JP5855995B2 - 光電変換モジュール - Google Patents
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Description
光電変換部1は、第1基板2の一主面上に設けられている。そして、この光電変換部1は、下部電極3と、光吸収層4およびバッファ層5を備えた光電変換層と、透光性導電層6および集電電極7を備えた上部電極とを有する。この光電変換部1では、下部電極3および上部電極で挟まれた光吸収層4およびバッファ層5により光電変換が行なわれる。
げられる。カルコゲン化合物半導体は、カルコゲン元素である硫黄(S)、セレン(Se)またはテルル(Te)を含むものである。カルコゲン化合物半導体としては、例えば、I-III-VI化合物半導体がある。I-III-VI化合物半導体とは、I-B族元素(11族元素ともいう)とIII-B族元素(13族元素ともいう)とVI-B族元素(16族元素ともいう)
との化合物半導体であり、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物半導体と呼ばれる(CIS系化合物半導体ともいう)。I-III-VI化合物半導体としては、例えば、二セレン化銅インジウム(CuInSe2)、二セレン化銅インジウム・ガリウム(Cu(In,Ga)Se2)、二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム(Cu(In,Ga)(Se,S)2)、二イオウ化銅インジウム・ガリウム(Cu(In,Ga)S2)又は薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜がある。なお、光吸収層4が含む化合物半導体は、上記したI-III-VI化合物半導体だけでなく、例えば、銅(Cu)、
亜鉛(Zn)、錫(Sn)、硫黄(S)を含む、CZTS系のものであってもよい。このようなCZTS系化合物半導体は、例えばCu2ZnSnS4が挙げられる。CZTS系化合物半導体は、I-III-VI化合物半導体のようにレアメタルを使用していないため、材料を確保しやすい。また、光吸収層4は、例えば、p型の導電形を有し、厚さが1〜3μm程度である。
よい。
。この接続部7bは、線状部7aと電気的に接続している。そして、例えば、光電変換セル1a内に位置する接続部7bは、間隙P2を通って隣の光電変換セル1bから延伸されている下部電極3に接続するような垂下部を有している。これにより接続部7bは、図1(a)において、光電変換セル1aの上部電極(透光性導電層6および線状部7a)と、光電変換セル1bの下部電極3とを電気的に接続できる。なお、図1(a)(b)では、透光性導電層6に電気的に接続された光電変換セル1aの線状部7aと光電変換セル1bの下部電極3とを直に接続しているが、この形態に限られない。接続部7bは、例えば、間隙P2に配置されるバッファ層5および透光性導電層6の少なくとも一方を介して光電変換セル1aの上部電極と光電変換セル1bの下部電極3とを電気的に接続する形態であってもよい。
く略全面にモリブデン等の金属をスパッタリング法で成膜し、下部電極3を形成する。次いで、下部電極3の所望の位置にYAG(イットリウム、アルミニウム、ガーネット)レーザ等を照射して間隙P1を形成し、下部電極3をパターニングする。その後、パターンニングされた下部電極3上に光吸収層4をスパッタ法、蒸着法または印刷法などを用いて成膜する。次に、光吸収層4上にバッファ層5をケミカルバスデポジション法(CBD法)等で成膜する。次いで、スパッタリング法または有機金属気相成長法(MOCVD法)等でバッファ層5上に透光性導電層6を成膜する。次に、メカニカルスクライビング等で間隙P2を形成して、光吸収層4、バッファ層5および透光性導電層6をパターニングする。次いで、透光性導電層6上にスクリーン印刷法等で金属ペーストを塗布した後、焼成して集電電極7を形成する。その後、メカニカルスクライビング等で間隙P3を形成し、複数の光電変換セルを構成するようにパターニングすることによって、光電変換部1が作製される。
次に、本発明の実施形態に係る光電変換モジュールについて説明する。
、第2基板8の一主面との間にも充填されている。
係数:1.37×10−5cm2/sec)、ポリスチレン系封止材(40℃における拡
散係数:1.45×10−5cm2/sec)が用いられる。なお、上述した水分の拡散
係数は、第1封止部材10の主成分となる母材の値を指す。また、第1封止部材10には、上記した母材が90質量%以上含有されていればよく、別途、他の材料が含有されていてもよい。
剤としては、例えば、酸化カルシウム(CaO)、酸化ナトリウム(Na2O)、酸化マグネシウム(MgO)、塩化カルシウム(CaCl2)、硫酸ナトリウム無水塩(Na2SO4)、硫酸銅無水塩(CuSO4)または硫酸カルシウム(CaSO4)などが挙げられる。上記した酸化カルシウムは、低湿度での水分吸収容量が大きく、潮解しにくい性質を有しているため、低湿度の環境下においても吸着力を維持しやすい。このような吸湿剤の粒径は、例えば、0.5〜10μm程度であればよい。また、第1封止部材10の材料としてポリスチレン系封止材を用い、吸湿剤として酸化カルシウムを用いる場合、第1封止部材10は、ポリスチレン系封止材100重量部に対し、酸化カルシウムを10〜50重量部程度含有させればよい。これにより、第1封止部材10は、第1基板2および第2基板8とポリスチレン系封止材との接着強度を維持しつつ、水分の吸着効果を得やすくなる。
における拡散係数:1.66×10−5cm2/sec)が用いられる。なお、上述した水分の拡散係数は、第2封止部材11の主成分となる母材の値を指す。また、第1封止部材10には、上記した母材が90質量%以上含有されていればよく、別途、他の材料が含有されていてもよい。
で、JIS K 7192 Bに準拠した方法を用いて、試験片を透過する水分量を測定す
る。このとき、水分の透過開始からの時間(sec)を横軸とし、透過した水分量の積分値(g/cm2)を縦軸として数値をプロットしたグラフを作成する。このグラフにおいて、数値をプロットして得られた線が略一定の傾きとなった領域について、最小二乗法を用いて直線近似を行ない、横軸と交差する時間を求める。この時間を遅れ時間θとする。そして、拡散係数Dの算出式であるD=t2/(6θ)に遅れ時間θおよび厚みtの数値
を当てはめることによって、各封止部材の拡散係数が算出される。
)を用いた場合、第2封止部材11としては、例えば、ポリカーボネイト系封止材(40℃における飽和吸水率:0.0024g/cm3)を用いればよい。なお、上述した水分の飽和吸水率は、第1封止部材10または第2封止部材の主成分となる母材の値を指す。
で、JIS K 7129 Bに準拠した方法を用いて、水蒸気透過度(WVTR)および
拡散係数Dを求める。次いで、飽和吸水率Cの算出式であるC=WVTR×t/Dに厚みtおよび拡散係数Dの数値を当てはめることによって、各封止部材の飽和吸水率が算出される。
が低減されるため、光電変換モジュールM1の信頼性がより向上する。
1:光電変換部
1a、1b:光電変換セル
2:第1基板
3:下部電極
4:光吸収層
5:バッファ層
6:透光性導電層
7:集電電極
7a:線状部
7b:接続部
8:第2基板
9:充填材
10:第1封止部材
11:第2封止部材
12:第3封止部材
12:フレーム
12a、12b:重なり部分
P1〜P3:間隙
Claims (3)
- 一主面同士が対向するように配置されている第1基板および第2基板と、
前記第1基板および前記第2基板の間に配置されている光電変換部と、
前記第1基板および前記第2基板の間において前記光電変換部を囲うように配置されている第1封止部材と、
前記第1基板および前記第2基板の間において前記第1封止部材を囲うように配置されている第3封止部材と、
前記第1基板および前記第2基板の間において前記第3封止部材を囲うように配置されている第2封止部材とを備え、
前記第2封止部材における水分の拡散係数は、前記第1封止部材における水分の拡散係数よりも大きく、前記第3封止部材の飽和吸水率は、前記第1封止部材の飽和吸水率よりも大きい、光電変換モジュール。 - 前記第2封止部材の飽和吸水率は、前記第1封止部材の飽和吸水率よりも小さい、請求項1に記載の光電変換モジュール。
- 前記第1封止部材および第3封止部材に、吸湿剤が含有されている、請求項1または2に記載の光電変換モジュール。
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