JP5872801B2 - インターポーザ - Google Patents
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Description
また、前記スリット状の部分の幅は10〜100μmであってもよい。
次に、本実施の形態のインターポーザの配線基板の具体的な一実施例(以下、実施例1とする)について説明する。配線基体3において、厚さ50μmのポリイミドフィルム6上に、銅の配線層をパターン化して作製された配線7が形成されている。本実施例においては、配線基体3の配線7の上に、直接、無電解めっきにより形成されたフェライト膜8が配置されている。また、本実施例においては、配線長Lは5mm、フェライト膜長LFは3mm、配線幅Wは6mm、配線ピッチPIは300μm、配線ピッチPOは650μmである。
次に、本実施の形態のインターポーザの配線基板の具体的な一実施例(以下、実施例2とする)について説明する。実施例2においても、配線基体3、配線7、フェライト膜8などの配置や形状は実施例1と同じであり、配線長Lは5mm、フェライト膜長LFは3mm、配線幅Wは6mm、配線ピッチPIは300μm、配線ピッチPOは650μmである。本実施例のフェライト膜の作製方法を以下に説明する。図2に示すように、実施例1と同様に、成膜装置の回転テーブル14の上に、配線基体3を設置し、回転させながら脱酸素イオン交換水を供給しながら90℃まで加熱した。ついで、装置内に窒素ガスを導入し脱酸素雰囲気を形成した。脱酸素イオン交換水中にFeCl2・4H2O、MnCl2・4H2O、ZnCl2をそれぞれ所望の量溶かした反応液と、脱酸素イオン交換水中にCH3COONa、(NH4)2CO3、NaNO2、NaOHをそれぞれ所望の量溶かした酸化液とを、それぞれ反応液ノズル1と酸化液ノズル2より、配線基体3に対して40ml/分の流量で供給した。その後、取り出した配線基体3には黒色のフェライト膜が形成されており、X線回折によりスピネル構造単相のフェライト膜であることを確認した。また、走査型電子顕微鏡(SEM−EDS)によりMn、Zn、Fe、Oを主成分とする組成Mn0.2Zn0.3Fe2.5O4のMn−Zn系フェライト膜であることを確認し、膜厚を求めた。また、得られた膜の複素透磁率の実部μ’は100MHz以下程度の低い周波数では周波数に対してほぼ一定で、その値は約40であった。また、複素透磁率の虚部μ”は100MHz以下程度の低い周波数ではほぼ0であり、100MHz近傍から立ち上がり、約350MHzで最大値である約30となり、さらに高い周波数では、装置の測定周波数限界である3GHzまでなだらかに減少し、3GHzでも約10という比較的高い値を示した。また、得られた膜の比抵抗は1×104Ωcmであることを確認した。
次に、本実施の形態のインターポーザの配線基板の具体的な一実施例(以下、実施例3とする)について説明する。実施例3においても、フェライト膜が配線7の上に絶縁膜を介して配線7との間に一定の間隔を設けて配置される点以外の点においては、配線基体3、配線7、フェライト膜8などの配置や形状は実施例1と同じであり、配線長Lは5mm、フェライト膜長LFは3mm、配線幅Wは6mm、配線ピッチPIは300μm、配線ピッチPOは650μmである。本実施例の配線基板の作製方法は、配線基体3の配線7の上に先ず絶縁性のソルダーレジスト膜を成膜し、そのソルダーレジスト膜の上にフェライト膜を成膜した。フェライト膜は実施例1と同じNi−Zn系フェライト膜を実施例1と同じ製造方法で作製した。得られたフェライト膜は、実施例1のフェライト膜と同じ組成であり、同じ複素透磁率の周波数特性を有する膜であることを確認した。また、膜の比抵抗は1×103Ωcmであることを確認した。
2 酸化液ノズル
3、4 配線基体
5 銅箔
6 ポリイミドフィルム
7 配線
8、18 フェライト膜
9 空隙層
10 中心軸
14 回転テーブル
19 スリット
30 インターポーザ
31 ICチップ
32 配線基板
33 実装用端子
34 外部回路基板
35 モールド材
Claims (3)
- 電極端子を有する半導体素子を搭載可能に構成され、下面に回路基板に実装するための実装用端子を備え、前記電極端子と前記実装用端子との間を接続する信号線、電源線またはグラウンド線からなる配線を備える配線基板を有するインターポーザであって、前記配線のうちの互いに隣接する少なくとも2つの配線の上側または下側を覆うようにフェライト膜が配置され、前記フェライト膜は、無電解めっきにより形成された、Ni−Zn系フェライトまたはMn−Zn系フェライトの少なくとも一方を有する膜厚1μm〜20μmの膜であり、前記フェライト膜と前記配線との間に10〜50μmの大きさの空隙層が設けられていることを特徴とするインターポーザ。
- 電極端子を有する半導体素子を搭載可能に構成され、下面に回路基板に実装するための実装用端子を備え、前記電極端子と前記実装用端子との間を接続する信号線、電源線またはグラウンド線からなる配線を備える配線基板を有するインターポーザであって、前記配線のうちの互いに隣接する少なくとも2つの配線の上側または下側を覆うようにフェライト膜が配置され、前記フェライト膜は、無電解めっきにより形成された、Ni−Zn系フェライトまたはMn−Zn系フェライトの少なくとも一方を有する膜厚1μm〜20μmの膜であり、前記配線上に前記フェライト膜が配置され、異なるポートを構成する互いに隣接する前記配線の間に前記フェライト膜が存在しないスリット状の部分を有することを特徴とするインターポーザ。
- 前記スリット状の部分の幅は10〜100μmであることを特徴とする請求項2に記載のインターポーザ。
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