JP5880794B1 - 溶接状態監視システム及び溶接状態監視方法 - Google Patents

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Abstract

本発明の溶接状態監視システムは、鋼板(1)の溶接部(3)にプラズマを照射して電縫溶接を行うプラズマシールド電縫溶接に用いられる溶接状態監視システムであって、前記プラズマを前記溶接部に照射するプラズマ照射装置(2)と、前記溶接部を上方から撮影する、波長が850nm以上である光を検出可能なイメージセンサを有する第1の撮像装置と、前記第1の撮像装置に入射する光を、850nm以上の波長域に制限する第1の波長域制限装置と、前記第1の撮像装置で撮影した画像を画像処理して、前記溶接部の溶接状態を解析する画像処理装置と、を備えることで、プラズマの影響を受けずに溶接状態を解析することが可能な溶接状態監視システムおよび溶接状態監視方法を提供する。

Description

本発明は、溶接状態監視システム及び溶接状態監視方法に関する。
本願は、2014年4月3日に、日本に出願された特願2014−77184号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
石油及び天然ガスの採掘及び輸送に用いられる油井管及びラインパイプとして、電縫溶接を用いて製造された電縫鋼管が使用されている。さらに、原子力発電所、地熱発電所並びに化学プラントにおいて用いられるパイプとして、または、機械構造並びに一般配管において用いられるパイプとして、電縫鋼管が使用されている。このように、広い分野において電縫鋼管が使用されている。
従来の電縫溶接では、鋼板からなる帯状コイルを連続的に多数のロール群によって管状に成形する。そして、この管状の鋼板に対し、ワークコイルによる誘導加熱またはコンタクトチップによる直接通電加熱を行い、鋼板の周方向の端部(突合せ端部)を所定温度に加熱及び溶融するとともに、スクイズロールによって加圧しながら溶接して電縫鋼管を製造する。
電縫溶接の対象となる鋼板において、コンタクトチップまたはワークコイルとスクイズロールとに挟まれる突合わせ端部領域を溶接部と言う。
このような従来の電縫溶接では、電縫溶接を行う際に溶接部が大気に曝露されるため、溶接部表面に酸化物が生成される。この酸化物が溶接部の表面に残留した場合には、溶接欠陥の原因となり得るペネトレーターが発生する。
特許文献1及び2には、電縫溶接時に溶接部の表面に生じる酸化物を低減するために、溶接部に対してプラズマを照射する技術が開示されている。本明細書では、溶接部にプラズマを照射しながら電縫溶接を行う技術を、プラズマシールド電縫溶接と呼称する。なお、プラズマシールド電縫溶接は、プラズマ照射そのものにより溶接を行うプラズマ溶接とは、技術思想が根本的に異なる。
プラズマシールド電縫溶接では、溶接部の適所にプラズマを照射することにより、鋼板の突合わせ面が加熱、溶融する過程において、イオン化されたプラズマガスによる突き合わせ面のシールド作用や、イオン化されたプラズマガスによる還元作用等によって、酸素濃度の低い状態を保持できるようになる。その結果、溶接後に酸化物欠陥となる可能性のある突き合わせ面の酸化膜を発生過程において抑制することができ、欠陥の少ない高品質な溶接が可能になる。
また、特許文献3及び4には、従来の電縫溶接に関して、CCDイメージセンサによるカラーあるいはモノクロカメラを用いて溶接部の可視域の輻射パターンを撮影し、画像処理によって溶接状態を解析する技術が開示されている。
日本国特許第4890609号公報 日本国特許第5316320号公報 日本国特許第5079929号公報 日本国特許第5125670号公報
特許文献1及び2には、プラズマシールド電縫溶接が開示されているが、溶接状態の撮影技術及び画像解析技術については開示されていない。
図18Aは、従来の電縫溶接における鋼板の溶接部を、特許文献3及び4に開示された溶鋼の輻射パターンを可視域におけるカラー或いはモノクロ撮影技術により撮影した画像である。図18Aでは、左から右が鋼板の搬送方向であり、鋼板の周方向の両エッジ部がV字状に収束する様子が撮影されている。
しかしながら、溶接部に向けてプラズマを照射した場合に特許文献3及び4に開示されている撮影技術を用いると、図18Bに示すように、プラズマの自発光により輝度が高くなり、エッジ部の検出に十分なコントラストが得られなくなる問題が生じる(丸で囲んだ部分を参照)。また、図18Cに示すように、溶接部に向けてプラズマを照射した場合には、プラズマがスパッタや鋼材成分と反応を起こす瞬時的な発光現象がしばしば発生して、溶接部を反応発光で覆い隠すことがあり(丸で囲んだ部分を参照)、溶接状態の解析が著しく困難となる問題も生じる。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、鋼板の溶接部にプラズマを照射して電縫溶接を行うプラズマシールド電縫溶接に用いられる溶接状態監視システム及び溶接状態監視方法であって、プラズマの影響を受けずに、溶接状態を解析することが可能な溶接状態監視システム及び溶接状態監視方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決して、係る目的を達成するために以下の手段を採用する。
(1)本発明の一態様に係る溶接状態監視システムは、鋼板の溶接部にプラズマを照射して電縫溶接を行うプラズマシールド電縫溶接に用いられる溶接状態監視システムであって、前記プラズマを前記溶接部に照射するプラズマ照射装置と、前記溶接部を上方から撮影する、波長が850nm以上である光を検出可能なイメージセンサを有する第1の撮像装置と、前記第1の撮像装置に入射する光を、850nm以上の波長域に制限する第1の波長域制限装置と、前記第1の撮像装置で撮影した画像を画像処理して、前記溶接部の溶接状態を解析する画像処理装置と、を備える。
(2)上記(1)に記載の溶接状態監視システムにおいて、前記第1の波長域制限装置が、前記第1の撮像装置に入射する光を、900nm以上の波長域に制限する構成を採用してもよい。
(3)上記(1)又は(2)に記載の溶接状態監視システムにおいて、前記イメージセンサが前記波長域の光に対して10%以上の量子効率を有する構成を採用してもよい。
(4)上記(1)〜(3)のいずれか一項に記載の溶接状態監視システムにおいて、前記第1の撮像装置は、100mm以上の幅を有する範囲を撮影した際に、60μm以下の分解能を有する構成を採用してもよい。
(5)上記(1)〜(4)のいずれか一項に記載の溶接状態監視システムにおいて、前記画像処理装置が、V字状に収束する前記鋼板の両突合せ端部が幾何学的に交わる点である幾何学的V収束点とV字状に収束する前記鋼板の前記両突合せ端部が物理的に衝合する点である物理的衝合点とを求める構成を採用してもよい。
(6)上記(1)〜(5)のいずれか一項に記載の溶接状態監視システムにおいて、前記第1の撮像装置と同一の視野範囲を有する第2の撮像装置と、前記第2の撮像装置に入射する光を波長500nm以下の光のみに制限する第2の波長域制限装置とを更に備え、前記画像処理装置が、前記第2の撮像装置で撮影した画像に基づいて、前記鋼板の搬送方向に直交する方向である前記鋼板の幅方向のプラズマ照射位置を、前記溶接部を基準とした相対位置として求める構成を採用してもよい。
(7)上記(1)〜(6)のいずれか一項に記載の溶接状態監視システムにおいて、前記鋼板の前記搬送方向の上流であって、前記鋼板の上方かつ前記鋼板の前記搬送方向の左右いずれかの斜め方向から前記溶接部を撮影する第3の撮像装置を更に備え、前記画像処理装置が、前記第3の撮像装置で撮影した画像に基づいて、前記鋼板の前記搬送方向の前記プラズマ照射位置を、前記溶接部を基準とする相対位置として求める構成を採用してもよい。
(8)上記(7)に記載の溶接状態監視システムにおいて、前記第3の撮像装置に入射する光を波長500nm以下の光のみに制限する第3の波長域制限装置を更に備える構成を採用してもよい。
(9)本発明の一態様に係る溶接状態監視方法は、鋼板の溶接部にプラズマを照射して電縫溶接を行うプラズマシールド電縫溶接に用いられる溶接状態監視方法であって、波長が850nm以上である光を検出可能なイメージセンサを備えた撮像装置を用いて、前記撮像装置に入射する光を850nm以上の波長域に制限して、前記溶接部を上方から撮影する工程と、画像処理装置が、前記撮像装置で撮影した画像に基づいて、前記溶接部の溶接状態を解析する工程と、を有する。
上記各態様によれば、鋼板の溶接部にプラズマを照射して電縫溶接を行うプラズマシールド電縫溶接に用いられる溶接状態監視システム及び溶接状態監視方法であって、プラズマの影響を受けずに溶接状態を解析することが可能な溶接状態監視システムおよび溶接状態監視方法を提供することができる。
第1の実施形態に係るプラズマシールド電縫溶接における溶接状態監視システムの概略構成を示す図である。 プラズマシールド電縫溶接における溶接部の溶接状態のうち、第1種を示す模式図である。 プラズマシールド電縫溶接における溶接部の溶接状態のうち、第2種を示す模式図である。 プラズマシールド電縫溶接における溶接部の溶接状態のうち、遷移領域を示す模式図である。 プラズマシールド電縫溶接における溶接部の溶接状態のうち、第2’種を示す模式図である。 プラズマシールド電縫溶接における溶接部の溶接状態のうち、過入熱を示す模式図である。 Ar、N及びOの発光スペクトルを示す特性図である。 プランク輻射のスペクトルを示す特性図である。 InGaAsイメージセンサ及びCMOSイメージセンサの感度特性を示す特性図である。 CMOSカメラと波長990nm以上の光のみを透過する光学フィルタとの組み合わせでプラズマシールド電縫溶接の溶接部を撮影した画像を示す図である。 CMOSカメラと波長900nm以上の光のみを透過する光学フィルタとの組み合わせでプラズマシールド電縫溶接の溶接部を撮影した画像を示す図である。 CMOSカメラと波長810nm以上の光のみを透過する光学フィルタとの組み合わせでプラズマシールド電縫溶接の溶接部を撮影した画像を示す図である。 InGaAsイメージセンサでプラズマシールド電縫溶接の溶接部を撮影した画像を示す図である。 画像処理装置を用いて溶接部の溶接状態を解析する処理の例を示すフローチャートである。 画像処理装置により、2値化した画像において突合せ端部を直線近似する方法を示す模式図である。 画像処理装置により、V字収束領域のブロッブを抽出する方法を示す模式図である。 画像処理装置により、スリット探索領域を設定する方法を示す模式図である。 画像処理装置による溶接点Wの検出方法を示す模式図である。 入熱量と溶接の欠陥発生率との関係を示す図である。 第2の実施形態に係るプラズマシールド電縫溶接における溶接状態監視システムの概略構成を示す図である。 鋼板の側面から見た第3のカメラの配置を説明するための図である。 鋼板の上方から見た第3のカメラの配置を説明するための図である。 画像処理装置を用いて鋼板の幅方向に関するプラズマ照射位置を検出する処理の例を示すフローチャートである。 第2のカメラによりプラズマシールド電縫溶接の溶接部を撮影した画像を示す図である。 画像処理装置による処理領域の抽出を示す図である。 画像処理装置によるプラズマ画像の2値化を示す模式図である。 画像処理装置によるプラズマのブロッブの検出を示す模式図である。 画像処理装置によるプラズマのブロッブの中心線の算出を示す模式図である。 第3のカメラでプラズマシールド電縫溶接の溶接部を撮影した画像を示す図である。 図15Aにおけるプラズマトーチ、プラズマガス及び溶接線の位置関係を示す模式図である。 画像処理装置を用いて鋼板の搬送方向に関するプラズマ照射位置を検出する処理の例を示すフローチャートである。 画像処理装置を用いて鋼板の搬送方向に関するプラズマ照射位置を検出する際における、プラズマ画像の2値化を示す模式図である。 画像処理装置を用いて鋼板の搬送方向に関するプラズマ照射位置を検出する際における、プラズマのブロッブの検出を示す模式図である。 画像処理装置を用いて鋼板の搬送方向に関するプラズマ照射位置を検出する際における、プラズマの照射軸の算出を示す模式図である。 従来の電縫溶接の溶接部を従来技術により撮影した画像である。 プラズマシールド電縫溶接の溶接部を従来技術により撮影した画像である。 プラズマシールド電縫溶接の溶接部を従来技術により撮影した画像であって、プラズマとスパッタとの発光現象及びプラズマと鋼材成分との発光現象が生じている状態を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。
[第1の実施形態]
図1に、第1の実施形態に係るプラズマシールド電縫溶接における溶接状態監視システムの概略構成を示す。
プラズマシールド電縫溶接では、鋼板1を上流(図1の右側)から下流(図1の左側)に搬送しながら、ロール群(図示せず)によって管状に成形し、ワークコイルによる誘導加熱またはコンタクトチップによる直接通電加熱を行い、鋼板1の突合せ端部1aを加熱及び溶融する。
本明細書では、鋼板1が搬送される方向である、上流から下流の方向を、鋼板1の搬送方向Xと呼称する。
鋼板1をスクイズロール7(図2A〜図2Eを参照)によって両側から加圧することにより、鋼板1の両突合せ端部1aをV字状に収束させる。これにより、鋼板1の両突合せ端部1aを突き合わせて溶接する。
なお、鋼板1の両突合せ端部1aにより形成されるV字状の角をV字収束角と言う。また、鋼板1の両突合せ端部1aにより形成されるV字状に収束した領域をV字収束領域と言う。
加熱及び溶融された突合せ端部1aでは、溶鋼の表面が酸化されることにより、酸化物が生成される。溶接過程で両突合せ端部1aには電磁力(斥力)が働くため、酸化物は溶鋼と共に面外に排出される。また、溶鋼の表面に生じる酸化物は、スクイズロール7の圧力によっても排出される。
一方、突合せ端部1aにおいて、溶鋼の表面に生じた酸化物が適切に排出されなかった場合には、溶鋼の表面に生じた酸化物に起因するペネトレーターと呼ばれる溶接欠陥が生じる可能性がある。
鋼板1の搬送方向Xの上流の上方にはプラズマ照射装置2が配設される。プラズマ照射装置2は、溶接部3に向けてプラズマを照射する。
プラズマ照射装置2が、プラズマシールド電縫溶接の際に溶接部3に対してプラズマを照射することにより、溶接部3がプラズマにより覆われる。また、プラズマ中には、後述の通り、Hガスが含まれている場合には、溶接部3の周辺に還元性雰囲気が形成される。
これにより、溶接部3の周辺における酸素濃度が低くなり、溶接部3の表面に酸化物が形成されにくくなる。
本実施形態のプラズマ照射装置2は、溶接部3の全範囲に対してプラズマを照射するために、鋼板1上の長さが100mm以上の範囲に対してプラズマを照射可能であることが好ましい。
より好ましくは、本実施形態のプラズマ照射装置2は、鋼板1上の長さが200mm以上の範囲に対してプラズマを照射可能であることが好ましい。
本実施形態のプラズマ照射装置2は、層流のプラズマを照射する。これにより、プラズマシールド電縫溶接の際に溶接部3への大気の巻き込みを大幅に低減することが可能である。そのため、溶接部3において、溶鋼の表面に酸化物が生成されることを大幅に低減することができる。
本実施形態のプラズマ照射装置2の消費電力は、約40kWである。これは、プラズマ溶接装置の消費電力の約1/10である。
本実施形態のプラズマ照射装置2が照射するプラズマは、Ar,Nが主成分である。これらの成分の他には、溶接部3の周辺に還元性雰囲気を形成するために、本実施形態のプラズマ照射装置2が照射するプラズマは、Hを含有する場合もある。
ここで、溶接部3の上方には、溶接部3を撮影する撮像装置として、850nm以上の波長を有する光を検出可能なイメージセンサを備えたカメラ4が設置される。そして、カメラ4の例えばレンズ5の前面に、カメラ4に入射する光を850nm以上の波長域に制限する光学フィルタ(長波長透過フィルタ)6が装着される。第1の実施形態では、光学フィルタ6が本発明における第1の波長域制限装置に相当する。
本明細書では、850nm以上の波長を有する光を検出可能であるとは、カメラ4が、850nm以上の波長を有する光に対して10%以上の量子効率を有することを意味する。カメラ4が、850nm以上の波長を有する光に対して、より高い、例えば20%以上の量子効率を有することが好ましい。
850nm以上の波長を有する光を検出可能なイメージセンサとしては、例えば、CMOS、InGaAs及びInSbが挙げられる。
画像処理装置100は、カメラ4で撮影した画像を画像処理して、溶接部3の溶接状態を解析する。画像処理装置100は、例えばCPU、ROM、RAMを備えたコンピュータ装置が挙げられる。
(溶接部3の溶接状態)
図2A〜図2Eを参照して、プラズマシールド電縫溶接の溶接部3の溶接状態について説明する。
図2Aは、溶接部3の溶接状態のうち、第1種を示す模式図である。図2Bは、溶接部3の溶接状態のうち、第2種を示す模式図である。図2Cは、溶接部3の溶接状態のうち、遷移領域を示す模式図である。図2Dは、溶接部3の溶接状態のうち、第2’種を示す模式図である。図2Eは、溶接部3の溶接状態のうち、過入熱を示す模式図である。
図2Aから図2Eに進むに従い、溶接部3に加えられる熱量(入熱量)が増加する。
溶接部3の溶接状態は、入熱量の違いにより5種類に分けられる。
入熱量が、溶接に必要な入熱量の下限未満である場合の溶接状態は、図2Aに示す第1種である。
入熱量が、溶接を行うのに適切な入熱量である場合の溶接状態は図2Bに示す第2種である。
第2種よりも入熱量が増加した場合の溶接状態は、図2Cに示す遷移領域である。
遷移領域からさらに入熱量を増加した場合の溶接状態は、図2Dに示す第2’種である。
第2’種からさらに入熱量を増加した場合の溶接状態は、図2Eに示す過入熱である。
プラズマシールド電縫溶接の溶接部3の溶接状態を上方から観察すると、幾何学的V収束点V、物理的衝合点V及び溶接点Wの3つの点の位置及び分離状況が入熱量によって変化する。
幾何学的V収束点Vは、V字状に収束する鋼板1の両突合せ端部1aの近似直線が幾何学的に交わる点である。より具体的には、幾何学的V収束点Vを求める際には、画像処理装置100が、カメラ4で撮影した画像中の突合せ端部1aの一部を直線近似し、これにより得られた一対の近似直線の交点を幾何学的V収束点Vとする。
なお、幾何学的V収束点Vを求める際は、予め突合せ端部1aのどの範囲を直線近似するか定めておく。突合せ端部1aを直線近似する範囲は、鋼板1の搬送方向Xに関して、カメラ4で撮影した画像における突合せ端部1aの左端から、物理的衝合点Vまでの任意の範囲として定めることができる。例えば、突合せ端部1aの左端から、物理的衝合点Vまでの50%の範囲において、突合せ端部1aを直線近似することができる。
物理的衝合点Vは、V字状に収束する鋼板1の両突合せ端部1aが物理的に衝合(接触)する点である。
溶接点Wは、スクイズロール7の圧下による溶鋼の排出が始まる点である。
プラズマシールド電縫溶接の溶接部3の溶接状態が第1種の場合には、幾何学的V収束点V、物理的衝合点V、及び溶接点Wの3つの点は略重なっている。
プラズマシールド電縫溶接の溶接部3の溶接状態が第2種から過入熱の場合には、幾何学的V収束点Vと溶接点Wとが分離し、スリット8と呼ばれる細長いギャップが発生する。更に、プラズマシールド電縫溶接の溶接部3の溶接状態が遷移領域から過入熱の場合には、幾何学的V収束点Vと物理的衝合点Vとが分離する。
プラズマシールド電縫溶接の溶接部3の溶接状態が第2’種の場合には、V字収束領域が、2段階のV字収束角を持つ特徴的な形状となる。このように、V字収束領域が2段階のV字収束角を有する現象を2段収束現象と言う。
プラズマシールド電縫溶接の溶接部3の溶接状態が遷移領域である場合には、両突合せ端部1aと物理的衝合点Vとにより形成されるV字収束領域において、両突合せ端部1a間の距離が極めて短い。このことに起因して、物理的衝合点Vが幾何学的V収束点Vと溶接点Wとの間を移動する。
このとき、物理的衝合点Vが搬送方向Xの上流にホッピングすると、鋼板1の搬送方向Xの下流の電磁力が消失する。これにより、両突合せ端部1aの酸化物が排出されなくなり、溶接欠陥が増加する傾向がある。
プラズマシールド電縫溶接の溶接部3の溶接状態が過入熱の場合には、溶接点Wがスクイズロール7の位置に近づくため、酸化物の排出が適切に行われなくなり、溶接部3において溶接欠陥が増加する傾向がある。
(撮影条件)
溶接部3の溶接状態を適切に監視するために、カメラ4は、溶接部3のうち鋼板1が赤熱状態である部位から溶接点Wまでの範囲を撮影する。
後述するように、画像処理装置100は、カメラ4により撮影された溶接部3の画像に基づいて、幾何学的V収束点V、物理的衝合点V及び溶接点Wを決定する。そのため、カメラ4は、画像処理装置100が幾何学的V収束点V、物理的衝合点V及び溶接点Wを決定できるような分解能で溶接点3を撮影する。
撮影領域は、鋼板1の周方向の突合せ端部1aの赤熱がカメラ4で検知できる領域から、突合せ端部1aが圧下される溶接点Wまでを含む必要がある。両突合せ端部1aが突き合う位置は、管径、肉厚または入熱条件等によって搬送方向Xの上流方向または下流方向にずれる。そのため、カメラ4は、鋼板1の搬送方向Xに関して、100mm以上の画像視野を確保することが必要となる。
上述の理由から、カメラ4は、100mm以上の幅を有する範囲を撮影した際に、60μm以下の分解能を有することが好ましい。なお、60μm以下の分解能を有するとは、60μmよりも細かい分解能を有する(より高い分解能特性を有する)ことを意味する。
カメラ4は、130mm以上の幅を有する範囲を撮影した際に、60μm以下の分解能を有することがより好ましい。カメラ4は、150mm以上の幅を有する範囲を撮影した際に、60μm以下の分解能を有することがさらに好ましい。
鋼板1の搬送及びロール群による鋼板1の成形に伴う像流れを防止して鮮明な画像を得るには、カメラ4のシャッタースピードは、1/5000秒以下にすることがこのましい。同上の理由により、1/10000秒以下にすることがさらに好ましい。
溶接状態の時間変化を適切に捉えるためには、カメラ4のフレームレート(カメラが1秒間に撮像する枚数)は、30fps(frame per second)以上にすることが好ましい。
画像処理によって溶接状態を解析するには、溶接部3だけでなく、カメラ4により溶接ビード部(図9A〜図9Dにおいて波線で表した部分)も鮮明に撮影することが望ましい。溶接ビード部とは、両突合せ端部1aを突き合わせる際に、溶融した鋼が管状に成形した鋼板1の内外面に流出することにより成形された盛り上がり部分を指す。カメラ4により、溶接ビード部の撮影をする際には、被写界深度を±4mm以上にすることが好ましい。
溶接部3の上方3m程度の位置にカメラ4を設置した場合には、上記の撮影条件を満たすために、カメラ4の絞り条件をF8〜11に設定することが好ましい。
カメラ4は、プログレッシブスキャン法を採用していることが好ましい。プログレッシブスキャン法は、同タイミングで撮影した画像を逐次走査する画像走査方法であり、動画の撮影に適している。
(溶接部3の撮影に対するプラズマ照射の影響及びその回避策)
上述の通り、プラズマ照射装置2によって照射するプラズマの主成分は、Ar及びNである。Ar及びNは、それぞれの発光スペクトル(輝線スペクトル)に基づいて自発光すると考えられる。図3は、Ar、N及びOの発光スペクトルを示す特性図である。
一方、鋼板1の突合せ端部1aの溶鋼(溶鋼は1500℃以上の融点を持つ)の発光は、プランク輻射のスペクトルに基づくことが知られている。図4は、プランク輻射のスペクトルを示す特性図である。
プラズマの発光スペクトルの波長は知られていたが、撮影対象となる溶鋼からのプランク輻射とプラズマの発光強度比は知られていなかった。また、プラズマとスパッタとの反応及びプラズマと鋼材成分との反応により生じる発光については、発光スペクトルの波長(或いは周波数)、発光強度のいずれも知られていなかった。
特許文献3及び4には、従来の電縫溶接に関して、CCDイメージセンサによるカラーあるいはモノクロカメラを用いて溶接部の可視域の輻射パターンを撮影し、画像処理によって溶接状態を解析する技術が開示されている。しかしながら、上述したように、プラズマシールド電縫溶接の溶接部3を特許文献3及び4に開示されている撮影技術により撮影した場合には、プラズマの自発光、プラズマとスパッタとの反応により生じる発光及びプラズマと鋼材成分との反応により生じる発光が障害となって、溶接状態の解析が著しく困難となる問題が生じることが、本願発明者らによる研究の結果から明らかになった。
図3に示すように、プラズマの発光スペクトルは波長400〜800nmの領域に集中しているので、InGaAs及びInSb等の波長が850nm以上の光を検出可能なイメージセンサを用いることにより、プラズマの自発光、プラズマとスパッタとの反応により生じる発光及びプラズマと鋼材成分との反応により生じる発光の影響を抑制できる傾向になると考えられる。
例として、InGaAsイメージセンサの感度特性を図5に示す。
しかしながら、波長が850nm以上の光を検出可能なイメージセンサのうち、上述した分解能及び視野に関する条件を満たす高画素数のイメージセンサが存在しない。そのため、例えば溶接状態を的確に表す細かいスリット8を解像することができず、溶接状態の解析が困難であった。
裏面照射のCMOSイメージセンサは、図5に示すように、波長が850nm以上の光を検出することができる。そこで、本発明者らは、溶接欠陥を低減するために溶接部3にプラズマを照射するプラズマシールド電縫溶接において、溶接状態を解析するために、波長が850nm以上の領域(図5の矢印で表した領域)またはその一部の領域を利用することが有効であると考えた。
CMOSイメージセンサは、波長が850nm以上の領域では量子効率が低く、また、波長が850nm以上の領域ではプランク輻射量が低いため、上述した撮影条件を満たした上で十分な光量が得られるかについては知られていなかった。なお、カメラを最高感度にした場合に得られる光量が、ダイナミックレンジの30%以上の光量である場合には、十分な光量が得られるとし、ダイナミックレンジの50%以上の光量が得られることが好ましい。これは8ビット階調で表される画像において75〜128レベル以上であることを表す。これ以下の光量では、コントラストが不十分であったり、デジタル化の階調が粗くなって、離散的な値しか得られなかったりする等、正常な画像処理を行う上で問題が生じる。
そこで、CMOSイメージセンサを用いたカメラ(CMOSカメラ)4と光学フィルタ6とを組み合わせて、プラズマシールド電縫溶接の溶接部3(特にスリット8の状態)を解像できる条件を探索した。その結果を図6A〜6Cを参照して説明する。
なお、図6A〜6Cでは、左から右が鋼板1の搬送方向Xである。
図6Aは、水平方向の画素数が2048個であるCMOSイメージセンサを有するカメラ4に波長990nm以上の光のみを透過する光学フィルタ6を装着して撮影した画像である。また、図6Bは、CMOSイメージセンサを有するカメラ4に波長900nm以上の光のみを透過する光学フィルタ6を装着して撮影した画像である。
図6A及び図6Bでは、プラズマの自発光、プラズマとスパッタとの反応により生じる発光及びプラズマと鋼材成分との反応により生じる発光によって溶接部3の撮影に与えられる影響が抑制されており、スリット8の状態も観察されている。
一方、図6Cは、CMOSイメージセンサを有するカメラ4に波長810nm以上の光のみを透過する光学フィルタ6を装着して撮影した画像である。図6Cでは、プラズマの自発光、プラズマとスパッタとの反応により生じる発光及びプラズマと鋼材成分との反応により生じる発光が写り込んでおり、画像処理の障害となる。
なお、図示はしないが、CMOSイメージセンサを有するカメラ4に波長850nm以上の光のみを透過する光学フィルタ6を装着した場合には、図6A及び図6Bに示した場合と同様に、スリット8の状態を観察できることが分かった。
以上のように、本願発明者は、CMOSイメージセンサを有するカメラ4と、カメラ4に入射する光を850nm以上の波長域に制限する光学フィルタ6とを組み合わせる条件が、溶接部3の撮影に好適であることを見出した。
光学フィルタ6は、カメラ4に入射する光を、900nm以上の波長域に制限することが好ましい。この条件では、CMOSイメージセンサを用いて溶鋼からの輻射パターンを撮影するのに十分な光量を得ることができる。また、長波長側ほどプラズマの影響を抑制できるため、この条件では、プラズマの影響を850μmの場合よりも更に抑制することが可能である。
光学フィルタ6は、カメラ4に入射する光を、990nm以上の波長域に制限することがより好ましい。
なお、光学フィルタ6は、カメラ4に入射する光を、上述の波長域のうち一部の波長域のみに制限する構成を採用してもよい。
光学フィルタ6が透過する光の波長の上限は、特に設けない。しかしながら、図4に示すように、波長1500nm付近にプランク輻射の放射輝度のピークが存在し、より長波長側ではプランク輻射の放射輝度が低減する。図4には示していないが、波長が5000nm超の領域では、プランク輻射の放射輝度が相当量減少する。そのため、光学フィルタ6が透過する光の波長の上限としては、例えば5000nmを挙げることができる。
上記の説明では、カメラ4としてCMOSイメージセンサを有するカメラ4を用いる場合について説明したが、カメラ4が850nm以上の波長を有する光を検出可能であり、カメラ4が上述した分解能、視野及びシャッタースピードを満たしていれば、カメラ4としてはCMOSイメージセンサを有するカメラ4に限られない。
なお、参考として、図7にプラズマシールド電縫溶接の溶接部3をInGaAsイメージセンサで撮影した画像を示す。図7の左から右に進む方向が鋼板1の搬送方向Xである。撮影視野を確保すると必要な分解能が得られず、スリット等の詳細な溶接状態が認識できないことが分かる。一方、将来高画素数の素子が製造可能になれば、InGaAsやInSbなども適用可能である。
以上の知見は、本願発明者らが鋭意研究した結果、初めて明らかになったことである。
(カメラ4及び光学フィルタ6の具体例)
水平方向画素数が2048個、垂直方向画素数が512個であり、フレームレートが200fpsであるCMOSイメージセンサを用いたカメラ4に焦点距離が300mmのレンズ5を装着し、溶接部3の上方3mの位置に下向きに設置する。そして、カメラ4のレンズ5の前面に、波長900nm以上の光のみを透過する多層膜を施した光学フィルタ(長波長透過フィルタ)6を装着する。画像を撮影した際の鋼板1の搬送方向Xについての視野が130mm程度になるように調整する。カメラ4のシャッタースピードを1/10000秒に設定し、カメラ4のレンズ絞りをF8に設定する。
光学フィルタ6を装着した状態では、波長900nm以上の光しか透過しないため、例えばLEDまたは蛍光灯で撮影対象を照射した場合には、撮影対象を判別可能な画像が得られない。そのため、光学フィルタ6を取り外した状態で、カメラ4の視野を調整することが好ましい。
光学フィルタ6を装着した状態でも、波長900nm以上の光を発生する光源でスケール(物差しなどの寸法を表わす目盛りがついたもの)を照射するようにしてもよい。このような光源の例としては、ハロゲン光源が挙げられる。この場合には、光学フィルタ6を装着した状態においても、カメラ4の視野を調整することが可能となる。
(画像処理装置100の具体例)
画像処理装置100は、カメラ4から送られる溶接部3の画像を画像処理することによって、3つの点幾何学的V収束点V、物理的衝合点V並びに溶接点Wの挙動、スリット8の状態及びV字収束領域の状態を解析する。
図8及び図9A〜図9Dを参照して、画像処理装置100を用いた幾何学的V収束点V、物理的衝合点V及び溶接点Wの算出方法を説明する。
図8は、画像処理装置100を用いて溶接部3の溶接状態を解析する処理の例を示すフローチャートである。
図9Aは、画像処理装置100により、2値化した画像において突合せ端部1aを直線近似する方法を示す模式図である。図9Bは、画像処理装置100により、V字収束領域のブロッブを抽出する方法を示す模式図である。図9Cは、画像処理装置100により、スリット探索領域を設定する方法を示す模式図である。図9Dは、画像処理装置100による溶接点Wの検出方法を示す模式図である。
画像処理装置100は、カメラ4から画像データが送られてくるたびに、図8に示す画像処理を繰り返し実行する。
ステップS101において、画像処理装置100は、カメラ4から送られる画像データを入力する。
ステップS102において、画像処理装置100は、ステップS101で入力した画像を2値化する。必要に応じて、ステップS102において、画像処理装置100は、ステップS101で入力した画像をエッジ強調処理する。
ステップS103において、画像処理装置100は、ステップS102で2値化した画像において、鋼板1の突合せ端部1aを直線近似する。突合せ端部1aを直線近似した画像の模式図を図9Aに示す。
溶接状態が第1種、第2種及び遷移領域である場合には、前述の方法により突合せ端部1aを直線近似する。
一方、溶接状態が第2’種及び過入熱である場合には、2段目の収束が始まる位置よりも鋼板1の搬送方向Xの上流部分において、突合せ端部1aの直線近似を行う。
ステップS104において、画像処理装置100は、ステップS103で直線近似した突合せ端部901の交点を幾何学的V収束点Vとする。
ステップS105において、画像処理装置100は、直線近似した一対の突合せ端部901と幾何学的V収束点Vとにより形成される角(V字収束角)の二等分線902を算出する。
ステップS102〜S105の処理と並行して、ステップS106において、画像処理装置100は、ステップS101で入力した画像を反転2値化する。
ステップS107において、画像処理装置100は、ステップS106で反転2値化した画像に対し、ブロッブ毎にラベルを割り当てるラベリング処理を行う。図9Bに示すように、画像処理装置100は、所定の条件に合致するブロッブを、鋼板1の両突合せ端部1aにより形成されるV字収束領域のブロッブ903として抽出する。
なお、ブロッブとは、同一ラベルが割り当てられた領域のことである。
所定の条件としては、例えば、画像の右端には接さずに、画像の左端のみに接しており、面積が50mm以上であり、ブロッブの縦の長さをブロッブの横の長さで除した値(アスペクト比)が0.2以下であるという条件が挙げられる。
ステップS108において、画像処理装置100は、ステップS107で抽出したV字収束領域のブロッブ903の最下流点を物理的衝合点Vとする。
ステップS109において、画像処理装置100は、ステップS102で2値化した画像においてスリット探索領域904を設定する。鋼板1の両突合せ端部1aが突き合わされ、1本の線状に観察される部分を溶接線と言う。本実施形態では、ステップS105で得られたV字収束角の二等分線902上に溶接線が位置すると仮定する。
図9Cに示すように、スリット探索領域904を、V字収束角の二等分線902を囲む矩形状の領域とする。具体的には、物理的衝合点Vをスリット探索領域904の上流端とし、画像の下流端をスリット探索領域904の下流端とする。
図9Cに示すように、スリット探索領域904は、V字収束角の二等分線902からy軸の正の方向及び負の方向にそれぞれ所定の幅(例えば2mm)を有する領域である。
ステップS110において、画像処理装置100は、ステップS109で設定したスリット探索領域904を再2値化する。
ステップS111において、画像処理装置100は、ステップS110で得られたスリット探索領域904の2値化画像に対し、ブロッブ毎にラベルを割り当てるラベリング処理を行う。
ステップS112において、画像処理装置100は、ステップS111でラベリング処理したそれぞれのブロッブのアスペクト比を算出し、アスペクト比が1/2未満のブロッブがあるか否かを判定する。
この判定の結果、アスペクト比が1/2未満のブロッブがある場合には、ステップS113に進み、アスペクト比が1/2未満のブロッブのうち、鋼板1の搬送方向Xの最下流にあるブロッブの最下流の点を溶接点Wと設定する。
図9Dの場合には、アスペクト比が1/2であり、鋼板1の搬送方向Xに関して最下流に位置するブロッブがブロッブ905であるため、ブロッブ905の鋼板1の搬送方向Xに関する最下流の点が溶接点Wとして設定される。
一方、アスペクト比が1/2未満のブロッブが画像上に存在しない場合には、ステップS114に進み、V字収束角の二等分線902上にあるブロッブを接続した上で、該接続したブロッブにおける鋼板1の搬送方向Xに関する最下流の点を溶接点Wと設定する。
このようにブロッブのアスペクト比に基づいて溶接点Wの位置を設定することにより、例えばスリット探索領域904内にノイズに起因するブロッブ906がある場合でも、そのブロッブ906を除くことが可能になる。
上述したように、本実施形態に係る溶接状態監視システムによれば、カメラ4を用いて、波長900nm以上の光のみをカメラ4に入射するように制限した上に、上方から溶接部3を撮影することにより、プラズマ照射による影響を抑えながら、溶接部3を撮影した画像に基づいて溶接状態を解析することができる。
なお、ここでは画像処理装置100による画像処理を中心に説明したが、例えば画像処理の結果に基づいて、カメラ4で撮影した画像に、幾何学的V収束点V、物理的衝合点V、及び溶接点W等を重ね合わせてモニタに表示するようにしてもよい。
また、画像処理の結果に基づいて、例えばV−Vの距離が設定値以下になると入熱量を上げるように設定してもよい。この場合には、溶接点Wの位置を検出する必要はない。また、検出した溶接点Wの位置から、溶接点Wとスクイズロール7との距離が設定値以上になると入熱量を下げるように制御を行ってもよい。
[第2の実施形態]
第2の実施形態では、第1の実施形態で説明した溶接状態の解析に加えて、プラズマ照射位置を同時検出する例を説明する。
溶接部3がトップロールに挟まれていることや、鋼板1の突合せ端部1aが数度以下の狭い角度で接近すること等から、プラズマ照射装置2にはスペース的な制約が課される。そのため、プラズマの有効径が制限されるために、プラズマを照射できる範囲は限られ、溶接部3に対するプラズマ照射位置がずれると、所望の溶接品質が得られなくなる。
図10を参照して、プラズマ照射位置と欠陥発生率との関係について説明する。
図10は、プラズマシールド電縫溶接における入熱量と溶接の欠陥発生率との関係を、プラズマを照射しない場合(図中の白四角)、プラズマ照射位置が適切な場合(図中の黒丸)、及びプラズマ照射位置が適切な位置から鋼板1の搬送方向Xに10mmずれた場合(図中の黒三角)について示す図である。
図10の横軸は入熱量を示しており、操業時の基準入熱量に対する比率として表されている。
図10の縦軸は溶接欠陥の発生率を示しており、溶接した部分の全面積に対する、欠陥発生面積の比率によって表されている。
図10の実線は、プラズマ照射位置が適切な場合における、入熱量と溶接欠陥の発生率との関係についての近似曲線である。図10の点線は、プラズマ照射位置が適切な位置から鋼板1の搬送方向Xの上流方向に10mmずれた場合における、入熱量と溶接欠陥の発生率との関係についての近似曲線である。図10の一点鎖線は、プラズマを照射しなかった場合における、入熱量と溶接欠陥の発生率との関係についての近似曲線である。
図10には、入熱量が80%の場合には、プラズマ照射位置が適切な位置から鋼板1の搬送方向Xの上流方向に10mmずれることにより、溶接欠陥の発生率が数十倍増加することが示されている(図10の丸で囲んだ部分)。
また、図10には、入熱量が80%の場合には、プラズマ照射位置が適切な位置から鋼板1の搬送方向Xの上流方向に10mmずれることにより、溶接欠陥の発生率がプラズマを照射しなかった場合とほぼ同じであることが示されている。
従来、プラズマ照射装置2は、溶接をせずに成形だけをした状態で幾何学的V収束点Vの位置を予め推定し、推定された幾何学的V収束点Vの位置に基づいてプラズマ照射位置を決定していた。しかしながら、溶接を行った場合と溶接を行わなかった場合とでは、幾何学的V収束点Vの位置が10mm以上ずれる場合がある。更に入熱量及びロール群による成形状態によっても幾何学的V収束点Vの位置は変動する。そのため、従来のプラズマ照射位置の決定方法では、プラズマ照射位置が適切な位置からずれてしまい、溶接品質が低下する問題があった。
このように、プラズマ照射位置が適切であるか否かをリアルタイムで検出できるようにすることが求められている。
図11に、第2の実施形態に係るプラズマシールド電縫溶接における溶接状態監視システムの概略構成を示す。なお、第1の実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
第2の実施形態では、カメラ4(以下、本実施形態では第1のカメラと呼ぶ)とは別に、第2のカメラ9及び第3のカメラ10が設置される。
第2のカメラ9は、以下に詳述するように、鋼板1の搬送方向Xに直交する方向(鋼板1の幅方向)のプラズマ照射位置を検出するために設置される。
第1のカメラ4と第2のカメラ9とはレンズ5を共用し、第1のカメラ4及び第2のカメラ9とレンズ5との間には、分岐ユニット11が組み込まれる。分岐ユニット11は、入射した光を900nm以上の光と500nm以下の光とに分離する多層膜を有している。
すなわち、第1のカメラ4及び第2のカメラ9の視野が一致した状態で、第1のカメラ4には900nm以上の光のみが、第2のカメラ9には500nm以下の光のみが入射する。
上述のように、分岐ユニット11は、第2のカメラ9に入射する光の波長を500nm以下に制限することが好ましい。第2のカメラ9は、鋼板1の突合せ端部1aにおけるプランク輻射を撮影するためのカメラではなく、プラズマを撮影するためのカメラである。そのため、分岐ユニット11が、第2のカメラ9に入射する光の波長を500nm以下に制限することにより、プランク輻射に起因する光が第2のカメラ9に入射することを制限することができる。
分岐ユニット11は、第2のカメラ9に入射する光の波長を450nm以下に制限することがより好ましい。図3に示すように、Ar,Nの発光スペクトルは、波長が450nm以下の領域においても発光強度を有する。一方、図4に示すように、波長が450nm以下の領域において、プランク輻射の放射輝度は、波長が500nmの場合よりもさらに低減し、0に近くなる。そのため、分岐ユニット11が第2のカメラ9に入射する光の波長を450nm以下に制限することにより、プランク輻射の影響をより低減した状態で、第2のカメラ9によりプラズマ発光を撮影することができる。
なお、分岐ユニット11は、第2のカメラ9に入射する光の波長を、400nm〜500nmの波長域または400nm〜450nmの波長域のように、500nm以下の一部の波長域に制限してもよい。
第2の実施形態では、分岐ユニット11が本発明で言う第1の波長域制限装置及び第2の波長域制限装置に相当する。
なお、分岐ユニット11によって制限される第1のカメラ4に入射する光の波長の範囲は、第1実施形態における光学フィルタ6によって制限されるカメラ4に入射する光の波長の範囲と同様である。
第1のカメラ4及び第2のカメラ9の視野を一致させるために、第1のカメラ4と第2のカメラ9との少なくとも一方のカメラが光軸及び光軸に対して垂直面となる3軸の平行移動と、光軸を中心として回転移動する合計4軸の調整機構を持つ。第1のカメラ4及び第2のカメラ9の視野を一致させる際には、対象となる視野を示す矩形を描いた校正板または直交させたスケールを測定対象面に設置し、第1のカメラ4及び第2のカメラ9を用いて上記の校正板またはスケールを撮影し、それぞれの撮影画像が一致するように第1のカメラ4及び第2のカメラ9の視野を調整する。第1のカメラ4で撮影した画像と第2のカメラ9で撮影した画像とを重ね合わせることにより、第1のカメラ4及び第2のカメラ9の視野を調整することも可能である。
第3のカメラ10は、以下に詳述するように、鋼板1の搬送方向Xに関するプラズマ照射位置を検出するために設置される。
第3のカメラ10の例えばレンズ12の前面に、光学フィルタ(短波長透過フィルタ)13が装着される。
光学フィルタ13は、第3のカメラ10に入射する光を500nm以下に制限することが好ましい。第3のカメラ10は、第2のカメラ9と同様に、鋼板1の突合せ端部1aにおけるプランク輻射を撮影するためのカメラではなく、プラズマを撮影するためのカメラである。そのため、光学フィルタ13が、第3のカメラ10に入射する光の波長を上記の範囲に制限することにより、プランク輻射に起因する光が第3のカメラ10に入射することを制限することができる。
光学フィルタ13は、第3のカメラ10に入射する光を450nm以下に制限することがより好ましい。図3に示すように、Ar,Nの発光スペクトルは、波長が450nm以下の領域においても発光強度を有する。一方、図4に示すように、波長が450nm以下の領域において、プランク輻射の放射輝度は波長が500nmの場合よりもさらに低減し、0に近くなる。そのため、光学フィルタ13が、第3のカメラ10に入射する光の波長を450nm以下に制限することにより、プランク輻射の影響をより低減した状態で、第3のカメラ10によりプラズマ発光を撮影することができる。
なお、光学フィルタ13は、第3のカメラ10に入射する光の波長を、400nm〜500nmの波長域または400nm〜450nmの波長域のように、500nm以下の一部の波長域に制限してもよい。
第2の実施形態では、光学フィルタ13が本発明における第3の波長域制限装置に相当する。
図12A及び図12Bを用いて、第3のカメラ10の配置を説明する。
図12Aは、鋼板1の側面から見た第3のカメラ10の配置を説明するための図である。図12Bは、鋼板1の上方から見た第3のカメラ10の配置を説明するための図である。
第3のカメラ10は、鋼板1(既に鋼管形状に成形されている)の搬送方向Xの上流の上方であって搬送方向Xの左右いずれかの斜め方向から溶接部3を撮影する。
図12Aに示すように、第3のカメラ10は、鋼板1の側面から見た場合に、鋼板1の上縁部1bに対して上方に30〜60°程度の範囲に設置されるのが好ましい。
図12Bに示すように、第3のカメラ10は、鋼板1(既に鋼管形状に成形されている)の上方から見た場合に、上縁部1bに対して幅方向(図12Bでは鋼板1の搬送方向Xの上下方向)に10〜30°程度の範囲に設置されるのが好ましい。
第3のカメラ10を上述の位置に設置した上で、第3のカメラ10を用いて、プラズマ全体と溶接部3との両方が写るように第3のカメラ10の位置を調整する。第3のカメラ10の設置位置を決定した後、第3のカメラ10により撮影される画像と、第1のカメラ4により撮影される画像とにおいて、溶接線の位置が対応するように、第3のカメラ10の撮影範囲を調整する。
第2のカメラ9及び第3のカメラ10としては、例えば第1のカメラ4と同様に、CMOSイメージセンサを備えたモノクロカメラを用いることが可能である。
プラズマは、プラズマ振動と呼ばれるプラズマに特有の運動を示す。そのため、プラズマを撮影する際の第2のカメラ9及び第3のカメラ10の露光時間を短くした場合には、適切にプラズマを撮影できない可能性がある。そのため、本実施形態では、第2のカメラ9及び第3のカメラ10の露光時間を長く(例えば1/40秒)して、プラズマを撮影する。
なお、プラズマの発光量は非常に大きいので、第2のカメラ9及び第3のカメラ10は、減光フィルタを装着することが好ましい。
(鋼板1の幅方向に関するプラズマ照射位置の検出)
図13及び図14A〜図14Eを参照して、画像処理装置100を用いた、鋼板1の幅方向に関するプラズマ照射位置の検出方法について説明する。
図13は、画像処理装置100を用いて鋼板1の幅方向に関するプラズマ照射位置を検出する処理の例を示すフローチャートである。図14Aは、第2のカメラにより鋼板1の溶接部3を撮影した画像を示す図である。図14Bは、鋼板1の幅方向に関するプラズマ照射位置を検出するための、画像処理装置100による画像処理領域の抽出を示す図である。
図14Cは、鋼板1の幅方向に関するプラズマ照射位置を検出するための、画像処理装置100によるプラズマ画像の2値化を示す模式図である。図14Dは、鋼板1の幅方向に関するプラズマ照射位置を検出するための、画像処理装置100によるプラズマのブロッブの検出を示す模式図である。図14Eは、鋼板1の幅方向に関するプラズマ照射位置を検出するための、画像処理装置100によるプラズマのブロッブの中心線の算出を示す模式図である。
以下の説明では、第1のカメラ4のフレームレートが200fpsであり、第2のカメラ9のフレームレートが40fpsである場合について説明する。この場合には、第2のカメラ9が1フレーム撮影する間に、第1のカメラ4が5フレーム撮影する。
なお、図13の説明においては、第1のカメラ4で撮影した画像を溶接部画像、第2のカメラ9で撮影した画像をプラズマ画像と言う。
まず、ステップS201において、画像処理装置100は、第2のカメラ9から送られるプラズマ画像データ(図14Aを参照)を入力する。
次に、ステップS202において、画像処理装置100は、ステップS201で入力したプラズマ画像について、画像処理の対象となる領域(処理領域)を限定する。
第2のカメラ9には、分岐ユニット11の有する多層膜により波長500nm以下の光のみが入射する。そのため、第2のカメラ9には、プラズマに起因する光に加えて、スパッタとプラズマとの反応に起因する光及びスパッタと鋼材成分との反応に起因する光が入射する。
溶接部3を撮影した画像において、プラズマに起因する光に加えて、スパッタとプラズマとの反応に起因する光及びスパッタと鋼材成分との反応に起因する光が混在する領域では、プラズマ画像を適切に画像処理することが難しい。
溶接部3を撮影した画像において、物理的衝合点Vよりも鋼板1の搬送方向Xの下流の領域では、上述のように、プラズマに起因する光に加えて、スパッタとプラズマとの反応に起因する光及びスパッタと鋼材成分との反応に起因する光が混在する。
一方、物理的衝合点Vよりも鋼板1の搬送方向Xの上流の領域では、スパッタとプラズマとの反応及び鋼材成分とプラズマとの反応は起こらない。
そのため、溶接部3を撮影した画像において、物理的衝合点Vよりも鋼板1の搬送方向Xの上流の領域では、プラズマ画像を適切に画像処理することが可能である。
上述の理由から、ステップS202において、画像処理装置100は、溶接部3を撮影した画像において、物理的衝合点Vよりも鋼板1の搬送方向Xの上流の領域を処理領域として設定する。
具体的には、ステップS202において、画像処理装置100は、図14Bの白点線で囲んだ領域を処理領域として設定する。
ステップS202において処理された画像は、元々は第2のカメラ9で撮影された画像である。そのため、その画像の1つ前のフレームが撮影されてから、該フレームが撮影されるまでの間に、第1のカメラ4により溶接部画像は5フレーム撮影されている。その溶接部画像のそれぞれに対して、図8に示すステップS108において、物理的衝合点Vが検出されている。
ステップS202において、画像処理装置100は、5フレームの物理的衝合点Vの平均位置を算出し、その平均位置よりも鋼板1の搬送方向Xに関する上流を処理領域として設定する。
ステップS203において、画像処理装置100は、図14Cに示すように、ステップS202において設定された処理領域を2値化する。
ステップS204において、画像処理装置100は、ステップS203で2値化した処理領域に対し、ブロッブ毎にラベルを割り当てるラベリング処理を行い、図14Dに示すように、所定の条件に合致するブロッブをプラズマのブロッブ1401として抽出する。所定の条件としては、例えば、処理領域の両端に接しており、かつ、面積を1000mm有するなどの条件が挙げられる。
ステップS205において、画像処理装置100は、図14Eに示すように、ステップS204で抽出したプラズマのブロッブ1401について、鋼板1の幅方向の中心線(以後、単に中心線と言う)1402を算出する。中心線1402は、鋼板1の搬送方向Xに向かって伸びている。
次に、ステップS206において、画像処理装置100は、図8のステップS105で得られているV字収束角の二等分線902(すなわち、溶接線)に対するプラズマのブロッブ1401の中心線1402の幅方向のずれ及び傾きを求める。すなわち、鋼板1の幅方向に関するプラズマ照射位置を、第1のカメラ4で撮影した溶接部3との相対位置として検出する。プラズマのブロッブ1401の中心線1402がV字収束角の二等分線902に対して大きくずれている場合またはプラズマのブロッブ1401の中心線1402がV字収束角の二等分線902に対して大きく傾いている場合には、鋼板1の幅方向に関するプラズマ照射位置が適切でないといえる。
ここでは画像処理装置100による画像処理を中心に説明したが、例えば第2のカメラ9で撮影したプラズマの画像を、第1のカメラ4で撮影した溶接部3の画像に重ね合わせてモニタに表示するようにしてもよい。このとき、プラズマのブロッブ1401、中心線1402及び物理的衝合点V等を重ね合わせてもよい。これにより、プラズマ照射位置の鋼板1の幅方向に関するずれを数値的かつ感覚的に表現することができ、手動でプラズマ照射位置を調整し易くなる。
プラズマのブロッブ1401の中心線1402がV字収束角の二等分線902に対して所定の閾値以上ずれている場合又はプラズマのブロッブ1401の中心線1402がV字収束角の二等分線902に対して所定の閾値以上傾いている場合には、V字収束角の二等分線902とプラズマのブロッブ1401の中心線1402とが一致するように、プラズマ照射位置を自動調整するように構成してもよい。
(鋼板1の搬送方向Xに関するプラズマ照射位置の検出)
画像処理装置100は、第3のカメラ10から送られる鋼板1の溶接部3の画像を画像処理して、鋼板1の搬送方向Xに関するプラズマ照射位置を検出する。
図15A及び図15Bを参照して、第3のカメラ10により撮影される画像について説明する。
図15Aは、第3のカメラ10で溶接部3を撮影した画像を示す図である。図15Bは、図15Aにおけるプラズマトーチ1501、プラズマガス1502及びV字収束角の二等分線1503の位置関係を示す模式図である。
第3のカメラ10は、鋼板1の搬送方向Xの上流であって、鋼板1の上方かつ鋼板1の搬送方向Xに関して左右いずれかの斜め方向から溶接部3を撮影する。そのため、図15A及び図15Bに示すように、第3のカメラ10により撮影される画像と、第1のカメラ4及び第2のカメラ9により撮影される画像とでは、画像の向きが異なる。
なお、図15Aに示す画像は、光学フィルタ13を装着しない状態で撮影したものである。
画像処理装置100を用いた鋼板1の搬送方向Xに関するプラズマ照射位置の検出では、事前に、第1のカメラ4及び第3のカメラ10により、マーカーを設置した鋼板1を撮影した上で、第1のカメラ4により撮影した画像と第3のカメラ10により撮影した画像との対応付けを行う。
図16及び図17A〜Cを参照して、鋼板1の搬送方向Xに関するプラズマ照射位置の検出方法を説明する。
図16は、画像処理装置100を用いて鋼板1の搬送方向Xに関するプラズマ照射位置を検出する処理の例を示すフローチャートである。図17Aは、鋼板1の搬送方向Xに関するプラズマ照射位置を検出するための、画像処理装置100によるプラズマ画像の2値化を示す模式図である。
図17Bは、鋼板1の搬送方向Xに関するプラズマ照射位置を検出するための、画像処理装置100によるプラズマのブロッブの検出を示す模式図である。図17Cは、鋼板1の搬送方向Xに関するプラズマ照射位置を検出するための、画像処理装置100によるプラズマの照射軸の算出を示す模式図である。
画像処理装置100は、第3のカメラ10から画像データが送られてくるたびに、図16に示す画像処理を繰り返し実行する。
ここで、第1のカメラ4のフレームレートが200fpsであるのに対して、第3のカメラ10のフレームレートは40fpsである。すなわち、第2のカメラ9の場合と同様に、第3のカメラ10により1フレーム撮影する間に、第1のカメラ4では5フレーム撮影することができる。
図16の説明においては、第1のカメラ4で撮影した画像を溶接部画像と呼称し、第3のカメラ10で撮影した画像をプラズマ画像と呼称する。
ステップS301において、画像処理装置100は、第3のカメラ10から送られるプラズマ画像データを入力する。
ステップS302において、画像処理装置100は、図17Aに示すように、ステップS301で入力したプラズマ画像を2値化する。
ステップS303において、画像処理装置100は、ステップS302で2値化したプラズマ画像に対し、ブロッブ毎にラベルを割り当てるラベリング処理を行う。また、ステップS303において、画像処理装置100は、図17Bに示すように、ラベルを割り当てたブロッブのうち、最大の面積を有するブロッブをプラズマのブロッブ1701として抽出する。
ステップS304において、画像処理装置100は、図17Cに示すように、モーメント計算機能により、ブロッブ1701の長軸を照射軸1702として算出する。
ステップS305において、画像処理装置100は、図8のステップS104で検出されている幾何学的V収束点Vに対する照射軸1702の位置関係を求める。ステップS304において、照射軸1702が算出された画像は、第3のカメラ10で撮影されたものである。そのため、その画像の1つ前のフレームが撮影されてから、該フレームが撮影されるまでの間に、第1のカメラ4により溶接部画像は5フレーム撮影されている。その溶接部画像のそれぞれに対して、図8に示すステップS104において、幾何学的V収束点Vが検出されている。
そのため、ステップS305において、画像処理装置100は、5フレームの幾何学的V収束点Vの平均位置を算出し、その平均位置に対する照射軸1702の位置関係を求める。
照射軸1702が幾何学的V収束点Vから大きく離れているときは、鋼板1の搬送方向Xに関するプラズマ照射位置が適切でないといえる。
画像処理装置100による画像処理を中心に説明したが、画像処理の結果に基づいて、プラズマ照射位置が調整されるようにしてもよい。例えば、プラズマ照射位置が幾何学的V収束点Vから鋼板1の搬送方向Xの上流側に20mmの範囲から外れているときには、その範囲に収まるようにプラズマ照射位置が自動調整されるように構成してもよい。
なお、第2のカメラ9の視野を第1のカメラ4の視野と一致させているので、第2のカメラ9で撮影したプラズマの画像を、第1のカメラ4で撮影した溶接部3の画像に重ね合わせることができる。それに対して、第3のカメラ10の視野は第1のカメラ4の視野と一致していないため、第3のカメラ10で撮影したプラズマの画像を、第1のカメラ4で撮影した溶接部3の画像に重ね合わせることはできない。
第3のカメラ10で撮影するプラズマを溶接部3と併せてモニタに表示したい場合には、第3のカメラ10として、CCDまたはCMOSイメージセンサを備えたカラーカメラを用いてもよい。この場合には、波長580〜700nmの光(主に鋼板1の突合せ端部1aを撮影するため)及び波長500nm以下の光(主にプラズマを撮影するため)のみを透過させるフィルタ(バンドカットフィルタ)を第3のカメラ10に装着するとよい。
これにより、画像処理によって鋼板1の搬送方向Xに関するプラズマ照射位置を検出するとともに、プラズマを溶接部3と併せてモニタに表示することが可能になる。このとき、プラズマのブロッブ1701、照射軸1702及び幾何学的V収束点V等を重ね合わせてもよい。
ただし、上述の方法は、あくまでも第3のカメラ10でプラズマ及び溶接部3の両方を撮影してモニタに表示することを目的とするものである。第3のカメラ10で撮影した画像のみに基づいて、プラズマ照射による影響を抑えながら溶接部3の溶接状態を解析することは難しい。プラズマ照射による影響を抑えながら溶接部3の溶接状態を解析するためには、例えば、第1の実施形態で説明したように、波長900nm以上の光のみを透過する光学フィルタ6が必要となる。
溶接部3の長軸方向とプラズマの長軸方向とは異なっている。また、第3のカメラ10により撮影した画像において、溶接部3を検出することが可能である。そのため、第3のカメラ10により撮影した画像を用いて鋼板1の搬送方向Xに関するプラズマ照射位置を検出する際に、第3のカメラ10により撮影した画像から溶接部3を取り除くことが可能である。
プラズマ照射位置と溶接部3とが重なっている場合において、第3のカメラ10により撮影した画像から溶接部3を取り除いた場合には、溶接部3と重なっている部分についてのプラズマ照射位置を検出することができない。しかしながら、溶接部3と重なっていない部分におけるプラズマ照射位置とプラズマの照射方向とから、溶接部3と重なっている部分についてのプラズマ照射位置を検出することが可能である。
そのため、第3のカメラ10を用いて撮影した画像から、溶接部3を取り除いた場合には、第3のカメラ10は必ずしも光学フィルタ13を備える必要はない。
第3のカメラ10で撮影したプラズマ画像を溶接部3の画像に重ね合わせる場合には、第3のカメラ10と同一の視野を有し、第1のカメラ4と同等の性能を有する第4のカメラを追加的に用いてもよい。
第3のカメラ10と第4のカメラとにより、鋼板1の搬送方向Xの上流の上方であって、鋼板1の搬送方向Xの左右いずれかの斜め方向から溶接部3を撮影するようにしてもよい。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の範囲内で変更等が可能である。
上記各実施形態によれば、鋼板の溶接部にプラズマを照射して電縫溶接を行うプラズマシールド電縫溶接に用いられる溶接状態監視システム及び溶接状態監視方法であって、プラズマの影響を受けずに溶接状態を解析することが可能な溶接状態監視システム及び溶接状態監視方法を提供することができる。
1 鋼板
1a 突合せ端部
1b 上縁部
2 プラズマ照射装置
3 溶接部
4 カメラ、第1のカメラ
5 レンズ
6 光学フィルタ
7 スクイズロール
8 スリット
9 第2のカメラ
10第3のカメラ
11 分岐ユニット
12 レンズ
13 光学フィルタ
100 画像処理装置

Claims (9)

  1. 鋼板の溶接部にプラズマを照射して電縫溶接を行うプラズマシールド電縫溶接に用いられる溶接状態監視システムであって、
    前記プラズマを前記溶接部に照射するプラズマ照射装置と;
    前記溶接部を上方から撮影する、波長が850nm以上である光を検出可能なイメージセンサを有する第1の撮像装置と;
    前記第1の撮像装置に入射する光を、850nm以上の波長域に制限する第1の波長域制限装置と;
    前記第1の撮像装置で撮影した画像を画像処理して、前記溶接部の溶接状態を解析する画像処理装置と;
    を備えることを特徴とする、溶接状態監視システム。
  2. 前記第1の波長域制限装置が、前記第1の撮像装置に入射する光を、900nm以上の波長域に制限する
    ことを特徴とする、請求項1に記載の溶接状態監視システム。
  3. 前記イメージセンサが、前記波長域の光に対して10%以上の量子効率を有する
    ことを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載の溶接状態監視システム。
  4. 前記第1の撮像装置は、100mm以上の幅を有する範囲を撮影した際に、60μm以下の分解能を有する
    ことを特徴とする、請求項1から請求項3の何れか1項に記載の溶接状態監視システム。
  5. 前記画像処理装置が、V字状に収束する前記鋼板の両突合せ端部が幾何学的に交わる点である幾何学的V収束点とV字状に収束する前記鋼板の前記両突合せ端部が物理的に衝合する点である物理的衝合点とを求める
    ことを特徴とする、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の溶接状態監視システム。
  6. 前記第1の撮像装置と同一の視野範囲を有する第2の撮像装置と、
    前記第2の撮像装置に入射する光を波長500nm以下の光のみに制限する第2の波長域制限装置と、
    を更に備え、
    前記画像処理装置が、前記第2の撮像装置で撮影した画像に基づいて、前記鋼板の搬送方向に直交する方向である前記鋼板の幅方向のプラズマ照射位置を、前記溶接部を基準とする相対位置として求める
    ことを特徴とする、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の溶接状態監視システム。
  7. 前記鋼板の前記搬送方向の上流であって、前記鋼板の上方かつ前記鋼板の前記搬送方向の左右いずれかの斜め方向から前記溶接部を撮影する第3の撮像装置を更に備え、
    前記画像処理装置が、前記第3の撮像装置で撮影した画像に基づいて、前記鋼板の前記搬送方向の前記プラズマ照射位置を、前記溶接部を基準とする相対位置として求める
    ことを特徴とする、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の溶接状態監視システム。
  8. 前記第3の撮像装置に入射する光を波長500nm以下の光のみに制限する第3の波長域制限装置を更に備える
    ことを特徴とする請求項7に記載の溶接状態監視システム。
  9. 鋼板の溶接部にプラズマを照射して電縫溶接を行うプラズマシールド電縫溶接に用いられる溶接状態監視方法であって、
    波長が850nm以上である光を検出可能なイメージセンサを備えた撮像装置を用いて、前記撮像装置に入射する光を850nm以上の波長域に制限して、前記溶接部を上方から撮影する工程と;
    画像処理装置が、前記撮像装置で撮影した画像に基づいて、前記溶接部の溶接状態を解析する工程と;
    を有することを特徴とする、溶接状態監視方法。
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