JP5897976B2 - 水素分離装置の製造方法 - Google Patents
水素分離装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5897976B2 JP5897976B2 JP2012100096A JP2012100096A JP5897976B2 JP 5897976 B2 JP5897976 B2 JP 5897976B2 JP 2012100096 A JP2012100096 A JP 2012100096A JP 2012100096 A JP2012100096 A JP 2012100096A JP 5897976 B2 JP5897976 B2 JP 5897976B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- plating
- porous
- layer
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
具体的には、下記特許文献2には、図13に示す様に、筒状の多孔質セラミックスからなる多孔質体(X1)の細孔(X2)中に、多孔質体の外側より水素透過性金属Pdを充填してPd充填層(X3)を形成し、その後、Pd充填層の外側にAgめっき液(X4)を供給し、電解めっきによりAgめっき層(X5)を形成する技術が開示されている。
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、装置に損傷を与えることなく水素分離装置を製造できる水素分離装置の製造方法を提供することにある。
例えばベース金属としてPdを用い、めっき金属としてAgを用いた場合には、合金化してPdAgからなる水素分離金属層を形成することができるが、この場合には、単にPdのみを用いる場合に比べて、水素脆化を大きく抑制できるという利点がある。
(3)本発明は、第3態様として、前記多孔質体は、一方の端部が閉塞した筒状体として形成され、前記筒状体の内側には、前記電解液及び前記めっき液のうちの一方が供給され、前記筒状体の外側には、前記電解液及び前記めっき液のうちの他方が供給されることを特徴とする。
この水素分離装置では、水素分離金属層は、従来に比べて破損が少ない(又は破損がない)。よって、破損に起因するガスリークが発生し難く、純度の高い水素を好適に分離することができる。
また、上述した製造方法では、表面膜に接点を設け、クリッピングして給電する必要がなく、接点部分やクリッピング部分にもめっき膜が均一に形成できる。例えば、従来ではPd膜に電解Agめっき膜を形成する場合には、接点部分やクリッピング部分にはAg膜を形成できず、この部分では(別途Ag膜を被覆しない限り)水素脆化を起こし易くなり、使用時にリーク発生する原因となりうる。これに対して、上述した水素分離装置では、このような部分が形成されないため、高い耐久性を有している。
この場合には、多孔質体の一方の表面側に多孔質支持体を備えているので、多孔質体が薄い層で構成されていても、水素分離装置の強度を高めることができる。
<水素分離装置の構成>
前記多孔質体は、全体又は一部が水素を含むガスの透過が可能な多孔質材料で構成されており、この材料としては、セラミックスを採用できる。このセラミックスとしては、イットリア安定化ジルコニア、安定化ジルコニア、アルミナ、マグネシア、セリア、ドープドセリアおよびこれらの混合物、前記セラミックスに金属触媒を担持させたセラミックス、触媒金属とセラミックスとのサーメットなどが挙げられる。
前記めっき膜を形成するめっき金属としては、Ag、Cu、Au、Pd等が挙げられる。
従って、水素分離金属層を構成する材料としては、Pd単体、Pd合金(例えばPdAg合金、PdCu合金、PdAu合金)等が挙げられる。水素脆化の抑制の点からは、Pd単体よりもPdAg合金が望ましい。また、(例えば450℃以上の)高温で使用される水素分離装置の場合には、PdAg合金が望ましい。
<電解めっきの構成>
前記電解液の電解質(溶質)としては、NaCl、KCl、NaBr、MgCl2、CaCl2、(CH3)4NClO4、(CH3)4NPF6等、溶媒へ溶解するものであれば使用できる。なお、この溶質としては、溶解度のより高く且つ電気伝導度のより高いものが好ましい。
前記めっき液及び液中金属化合物濃度としては、成膜したい被膜材質により適宜選択することができる。
銅(Cu)ならば、硫酸銅めっき液(硫酸銅濃度:60〜250g/L)、ピロリン酸銅めっき液(ピロリン酸銅濃度:65〜105g/L)、シアン化銅めっき液(シアン化銅濃度:20〜80g/L)を採用できる。
パラジウム(Pd)ならば、アンモニアアルカリ性パラジウムめっき液(パラジウム化合物濃度:5〜40g/L)を採用できる。
例えば、シアン系銀めっき液ならば10〜30℃、ノンシアン系銀めっき液ならば15〜35℃、硫酸銅めっき液ならば10〜30℃、ピロリン酸銅めっき液ならば50〜60℃、シアン化銅めっき液ならば40〜70℃、シアン化金めっき液ならば50〜70℃、酸性金めっき液ならば10〜60℃、パラジウムめっき液ならば10〜70℃である。
a)まず、本実施例の水素分離装置の要部である水素分離体について説明する。
詳しくは、多孔質層11は、多孔質支持体9の外側表面を覆う(原料ガスが透過可能な)第1多孔質層13と、第1多孔質層13の外側表面を覆う(少なくとも水素ガスが透過可能な)第2多孔質層15とから、一体に構成されている。
この水素分離金属層19は、後述するように、無電解めっきによって形成された内側のPd層と、電解めっきによって形成された外側のAg層とが合金化されたものであり、第1多孔質層13内の外側部分と第2多孔質層15の内側部分とにわたり形成されている。
また、前記図2に示す様に、前記緻密部5は、YSZからなる円筒形状のセラミックス体であり、ガスの透過ができない程度に十分には緻密化され、その強度は水素分離部3よりも大きくされている。
図5に示す様に、水素分離装置21は、水素分離体1と、水素分離体1の開放端側が挿入された筒状の取付金具23と、水素分離体1の外周面と取付金具23の内周面との間に配置された円筒形のシール部材25と、水素分離体1に外嵌されてシール部材25の先端側を押圧する円筒形の押圧金具27と、押圧金具27に外嵌されて取付金具23に螺合する筒状の固定金具29とを備えている。
そして、水素分離装置21の内部(詳しくは水素分離体1の中心孔7)には、内挿管45が配置され、この内挿管45によって、原料ガスが水素分離体1の内部に供給される。
<水素分離体1の製造方法>
本実施例では、プレス成形によって水素分離体1を製造する。
(第1粉末充填工程)
本実施例では、図6(a)に示す様な型枠51を用いてプレス成形を行う。この型枠51の筒状のゴム型53の軸中心には、水素分離体1の外形に対応した円柱形の内部孔55が形成されており、この内部孔55の軸中心には、水素分離体1の中心孔7の形状に対応した円柱状(試験管形状)の中心ピン57が立設されている。これにより、略円筒形状の型枠孔59が形成されている。
(第2粉末充填工程)
次に、図6(b)に示す様に、同様に、ゴム型53の型枠孔59内において、緻密部形成部61の上に、多孔質支持体9を形成する材料として、造孔材として有機ビーズを48体積%添加したYSZ造粒粉を充填した。
(加圧工程)
次に、図6(c)に示す様に、ゴム型53の上部に、上部金型63を固定した。なお、上部金型63には、多孔質支持体9の先端に対応する形状の凹部65が形成されており、この凹部65が嵌め込まれることによって、多孔質支持体9と同様な形状の多孔質形成部67が作製される。
(焼成工程)
次に、ゴム型53より取り出した有底円筒形状成形体69を脱脂し、その後、1400℃にて焼成することにより、図7(a)に示す様に、(YSZからなる)緻密部5と多孔質支持体9とが一体となったφ10mm×長さ300mmのセラミック焼成体70を得た。
(第1多孔質層形成工程)
次に、図7(b)に拡大して示す様に、YSZ粉末を有機溶媒中に分散させたスラリーを作製し、ディップコーティング法によって、セラミック焼成体70の多孔質支持体9の外側表面全体にスラリーを付着させた。そして、1200℃で加熱して焼き付けを行って、多孔質支持体9の外側表面を覆う第1多孔質層13を形成した。
(Pd金属核形成工程)
次に、第1多孔質層13を備えた多孔質支持体9を、Snイオン溶液に浸漬し、Snイオンを第1多孔質層13に吸着させ、水洗後、Pdイオン溶液に浸漬させて、SnイオンとPdイオンの交換反応によりPdイオンを吸着させた。
(第2多孔質層形成工程)
次に、図7(c)に示す様に、Pd金属核を付着させた第1多孔質層13に対して、再度上述したYSZのスラリーをディップコーティングした後に、焼き付けることにより、保護層である第2多孔質層15を形成した。
(無電解めっき工程)
次に、無電解めっき法(化学めっき法)により、第1多孔質層13におけるPd金属核を成長させ、図7(d)に図7(c)のA部分を更に拡大して示す様に、細孔17の一部を埋めるようにして、3.0μmの厚みでPdからなる無電解めっき層(水素分離金属充填層)71を形成した。
(電解めっき工程)
次に、図8に示す様に、(内部に無電解めっき層71を含む)多孔質層11を備えた多孔質支持体9の中心孔7、即ち、多孔質層11等を備えたセラミック焼結体70の中心孔7に、濃度6.0mol/LのNaCl水溶液を電解液として導入した。
そして、電解めっき後に、水素分離金属層形成体79に対して、窒素中750℃で熱処理を行い、PdとAgとを合金化し、厚み4.0μmのPdAg合金からなる水素分離金属層19とした。
<水素分離装置21の組付方法>
そして、合金化後に、前記図5に示す様に、金属継手40等を取り付け水素分離装置21とした。
次に、水素分離体1の開放端側を、押圧金具27の貫通孔、シール材25の貫通孔を通す様に挿入し、水素分離体1の端部を取付金具23に嵌めた。
d)次に、本実施例の水素分離装置21を用いて行った実験例について説明する。
e)上述した実験例からも明らかな様に、本実施例では、水素分離体1の内側に電解液を供給するとともに、外側に電解Agめっき液を供給し、電解液を介して無電解めっき層71に電子を供給して電解めっきを行うので、従来の様に、多孔質体の表面に表面膜を形成し、その表面膜に接点を設けたりクリッピングして給電する必要がない。そのため、表面膜の破損によるガスリークの発生を防止できる。
更に、本実施例では、多孔質層11の表面に水素分離金属層19が露出していないので、多孔質層11の外側表面が保護層として機能する。よって、従来の様に、露出した水素分離金属層に、鉄等の異物が付着・反応して、水素分離金属層に孔が形成されることがないので、耐久性が向上する。
図示しないが、本実施例の水素分離装置の水素分離体は、実施例1の様な緻密部を備えておらず、多孔質支持体及び多孔質層からなる水素分離部により全体が構成されている。
まず、YSZ粉末と有機バインダと造孔材を混合した後、押し出し成形法により、円筒有底管形状に成形した。
次に、YSZ粉末を有機溶媒中に分散させたスラリーを作製し、ディップコーティング法により、多孔質支持体の上に付着させ、1300℃に加熱して焼き付けを行って第1多孔質層を形成した。
次に、円筒有底管の内部に、6.0mol/LのNaCl水溶液を電解液として導入した。その後、NaCl電解液中に給電電極を挿し込んだ後、円筒有底管を、予め対極の配置された浴温30℃の電解Agめっき液(シアン化銀濃度30g/L)中にセットした。
これにより、内部に水素分離金属層を備えた多孔質層及びその多孔質層を支持する多孔質支持体からなる水素分離体が完成した。
b)次に、実験例について説明する。
本実施例の水素分離装置の外周部に、前記実施例1と同様な条件で、550℃で水素含有ガスを導入し、円筒内に高純度水素を取り出す水素分離試験を行ったところ、純度としては99.99%以上の水素が得られた。また、長時間(1000時間)の試験を行っても水素純度の低下も無く、耐久性に優れていた。
本実施例の水素分離装置の水素分離体は、前記実施例2と同様な多孔質支持体を用いており、実施例1の様な緻密部を備えておらず、多孔質支持体及び多孔質層からなる水素分離部により全体が構成されている。
まず、YSZ粉末と有機バインダと造孔材を混合した後、押し出し成形法により、円筒有底管形状に成形した。
次に、残余のPd金属核を付着させた多孔質体91に対して、前記実施例2と同様に、無電解めっき法により、多孔質体91内部のPd核を成長させ、Pdからなる無電解めっき層93(図10参照)を形成した。
次に、Agめっき後の多孔質体91に対して、窒素中750℃で熱処理を行い、PdとAgとを合金化し、PdAg合金からなる水素分離金属層を形成した。
本実施例においても、前記実施例2と同様な効果を奏する。
図示しないが、本実施例の水素分離装置の水素分離体は、前記実施例1の様に、多孔質支持体及び多孔質層からなる水素分離部と緻密部とから構成されているが、多孔質支持体には、原料ガスを分解して水素を発生させる改質触媒(Ni)を有している。
前記実施例1と同様なゴム型に、まず、YSZ造粒粉を充填し、次に、有機ビーズと酸化ニッケル(NiO)とYSZとを混合した造粒粉を充填し、その後、プレス成形法により、円筒有底管形状に成形した。
次に、YSZ粉末を有機溶媒中に分散させたスラリーを作製し、ディップコーティング法により、多孔質支持体の表面にスラリーを付着させ、1200℃に加熱して焼き付けを行って第1多孔質層を形成した。
その後、無電解めっき法により、多孔質層内部のPd核を成長させ、3.0μmの厚みでPdからなる無電解めっき層を形成した。
なお、その後、雰囲気を水素に切り換え還元処理を行った。これにより、NiOの還元を行ってNiとした。
なお、合金化後に金属継手を取り付け水素分離装置とした。
本実施例は、電解めっきを行う際に用いる電解液のみが、前記実施例1と異なる。
具体的には、本実施例では、電解液の電解質として、テトラブチルアンモニウム過塩素酸塩(CH3)4NClO4を用い、溶媒として、アセトニトリルを用い、濃度は1mol/Lとした。なお、他の条件等は、前記実施例1と同様である。
本実施例は、電解めっきを行う際に用いる電解液のみが、前記実施例1と異なる。
具体的には、本実施例では、電解液の電解質として、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート(CH3)4NPF6を用い、溶媒として、ジクロロメタンを用い、濃度は1mol/Lとした。電解液として導入した。なお、他の条件等は、前記実施例1と同様である。
本実施例は、電解めっきのめっき金属が、前記実施例1と異なる。
本実施例では、前記実施例1と同様な手法で、(多孔質層を備えた)多孔質支持体及び緻密部からなる円筒有底管を作製した。
詳しくは、電解めっきの際に、円筒有底管の内部にNaCl電解液を導入した。また、NaCl電解液中に給電電極を挿し込んだ後、円筒有底管を、予め対極の配置された浴温60℃の電解Auめっき液(シアン化金カリウム濃度8g/L)中にセットした。
Auめっき後の円筒有底管に対して、窒素中750℃で熱処理を行い、PdとAuとを合金化し、厚さ3.2μmのPdAu合金からなる水素分離金属層を形成し、水素分離体を完成した。
本実施例においても、前記実施例1と同様な効果を奏する。
本実施例は、電解めっきのめっき金属が、前記実施例1と異なる。
本実施例では、前記実施例1と同様な手法で、(多孔質層を備えた)多孔質支持体及び緻密部からなる円筒有底管を作製した。
詳しくは、電解めっきの際に、円筒有底管の内部にNaCl電解液を導入した。また、
NaCl電解液中に給電電極を挿し込んだ後、円筒有底管を、予め対極の配置された浴温60℃の電解Cuめっき液(シアン化第一銅濃度60g/L)中にセットした。
Cuめっき後の円筒有底管に対して、窒素中750℃で熱処理を行い、PdとCuとを合金化し、厚さ5.0μmのPdCu合金からなる水素分離金属層を形成し、水素分離体を完成した。
本実施例においても、前記実施例1と同様な効果を奏する。
本実施例では、円筒有底管の内側に電解めっき液を供給し、内側よりめっき金属を析出させる点に特徴がある。
そして、実施例1と同様に、無電解めっき及び電解めっきを行った。但し、Pdからなる無電解めっき層の内側にAgからなる電解めっき層を形成した。
本実施例においても、前記実施例1と同様な効果を奏する。
本実施例では、円筒有底管形状の水素分離体を備えた水素分離装置を以下の手法により作製した。
本実施例においても、前記実施例1と同様な効果を奏する。
本実施例では、円筒有底管形状の水素分離体でなく、平板状の水素分離体を備えた水素分離装置に特徴がある。
まず、図示しないが、平板形状ゴム型の外周部にYSZを充填し、中央部に造孔材として48体積%の有機ビーズを添加したYSZ造粒粉を充填した後、プレス成形法により、平板形状に成形した。
その後、無電解めっき法により、多孔質層131の内部のPd金属核を成長させ、3.0μmの厚みでPdの無電解めっき層133を形成した。
その後、NaCl電解液中に、平板形状の給電電極139を、セラミック焼成体125と平行となるように挿し込んだ後、セラミック焼成体125や樹脂枠体125等を、予め平板形状の2枚の対極141の配置された浴温30℃の電解Agめっき液(硝酸銀濃度37g/L)中にセットした。
図示しないが、本実施例では、無電解めっき工程における金属種が異なる。
具体的には、第2多孔質層までは実施例1と同様の方法で作製し、その後、無電解Agめっき液を用い、無電解めっき法により、第1多孔質層内部のPd核を基点としてAgからなる無電解めっき層を1.0μmの厚みで形成した。
[比較例1]
次に、本発明の範囲外の比較例1について説明する。
ゴム型に、YSZ造粒粉、造孔材として48体積%の有機ビーズを添加したYSZ造粒粉の順番に充填した後、プレス成形法により、円筒有底管形状に成形した。
次に、YSZ粉末を有機溶媒中に分散させたスラリーを作製し、ディップコーティング法により、多孔質支持体上に付着させ、1200℃に加熱して焼き付けを行って、多孔質層を得た。
そして、この水素分離装置の内部に、Heを大気圧より高い圧力(例えば1.0MPaG)により負荷して、水素分離体を水中に沈め、外側からの気泡の発生を確認したところ、膜の傷部分から気泡の発生が確認され、リークしていることが分かった。
[比較例2]
次に、本発明の範囲外の比較例2について説明する。
このサンプルのAgめっき厚みを測定すると表面に膜形成した側の端部と反対側の端部で、Agめっき膜の膜厚が極端に厚くなっていることが確認された。
その結果、試験開始時は、水素純度が99%であったが、試験時間100hから水素純度が急激に低下した。試験後に膜部分からリーク発生していることが確認された。
尚、本発明は前記実施形態や実施例になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
(3)なお、多孔質体(例えば多孔質層)を支持する多孔質支持体は、多孔質体の第1の表面側又は第2の表面側の(即ち表裏面の)どちらに設けてもよい。
A2…電解液
A3…電解めっき液
A4…給電電極
A5…対極
A6…ベース金属
A7…めっき膜
1…水素分離体
3…水素分離部
5、101、123…緻密部
9、103、121…多孔質支持体
11、131…多孔質層
13、127…第1多孔質層
15、129…第2多孔質層
17、81、109…細孔
19…水素分離金属層(水素透過膜)
21…水素分離装置
71、93、107、133…無電解めっき層(水素分離金属充填層)
77、99、115、143…電解めっき層(膜)
91…多孔質体
Claims (3)
- 電気絶縁性を有する材料からなり、表裏面である第1の表面及び第2の表面を備え、前記第1、第2の表面を連通する多数の細孔を有する多孔質体を備えるとともに、
前記多孔質体の前記第1の表面に形成され、若しくは前記第1の表面より所定深さの位置から前記第1の表面に向かって所定の厚さで形成され、且つ、前記多孔質体の前記第2の表面から前記第1の表面へ、若しくは前記第1の表面から前記第2の表面へ流れる水素を含む気体のうち、水素のみを選択して透過させる水素分離金属層を備えた水素分離装置の製造方法において、
前記多孔質体の前記第1の表面に、若しくは前記多孔質体の前記第1の表面より所定深さの位置の前記細孔の内壁面に、メッキ形成の基点となるベース金属を付与し、
その後、前記多孔質体の前記第1、第2の表面のうちの一方の表面側に、電解液を供給するとともに、前記多孔質体の前記第1、第2の表面のうちの他方の表面側にめっき液を供給し、
前記一方の表面側から前記多孔質体の前記細孔に浸入した前記電解液を通して前記ベース金属に電子を供給し、且つ、前記他方の表面側から供給された前記めっき液によって、前記ベース金属を基点としてめっき膜を析出させて、前記水素分離金属層を形成することを特徴とする水素分離装置の製造方法。 - 前記ベース金属を基点としてめっき膜を形成した後に、前記ベース金属と前記めっき膜を構成するめっき金属とを合金化して、前記水素分離金属層を形成することを特徴とする請求項1に記載の水素分離装置の製造方法。
- 前記多孔質体は、一方の端部が閉塞した筒状体として形成され、
前記筒状体の内側には、前記電解液及び前記めっき液のうちの一方が供給され、
前記筒状体の外側には、前記電解液及び前記めっき液のうちの他方が供給されることを特徴とする請求項1又は2に記載の水素分離装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012100096A JP5897976B2 (ja) | 2012-04-25 | 2012-04-25 | 水素分離装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012100096A JP5897976B2 (ja) | 2012-04-25 | 2012-04-25 | 水素分離装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013227616A JP2013227616A (ja) | 2013-11-07 |
JP5897976B2 true JP5897976B2 (ja) | 2016-04-06 |
Family
ID=49675533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012100096A Expired - Fee Related JP5897976B2 (ja) | 2012-04-25 | 2012-04-25 | 水素分離装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5897976B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6386885A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-18 | Kosaku:Kk | 複極形成による電気めつき方法及び装置 |
JPH07157892A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-20 | Mitsuya:Kk | 電気めっき方法 |
JP4367693B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-11-18 | 日本碍子株式会社 | 水素分離体及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-04-25 JP JP2012100096A patent/JP5897976B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013227616A (ja) | 2013-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4729755B2 (ja) | 複合膜、その製造方法及び水素分離膜 | |
JP5888188B2 (ja) | 水素分離体 | |
JP5773699B2 (ja) | 金属空気電池 | |
JP6219625B2 (ja) | 水素分離体及びその製造方法 | |
US20230257325A1 (en) | Methods and apparatus for performing chemical and electrochemical reactions | |
JP2007301514A (ja) | 水素分離材及びその製造方法 | |
Begum et al. | Electrodeposited palladium nanotubes on nanoclusters mosaic basement for electrooxidation of hydrazine | |
KR20160058101A (ko) | 연료 전지 또는 전기분해 전지용 금속 지지체 상에 물질 층을 침착시키는 방법 | |
US9149762B2 (en) | Defectless hydrogen separation membrane, production method for defectless hydrogen separation membrane and hydrogen separation method | |
JP5155343B2 (ja) | 水素分離装置及び水素分離装置の製造方法 | |
Liu et al. | High selectivity of CO2 conversion to formate by porous copper hollow fiber: Microstructure and pressure effects | |
KR102338318B1 (ko) | 유기 하이드라이드 제조장치 | |
JP5897976B2 (ja) | 水素分離装置の製造方法 | |
JP5898037B2 (ja) | 保持部材及び水素製造装置 | |
JP5342750B2 (ja) | 水素分離装置及び燃料電池 | |
JP6054683B2 (ja) | 水素分離体の製造方法 | |
JP2011125818A (ja) | 複合体の製造方法 | |
KR101689856B1 (ko) | 금속 공기 전지용 양극재 제조 방법 | |
JP6199657B2 (ja) | 水素分離体及びその製造方法 | |
Lin et al. | Templated fabrication of nanostructured Ni brush for hydrogen evolution reaction | |
JP6358839B2 (ja) | 水素製造装置及びその製造方法 | |
JP2006314876A (ja) | 水素分離装置 | |
JP2014114179A (ja) | 成形触媒及び水素製造装置 | |
JP4911916B2 (ja) | 水素分離装置 | |
JP2017159232A (ja) | 触媒担持型水素透過膜モジュール、水素添加装置、潤滑油再生装置、アンモニア製造装置、水素製造装置、NOx浄化装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151214 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20151228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20151228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160303 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5897976 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |