KR20120113125A - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

일 실시예에 따른 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 윈도우층; 상기 윈도우층 상에 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 후면전극층;을 포함하고, 상기 광 흡수층은 상부로 갈수록 밴드갭이 감소하는 구간을 갖도록 형성된다.

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고저항 버퍼층, n형 투명전극층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
또한, 이러한 태양전지의 효율을 증가시키기 위해서 다양한 연구가 진행 중이다.
실시예는 향상된 광-전 변환 효율을 갖는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 윈도우층; 상기 광 흡수층 내부에 형성되는 복수의 비드; 및 상기 복수의 비드의 표면에 각각 형성되는 트랩층;을 포함한다.
일 실시예에 따른 태양전지 제조방법은 CIGS 결정을 분쇄하여 복수의 비드를 형성하는 단계; 상기 복수의 비드의 표면에 각각 트랩층을 형성하는 단계; 기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계; 상기 이면전극층 상에 상기 복수의 비드를 스퍼터하는 단계; 상기 이면전극층과 상기 복수의 비드 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따르면, 광 흡수층 내부에 복수의 비드가 형성되고, 상기 복수의 비드의 표면에 트랩층이 형성되어, 상기 복수의 비드 내부로 입사한 빛이 트랩층에 의해 외부로 빠져나가지 못하고 복수의 비드 내부에서 흡수되므로, 광-전 변환효율이 향상될 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1 에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`선을 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지는 지지기판(100), 이면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)을 포함한다.
상기 광 흡수층(300) 내부에 복수의 비드(320) 및 상기 복수의 비드(320)의 표면에 코팅된 트랩층(330)이 형성될 수 있다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)을 지지한다.
상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 이면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 이면전극층(200)은 도전층이다. 상기 이면전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴 등의 금속을 들 수 있다.
또한, 상기 이면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 이면전극층(200)에는 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.
상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 80㎛ 내지 200㎛ 일 수 있다.
상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 이면전극층(200)은 다수 개의 이면전극들로 구분된다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 이면전극들이 정의된다.
상기 이면전극들은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서 서로 이격된다. 상기 이면전극들은 스트라이프 형태로 배치된다.
상기 제 1 관통홈들(TH1)을 메우도록 절연층(310)이 형성될 수 있다. 상기 절연층(310)은 SiO2의 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 제 1 관통홈들(TH1) 내부에 상기 복수의 비드(320)가 형성되는 경우, 상기 복수의 비드(320)의 표면에 코팅된 상기 트랩층(330)에 의해 제1셀(C1)과 제2셀(C2)이 전기적으로 연결될 수 있으므로 이를 방지하기 위하여 절연층(310)을 형성할 수 있다.
( P1 패터닝이 약 80㎛ 내지 약 200㎛의 폭으로 형성되고, 복수의 마이크로 스피어가 1㎛의 직경으로 형성되면, 복수의 마이크로 스피어가 P1 패터닝을 메우도록 형성되어도 제1셀( C1 )과 제2셀( C2 )이 전기적으로 연결되는 문제는 발생하지 않는다고 생각됩니다. 의견 부탁드립니다.)
상기 이면전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 격자 형태로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 이면전극층(200) 상에 배치된다.
상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층(300)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 광 흡수부들을 정의한다. 즉, 상기 광 흡수층(300)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 광 흡수부들로 구분된다.
상기 광 흡수층(300) 내부에 복수의 비드(320)가 형성될 수 있다. 상기 복수의 비드(320)는 상기 광 흡수층(300)과 같이 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 복수의 비드(320)는 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 구조를 가질 수 있다.
상기 복수의 비드(320)는 0.8μm 내지 1.2μm의 직경으로 형성될 수 있다. 상기 복수의 비드는 전체적으로 구 형상으로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 복수의 비드(320)의 표면에 트랩층(330)이 형성될 수 있다. 상기 트랩층(330)은 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어, Ag를 포함할 수 있다.
상기 트랩층(330)은 3nm 내지 7nm의 두께로 형성될 수 있다. 상기 트랩층(330)은 상기 복수의 비드(320) 내부로 입사된 빛이 다시 외부로 반사되는 것을 방지하여 복수의 비드(320)로 흡수되도록 할 수 있다.
상기 트랩층(330)의 두께가 두꺼우면 빛이 상기 트랩층(330)에서 흡수될 수 있고, 두께가 얇으면 빛의 트랩효과가 미비하므로 상기 복수의 비드(320)의 직경과 트랩층(330)의 두께는 200:1의 비율로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 복수의 비드(320)의 직경의 2배 내지 3배의 두께로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS)를 포함하며, 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 2.2eV 내지 2.4eV이다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV이다.
상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)에는 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 이면전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈영역이다.
상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 인접하여 형성된다. 즉, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 일부는 평면에서 보았을 때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 옆에 형성된다.
상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.
상기 윈도우층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다. 상기 윈도우층(600)은 투명하며, 도전층이다. 또한, 상기 윈도우층(600)의 저항은 상기 이면전극층(200)의 저항보다 높다. 예를 들어, 상기 윈도우층(600)의 저항은 상기 이면전극층(200)의 저항보다 약 10배 내지 200배 더 클 수 있다.
상기 윈도우층(600)은 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 윈도우층(600)은 징크 옥사이드(zinc oxide), 인듐 틴 옥사이드(induim tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(induim zinc oxide;IZO) 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 산화물은 알루미늄(Al), 알루미나(Al2O3), 마그네슘(Mg) 또는 갈륨(Ga) 등의 도전성 불순물을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 윈도우층(600)은 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide;AZO) 또는 갈륨 도핑된 징크 옥사이드(Ga doped zinc oxide;GZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 접속부(650)는 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 배치된다. 상기 접속부(650)는 상기 윈도우층(600)으로부터 하방으로 연장되며, 상기 이면전극층(200)에 접속된다. 예를 들어, 상기 접속부(650)는 상기 제 1 셀의 윈도우로부터 연장되어, 상기 제 2 셀의 이면전극에 접속된다.
따라서, 상기 접속부(650)는 서로 인접하는 셀들을 연결한다. 더 자세하게, 상기 접속부(650)는 서로 인접하는 셀들(C1, C2...)에 각각 포함된 윈도우와 이면전극을 연결한다.
상기 접속부(650)는 상기 윈도우층(600)과 일체로 형성된다. 즉, 상기 접속부(650)로 사용되는 물질은 상기 윈도우층(600)으로 사용되는 물질과 동일하다.
상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 윈도우층(600)에는 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 이면전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 예를 들어, 상기 제 3 관통홈들(TH3)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛일 수 있다.
상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 인접하는 위치에 형성된다. 더 자세하게, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 배치된다. 즉, 평면에서 보았을 때, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 나란히 배치된다.
상기 버퍼층(400)은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 다수 개의 버퍼들로 구분된다.
마찬가지로, 상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 다수 개의 고저항 버퍼들로 구분된다.
또한, 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 윈도우층(600)은 다수 개의 윈도우들로 구분된다. 즉, 상기 윈도우들은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 정의된다.
상기 윈도우들은 상기 이면전극들과 대응되는 형상을 가진다. 즉, 상기 윈도우들은 스트라이프 형태로 배치된다. 이와는 다르게, 상기 윈도우들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 다수 개의 셀들(C1, C2...)이 정의된다. 더 자세하게, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 및 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 셀들(C1, C2...)이 정의된다. 즉, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 및 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 실시예에 따른 태양전지는 상기 셀들(C1, C2...)로 구분된다.
상기와 같이, 광 흡수층(300) 내부에 복수의 비드(320)가 형성되고, 상기 복수의 비드(320)의 표면에 트랩층(330)이 형성되어, 상기 복수의 비드(320) 내부로 입사한 빛이 상기 트랩층(330)에 의해 외부로 빠져나가지 못하고 복수의 비드(320) 내부에서 흡수되므로, 광-전 변환효율이 향상될 수 있다.
도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 본 제조방법에 관한 설명은 앞서 설명한 태양전지에 대한 설명을 참고한다.
도 3을 참조하면, 지지기판(100) 상에 이면전극층(200)이 형성되고, 상기 이면전극층(200)은 패터닝되어 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 지지기판(100) 상에 다수 개의 이면전극들이 형성된다. 상기 이면전극층(200)은 레이저에 의해서 패터닝된다.
상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하며, 약 80㎛ 내지 약 200㎛의 폭을 가질 수 있다.
또한, 상기 지지기판(100) 및 상기 이면전극층(200) 사이에 확산방지막 등과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있고, 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 추가적인 층의 상면을 노출하게 된다.
도 4를 참조하면, 상기 제 1 관통홈들(TH1)을 메우도록 절연층(310)이 형성될 수 있다. 상기 절연층(310)은 SiO2의 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 제 1 관통홈들(TH1) 내부에 상기 복수의 비드(320)가 형성되는 경우, 상기 복수의 비드(320)의 표면에 코팅된 상기 트랩층(330)에 의해 제1셀(C1)과 제2셀(C2)이 전기적으로 연결될 수 있으므로 이를 방지하기 위하여 절연층(310)을 형성할 수 있다.
도 5를 참조하면, 복수의 비드(320)의 표면에 트랩층(330)을 형성한 후, 상기 복수의 비드(320)를 상기 이면전극층(200) 상에 스퍼터링 방법으로 형성한다.
상기 복수의 비드(320)는 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 결정을 형성한 후, 분쇄의 방법으로 복수의 비드(320)로 분리될 수 있다. 상기 복수의 비드(320)는 전체적인 구 형상으로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 트랩층(330)은 상기 복수의 비드(320)를 금속물질이 포함된 수용액, 예를 들어, AgCl 수용액에 디핑(dipping)하여 형성할 수 있다. 상기 공정에 의해 상기 복수의 비드(320)의 표면에 Ag 물질을 포함하는 트랩층(330)이 형성될 수 있다.
상기 트랩층(330)이 형성된 복수의 비드(320)를 상기 이면전극층(200) 상에 뿌린 후, 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 상기 광 흡수층(300)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 광 흡수층(300) 상에 황화 카드뮴이 스퍼터링 공정 또는 용액성장법(chemical bath depositon;CBD) 등에 의해서 증착되어 상기 버퍼층(400)이 형성된다.
이후, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)은 낮은 두께로 증착된다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)의 두께는 약 1㎚ 내지 약 80㎚이다.
이후, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)의 일부가 제거되어 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다.
상기 제 2 관통홈들(TH2)은 팁 등의 기계적인 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 약 40㎛ 내지 약 180㎛의 폭을 가지는 팁에 의해서, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)은 패터닝될 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 약 200 내지 600㎚의 파장을 가지는 레이저에 의해서 형성될 수 있다.
이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 100㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 이면전극층(200)의 상면의 일부를 노출하도록 형성된다.
도 7을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상 및 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 윈도우층(600)이 형성된다. 즉, 상기 윈도우층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상 및 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 투명한 도전물질이 증착되어 형성된다.
이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 상기 투명한 도전물질이 채워지고, 상기 윈도우층(600)은 상기 이면전극층(200)에 직접 접촉하게 된다.
이때, 상기 윈도우층(600)은 무산소 분위기에서, 상기 투명한 도전물질이 증착되어 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 윈도우층(600)은 산소를 포함하지 않는 불활성 기체 분위기에서 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드가 증착되어 형성될 수 있다.
이와 같이, 실시예에 따른 태양전지의 제조방법에 의해서, 광 흡수층 내부에 복수의 비드가 형성되고, 상기 복수의 비드의 표면에 트랩층이 형성되어, 상기 복수의 비드 내부로 입사한 빛이 트랩층에 의해 외부로 빠져나가지 못하고 복수의 비드 내부에서 흡수되므로, 광-전 변환효율이 향상될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 후면전극층;
    상기 후면전극층 상에 광 흡수층;
    상기 광 흡수층 상에 윈도우층;
    상기 광 흡수층 내부에 형성되는 복수의 비드; 및
    상기 복수의 비드의 표면에 각각 형성되는 트랩층;을 포함하는 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 비드는 0.8μm 내지 1.2μm의 직경으로 형성되는 태양전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 비드는 CIGS계, CIS계 또는 CIG계 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 태양전지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 트랩층은 3nm 내지 7nm의 두께로 형성되는 태양전지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 트랩층은 금속을 포함하여 형성되는 태양전지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상면의 일부가 노출되도록 상기 후면전극층의 일부에 형성된 관통홈들; 및,
    상기 관통홈들을 메우는 절연층;을 더 포함하는 태양전지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 절연층은 SiO2를 포함하는 태양전지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 광 흡수층은 상기 복수의 비드의 직경의 2배 내지 3배의 두께로 형성되는 태양전지.
  9. CIGS 결정을 분쇄하여 복수의 비드를 형성하는 단계;
    상기 복수의 비드의 표면에 각각 트랩층을 형성하는 단계;
    기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계;
    상기 이면전극층 상에 상기 복수의 비드를 스퍼터하는 단계;
    상기 이면전극층과 상기 복수의 비드 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
    상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및
    상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 트랩층은 상기 복수의 비드를 AgCl 용액에 디핑하여 형성하는 태양전지 제조방법.
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