heat-receiving device, cooling device, and electronic device
JPWO2014069174A1 (ja) * 2012-10-29 2016-09-08 富士電機株式会社 半導体装置
US10014236B2 (en) 2012-10-29 2018-07-03 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP5975110B2 (ja) * 2012-10-29 2016-08-23 富士電機株式会社 半導体装置
US9220182B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Honda Motor Co., Ltd. Semiconductor module cooler and semiconductor module
US9263367B2 (en) 2013-10-16 2016-02-16 Honda Motor Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016006826A (ja) * 2014-06-20 2016-01-14 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 半導体モジュール
US9673130B2 (en) 2014-08-06 2017-06-06 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device having a cooler
EP3038151A1 (fr) * 2014-12-22 2016-06-29 Airbus Operations Plaque froide, formant notamment partie structurale d'un équipement à composants générateurs de chaleur
FR3030708A1 (fr) * 2014-12-22 2016-06-24 Airbus Operations Sas Plaque froide, formant notamment partie structurale d'un equipement a composants generateurs de chaleur
US9736963B2 (en) 2014-12-22 2017-08-15 Airbus Operations (S.A.S.) Cold plate, forming in particular a structural part of an item of equipment having heat-generating components
DE112015006041B4 (de) * 2015-01-22 2021-03-11 Mitsubishi Electric Corporation Halbleiteranordnung
CN110828403A (zh) * 2019-10-24 2020-02-21 上海理工大学 一种组合式半导体单元控温盒

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