JP5884752B2 - 超音波接合装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 113
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 113
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 52
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
本発明の実施の形態1にかかる超音波接合装置について、図1乃至図4を用いて説明する。なお、図1乃至図4において、図11又は図12で用いた符号と同一の符号については、図11又は図12において説明した半導体装置と同一又は対応する部分とする。
上述のように、実施の形態1にかかる超音波接合装置では、接合面において高さが異なる2種類の異なる突起を設けることとしたが、これに限定されるものではなく、接合面に設ける2種類の突起は高さ以外についても異なる形状とすることとしても構わない。そこで、実施の形態2として、高さ以外の形状についても異なる形状を有する2種類の突起を設けた超音波接合装置について説明する。なお、本実施の形態は、実施の形態1と比較して接合面に形成される突起の形状のみ相違するため、以下において、相違する突起部分についてのみ説明し、他の部分の説明については省略する。
上述のように、実施の形態2にかかる超音波接合装置30では、接合面13に形成される突起23の幅と突起14の幅を異なる幅とすることとしたが、突起23は平坦部を備える構成であってもよい。そこで、実施の形態3として、突起23に平坦部26を設けた超音波接合装置50について説明する。なお、本実施の形態は、実施の形態1及び2と比較して接合面に形成される突起部分のみ相違するため、以下において、相違する突起部分についてのみ説明し、他の部分の説明については省略する。
上述のように、実施の形態1ないし3にかかる超音波接合装置では、接合面13に異なる2種類の突起を形成することとしたが、2種類ではなく複数種類の異なる突起を形成することとしてもよい。そこで、実施の形態4として、接合面に異なる複数種類の突起が形成されている超音波接合装置60について説明する。なお、本実施の形態は、実施の形態1ないし3と比較して接合面に形成される突起部分のみ相違するため、以下において、相違する突起部分についてのみ説明し、他の部分の説明については省略する。
上述のように、実施の形態1ないし3にかかる超音波接合装置では、接合面13に異なる2種類の突起を形成することとしたが、2種類の突起の配列は、実施の形態1ないし3に示したもの限定されるものではない。そこで、実施の形態5として、接合面に形成される2種類の突起の配列を変形した超音波接合装置70について説明する。なお、本実施の形態は、実施の形態1ないし3と比較して接合面に形成される突起部分のみ相違するため、以下において、相違する突起部分についてのみ説明し、他の部分の説明については省略する。
Claims (7)
- 導体と折れ曲がったネック部を有する帯状の金属板との接合を行う際に、前記金属板の平坦部を押圧し超音波振動を付加することで前記接合を行う超音波接合装置において、
前記金属板の平坦部を押圧する押圧部に形成され、前記金属板の平坦部を押圧する際に前記金属板に食い込む第一の突起と、
前記押圧部に形成され、前記金属板の平坦部を押圧する際に前記金属板に食い込み、かつ、前記第一の突起よりも高さが高い第二の突起と、
を備え、
前記第一の突起及び前記第二の突起は前記押圧部に複数列に配列され、
前記第一の突起は、少なくとも前記複数列の一列目に配列され、前記金属板の平坦部を押圧する際に前記平坦部のネック部側に食い込み、
前記第一の突起は、前記複数列の一列目および二列目に配列され、
前記第一の突起の前記複数列が並ぶ列方向における幅は、前記第二の突起の前記列方向における幅よりも小さい、
ことを特徴とする超音波接合装置。 - 導体と折れ曲がったネック部を有する帯状の金属板との接合を行う際に、前記金属板の平坦部を押圧し超音波振動を付加することで前記接合を行う超音波接合装置において、
前記金属板の平坦部を押圧する押圧部に形成され、前記金属板の平坦部を押圧する際に前記金属板に食い込む第一の突起と、
前記押圧部に形成され、前記金属板の平坦部を押圧する際に前記金属板に食い込み、かつ、前記第一の突起よりも高さが高い第二の突起と、
を備え、
前記第一の突起及び前記第二の突起は前記押圧部に複数列に配列され、
前記第一の突起は、少なくとも前記複数列の一列目に配列され、前記金属板の平坦部を押圧する際に前記平坦部のネック部側に食い込み、
前記第一の突起の前記列方向に垂直な方向における幅は、前記第二の突起の前記垂直な方向における幅よりも小さい、
ことを特徴とする超音波接合装置。 - 導体と折れ曲がったネック部を有する帯状の金属板との接合を行う際に、前記金属板の平坦部を押圧し超音波振動を付加することで前記接合を行う超音波接合装置において、
前記金属板の平坦部を押圧する押圧部に形成され、前記金属板の平坦部を押圧する際に前記金属板に食い込む第一の突起と、
前記押圧部に形成され、前記金属板の平坦部を押圧する際に前記金属板に食い込み、かつ、前記第一の突起よりも高さが高い第二の突起と、
を備え、
前記第一の突起及び前記第二の突起は前記押圧部に複数列に配列され、
前記第一の突起は、少なくとも前記複数列の一列目に配列され、前記金属板の平坦部を押圧する際に前記平坦部のネック部側に食い込み、
前記第一の突起の高さよりも高く、かつ、前記第二の突起の高さよりも低い複数の突起を備え、
前記複数の突起、前記第一の突起及び前記第二の突起は、前記複数列の一列目から前記複数列の前記最終列目までの間において、前記一列目から前記最終列目に向かって高さが高くなるように配列される、
ことを特徴とする超音波接合装置。 - 前記第二の突起は、少なくとも前記複数列の最終列目に配列される、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の超音波接合装置。 - 前記第一の突起は、前記押圧部における外周部分の全周に配列される、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の超音波接合装置。 - 前記第一の突起は先端に平坦部を有する、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の超音波接合装置。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の超音波接合装置を用いて、
導体と、折れ曲がったネック部を有する帯状の金属板の前記ネック部から先端側に設けられた平坦部とを接合し、前記平坦部に前記第一の突起および前記第二の突起の圧痕を形成する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013052022A JP5884752B2 (ja) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | 超音波接合装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013052022A JP5884752B2 (ja) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | 超音波接合装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014179435A JP2014179435A (ja) | 2014-09-25 |
JP5884752B2 true JP5884752B2 (ja) | 2016-03-15 |
Family
ID=51699109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013052022A Active JP5884752B2 (ja) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | 超音波接合装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5884752B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6389709B2 (ja) * | 2014-09-03 | 2018-09-12 | ニチコン株式会社 | 超音波溶接ホーンおよび電解コンデンサの製造方法 |
MX2019013616A (es) | 2017-05-15 | 2020-01-13 | Schunk Sonosystems Gmbh | Dispositivo para soldar conductores eléctricos en forma de barra y sonotrodo para dicho dispositivo. |
CN112534637B (zh) * | 2018-09-26 | 2023-11-03 | 松下控股株式会社 | 二次电池 |
JP7194335B2 (ja) * | 2019-04-23 | 2022-12-22 | トヨタ自動車株式会社 | 二次電池の製造方法および二次電池 |
JP2023091901A (ja) | 2021-12-21 | 2023-07-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
KR20240101500A (ko) * | 2022-12-23 | 2024-07-02 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 초음파 용접 장치 및 용접 구조체 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4792945B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2011-10-12 | 日産自動車株式会社 | 超音波接合装置および接合構造体 |
JP2012124247A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 接合具、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
2013
- 2013-03-14 JP JP2013052022A patent/JP5884752B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014179435A (ja) | 2014-09-25 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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