JP5867856B2 - 種結晶保持部材、窒化アルミニウム単結晶の製造方法およびその製造装置 - Google Patents
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昇華法による単結晶の成長方法では、窒化アルミニウムの粉末原料を収容した原料部を高温に保持し、原料部に対向させて設けた単結晶成長部との間に温度差を付与することで、蒸気圧の差を発生させ、化学ポテンシャル差を作り出し、単結晶成長部において単結晶を析出させる。
この昇華法では、原料が昇華・分解し、発生した原料ガスが成長部に到達し、結晶が成長するため、系内の温度分布に従った結晶形が決定される。そのため、系内の温度分布を考慮し、主に面内方向に均一な温度分布にすることで、成長面が均一な良質の結晶を作製することが可能となる。
坩堝51の底部に窒化アルミニウムの原料12が収納され、坩堝51の上部にリング状の種子基板保持部材53と種子基板(種結晶)14と蓋体52が配置されている。種子基板14は、窒化アルミニウムまたは炭化シリコン(SiC)等からなり、種子基板保持部材53と蓋体52との間に挟持されることで、その結晶成長面14aが原料12と対峙する。
坩堝51は、高周波誘導加熱装置21を備えた結晶成長用炉10内に固定されている。結晶成長用炉10の天井部には窒素ガスなどのガス導入部22が形成され、結晶成長用炉10の底部にはガス排出部23が形成され、結晶成長用炉10の内部を、所定のガス圧に調整できるようになっている。
窒化アルミニウム単結晶16を成長させるには、坩堝51を約2000℃まで加熱し、原料12の昇華ガスを発生させる。原料12の近傍と種子基板14の近傍に温度差を与えることにより両者間の化学ポテンシャルに差を生じるため、昇華ガスは、種子基板14の結晶成長面14aにおいて再凝縮し、窒化アルミニウム単結晶16として再結晶化する。
ここで、前述のような昇華法による単結晶の成長過程では、得られる窒化アルミニウム単結晶16の形状が、坩堝51内の温度分布に従って決定され、主に面内方向に均一な温度分布を形成することで、結晶成長面16aが平坦な窒化アルミニウム単結晶16を作成できる。
このため、結晶成長面14aの外周部に、主に昇華ガスが供給されるかたちになり、この領域は窒化アルミニウム単結晶16が成長し易い環境になっているが、結晶成長面14aの中心付近では、昇華ガスが下向きの流れとなっているため、窒化アルミニウム単結晶16が成長し難く、成長した場合にも再昇華の起こり易い環境となっている。
ここで、このような種結晶保持部材では、原料で発生した昇華ガスが、各貫通孔の原料側の開口周囲(エッジ部分)に滞留し易く、この滞留ガスが各貫通孔内に流れ込むため、各貫通孔の内部はいずれも昇華ガスの過飽和度が高い状態になる。このため、各貫通孔内およびその周囲において、単結晶が、同程度の速度で効率良く成長し、全面的に結晶成長が均一に進行する。したがって、結晶成長端面の平坦性が高く、高品質な単結晶を得ることができる。
本発明において、隣り合う前記貫通孔の中心間距離は、前記貫通孔の孔径をφとしたとき、φ×1.5〜φ×2.0である。
この場合、結晶成長端面が平坦な窒化アルミニウム単結晶を短時間に得ることが可能となる。
この場合、種結晶保持部材の各貫通孔の内部において、昇華ガスの過飽和度の偏りが確実に抑えられ、より平坦性の高い単結晶を得ることが可能となる。
本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造装置によれば、先に記載の種結晶保持部材を用いているため、種結晶保持部材の各貫通孔内およびその周囲において、窒化アルミニウム単結晶を同程度の速度で効率良く成長し、全面的に結晶の成長を均一に進行できる。したがって、結晶成長端面の平坦性が高く、高品質な窒化アルミニウム単結晶を得ることができる。
このような結晶成長過程において、貫通孔の内部はいずれも昇華ガスの過飽和度が高い状態になり、各貫通孔内およびその周囲において、窒化アルミニウム単結晶を同程度の速度で効率良く成長できるので、結晶成長端面の平坦性が高く、高品質な窒化アルミニウム単結晶を得ることができる。
図1は、本発明の実施形態に係る窒化アルミニウム単結晶の製造装置の一例を模式的に示す概略構成図、図2は、図1に示す窒化アルミニウム単結晶の製造装置が備える種結晶保持部材を拡大して示す斜視図である。図1において、図4で示した従来の製造装置の要素と同一の要素には同一の符号を付してある。
本実施形態の窒化アルミニウム単結晶の製造装置1は、昇華法によって種結晶14の結晶成長面14a上に窒化アルミニウムを昇華再結晶させて、窒化アルミニウム単結晶を成長させる装置である。
また、結晶成長容器11、蓋体13、種結晶14、種結晶保持部材20は、黒鉛製の坩堝18および坩堝18の上面に載置された黒鉛製の蓋体19により形成される空間内に配置され、坩堝18および結晶成長容器11は、側面視T字状のスタンド型の支持手段24により結晶成長用炉10内に固定されている。結晶成長容器11の内底部には、窒化アルミニウム粉末等の原料12が収納されており、種結晶14の結晶成長面14aおよび種結晶保持部材20の種結晶14と反対側の面は、原料12と対峙されている。
結晶成長用の種結晶14は、例えば、板状又は円板状のSiC単結晶、AlN単結晶、AlN/SiC単結晶(SiC単結晶上に膜厚200〜500μm程度のAlN単結晶膜をヘテロ成長させた単結晶)である。
また、結晶成長容器11の内底部には窒化アルミニウム粉末などの原料12が収納されるとともに、蓋体13と種結晶保持部材20との間に種結晶14が設置され、バルク結晶成長に適した窒化アルミニウムの昇華ガスに曝される。よって、結晶成長容器11、蓋体13および種結晶保持部材20を構成する材料は、窒化アルミニウムの昇華ガスによる腐食を受けないものに限られる。加えて、これらの結晶成長容器11、蓋体13および種結晶保持部材20を構成する材料からの窒化アルミニウム単結晶16への汚染(固溶による汚染)を防ぐために、アルミニウムのイオン半径と大きく異なる金属の単体、ないしはその窒化物又は炭化物が望ましい。したがって、結晶成長容器11、蓋体13および種結晶保持部材20の材料として前記した材料の中でも、モリブデン、タングステン、タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化タンタル、炭化モリブデン、炭化タングステン、炭化タンタルがより好ましい。
なお、酸化物については、放出された酸素により窒化アルミニウム結晶中に酸窒化アルミニウム(AlON)層を形成し、窒化アルミニウムの結晶成長を阻害するため、用いることはできない。
接着剤などで蓋体13に固着されることなく、蓋体13の下面に原料12と対向して配置される。
このような種結晶保持部材20が種結晶14の結晶成長面14a側に配置されていると、原料で発生した昇華ガスは、各貫通孔20a内を通過して種結晶14の結晶成長14a面もしくは各貫通孔20a内で成長した窒化アルミニウム単結晶の結晶成長端面に供給される。
原料で発生した昇華ガスは、各貫通孔20aの原料側の開口周囲(エッジ部分)に滞留し易く、この滞留ガスが各貫通孔20a内に流れ込むため、各貫通孔20aの内部はいずれも昇華ガスの過飽和度が高い状態になる。このため、各貫通孔20a内およびその周囲において、窒化アルミニウム単結晶16が、同程度の速度で効率良く成長し、全面的に結晶成長が均一に進行する。なお、種結晶保持部材20の各貫通孔20aの断面形状は、特に限定されない。
また、本実施形態においては、坩堝18の内部に結晶成長容器11が設置された2重坩堝構造を例示したが、本発明はこの形態に限定されるものではない。
図3は、本発明の実施形態に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法において、第2の工程および第3の工程を説明するための模式図である。
まず、窒化アルミニウム粉末等の原料12を結晶成長容器11内底部にセットし、結晶成長容器11の開口部に、種結晶保持部材20、種結晶14および蓋体13をこの順に設置する(第1の工程)。これにより、種結晶14が、その結晶成長面14a側に配された種結晶保持部材20によって原料12と対峙するように保持された状態になる。続いて、結晶成長容器11内の結晶成長空間17および坩堝18と外側蓋体19とで形成された内部空間を準密閉状態とする。
そして、加熱手段21により坩堝18および外側蓋体19を加熱し、図示略の放射温度計で坩堝18の温度を測定してこれらの温度を制御する。窒化アルミニウム単結晶成長時は坩堝18の温度を2000℃前後に一定制御する。
なお、窒化アルミニウム単結晶成長時は、坩堝18下端の温度(原料温度)は、外側蓋体19上側の温度(結晶成長部温度)よりも高温となるように設定する。
結晶成長は、前述の設定温度まで加熱した後に結晶成長用炉10を減圧することで開始され、100torr以上600torr以下に定圧保持することで行われる。
図1に示す構成の製造装置1を用いて種結晶14に対し窒化アルミニウム単結晶の成長を行った。
種結晶14としては、円板状の6H−SiC単結晶を用いた。種結晶の外径は30mmである。なお、成長面の方位は(0001)面とした。原料12には窒化アルミニウム粉末を用いた。
また、種結晶保持部材20には、厚さ方向に複数の貫通孔が形成された炭化タンタル(表面に炭化タンタル層が形成されたタンタル)製の円盤を使用した。種結晶保持部材20の寸法は、外径40mm、厚さ1mmであり、貫通孔の孔径φおよびピッチPは表1に示すように変化させた。
坩堝18としては高純度黒鉛製のものを使用し、結晶成長容器11および蓋体13としては炭化タンタル製のものを使用した。
この後、窒素ガスを装置内に導入し、坩堝温度を約2000℃(結晶成長部の温度:1700〜2200℃、原料部の温度:1800〜2300℃)に昇温したのち、結晶成長用炉10内圧力を100〜600torrへ減圧させることで、窒化アルミニウム結晶成長を開始した。成長開始から30時間経過したところで、種結晶14および原料温度を室温まで冷却させることで結晶成長を終了させた。
Claims (4)
- 昇華法によって単結晶を成長させる際、種結晶の結晶成長面側に配され、前記種結晶を、前記結晶成長面が原料と対峙するように保持する種結晶保持部材であって、
前記単結晶の結晶成長方向に沿って貫通し、前記種結晶の前記結晶成長面の一部を前記原料側に露出させる複数の貫通孔を有し、
隣り合う前記貫通孔の中心間距離は、前記貫通孔の孔径をφとしたとき、φ×1.5〜φ×2.0であることを特徴とする種結晶保持部材。 - 前記貫通孔の孔径は、1mm〜3mmであることを特徴とする請求項1に記載の種結晶保持部材。
- 昇華法によって、種結晶の結晶成長面上に窒化アルミニウム単結晶を成長させる窒化アルミニウム単結晶の製造装置であって、
内上部に種結晶を有し、内底部に原料を収納する結晶成長容器と、
前記種結晶に接して前記種結晶の原料側に配置された種結晶保持部材を備え、
前記種結晶保持部材は、請求項1または請求項2に記載の種結晶保持部材であることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造装置。 - 昇華法によって、種結晶の結晶成長面上に窒化アルミニウム単結晶を成長させる窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、
前記種結晶の前記結晶成長面側に、前記窒化アルミニウム単結晶の結晶成長方向に沿って貫通し、前記種結晶の前記結晶成長面の一部を露出させる貫通孔を複数設けた種結晶保持部材を配することによって、前記種結晶の結晶成長面を前記原料と対峙するように保持する工程と、
前記原料を昇華温度以上に加熱し、前記原料の昇華ガスを、前記種結晶保持部材の前記各貫通孔内を通過させ、前記種結晶の前記各貫通孔内に対応する領域もしくは前記各貫通孔内で成長した窒化アルミニウム単結晶の結晶成長端面に供給することにより、窒化アルミニウム単結晶を前記各貫通孔内に結晶成長させる工程と、
前記各貫通孔内で成長した窒化アルミニウム単結晶が前記各貫通孔の前記原料側の開口を超えたところで周囲に拡大するように結晶成長させる工程を有することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法。
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