JP5861460B2

JP5861460B2 - 発振器

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Publication number: JP5861460B2
Application number: JP2011544743A
Authority: JP
Inventors: 琢也古城; 健二森口; 龍二松尾; 哲也花木
Original assignee: Daishinku Corp
Current assignee: Daishinku Corp
Priority date: 2010-06-11
Filing date: 2011-06-10
Publication date: 2016-02-16
Anticipated expiration: 2031-06-10
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Description

本発明は、発振器に関する。

発振器には、圧電振動を行う圧電振動片の振動領域を気密封止したものがあり、例えば、水晶発振器などが挙げられる。

水晶発振器は、セラミック材料からなる箱状体のベースと、金属材料からなる一枚板の蓋とからパッケージが構成されてなる。このパッケージの内部空間では、圧電振動片およびＩＣチップがベースに保持接合されている。そして、ベースと蓋とが接合されることで、パッケージの内部空間の圧電振動片とＩＣチップとが気密封止されている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に示すような水晶発振器では、セラミック材料を一体焼成してなる２つの箱状体を積層したベースが用いられている。そして、ベースの一方の箱状体に圧電振動片が搭載され、他方の箱状体にＩＣチップが搭載されている。また、ベースの裏面（他主面）には、外部の回路基板と電気的に接続する外部端子と、水晶振動片の特性を測定・検査する検査端子とが、他主面の外周に沿って形成されている。

特開２００９−２４６６９６号公報

ところで、現在、電子部品の小型化が進められており、水晶発振器などの発振器では、低背化が進められている。

しかしながら、特許文献１に示すベースの場合、２つの箱状体を積層しており、特許文献１に示すベースを用いて水晶発振器の低背化を行うことは難しい。

そこで、上記課題を解決するために、本発明は、低背化を図った発振器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明にかかる発振器は、封止部材に、圧電振動を行う圧電振動片を電気的に接続する一対の電極パッドと、前記圧電振動片とともに発振回路を構成する集積回路素子を電気的に接続する複数の接続パッドとを導通させる配線パターンが形成され、前記圧電振動片と前記集積回路素子とが、平面視上、並んで配された発振器において、前記配線パターンには、少なくとも、前記接続パッドの一つを前記発振回路の交流出力端子に導通させる出力配線パターンと、前記接続パッドの一つを前記発振回路の直流電源端子に導通させる電源配線パターンとが含まれ、前記電極パッドおよび前記接続パッドが、前記封止部材を構成する基材の一主面に形成され、かつ、前記配線パターンが、前記封止部材を構成する基材の少なくとも一主面に形成され、前記一主面上において、前記電極パッドは、前記出力配線パターンよりも、前記電源配線パターンの近くに配され、前記封止部材を構成する基材の一主面にキャビティが形成されるとともに、前記キャビティを囲むように壁部が前記基材の一主面に積層して設けられ、前記キャビティの底面は、略長方形に形成され、かつ、湾曲面とされ、ｍ＜ｎを条件とし、前記キャビティの底面に複数の前記接続パッドがｍ×ｎのマトリックス状に配され、ｎの配列方向が前記キャビティの長辺方向であり、前記集積回路素子が導電性バンプを介して前記接続パッドに接合されたことを特徴とする。

本発明によれば、前記配線パターンに、少なくとも、前記出力配線パターンと前記電源配線パターンとが含まれ、前記電極パッドおよび前記接続パッドが、前記封止部材を構成する基材の一主面に形成され、かつ、前記配線パターンが、前記封止部材を構成する基材の少なくとも一主面に形成され、前記一主面上において、前記電極パッドは、前記出力配線パターンよりも、前記電源配線パターンの近くに配され、前記圧電振動片と前記集積回路素子とが、平面視上、並んで配されるので、当該発振器の低背化に対応することが可能とあり、その結果、発振器の低背化に対応することが可能となる。

また、本発明によれば、交流や高周波信号が流れる前記出力配線パターンから、圧電振動片を電気的に接続する前記電極パッド（具体的には前記電極パッドに電気的に接続する圧電振動片）を離して、前記出力配線パターンから発生する不要輻射の影響が、前記電極パッドに電気的に接続する圧電振動片に及ぶのを抑制することが可能となる。特に、前記出力配線パターンを流れる信号の強度（振幅）が大きいが、本発明のように前記出力配線パターンから前記電極パッド（具体的には前記電極パッドに電気的に接続する圧電振動片）を離すことで、前記出力配線パターンから発生する不要輻射（輻射ノイズ）の影響が圧電振動片に及ぶのを抑制することが可能となる。

ところで、発振器では、前記出力配線パターンを流れる信号の周波数と、圧電振動片を接続する前記電極パッドに流れる信号の周波数とが同じ場合であっても、位相がズレてしまい、さらに信号波形が違うために電位差が生じているので、これらの相違点から前記出力配線パターンと前記電極パッドとの相互作用による不具合を起こす原因となる。これに対して、本発明によれば、前記電源配線パターンと比較して、前記出力配線パターンから前記電極パッド（具体的には前記電極パッドに電気的に接続する圧電振動片）を離すので、前記相互作用による不具合を抑えることが可能となる。

また、一般的に、発振器ではその製造工程において、圧電振動片の両主面に形成された一対の励振電極をスパッタリングしたり、蒸着法により錘を付して圧電振動片の周波数調整を行う。この圧電振動片の周波数調整の際、スパッタリングにより励振電極から飛散した励振電極の欠片や、錘用の材料が、交流や高周波信号が流れる前記出力配線パターンに付着する場合がある。この場合、前記配線パターンの表面抵抗が低くなり、配線パターン上においてショートなどの不具合が生じる。これに対して、本発明によれば、前記電極パッドは、前記出力配線パターンよりも、前記電源配線パターンの近くに配される。そのため、前記電極パッドに圧電振動片を電気的に接続すると、圧電振動片は、前記キャビティの底面において、前記出力配線パターンと離れ、かつ、前記電源配線パターンの近くに配されるので、このような不具合は生じ難い。

前記の構成による封止部材において、前記接続パッドに集積回路素子を搭載する際にＦＣＢ法による超音波接合を用いる場合、前記行方向もしくは列方向に振動させながら集積回路素子を前記接続パッドに接合させる。また、前記キャビティの湾曲面は、前記長辺方向よりも短辺方向の方が湾曲の度合いが大きい。そのため、前記ｎの配列方向が前記キャビティの短辺方向である場合、ＦＣＢ法によって前記接続パッドに集積回路素子を搭載する際、全ての前記接続パッドに集積回路素子が接続されることなく、一部の前記接続パッドに対して集積回路素子が浮いた状態となる場合がある。

本構成によれば、前記キャビティの底面が、略長方形に形成され、かつ、湾曲面とされ、前記キャビティの底面に複数の前記接続パッドがｍ×ｎのマトリックス状に配され、前記ｎの配列方向が前記キャビティの長辺方向であるので、ＦＣＢ法によって前記接続パッドに集積回路素子を搭載する際、全ての前記接続パッドに集積回路素子（集積回路素子上に形成されたＡｕバンプなどの端子）が接続されるが、この時に一部の前記接続パッドに対して集積回路素子（集積回路素子上に形成されたＡｕバンプなどの端子）が浮くことを防止することが可能となる。また、ＦＣＢ法によって前記接続パッドに集積回路素子を搭載する際、前記接続パッドへの集積回路素子の接合が不安定になるのを防止することが可能となる。

前記構成において、前記電極パッド上に突起部が設けられてもよい。具体的には、前記電極パッドが、平面視矩形に成形され、前記電極パッド上に、いずれかの辺に沿った突起部が設けられてもよい。または、前記電極パッドが、平面視矩形に成形され、前記電極パッド上に、対角線に沿った突起部が設けられてもよい。または、前記電極パッド上に、平面視Ｌ字の突起部が設けられてもよい。

この場合、導電性接合材によって圧電振動片を前記電極パッドに接続した時に、前記突起部上の導電性接合材が、前記突起部と前記電極パッドとの境界となる空間に溜まり、前記電極パッドから導電性接合材がはみ出すのを抑制することが可能となる。その結果、前記電極パッドの近傍に形成された他の前記電極パッドや前記配線パターンに導電性接合材が流れるのを防止することが可能となり、前記発振器の電極ショートを防止することが可能となる。

前記構成において、前記圧電振動片に形成された一対の励振電極が、前記交流出力端子、前記直流電源端子、前記出力配線パターン、および前記電源配線パターンと、非対向状態であってもよい。

本発明によれば、前記圧電振動片に形成された一対の励振電極が、前記交流出力端子、前記直流電源端子、前記出力配線パターン、および前記電源配線パターンと、非対向状態である。その結果、これら端子やパターンと容量結合を起こすことがなく、当該発振器に不要な容量を形成するのを防止することが可能となる。また、前記励振電極が、前記発振回路の構成である前記交流出力端子や前記出力配線パターンの高調波の影響を受け、ノイズが発生するのを抑制することが可能となる。

前記構成において、前記集積回路素子の側面に沿って、前記接続パッドに接続される前記配線パターンが形成されてもよい。

この場合、前記集積回路素子の側面に沿って、前記接続パッドに接続される前記配線パターンが形成されるので、前記封止部材に前記集積回路素子を搭載した後の前記集積回路素子の側面と前記配線パターンとの位置によって前記接続パッドに対する前記集積回路素子のズレが外観検査（特に人による外観検査）で容易となり、歩留まりを向上させることが可能となる。

前記構成において、電極として画像認識用の一対の認識部が、前記基材の一主面に形成されてもよい。

この場合、前記認識部を、当該封止部材に圧電振動片を搭載する時の搭載基準として、圧電振動片を当該封止部材に搭載することが可能となる。その結果、圧電振動片の当該封止部材への搭載ずれが減り、歩留まりを改善するなどの生産性向上を図ることが可能となる。

前記構成において、前記基材の一主面に、圧電振動片用であり画像認識用である枕部が形成されてもよい。

この場合、前記枕部を、当該封止部材に圧電振動片を搭載する時の搭載基準として、圧電振動片を当該封止部材に搭載することが可能となる。その結果、圧電振動片の当該封止部材への搭載ずれが減り、歩留まりを改善するなどの生産性向上を図ることが可能となる。

前記構成において、複数の封止部材により圧電振動片の振動領域が気密封止され、前記封止部材と前記集積回路素子との空隙は５０μｍ以下であり、前記封止部材と前記圧電振動片との空隙は、前記封止部材と前記集積回路素子との空隙よりも広くてもよい。

この場合、前記封止部材と前記集積回路素子との空隙は５０μｍ以下であり、前記封止部材と前記圧電振動片との空隙は、前記封止部材と前記集積回路素子との空隙よりも広いので、前記集積回路素子が防壁になって前記封止部材に前記圧電振動片が接するのを防止することが可能となる。

本発明によれば、発振器の低背化を行うことが可能となる。

図１は、本実施の形態１にかかる水晶発振器の概略側面図である。図２は、本実施の形態１にかかる、水晶振動片とＩＣチップを搭載した状態のベースの概略平面図である。図３は、本実施の形態１にかかるベースの概略裏面図である。図４は、本実施の形態１にかかる、電極のパターンを示したベース（底部）の概略平面図である。図５は、他の実施の形態にかかる電極パッドの概略平面図である。図６は、他の実施の形態にかかる電極パッドの概略平面図である。図７は、他の実施の形態にかかる電極パッドの概略平面図である。図８は、他の実施の形態にかかる、水晶振動片とＩＣチップを搭載した状態のベースの概略平面図である。図９は、他の実施の形態にかかる、水晶振動片とＩＣチップを搭載した状態のベースの概略平面図である。図１０は、本実施の形態２にかかる、内部空間を公開した水晶発振器の概略側面図である。図１１は、本実施の形態２にかかる、水晶振動片とＩＣチップを搭載した状態のベースの概略平面図である。図１２は、本実施の形態２にかかる、電極のパターンを示したベース（底部）の概略平面図である。図１３は、本実施の形態２にかかるベースの概略裏面図である。図１４は、本実施の形態３にかかる、内部空間を公開した水晶発振器の概略側面図である。図１５は、本実施の形態３にかかる、水晶振動片とＩＣチップを搭載した状態のベースの概略平面図である。図１６は、本実施の形態３にかかる、電極のパターンを示したベース（底部）の概略平面図である。図１７は、本実施の形態３にかかるベースの概略裏面図である。図１８は、他の実施の形態にかかる、電極のパターンを示したベース（底部）の概略平面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施の形態では、圧電振動片として水晶振動片に本発明を適用し、圧電振動デバイスとして水晶発振器に本発明を適用した場合を示す。

＜実施の形態１＞
本実施の形態にかかる水晶発振器１には、図１，２に示すように、圧電振動を行う水晶振動片２（圧電振動片）と、水晶振動片２とともに発振回路を構成する１チップ集積回路素子であるＩＣチップ３（集積回路素子）と、これら水晶振動片２およびＩＣチップ３を保持・搭載し、水晶振動片２およびＩＣチップ３を気密封止するためのベース４（封止部材）と、ベース４と対応して配置され、ベース４に保持・搭載した水晶振動片２およびＩＣチップ３を気密封止するための蓋６（封止部材）と、が設けられている。

この水晶発振器１では、ベース４と蓋６とからパッケージが構成され、ベース４と蓋６とが、接合材（図示省略）により接合されて、気密封止された内部空間１１が形成される。この内部空間１１では、ＩＣチップ３がベース４に導電性バンプ７１を用いてＦＣＢ（ＦｌｉｐＣｈｉｐＢｏｎｄｉｎｇ）法により電気機械的に超音波接合されている。また、水晶振動片２が、ベース４に導電性接合材７２を用いて電気機械的に接合されている。なお、本実施の形態では、導電性バンプ７１に、Ａｕバンプ等の金属バンプが用いられている。また、導電性接合材７２に、シリコーン等の導電性樹脂接着剤やＡｕ等の金属バンプやメッキバンプが用いられている。また、接合材に、Ａｇろう、Ｎｉメッキ、ＡｕとＳｎ等のＳｎ合金、ガラス材等が用いられている。

次に、水晶発振器１の各構成について図１〜４を用いて説明する。

水晶振動片２は、ＡＴカット水晶片の基板からなり、その外形は、図２に示すように、両主面２１１，２１２が略矩形状に形成された一枚板の直方体となっている。

この水晶振動片２には、振動領域を構成する振動部２２と、外部電極であるベース４の電極パッド５１１，５１２と接合する接合部２３とが一体成形されて構成される。振動部２２と接合部２３とは同一の厚みを有する。なお、本実施の形態では、振動部２２と接合部２３との厚みを同じ厚みとしているが、これに限定されるものではなく、振動部２２の厚みを薄くし、高周波化に対応させてもよい。

この水晶振動片２には、励振を行う一対の励振電極２４と、ベース４の電極パッド５１１，５１２と電気機械的に接合する一対の端子電極２５と、一対の励振電極２４を一対の端子電極２５に引き出す引出電極２６と、が形成されている。一対の励振電極２４は、引出電極２６により引回されて一対の端子電極２５にそれぞれ電気的に接続されている。

一対の励振電極２４は、振動部２２の両主面２１１，２１２の平面視中央に対応して形成されている。これら一対の励振電極２４は、例えば、基板側からＣｒ、Ａｕの順に積層して形成されたＣｒ−Ａｕ膜により構成される。

一対の端子電極２５は、接合部２３の他主面２１２に形成されている。一対の端子電極２５は、基板の長手方向の一側辺を含むその近傍に形成されている。これら一対の端子電極２５は、例えば、励振電極２４と同様に、基板側からＣｒ、Ａｕの順に積層して形成されたＣｒ−Ａｕ膜により構成される。

一対の引出電極２６は、振動部２２および接合部２３に形成され、振動部２２から接合部２３に亘り、相互に対応（対向）せずに水晶振動片２の両主面２１１，２１２に形成されている。これら引出電極２６は、例えば、励振電極２４と同様に、基板側からＣｒ、Ａｕの順に積層して形成されたＣｒ−Ａｕ膜により構成される。

ベース４は、アルミナ等のセラミック材料の基材からなり、図１〜４に示すように、底部４１と、ベース４の一主面４３の主面外周に沿って底部４１から上方に延出した壁部４２と、から構成された箱状体に成形されている。このベース４は、セラミックの一枚板（底部４１に対応）上に、複数のセラミックの環状板（壁部４２に対応）と、電極５（下記参照）の導電材料とを積層して凹状（断面視形状）に一体焼成してなる。

ベース４の壁部４２の天面は、蓋６との接合面であり、この接合面には、蓋６と接合するための第１接合層（図示省略）が設けられている。第１接合層は、複数の層の積層構造からなり、ベース４の壁部４２の天面に、ＷやＭｏからなるメタライズ層（図示省略）と、ＮｉからなるＮｉ膜と、ＡｕからなるＡｕ膜とが順に積層されてなる。メタライズ層は、メタライズ材料を印刷した後、セラミック焼成時に一体的に形成され、Ｎｉ膜とＡｕ膜はメッキ技術により形成される。

ベース４の一主面４３には、底部４１と壁部４２とによって囲まれた平面視長方形のキャビティ４４が成形され、キャビティ４４の底面４４１に、水晶振動片２とＩＣチップ３とが並んで搭載される。

また、ベース４の筺体裏面（他主面４５）の四隅に、図４に示すように、キャスタレーション４６がそれぞれ形成されている。これらキャスタレーション４６は、円弧状の切り欠き（半円弧状の凹部）であり、筐体側面４７に上下方向（図１に示すベース４の高さ方向であるＸ方向）に延びた状態で形成されている。

また、ベース４には、図２〜４に示すように、水晶振動片２の励振電極２４をキャビティ４４内からキャビティ４４外に導出させるためのビア４８が２つ形成されている。ビア４８の内部には、ＣｕやＷ、Ｍｏ等から構成される導通部材４８１が充填されている。

２つのビア４８は、ベース４の両主面４３，４５を貫通して形成されている。これらビア４８は、ベース４のいずれの辺に対しても傾斜し、ベースの短辺方向（図４に示す線Ｌ１参照）に対して角度θ（５°〜３０°）傾いた方向（図４に示す線Ｌ２参照）に並んで配され、他主面４５の中心点４５１を中心に点対称となる位置に配されている。また、２つのビア４８は、他主面４５の、一主面４３に成形された壁部４２に対応する対応領域（以下、この対応領域を壁部対応領域４９１とする）以外の領域に形成されている。すなわち、２つのビア４８は、一主面４３に形成されたキャビティ４４の底面４４１に対応する他主面４５の領域（以下、この対応領域をキャビティ対応領域４９２とする）に形成されている。

また、ベース４の電極５として、図２〜４に示すように、水晶振動片２の励振電極２４それぞれに電気機器的に接続する一対の電極パッド５１１，５１２と、ＩＣチップ３の端子３１（Ａｕバンプなど）に電気的に接続する接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６と、外部の回路基板（図示省略）などの外部機器に半田などの導電性接合材（図示省略）を用いて電気的に接続する外部端子５３と、水晶振動片２の特性を測定・検査する検査端子５４１，５４２とが形成されている。なお、本実施の形態では、外部端子５３には、ＩＣチップ３の交流出力端子５３１と、直流電源端子５３２と、直流制御端子５３３と、グランド端子５３４とが含まれる。

電極パッド５１１，５１２は、図２に示すように、ベース４の一主面４３のキャビティ４４の底面４４１に形成され、キャビティ４４の底面４４１の、出力配線パターン５５１（下記参照）およびグランド配線パターン５５４（下記参照）よりも、電源配線パターン５５２（下記参照）および制御配線パターン５５３（下記参照）の近くに配されている。すなわち、電極パッド５１１，５１２は、出力配線パターン５５１（下記参照）およびグランド配線パターン５５４（下記参照）と離れ、かつ、電源配線パターン５５２（下記参照）および制御配線パターン５５３（下記参照）の近くに配されている。また、電極パッド５１１，５１２は、図４に示すように、それぞれ平面視矩形（本実施の形態では長方形）に成形され、電極パッド５１１，５１２上の短辺近傍には、当該短辺方向に沿った矩形突起部５６が設けられている。

また、接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６は、図４に示すように、ベース４の一主面４３のキャビティ４４の底面４４１に、マトリックス状（３×２；ｍ×ｎ）に形成されている。なお、ｎの配列方向（ｎ方向である列方向）が、キャビティ４４の長辺方向となる。また、接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６は、電極パッド５１１，５１２と同一平面のキャビティ４４の底面４４１に形成されている。

また、交流出力端子５３１と、直流電源端子５３２と、直流制御端子５３３と、グランド端子５３４とは、図３に示すように、他主面４５の壁部対応領域４９１（他主面４５の外周）に形成されるとともに、これらの一部が、他主面４５のキャビティ対向位置４９２（他主面４５の外周を除く中央位置）に形成されている。具体的には、交流出力端子５３１と、直流電源端子５３２と、直流制御端子５３３と、グランド端子５３４とは、他主面４５の各隅部およびキャスタレーション４６に形成されている。また、他主面４５に形成されたグランド端子５３４の位置に基材（ベース４）を挟んで対応する（対向する）一主面４３の対応位置（対向位置）に、グランド端子５３４に導通させる接続パッド５２６が配されている。この接続パッド５２６にＩＣチップ３が配される（電気的に接続される）と、ＩＣチップ３の一部とグランド端子５３４とが、ベース４の基材を挟んで対向した積層状態となる。なお、本実施の形態では、交流出力端子５３１と、直流電源端子５３２と、直流制御端子５３３と、グランド端子５３４との一部がキャビティ対向位置４９２に形成されているが、これに限定されるものではなく、他主面４５の壁部対応領域４９１（他主面４５の外周）に形成されていればよく、他主面４５の壁部対応領域４９１のみに形成されてもよい。

また、検査端子５４１，５４２は、図３に示すように、他主面４５のキャビティ対応領域４９２（他主面４５の外周を除く中央領域）のみに形成されている。具体的には、検査端子５４１，５４２は、他主面４５の長辺の中間位置上に、他主面４５の短辺方向に沿って並んで形成されている。また、検査端子５４１，５４２下にビア４８がそれぞれ形成されている。

上記構成からなる電極パッド５１１，５１２と接続パッド５２１，５２２と検査端子５４１，５４２とが、ビア４８及び配線パターン５５（下記の検査配線パターン５５５，５５６参照）により電気的に接続され、接続パッド５２３，５２４，５２５，５２６と、交流出力端子５３１、直流電源端子５３２、直流制御端子５３３、およびグランド端子５３４とが、配線パターン５５（下記の出力配線パターン５５１、電源配線パターン５５２、制御配線パターン５５３、およびグランド配線パターン５５４参照）により電気的に接続されている。

配線パターン５５には、図４に示すように、接続パッド５２５をＩＣチップ３の交流出力端子５３１に導通させる出力配線パターン５５１と、接続パッド５２４を直流電源端子５３２に導通させる電源配線パターン５５２と、接続パッド５２３を直流制御端子５３３に導通させる制御配線パターン５５３と、接続パッド５２６をグランド端子５３４に導通させるグランド配線パターン５５４と、接続パッド５２１を検査端子５４２および電極パッド５１１に導通させる検査配線パターン５５５と、接続パッド５２２を検査端子５４１および電極パッド５１２に導通させる検査配線パターン５５６と、が含まれ、電極パッド５１１，５１２と、接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６とが導通可能な状態となる。なお、接続パッド５２３と直流制御端子５３３を接続する制御配線パターン５５３上に、この配線パターン５５に連続した水晶振動片２用の枕部５８が形成されている。

また、ＩＣチップ３をベース４に搭載した状態で、ＩＣチップ３の側面に沿って、接続パッド５２２，５２３，５２４，５２６に接続される配線パターン５５が形成されている。本実施の形態では、図２に示すように、ＩＣチップ３の下側面３２に沿って接続パッド５２６に接続されたグランド配線パターン５５４が形成され、ＩＣチップ３の右側面３３に沿って接続パッド５２４に接続された電源配線パターン５５２が形成され、ＩＣチップ３の上側面３４に沿って接続パッド５２２に接続された検査配線パターン５５６が形成され、ＩＣチップ３の左側面３５に沿って接続パッド５２３に接続された制御配線パターン５５３が形成されている。

また、図２〜４に示すように、水晶振動片２に形成された一対の励振電極２４が、交流出力端子５３１、直流電源端子５３２、直流制御端子５３３、グランド端子５３４、出力配線パターン５５１、電源配線パターン５５２、制御配線パターン５５３、およびグランド配線パターン５５４と、ベース４の基材を介して対向しない非対向状態となっている。

ベース４の電極５は、Ｗ，Ｍｏ等のメタライズ材料を印刷した後にベース４と一体的に焼成して形成される。このうち、電極パッド５１１，５１２と、接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６と、交流出力端子５３１と、直流電源端子５３２と、直流制御端子５３３と、グランド端子５３４と、検査端子５４１，５４２とは、メタライズ上部にＮｉメッキが形成され、その上部にＡｕメッキが形成されて構成される。なお、ここでいうメッキ形成の工法として、電解メッキ法や無電解メッキ法が挙げられる。

蓋６は、金属材料から成形され、図１に示すように、直方体の一枚板に成形されている。この蓋６の下面には、ベース４と接合するためのＡｇろう等の接合材（図示省略）が形成され、第２接合層は、ベース４の壁部４２の接合面に対応している。この蓋６は、シーム溶接によりベース４に接合されて、蓋６とベース４とによる水晶発振器１のパッケージが構成される。

上記構成からなる水晶発振器１では、図２に示すように、ベース４のキャビティ４４の底面４４１にＩＣチップ３が配され、ＩＣチップ３が導電性バンプ７１を介してＦＣＢ法により接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６に電気機械的に超音波接合される。また、ベース４のキャビティ４４の底面４４１にＩＣチップ３に並べた状態で水晶振動片２が配され、水晶振動片２が導電性接合材７２を介して電気機械的に電極パッド５１１，５１２に接合される。

そして、同一平面のキャビティ４４の底面４４１にＩＣチップ３と水晶振動片２とが搭載されたベース４に蓋６が配され、その後、窒素雰囲気下でシーム封止によりパッケージ（ベース４、蓋６）の平面視短辺に沿ってシームローラ（図示省略）を走査させて第１接合層と接合材とが溶融され、その後にパッケージ（ベース４、蓋６）の平面視長辺に沿ってシームローラ（図示省略）を走査させて第１接合層と接合材とが溶融される。このシーム封止により、蓋６に形成された接合材とベース４の第１接合層とが接合されて、図１に示すように、水晶振動片２およびＩＣチップ３を気密封止した水晶発振器１が製造される。ここで製造された水晶発振器１を、外部の回路基板に半田などの導電性接合材により実装する。なお、ここで製造された水晶発振器１では、蓋６とＩＣチップ３との空隙は５０μｍ以下であり、蓋６と水晶振動片２との空隙は、蓋６とＩＣチップ３との空隙よりも広い。本実施の形態では、蓋６とＩＣチップ３との空隙は５０μｍとなり、蓋６と水晶振動片２との空隙は１００μｍとなる。また、壁部対応領域４９１の平坦面から、キャビティ対応領域４９２の湾曲面の頂点までのＸ方向の高さ寸法は、約３０μｍ以下となる。

上記のように、本実施の形態にかかる水晶発振器１および水晶発振器１のベース４によれば、水晶振動片２とＩＣチップ３とが、キャビティ３３の底面４４１に、非対向状態で、平面視上、並んで配されるので、ベース４の低背化に対応することができ、その結果、水晶発振器１の低背化に対応できる。また、ベース４を底部４１と壁部４２からなる２層のみで構成しているので、水晶発振器１の低背化に対応できる。

また、本実施の形態にかかる水晶発振器１および水晶発振器１のベース４によれば、配線パターン５５には、少なくとも出力配線パターン５５１と電源配線パターン５５２とが含まれ、電極パッド５１１，５１２は、出力配線パターン５５１よりも、電源配線パターン５５２の近くに配される。すなわち、電極パッド５１１，５１２は、キャビティ４４の底面４４１の、出力配線パターン５５１と離れ、かつ、電源配線パターン５５２の近くに配されるので、交流や高周波信号が流れる出力配線パターン５５１から、水晶振動片２を電気的に接続する電極パッド５１１，５１２（具体的には電極パッド５１１，５１２に電気的に接続する水晶振動片２）を離して、出力配線パターン５５１から発生する不要輻射の影響が水晶振動片２に及ぶのを抑制することができる。特に、出力配線パターン５５１を流れる信号の強度（振幅）は大きいが、出力配線パターン５５１から電極パッド５１１，５１２（具体的には電極パッド５１１，５１２に電気的に接続する水晶振動片２）を離すことで、出力配線パターン５５１から発生する不要輻射（輻射ノイズ）の影響が水晶振動片２に及ぶのを抑制することができる。

ところで、水晶発振器１では、出力配線パターン５５１を流れる信号の周波数と、水晶振動片２を接続する電極パッド５１１，５１２に流れる信号の周波数とが同じ場合であっても、位相がズレてしまい、さらに信号波形が違うために電位差が生じているので、これらの相違点から出力配線パターン５５１と電極パッド５１１，５１２との相互作用による不具合を起こす原因となる。これに対して、本実施の形態によれば、電源配線パターン５５２と比較して、出力配線パターン５５１から電極パッド５１１，５１２（具体的には電極パッド５１１，５１２に電気的に接続する水晶振動片２）を離すので、相互作用による不具合を抑えることができる。

また、一般的に、水晶発振器１ではその製造工程において、水晶振動片２の両主面２１１，２１２に形成された一対の励振電極２４をスパッタリングしたり、蒸着法により錘を付して水晶振動片２の周波数調整を行う。この水晶振動片２の周波数調整の際、スパッタリングにより励振電極２４から飛散した励振電極２４の欠片や、錘用の材料が、交流や高周波信号が流れる出力配線パターン５５１に付着する場合がある。この場合、配線パターン５５の表面抵抗が低くなり、配線パターン５５上においてショートなどの不具合が生じる。これに対して、本実施の形態によれば、電極パッド５５１，５１２は、図２，４に示すように、出力配線パターン５５１よりも、電源配線パターン５５２の近くに配される。そのため、電極パッド５１１，５１２に水晶振動片２を電気的に接続すると、水晶振動片２は、キャビティ４４の底面４４１において、出力配線パターン５５１と離れ、かつ、電源配線パターン５５２の近くに配されるので、このような不具合は生じ難い。

また、本実施の形態にかかる水晶発振器１によれば、配線パターン５５には、少なくとも出力配線パターン５５１と電源配線パターン５５２とグランド配線パターン５５４とが含まれ、電極パッド５１１，５１２および接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６がベース４の一主面４３に形成され、かつ、配線パターン５５がベース４の少なくとも一主面４３に形成され、他主面４５に形成されたグランド端子５３４に対応する一主面４３側の対応位置に、グランド端子５３４に導通させる接続パッド５２６に接続されたＩＣチップ３の一部が配されるので、グランド配線パターン５５４の長さを短くすることができ、その結果、水晶発振器１の低背化に寄与し、かつ、水晶発振器１の電気的特性の安定を図ることができる。

すなわち、本実施の形態によれば、他主面４５に形成されたグランド端子５３４に対応する一主面４３側の対応位置に、グランド端子５３４に導通させる接続パッド５２６に接続されたＩＣチップ３の一部が配されるので、グランド配線パターン５５４の長さを短くすることができ、その結果、グランド配線パターン５５４の長さに依存する水晶発振器１の出力波形のリンギングによる影響を抑えることができる。

また、グランド端子５３４と、接続パッド５２６に接続されたＩＣチップ３とがベース４の基材を介して積層する（対向する）構成となるので、グランド端子５３４と接続パッド５２６に電気的に接続するＩＣチップ３とが積層状態となる。そのため、接続パッド５２６に電気的に接続するＩＣチップ３による輻射ノイズをグランド端子５３４で抑えてＥＭＩ対策を図ることができる。このような効果は、グランド端子５３４とＩＣチップ３との距離が短くなればなるほど、すなわち、ベース４の厚みが薄くなればなるほど生じるので、本実施の形態は、水晶発振器１の低背化に寄与する。

また、導電性接合材７２によって水晶振動片２を電極パッド５１１，５１２に接続した時に、突起部５６上の導電性接合材７２が、突起部５６と電極パッド５１１，５１２との境界となる空間に溜まり、電極パッド５１１，５１２から導電性接合材７２がはみ出すのを抑制することができる。その結果、電極パッド５１１（５１２）の近傍に形成された他の電極パッド５１２（５１１）や配線パターン５５（本実施の形態では電源配線パターン５５２）に導電性接合材７２が流れるのを防止することができ、水晶発振器１の電極ショートを防止することができる。

また、本実施の形態にかかる水晶発振器１によれば、水晶振動片２に形成された一対の励振電極２４が、交流出力端子５３１、直流電源端子５３２、出力配線パターン５５１、および電源配線パターン５５２と、非対向状態である。その結果、これら端子やパターンと容量結合を起こすことはなく、水晶発振器１に不要な容量を形成するのを防止することができる。また、励振電極２４が、発振回路の構成である交流出力端子５３１や出力配線パターン５５１の高調波の影響を受け、ノイズが発生するのを抑制することができる。また、同様に、発振回路を構成する他の直流電源端子５３２、直流制御端子５３３、グランド端子５３４、電源配線パターン５５２、およびグランド配線パターン５５４において発生するノイズを抑制することができる。

また、ＩＣチップ３の側面（図２に示す符号３２，３３，３４，３５参照）に沿って、接続パッド５２２，５２３，５２４，５２６に接続される配線パターン５５が形成されるので、ベース４にＩＣチップ３を搭載した後のＩＣチップ３の側面と配線パターン５５との位置によって接続パッド５２２，５２３，５２４，５２６に対するＩＣチップ３のズレが外観検査（特に人による外観検査）で容易となり、歩留まりを向上させることができる。

また、ベース４に水晶振動片２とＩＣチップ３とが並列に配されているので、ベース４との距離が縦配置構造（積層配置構造）に比べて、水晶振動片２とベース４との距離と、ＩＣチップ３とベース４との距離とが同じになる。そのため、外部からの熱（例えば実装基板からベース４を介する熱）が水晶振動片２とＩＣチップ３とに同じように伝わる。特に、ベース４の同一厚みの基板上に水晶振動片２とＩＣチップ３とが配されることが好ましい。また、縦配置構造に比べて水晶振動片２とＩＣチップ３とが離れているため、発振時のＩＣチップ３からの熱が水晶振動片２に及ぼすのを抑えることができ、本実施の形態にかかる水晶発振器１は、ＳＰＸＯに限らず、例えばＴＣＸＯにおいても有効である。

また、本実施の形態では、蓋６とＩＣチップ３との空隙は５０μｍとなり、蓋６と水晶振動片２との空隙は１００μｍとなるので、基板実装時など発振器の蓋を押し込むような力が生じる場合であってもＩＣチップ３が蓋６を支える役割を果たし、蓋６に水晶振動片２が接するのを防止することができる。

また、本実施の形態にかかる水晶発振器１では、蓋６が変形した場合、キャビティ４４の中央付近の部分が凹むように蓋６が変形する。このような蓋６の変形があっても、水晶振動片２を接続する電極パッド５１１，５１２が、キャビティ４４の中央付近ではなく、キャビティ４４の平面視外周近傍に形成されているので、蓋６に、水晶振動片２や、水晶振動片２を接合する導電性接合材７２が接触し、不発振になるのを防ぐことができる。

なお、本実施の形態では、圧電振動デバイスとして水晶発振器を適用しているが、材料は水晶に限定されるものではなく、圧電材料であればよい。また、本実施の形態にかかる水晶発振器に限定されるものではなく、例えば弾性表面波素子を用いた発振器等であってもよい。

また、本実施の形態では、外部端子５３としてＩＣチップ３の交流出力端子５３１と、直流電源端子５３２と、直流制御端子５３３と、グランド端子５３４とが含まれた４端子構成のものとしているが、これに限定されるものではなく、直流制御端子５３３に代えて、電圧制御用端子を形成した４端子構成のものであってもよい。また、直流制御端子５３３に代えて、外部への接続を行う端子として機能しないダミー端子を形成した４端子構成のものであってもよい。また、直流制御端子５３３と電圧制御用端子とダミー端子とのうち少なくとも２つ以上形成した５端子以上の構成のものであってもよい。また、外部端子５３に、他の書き込み端子等を追加端子として含む６端子以上の構成のものであってもよい。

また、本実施の形態では、２つのビア４８をベース４に形成しているが、これに限定されるものではなく、ビア４８の数は任意に設定可能である。

また、本実施の形態では、箱状体のベース４と、一枚板の蓋６とから水晶発振器１のパッケージを構成しているが、これに限定されるものではなく、ベース４と水晶振動片２と蓋６とを積層し、サンドイッチ構造とした発振器のパッケージであってもよい。

また、本実施の形態では、ベース４に本発明を適用しているが、これに限定されるものではなく、水晶振動片２とＩＣチップ３とを搭載し、配線パターン５５などを形成した蓋６に本発明を適用してもよい。

また、本実施の形態では、ベース４と蓋６とを接合する前の蓋６に接合材を形成しているが、これに限定されるものではなく、ベース４に接合材を形成してもよい。

また、本実施の形態では、振動部２２と接合部２３の厚みを同じ厚みとしているが、これに限定されるものではなく、振動部２２の厚みを薄くし、高周波化に対応させてもよい。

また、本実施の形態では、電極パッド５１１，５１２上の短辺近傍に、当該短辺方向に沿った突起部５６が設けられているが、これに限定されるものではなく、電極パッド５１１，５１２上のいずれかの辺、例えば長辺近傍に、当該辺方向に沿った突起部５６が設けられてもよい。

また、本実施の形態では、電極パッド５１１，５１２上の短辺近傍に、当該短辺方向に沿った突起部５６が設けられているが、これに限定されるものではなく、図５，６に示すように、電極パッド５１１，５１２上に、対角線に沿った突起部５６が設けられてもよい。

また、本実施の形態では、電極パッド５１１，５１２上の短辺近傍に、当該短辺方向に沿った突起部５６が設けられているが、これに限定されるものではなく、図７に示すように、電極パッド５１１，５１２上に、平面視Ｌ字の突起部５６が設けられてもよい。

また、本実施の形態によれば、他主面４５に形成されたグランド端子５３４に対応する一主面４３の対応位置に、グランド端子５３４に導通させる接続パッド５２６が配されているが、これに限定されるものではなく、図８に示すように、他主面４５に形成されたグランド端子５３４に対応する一主面４３の対応位置と、他主面４５に形成された交流出力端子５３１に対応する一主面４３の対応位置との間に、グランド端子５３４および交流出力端子５３１に導通させる接続パッド５２５，５２６が配されてもよい。この場合であっても、グランド配線パターン５５４と出力配線パターン５５１との長さをともに短くすることができ、その結果、グランド配線パターン５５４と出力配線パターン５５１との長さに依存する水晶発振器１の出力波形のリンギングによる影響を抑えることができる。

また、本実施の形態では、図４などに示すように、接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６が、ベース４を平面視して、ベース４の一主面４３のキャビティ４４の底面４４１にマトリックス状（３×２）形成され、ｍの配列方向がキャビティ４４の短辺方向とされているが、これに限定されるものではなく、ｍ＜ｎを条件とし、キャビティ４４の底面４４１に複数の接続パッドがｍ×ｎのマトリックス状に配され、ｎの配列方向（列方向）がキャビティ４４の長辺方向であってもよい。例えば、図９に示すように、ＩＣチップ３のベース４への配置を、図１に示す形態に比べて９０度回転させ、このＩＣチップ３のベース４への配置に対応させて、キャビティ４４の底面４４１に接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６がマトリックス状（２×３）に配され、ｎの配列方向がキャビティ４４の長辺方向であってもよい。

図９に示す実施の形態の場合、キャビティ４４の底面４４１が、略長方形に形成され、かつ、湾曲面とされ、キャビティ４４の底面４４１に接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６が、ベース４を平面視して、マトリックス状（２×３；ｍ×ｎ）に形成され、ｎの配列方向がキャビティ４４の長辺方向であるので、ＦＣＢ法によって接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６にＩＣチップ３を搭載する際、全ての接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６にＩＣチップ３（ＩＣチップ３上に形成されたＡｕバンプなどの端子３１）が接続されるが、この時に接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６に対してＩＣチップ３（ＩＣチップ３上に形成されたＡｕバンプなどの端子３１）が浮くのを防止することができる。また、ＦＣＢ法によって接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６にＩＣチップ３を搭載する際、接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６へのＩＣチップ３の接合が不安定になるのを防止することができる。

また、本実施の形態では、蓋６とＩＣチップ３との空隙は５０μｍとなり、蓋６と水晶振動片２との空隙は１００μｍとなるが、これに限定されるものではなく、蓋６とＩＣチップ３との空隙が５０μｍ以下であり、蓋６と水晶振動片２との空隙が、蓋６とＩＣチップ３との空隙よりも広くなっていればよい。そのため、蓋６とＩＣチップ３との空隙が無く（０μｍ）、蓋６と水晶振動片２とは空隙を有する形態であってもよい。例えば、ベース４に面する蓋６の下面が平坦面であり、この蓋６の下面にＩＣチップ３の上面が接してもよい。また、蓋６がベース４側に湾曲したり、蓋６の下面が凸状になったりして曲面に成形され、この蓋６の下面にＩＣチップ３の上面が接してもよい。この場合、ＩＣチップ３の熱が、蓋６を介して発振器１の外部に効率的に放熱することができ、発振器１を安定動作させるのに有効であり、また、ＥＭＩ対策にも最適である。

＜実施の形態２＞
次に、本実施の形態２にかかる水晶発振器１を図面を用いて説明する。なお、本実施の形態２にかかる水晶発振器１は、上記の実施の形態１に対して、ベース４が異なる。しかしながら、同一構成による作用効果及び変形例は、上記した実施の形態１と同様の作用効果及び変形例を有する。そこで、本実施の形態２では、上記の実施の形態１と異なるベース４の構成について説明し、同一の構成についての説明を省略する。

ベース４では、電極５として、図１０〜１３に示すように、水晶振動片２の励振電極２４それぞれに電気機械的に接合する一対の電極パッド５１１，５１２と、ＩＣチップ３の端子３１に電気的に接続する接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６と、外部の回路基板（図示省略）などの外部機器に半田などの導電性接合材（図示省略）を用いて電気的に接続する外部端子５３（交流出力端子５３１、直流電源端子５３２、直流制御端子５３３、およびグランド端子５３４）と、水晶振動片２の特性を測定・検査する検査端子５４１，５４２と、が形成されている。

電極パッド５１１，５１２と接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６とは、同一平面となるベース４の一主面４３（具体的にはベース４の底部４１上）のキャビティ４４の底面４４１に形成されている。

また、交流出力端子５３１、直流電源端子５３２、直流制御端子５３３、およびグランド端子５３４は、他主面４５の壁部対応領域４９１（他主面４５の外周）に形成されるとともに、その一部が、他主面４５のキャビティ対向位置４９２（他主面４５の外周を除く中央位置）に形成されている。具体的には、交流出力端子５３１、直流電源端子５３２、直流制御端子５３３、およびグランド端子５３４は、他主面４５の各隅部およびキャスタレーション４６に形成されている。なお、本実施の形態では、交流出力端子５３１、直流電源端子５３２、直流制御端子５３３、およびグランド端子５３４の一部がキャビティ対向位置４９２に形成されているが、これに限定されるものではなく、他主面４５の壁部対応領域４９１（他主面４５の外周）に形成されていればよく、他主面４５の壁部対応領域４９１のみに形成されてもよい。

また、検査端子５４１，５４２は、他主面４５のキャビティ対応領域４９２（他主面４５の外周を除く中央領域）のみに形成され、その形状は図１３に示すように平面視円形とされる。具体的には、検査端子５４１，５４２は、他主面４５の長辺の中間位置上に、他主面４５の短辺方向に沿って並んで形成されている。また、検査端子５４１，５４２下にビア４８がそれぞれ形成され、ビア４８は、検査端子５４１，５４２の中心に対して偏位した位置に配されている。また、これら検査端子５４１，５４２を覆うようにレジストなどの絶縁材料からなる絶縁部８１が設けられている。この絶縁部８１により、水晶発振器１の製造後に、検査端子５４１，５４２の露出を防止し、検査端子５４１，５４２が他の電子機器など端子に接続するのを防止することができる。また、下記の実施の形態３に示すようにベース４を凹状（凹部８２）に形成する必要がなく（図１４参照）、ベース４の強度を低くすることなく、検査端子５４１，５４２が他の電子機器など端子に接続するのを防止することができる。なお、絶縁部８１は、本実施の形態に限定されるものではなく、検査端子５４１，５４２を被覆することができるものであれば、材料や形状は任意に設定できる。

また、配線パターン５５には、図１２に示すように、接続パッド５２５をＩＣチップ３の交流出力端子５３１に導通させる出力配線パターン５５１と、接続パッド５２４を直流電源端子５３２に導通させる電源配線パターン５５２と、接続パッド５２３を直流制御端子５３３に導通させる制御配線パターン５５３と、接続パッド５２６をグランド端子５３４に導通させるグランド配線パターン５５４と、接続パッド５２１を検査端子５４２および電極パッド５１１に導通させる検査配線パターン５５５と、接続パッド５２２を検査端子５４１および電極パッド５１２に導通させる検査配線パターン５５６と、が含まれ、電極パッド５１１，５１２と、接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６とを導通可能な状態となる。なお、本実施の形態では、上記の実施の形態１と異なり、接続パッド５２３と直流制御端子５３３を接続する制御配線パターン５５３上に、この制御配線パターン５５３に連続した水晶振動片２用の枕部５８が形成されずに、制御配線パターン５５３に対して離間して枕部５８がベース４上に形成されている。

上記構成からなる電極パッド５１１，５１２と接続パッド５２１，５２２と検査端子５４１，５４２とが、ビア４８及び配線パターン５５（検査配線パターン５５５，５５６）により電気的に接続され、接続パッド５２３，５２４，５２５，５２６と交流出力端子５３１、直流電源端子５３２、直流制御端子５３３、およびグランド端子５３４とが、配線パターン５５（出力配線パターン５５１、電源配線パターン５５２、制御配線パターン５５３、およびグランド配線パターン５５４）により電気的に接続されている。

また、電極５では、接続パッド５２３と直流制御端子５３３（外部端子）を接続する制御配線パターン５５３上、および接続パッド５２４と直流電源端子５３２（外部端子）とを接続する電源配線パターン５５２上に、水晶発振器１の製造工程における画像認識用の一対の認識部５７が形成されている。これら認識部５７の一部は、図１１，１２に示すように、キャビティ４４に露出し、ベース４の短辺方向に沿って形成されている。これら認識部５７を、ベース４に水晶振動片２やＩＣチップ３を搭載する時の搭載基準として、水晶振動片２やＩＣチップ３をベース４に正確に搭載することができる。その結果、水晶振動片２やＩＣチップ３のベース４への搭載ずれが減り、歩留まりを改善するなどの生産性向上を図ることができる。なお、認識部５７は、本実施の形態に限定されるものではなく、一対の形状からなるものであれば、他の形状であってもよい。

また、接続パッド５２３と直流制御端子５３３を接続する制御配線パターン５５３に沿って、かつ、この制御配線パターン５５３に離間した水晶振動片２用の枕部５８が形成されている。この枕部５８は、制御配線パターン５５３とともに形成され、上記の認識部５７と同様の認識の役割も果たす。この認識の役割に関して、枕部５８の一端縁５８１と電極パッド５１１の端縁５１１１、および枕部５８の他端縁５８２と電極パッド５１２の端縁５１２１とがベース４の短辺方向に沿って形成されており、これら枕部５８と電極パッド５１１，５１２を、ベース４に水晶振動片２やＩＣチップ３を搭載する時の搭載基準として、水晶振動片２やＩＣチップ３をベース４に正確に搭載することができる。その結果、水晶振動片２やＩＣチップ３のベース４への搭載ずれが減り、歩留まりを改善するなどの生産性向上を図ることができる。

＜実施の形態３＞
次に、本実施の形態３にかかる水晶発振器１を図面を用いて説明する。なお、本実施の形態３にかかる水晶発振器１は、上記の実施の形態１に対して、ベース４が異なる。しかしながら、同一構成による作用効果及び変形例は、上記した実施の形態１と同様の作用効果及び変形例を有する。そこで、本実施の形態３では、上記の実施の形態１と異なるベース４の構成について説明し、同一の構成についての説明を省略する。

ベース４では、電極５として、図１４〜１７に示すように、水晶振動片２の励振電極２４それぞれに電気機械的に接合する一対の電極パッド５１１，５１２と、ＩＣチップ３の端子３１に電気的に接続する接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６と、外部の回路基板（図示省略）などの外部機器に半田などの導電性接合材（図示省略）を用いて電気的に接続する交流出力端子５３１、直流電源端子５３２、直流制御端子５３３、およびグランド端子５３４と、水晶振動片２の特性を測定・検査する検査端子５４１，５４２とが形成されている。

また、検査端子５４１，５４２は、他主面４５のキャビティ対応領域４９２（他主面４５の外周を除く中央領域）のみに形成され、その形状は図１７に示すように平面視円形とされる。具体的には、検査端子５４１，５４２は、他主面４５の長辺の中間位置上に、他主面４５の短辺方向に沿って並んで形成されている。また、検査端子５４１，５４２下にビア４８がそれぞれ形成され、ビア４８は、検査端子５４１，５４２の中心に対して偏位した位置に配されている。また、これら検査端子５４１，５４２は、ベース４の他主面４５に形成された凹部８２内に形成されている。この凹部８２により、水晶発振器１の製造後に、交流出力端子５３１、直流電源端子５３２、直流制御端子５３３、およびグランド端子５３４に対して、検査端子５４１，５４２がＸ方向上方に配することができ、交流出力端子５３１、直流電源端子５３２、直流制御端子５３３、およびグランド端子５３４を他の電子機器など端子に接続した時に、検査端子５４１，５４２が他の電子機器など端子に接続するのを防止することを防止することができる。また、本実施の形態３によれば、上記の実施の形態２のようにレジスト処理をする必要が無い（図１０参照）。そのため、上記の実施の形態２に比べて、レジスト処理の工程を削減することができ、低コストで同様の効果を得ることができる。なお、凹部８２は、本実施の形態に限定されるものではなく、検査端子５４１，５４２を凹部８２内に配することができるものであれば、形状は問わない。

また、配線パターン５５には、図１６に示すように、接続パッド５２５をＩＣチップ３の交流出力端子５３１に導通させる出力配線パターン５５１と、接続パッド５２４を直流電源端子５３２に導通させる電源配線パターン５５２と、接続パッド５２３を直流制御端子５３３に導通させる制御配線パターン５５３と、接続パッド５２６をグランド端子５３４に導通させるグランド配線パターン５５４と、接続パッド５２１を検査端子５４２および電極パッド５１１に導通させる検査配線パターン５５５と、接続パッド５２２を検査端子５４１および電極パッド５１２に導通させる検査配線パターン５５６と、が含まれ、電極パッド５１１，５１２と、接続パッド５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６とを導通可能な状態となる。

また、電極５では、接続パッド５２３と直流制御端子５３３（外部端子）を接続する制御配線パターン５５３上、および接続パッド５２４と直流電源端子５３２（外部端子）とを接続する電源配線パターン５５２上に、水晶発振器１の製造工程における画像認識用の一対の認識部５７が形成されている。これら認識部５７の一部は、図１５，１６に示すように、キャビティ４４に露出し、ベース４の短辺方向に沿って形成されている。これら認識部５７を、ベース４に水晶振動片２やＩＣチップ３を搭載する時の搭載基準として、水晶振動片２やＩＣチップ３をベース４に正確に搭載することができる。その結果、水晶振動片２やＩＣチップ３のベース４への搭載ずれが減り、歩留まりを改善するなどの生産性向上を図ることができる。なお、認識部５７は、本実施の形態に限定されるものではなく、一対の形状からなるものであれば、他の形状であってもよい。

なお、本実施の形態では、上記の実施の形態１と異なり、接続パッド５２３と直流制御端子５３３を接続する制御配線パターン５５３上に、この制御配線パターン５５３に連続した２つの水晶振動片２用の枕部５８，５９が形成されている。これら枕部５８，５９は、制御配線パターン５５３とともに形成され、上記の認識部５７と同様の認識の役割も果たす。この認識の役割に関して、一方の枕部５８の端縁（他端縁５８２）と電極パッド５１１の端縁５１１１とがベース４の短辺方向に沿って形成され、他方の枕部５９の端縁５９１と電極パッド５１２の端縁５１２１とがベース４の短辺方向に沿って形成され、これら枕部５８，５９と電極パッド５１１，５１２を、ベース４に水晶振動片２やＩＣチップ３を搭載する時の搭載基準として、水晶振動片２やＩＣチップ３をベース４に正確に搭載することができる。その結果、水晶振動片２やＩＣチップ３のベース４への搭載ずれが減り、歩留まりを改善するなどの生産性向上を図ることができる。

このまた、図１６に示す２つの枕部５８，５９に関して、これに限定されるものではなく、図１７に示すように、接続パッド５２３と交流出力端子５３１を接続する制御配線パターン５５３に沿って、かつ、この制御配線パターン５５３に離間した水晶振動片２用の枕部５８，５９が２つ形成されてもよい。この場合でも、図１６に示す枕部５８，５９と同様の効果を有する。また、この図１７に示す構成によれば、接続パッド５２３と直流制御端子５３３を接続する制御配線パターン５５３に沿って、かつ、この制御配線パターン５５３に離間した水晶振動片２用の枕部５８，５９が２つ形成されるので、制御配線パターン５５３から離して水晶振動片２を保持することができ、制御配線パターン５５３と励振電極２４とのショートを防ぐことができる。

なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。

また、この出願は、２０１０年６月１１日に日本で出願された特願２０１０−１３４３０２号に基づく優先権を請求する。これに言及することにより、その全ての内容は本出願に組み込まれるものである。

本発明は、水晶発振器などの圧電振動デバイスに適用できる。

１水晶発振器（圧電振動デバイス）
１１内部空間
２水晶振動片（圧電振動片）
２１１一主面
２１２他主面
２２振動部
２３接合部
２４励振電極
２５端子電極
２６引出電極
３ＩＣチップ（電子部品素子）
３１端子
３２下側面
３３右側面
３４上側面
３５左側面
４ベース（封止部材）
４１底部
４２壁部
４３一主面
４４キャビティ
４４１底面
４５他主面
４５１中心点
４６キャスタレーション
４７筐体側面
４８ビア
４８１導通部材
４９１壁部対応領域
４９２キャビティ対応領域
５電極
５１１電極パッド
５１１１端縁
５１２電極パッド
５１２１端縁
５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６接続パッド
５３外部端子
５３１交流出力端子
５３２直流電源端子
５３３直流制御端子
５３４グランド端子
５４１，５４２検査端子
５５配線パターン
５５１出力配線パターン
５５２電源配線パターン
５５３制御配線パターン
５５４グランド配線パターン
５５５，５５６検査配線パターン
５６突起部
５６枕部
５８１一端縁
５８２他端縁
５７認識部
５８枕部
５８１端縁
５９枕部
５９１端縁
６蓋（封止部材）
７導電性接合材
７１導電性バンプ
７２導電性接合材
８１絶縁部
８２凹部
Ｌ１，Ｌ２線

Claims

封止部材に、圧電振動を行う圧電振動片を電気的に接続する一対の電極パッドと、前記圧電振動片とともに発振回路を構成する集積回路素子を電気的に接続する複数の接続パッドとを導通させる配線パターンが形成され、前記圧電振動片と前記集積回路素子とが、平面視上、並んで配された発振器において、
前記配線パターンには、少なくとも、前記接続パッドの一つを前記発振回路の交流出力端子に導通させる出力配線パターンと、前記接続パッドの一つを前記発振回路の直流電源端子に導通させる電源配線パターンとが含まれ、
前記電極パッドおよび前記接続パッドが、前記封止部材を構成する基材の一主面に形成され、かつ、前記配線パターンが、前記封止部材を構成する基材の少なくとも一主面に形成され、
前記一主面上において、前記電極パッドは、前記出力配線パターンよりも、前記電源配線パターンの近くに配され、
前記封止部材を構成する基材の一主面にキャビティが形成されるとともに、前記キャビティを囲むように壁部が前記基材の一主面に積層して設けられ、前記キャビティの底面は、略長方形に形成され、かつ、湾曲面とされ、ｍ＜ｎを条件とし、前記キャビティの底面に複数の前記接続パッドがｍ×ｎのマトリックス状に配され、ｎの配列方向が前記キャビティの長辺方向であり、前記集積回路素子が導電性バンプを介して前記接続パッドに接合されたことを特徴とする発振器。
請求項１に記載の発振器において、
前記電極パッド上に、突起部が設けられたことを特徴とする発振器。
請求項１または２に記載の発振器において、
前記圧電振動片に形成された一対の励振電極が、前記交流出力端子、前記直流電源端子、前記出力配線パターン、および前記電源配線パターンと、非対向状態であることを特徴とする発振器。
請求項３に記載の発振器において、
前記集積回路素子の側面に沿って、前記接続パッドに接続される前記配線パターンが形成されたことを特徴とする発振器。
請求項１乃至４のうちいずれか１つに記載の発振器において、
電極として、画像認識用の一対の認識部が、前記基材の一主面に形成されたことを特徴とする発振器。
請求項１乃至５のうちいずれか１つに記載の発振器において、
前記基材の一主面に、圧電振動片用であり画像認識用である枕部が形成されたことを特徴とする発振器。
請求項１乃至６のうちいずれか１つに記載の発振器において、
複数の封止部材により圧電振動片の振動領域が気密封止され、
前記封止部材と前記集積回路素子との空隙は５０μｍ以下であり、前記封止部材と前記圧電振動片との空隙は、前記封止部材と前記集積回路素子との空隙よりも広いことを特徴とする発振器。