JP5879651B2 - フラッシュメモリデバイスを指定する集積回路 - Google Patents
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Description
本発明の別の側面に係るシステムは、フラッシュメモリデバイスを制御するべく、本発明に係る装置または回路を備えるとしてもよい。本発明のさまざまな実施例を図10Aから図10Gに示す。
このように、本発明は、ピンカウントを増やすことなくマルチデバイスシステムにおけるフラッシュメモリデバイスを制御するインターフェース、装置および方法を提供する。特に、本発明の実施形態は、メモリコントローラを提供すると共に、複数のフラッシュメモリデバイスに対してプログラミングおよび読み出しを実行する方法を提供する。
Claims (15)
- 複数のフラッシュメモリデバイスと、
前記複数のフラッシュメモリデバイスを制御するメモリコントローラを備え、
前記メモリコントローラは、前記複数のフラッシュメモリデバイスのそれぞれを制御するためにインターフェースを有し、
前記インターフェースは、データバスに接続される複数のデータ端子を含み、
前記データバスは、前記メモリコントローラと前記複数のフラッシュメモリデバイスとの間でデータを通信し、
前記メモリコントローラは、前記複数のデータ端子から、(1)フラッシュデバイス識別情報、および、(2)コマンドを、前記複数のフラッシュメモリデバイスに送信し、
前記フラッシュデバイス識別情報は、前記複数のフラッシュメモリデバイスのうち、前記コマンドが関連するフラッシュメモリデバイスを指定し、
前記メモリコントローラは、
前記インターフェースのチップイネーブル信号を使用する代わりに前記データバスから送信された前記フラッシュデバイス識別情報を使用して、前記複数のフラッシュメモリデバイスの第1のフラッシュメモリデバイスを選択し、
前記複数のデータ端子を介して、1以上の前記複数のフラッシュメモリデバイスのセル毎のビット数を設定し、
前記複数のフラッシュメモリデバイスは、1以上のチップイネーブル信号を受信し使用するための1以上のピンを含まない集積回路。 - 前記メモリコントローラは、前記複数のデータ端子から、前記コマンドの送信に先行して、前記フラッシュデバイス識別情報を送信する請求項1に記載の集積回路。
- 前記メモリコントローラは、
前記コマンドに後続する1以上のパラメータバイトと、
前記1以上のパラメータバイトに後続する1以上のデータバイトと
を前記複数のデータ端子から送信し、
前記パラメータバイトの総数が前記コマンドに応じ、前記データバイトの総数が前記コマンドによって決定される請求項2に記載の集積回路。 - 前記メモリコントローラが、前記複数のデータ端子を介して、1以上の製品コードと1以上の前記複数のフラッシュメモリデバイスの修正レベルとを読み取る請求項1から3のいずれか一項に記載の集積回路。
- 前記インターフェースは、
前記複数のフラッシュメモリデバイスを設定するために、1以上の設定コマンドを送信する設定端子と、
前記複数のフラッシュメモリデバイスにコマンドタイミング信号を送信するコマンド制御端子と、
前記複数のフラッシュメモリデバイスにクロック信号を送信するクロック端子と、
前記複数のフラッシュメモリデバイスから読出コマンドを受信する読出コマンド端子と
を備え、
前記複数のフラッシュメモリデバイスが設定されるとすぐに、前記コマンド制御端子、前記クロック端子および前記読出コマンド端子のそれぞれからの信号が、前記複数のフラッシュメモリデバイスを制御するために、同期、汎用タイミングおよび読出タイミングを供給する請求項1から4のいずれか一項に記載の集積回路。 - 前記メモリコントローラは、
前記コマンドタイミング信号をアサート状態に移行させ、
(1)前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの1つの前記フラッシュデバイス識別情報、および、(2)前記設定コマンドを送信し、
前記フラッシュデバイス識別情報と前記コマンドが供給された後に、1サイクルにわたって、前記設定端子から設定信号が送信されると、認証データを供給することによってデバイス設定操作を実行する請求項5に記載の集積回路。 - 前記メモリコントローラは、最後の認証データの一部が供給されるよりも1サイクル前に、前記コマンドタイミング信号を移行させる請求項6に記載の集積回路。
- 前記クロック信号の最大16サイクルまで、前記メモリコントローラが前記認証データを供給する請求項6に記載の集積回路。
- (i)前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの前記1つが既に設定済みの場合、
(ii)ライトプロテクト信号が前記メモリコントローラによってアサートされていない場合、
(iii)前記設定信号がアサートされていない場合、
(iv)前記設定信号が、前記クロック信号の2サイクル以上にわたってアサートされている、若しくは、別々に2回アサートされている場合
のうち1つ以上に該当する場合は、前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの前記1つは前記設定コマンドを無視する請求項6に記載の集積回路。 - 前記メモリコントローラが、
ライトプロテクト信号をアサートし、
前記コマンドタイミング信号をアサートし、
読出コマンドを供給し、
前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの前記1つからデータを受信することによって、前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの1つの前記フラッシュデバイス識別情報を読み取り、
前記データが、前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの前記1つから供給される前記読出タイミングによって同期される請求項5に記載の集積回路。 - ライトプロテクト信号をアサートし、
前記コマンドタイミング信号をアサート状態に移行させ、
(i)前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの1つの前記フラッシュデバイス識別情報、および、(ii)プログラミングコマンド、を送信し、
前記コマンドの後に、パラメータデータを前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの前記1つに供給し、
前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの前記1つにプログラミングのためのデータを供給することにより、前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの前記1つのフラッシュデバイスをプログラミングする請求項5に記載の集積回路。 - 前記メモリコントローラは、前記コマンドタイミング信号をデアサートすることにより、前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの前記1つのプログラミングを終了する請求項11に記載の集積回路。
- 前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの前記1つは、前記プログラミングコマンドの終了を前記メモリコントローラに知らせるために、割り込み信号を所定の状態に移行させる請求項11に記載の集積回路。
- 前記集積回路はバッファをさらに備え、
前記メモリコントローラは、
ライトプロテクト信号をアサートし、
前記コマンドタイミング信号をアサート状態に移行させ、
(i)前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの1つの前記フラッシュデバイス識別情報、および、(ii)プログラミングコマンドを送信し、
前記コマンドの後に、パラメータデータを前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの前記1つに供給し、
前記複数のフラッシュメモリデバイスのうちの前記1つにプログラミングのためのプログラミングデータを供給し、
前記コマンドタイミング信号の前記送信から、前記クロック信号の所定のクロックサイクル以内に、前記ライトプロテクト信号が移行しなかった場合に前記バッファに前記プログラミングデータを書き込むことによって、前記バッファに前記プログラミングデータを書き込む請求項5に記載の集積回路。 - 前記メモリコントローラは、前記コマンドタイミング信号をデアサートすることにより、前記プログラミングデータの前記バッファへの書き込みを終了させる、請求項14に記載の集積回路。
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