JP5849421B2 - 半田及び半田を用いた半導体装置並びに半田付け方法 - Google Patents
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Description
さらにまた、第7の側面に係る発光ダイオードのパッケージによれば、セラミック製のパッケージ部材と、ガラス製の光学部材と、を有する発光ダイオードのパッケージであって、前記パッケージ部材と光学部材を上記の半田により接合することができる。
さらにまた、第9の側面に係る半田付け方法によれば、前記金属粉に、さらにAgが含まれており、当該半田に前記Agを0.01〜3wt%含めることができる。
(実施例1)
(半導体パッケージの試作)
実施例1 (A):(B)=90:10
実施例2 (A):(B)=80:20
実施例3 (A):(B)=70:30
1…ベース材
2…パッケージ部材
4…半導体素子
5…光学部材
Claims (9)
- AuとSnからなる半田粉と、
Cuである金属粉と、
を有し、前記Auが50〜74wt%、前記Snが19〜33wt%、それぞれ含まれてなるペースト状の半田であって、
該半田を加熱固化した状態で、
AuがSnよりも多い第一相と、
前記第一相よりもSnの比率が多い第二相と、
の2相以上の相に分離されてなり、
前記第一相中に前記金属粉が固溶されてなることを特徴とする半田。 - 請求項1に記載の半田であって、
前記金属粉の平均粒子径が110μm以下であることを特徴とする半田。 - 請求項1又は2に記載の半田であって、
前記金属粉に、さらにAgが含まれており、
当該半田に前記Agが0.01〜3wt%含まれてなることを特徴とする半田。 - 請求項1〜3のいずれか一に記載の半田であって、さらに、
ジエチレングリコール・モノヘキシエーテルが2〜3wt%、
ロジンが4〜6wt%、
それぞれ含まれてなることを特徴とする半田。 - ヒートシンクが接合された半導体装置であって、
該ヒートシンクと半導体装置との接合部は、請求項1〜4のいずれか一に記載の半田により接合されていることを特徴とする半導体装置。 - 半導体素子と基板とを有する半導体装置であって、
前記半導体素子と基板とが請求項1〜4のいずれか一に記載の半田により接合されていることを特徴とする半導体装置。 - セラミック製のパッケージ部材と、ガラス製の光学部材と、を有する発光ダイオードのパッケージであって、
前記パッケージ部材と光学部材が請求項1〜4のいずれか一に記載の半田により接合されていることを特徴とする発光ダイオードのパッケージ。 - AuとSnからなる半田粉と、Cuである金属粉と、フラックスを含み、前記Auが50〜74wt%、前記Snが19〜33wt%、それぞれ含まれてなる半田を加熱溶融する工程と、
加熱後、前記半田を冷却して固化させる工程と、を含んでなり、
加熱固化後の半田組成が、AuがSnよりも多い第一相と、前記第一相よりもSnの比率が多い第二相の2相以上の相に分離され、
前記第一相中に前記金属粉が固溶されてなることを特徴とする半田付け方法。 - 請求項8に記載の半田付け方法であって、
前記金属粉に、さらにAgが含まれており、
当該半田に前記Agが0.01〜3wt%含まれてなることを特徴とする半田付け方法。
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