JP5897820B2 - 配線基板 - Google Patents
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ラミック粉末を添加することが行なわれている。しかし、同じ比率でセラミック粉末を添加した導体ペーストを同時に異なる径の貫通孔に充填することから、径の小さい貫通導体は、電気抵抗が大きくなってしまう一方で、径の大きい貫通導体では、熱伝導のよい導体成分の絶対量が多いことから、焼成時に収縮挙動が変わって、また、径の大きい貫通導体は熱膨張の絶対値が大きくなるので、焼成後に冷却された際に貫通導体の周囲にクラックが発生しやすくなる場合があった。
接続不良によって断線している場合は、特性インピーダンスが変化し、伝送特性が劣化するにも関わらず、残りの信号貫通導体が導通しているため、不良品として判別ができないという問題があった。
線層の開口部のうち少なくとも他方主面に最も近い接地配線層の第1の開口部は、平面視において電極よりも大きい。複数の接続導体のうち第1の開口部に対応して設けられた第1の接続導体は、複数の接地配線層の開口部のうち第1の開口部よりも小さい第2の開口部に対応して設けられた第2の接続導体よりも大きい。第1の開口部と前記第2の開口部との間に、信号貫通導体の長さ方向に沿って複数の第1の接続導体が配置されている。
ており、この信号配線層3を絶縁層2c,2dを介して挟むようにして、絶縁層2b,2c間および絶縁層2d,2e間に広面積の接地配線層4が形成され、所謂ストリップ線路構造を形成している。このようにストリップ線路構造とすることで、信号配線層3は、信号配線層3の配線幅および信号配線層3と接地配線層4との間に介在する絶縁層2c,2dの厚みを設定することによって、その特性インピーダンスを任意の値、一般的には50Ω、に設定することができる。特性インピーダンスを整合させた信号配線層3によって、良好な伝送特性を有する配線基板1とすることが可能となる。
に開口部4aが形成されることで接地配線層4とは絶縁されている。各開口部4aは、信号貫通導体6aの径より大きく、開口部4aの内周は信号貫通導体6の外周面から離間して設けられている。
るものである。接地配線層4に大開口部4bを設けると、大開口部4bの外側で接地配線層4に接続される接地貫通導体7とそれらに囲まれた貫通導体6aとの間の距離が大きくなるので、貫通導体6aの特性インピーダンスが大きくなってしまうが、貫通導体6aを第2の接続導体6bの直径よりも直径の大きい第1の接続導体6cを介して接続することで、貫通導体6aに第1の接続導体6cの寄生容量が付加されるため、擬似的に貫通導体6aの直径を太くしたことになるので、信号貫通導体6の特性インピーダンスが大きくなることを抑制することができる。結果として電極5に近い部位においても特性インピーダンスが整合された、高周波信号を伝送することのできる配線基板1となる。このとき、大開口部4bを有する接地配線層4の上下に位置する絶縁層2f〜2hを貫通する信号貫通導体6の特性インピーダンスは、第1の接続導体6cの直径および貫通導体6aと接地貫通導体7との間の距離によって任意の値に設定することができる。
周波数で伝送特性を改善することができる。
よび接地貫通導体7の直径が75μmである場合には、1つの信号貫通導体6を取り囲むように信号貫通導体6の中心から半径250μmの同心円上に等間隔に4つの直径75μmの接
地貫通導体7を配列(信号貫通導体6と接地貫通導体7との間の距離は175μm)するこ
とで差動インピーダンスを50Ωとすることができる。このとき、第2の接続導体6bの直径は175um、接地導体4の開口部4aの直径は500μmとすればよい。
する絶縁層62f〜62hを貫通する貫通導体66aを直径75μm、第1の接続導体66bの直径
を125umとして、この信号貫通導体6の中心から半径900μmの同心円上に等間隔に4つの接地貫通導体7を配列(信号貫通導体6と4つの各接地貫通導体7それぞれとの間の距離は825μm)とした、従来の配線基板における擬似同軸構造の信号貫通導体66の差動イン
ピーダンスの値は、90Ω程度と大きいものとなってしまう。
μmとして配置した、本発明の配線基板における擬似同軸構造の信号貫通導体6の特性インピーダンスの値は63Ω程度となり、大開口部4bを設けても特性インピーダンスの上昇を抑制することができる。
であるストリップ線路とした。この信号配線層3から0.2mmまでは上記した、1つの直
径75μmの信号貫通導体6と、直径500μmの開口部4aを有する接地配線層4と、直径125μmの第2の接続導体6bとからなる第1の擬似同軸構造として、そこから電極5まで
の0.6mmは、上記した、直径75μmの信号貫通導体6と第1の接続通導体6cと、直径
が1800μmの大開口部4bを有する接地配線層4とからなる第2の擬似同軸構造とした。
GHz以上で−15dB以上となっているのに対して、本発明の配線基板1は、30GHz程度まで反射損失が−15dB以下となっていることがわかる。通常、反射損失が−15dB以下であると、信号を伝送するのに問題がないとされる。
貫通導体7,および表層配線層8等の配線導体は、絶縁基板2がセラミック材料から成る場合であれば、例えばタングステン(W),モリブデン(Mo),モリブデン−マンガン(Mo−Mn),銅(Cu),銀(Ag)または銀−パラジウム(Ag−Pd)等の金属粉末によるメタライズで形成することができ、絶縁基板2が有機樹脂材料から成る場合であれば、例えば銅(Cu),銀(Ag),ニッケル(Ni),クロム(Cr),チタン(Ti),金(Au)またはニオブ(Nb)やそれらの合金等の金属材料から成る薄膜等で形成することができる。
この貫通孔を上記金属の粉末に適当な有機バインダーや溶剤等を添加混合して得た金属ペーストで充填しておき、セラミックグリーンシートの表面には信号配線層3,接地配線層4,電極5および表層配線層8の所定のパターンで金属ペーストを印刷塗布しておいて、セラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成することができる。
インダーとから成るペーストを貫通孔に充填することで形成してもよい。
2:絶縁基板
2a〜2h:絶縁層
3:信号配線層
4:接地配線層
4a:開口部
4b:大開口部
5:電極
6:信号貫通導体
6a:貫通導体
6b:第2の接続導体
6c:第1の接続導体
7:接地貫通導体
8:表層配線層
Claims (2)
- 複数の絶縁層が積層された絶縁基板と、
該絶縁基板の内部または一方主面に形成された信号配線層と、
前記絶縁基板の他方主面に形成された電極と、
前記複数の絶縁層の間に形成され、開口部を有する複数の接地配線層と、
前記開口部を通って複数の前記絶縁層を貫通し、一端が前記信号配線層に電気的に接続され他端が前記電極に接続されており、連結された複数の貫通導体と該複数の貫通導体間に設けられた複数の接続導体とを含む信号貫通導体と、
該信号貫通導体を取り囲むようにして前記複数の絶縁層を貫通するとともに、前記開口部の外側で前記接地配線層に接続された複数の接地貫通導体とを備えており、
前記複数の接地配線層の前記開口部のうち少なくとも前記他方主面に最も近い前記接地配線層の第1の開口部は、平面視において前記電極よりも大きく、
前記複数の接続導体のうち前記第1の開口部に対応して設けられた第1の接続導体は、前記複数の接地配線層の前記開口部のうち前記第1の開口部よりも小さい第2の開口部に対応して設けられた第2の接続導体よりも大きく、
前記第1の開口部と前記第2の開口部との間に、前記信号貫通導体の長さ方向に沿って複数の前記第1の接続導体が配置されていることを特徴とする配線基板。 - 前記開口部は円形状であり、前記複数の接地貫通導体は、平面視して前記信号貫通導体を中心とする同心円上に配列されていることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
Priority Applications (1)
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JP2011121674A JP5897820B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011121674A JP5897820B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | 配線基板 |
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Family
ID=47468950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2011121674A Active JP5897820B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | 配線基板 |
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-
2011
- 2011-05-31 JP JP2011121674A patent/JP5897820B2/ja active Active
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