JP2010023110A - Au−Ga−Sn系ろう材 - Google Patents

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浩康 谷口
Tomohiro Shimada
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Abstract

【解決課題】パッケージ封止時にパッケージ内部の素子にダメージを与えることなく、その半面、基板への実装時等に再溶融することがない適度な温度で溶融可能であり、更に、液相線と固相線との温度差の低いものを提供する。
【解決手段】本発明は、Au−Ga−Sn三元系合金からなり、これらの元素の重量濃度が、Au−Ga−Sn三元系状態図におけるA点(Au:85%、Ga:15%、Sn:0%)、B点(Au:72.5%、Ga:20%、Sn:7.5%)、C点(Au:72.5%、Ga:5%、Sn:22.5%)、D点(Au:85%、Ga:0%、Sn:15%)を頂点とする多角形の領域内(但し、Sn又はGaが0%となる点を除く)にあるろう材である。
【選択図】 図1

Description

本発明は、ろう材及びろう材を用いた封止方法に関する。詳しくは、各種電子部品パッケージの気密封止で使用されるろう材に関し、封止時にパッケージ内部の素子にダメージを与えることなく、且つ、基板への実装時等において再溶融することのない、適切な特性を有するろう材を提供する。
携帯電話等の各種電子機器で使用されるSAWフィルタ、水晶振動子のような電子部品は、内部の素子を保護する観点から、セラミックなどのパッケージ内に気密封止されている。パッケージの封止用のろう材としては、近年の環境保護の観点から鉛フリー化が進められており、係る観点からAu−Snろう材(特に、共晶組成であるAu−20wt%Snろう材)の使用が一般的となっている(特許文献1)。Au−Snろう材の融点は、280℃前後と比較的低いことから、パッケージ封止時において効率的な封止作業を可能とするという利点がある。
特開2001−150182号公報
Au−Snろう材は、パッケージ封止作業の際には好ましい特性を有するが問題もある。これは、封止後のパッケージを基板へ実装する際に生じる問題であり、実装時の温度がAu−Snろう材の融点に近いことから、その熱によりろう材が再溶融し、パッケージの封止部分の剥離やリークが生じるものである。また、パッケージの基板への実装時以外にも、電子機器の補修のために基板を加熱して故障した部品を回収する際、その熱により故障していない他の部品の封止を破るおそれがあるという問題も懸念されている。
以上のようなろう材の再溶融は、ろう材の融点が低いことから生じる問題である。そこで、上記問題を考慮したろう材として、いくつかの組成のろう材が提案されている。例えば、特許文献2においては、Au−Geろう材、特に、Au−12.5%Geろう材の適用が提案されている。このAu−Geろう材の融点は、360℃を超えるものである。また、特許文献3においては、Au、Ge、Snの三元系合金からなるろう材も提案されている。
特開平7−151943号公報 特開2007−160340
上記のAu−Geろう材、Au−Ge−Snろう材は、いずれもAu−Snろう材よりも融点が高く、かかる比較的高融点のろう材であれば、封止後の再溶融のおそれは少なくなる。
しかしながら、Au−Geろう材は融点が高すぎる傾向があり、その融点を考慮すれば、封止温度を400℃以上としなければならない。かかる高温雰囲気で封止を行うと、パッケージ内部の素子の熱的ダメージが大きくなり、場合により破損するおそれがある。
一方、Au−Ge−Snろう材は、Au−Geろう材よりも融点が低く抑えられており、封止時の組成へのダメージの問題は少ないともいえる。しかし、Au−Ge−Snろう材のような3元系合金は、液相線と固相線との間の温度差の問題が生じ得る。この液相線と固相線との温度差の広狭は、パッケージ封止の際の作業性に影響を与える。そして、特許文献3においては、この温度差を50度未満と設定しているが、より低いことが好ましい。
本発明は、このような背景の下にされたものであり、封止時にパッケージ内部の素子にダメージを与えることなく、その半面、基板への実装時等に再溶融することがない適度な温度で溶融可能であり、更に、液相線と固相線との温度差の低いものを提供する。具体的には、その液相線及び/又は固相線が280℃超で360℃以下にあり(好ましくは300〜340℃)、かつ、液相線と固相線との差を45度未満(好ましくは40度未満)となるろう材を提供する。
本発明者等は、上記課題を解決すべく、その構成元素として、Au、Ga、Snよりなり、これらが合金化した三元系合金からなるろう材の適用について検討を行った。そして、所定の組成範囲を有するものを見出し本発明に想到した。
即ち、本発明は、Au−Ga−Sn三元系合金からなり、これらの元素の重量濃度が、Au−Ga−Sn三元系状態図におけるA点(Au:85%、Ga:15%、Sn:0%)、B点(Au:72.5%、Ga:20%、Sn:7.5%)、C点(Au:72.5%、Ga:5%、Sn:22.5%)、D点(Au:85%、Ga:0%、Sn:15%)を頂点とする多角形の領域内(但し、Sn又はGaが0%となる点を除く)にあるろう材である。
本発明に係る材料の組成を示す三元系状態図を図1に示す。本発明で三元系合金を適用するのは、Ga、Snの2つの元素をAuに同時添加することで、2元系のAu合金(Au−Sn、Au−Ga)よりも効果的に融点を調整することができるからである。そして、Ga、Snの添加量を上記領域内の範囲にすることでその融点(液相線、固相線)を好適な範囲内に収めることができる。また、このような組成調整により、液相線と固相線との温度差も適度に低くすることができる。また、上記組成範囲おけるろう材は、加工性、硬度においても好適なものとすることができる。
そして、本発明においてより好ましい組成は、上記範囲内において、E点(Au:85%、Ga:15%、Sn:0%)、F点(Au:70%、Ga:15%、Sn:15%)、G点(Au:75%、Ga:5%、Sn:20%)、H点(Au:85%、Ga:5%、Sn:10%)を頂点とする多角形の領域内(但し、Snが0%となる点を除く)の組成である。かかる組成とすることで、より溶融特性の良好な材料とすることができる。このときの三元系状態図は、図2のようになる。
また、本発明に係る三元系ろう材は、In、Ge、Zn、Sb、Si、Biの少なくとも1の添加元素を含んでもよい。これらの添加元素は、ろう材の融点の微調整や濡れ性の改善に添加される。この添加元素の含有量は、0.1〜3.0重量%とするのが好ましい。
また、本発明に係るろう材は、その材料組織が、溶融状態からの急冷凝固組織からなるものが好ましい。急冷凝固による微細な結晶粒からなる材料組織とすることで、ぬれ性が改善されるからである。この急冷凝固組織とぬれ性の改善との関係は明らかではないが、このようにすることで、液相線、固相線等の溶融特性は変化しないものの、溶融したときのぬれ広がりが改善される傾向がある。この急冷凝固組織を得るための冷却速度は、2000〜5000℃/minとするのが好ましい。
本発明に係るろう材は、板状、箔状、粒状、ボール状のいずれの形態でも使用可能である。また、封止するパッケージ部材の形状を考慮した窓枠形状とすることもできる。そして、本発明に係るろう材の製造においては、特段の困難性はなく、通常のAu合金と同様に溶解鋳造法により製造可能である。また、その加工についても、板状、箔状のものについては、圧延加工や必要に応じて打ち抜き加工等を経て加工することができる。更に、粒状、ボール状のろう材については、溶融状態から、アトマイズ法、回転電極法、油中造粒法、液滴噴霧方等により製造可能である。尚、上記の通り、ろう材のぬれ性改善のための急冷凝固組織を得るためには、板状、箔状のものについては、冷却鋳型を使用した凝固により製造可能であり、粒状、ボール状のろう材については、製造条件(液滴の径の調整等)により製造可能である。
本発明に係るろう材は、パッケージ部材の気密封止に好適である。封止用のパッケージ部材としては、蓋体となるキャップ(リッド)と素子を収容するベースがあるが、いずれかに本発明に係る合金からなるろう材を備えたものが好ましい。ろう材をパッケージ部材に固定する際には、ろう材を部材に載置して、加熱雰囲気でろう材を溶融・凝固させて融着する。尚、パッケージ部品の材質は、キャップについては、コバール(Fe−Ni−Co系合金)、42アロイ(Fe−Ni系合金)が一般に使用されており、ベースについてはセラミック製のものが使用されている。また、ろう材を融着させる際には、ろう材の濡れ性を改善する等の目的から、融着面に予め、Niメッキ及び/又はAuメッキがなされる。本発明に係るろう材は、これらメッキ層を予め備えたパッケージ部材に対しても融着させることができる。
そして、本発明に係るろう材、パッケージ部材を用いたパッケージの気密封止方法としては、封止温度が360℃以上400℃未満、好ましくは、380℃以下となるようにしてパッケージ部材を接合することが好ましい。
以上説明したように、本発明に係るろう材は、適切な溶融特性を有し、パッケージ封止のためのろう材として好適なものである。そして、液相線と固相線との温度差ついて改善がなされており、作業性にも優れる。また、本発明に係るろう材は加工性も良好であり、小型化・薄型化が要求されるパッケージ用のろう材にも加工可能である。
以下、本発明の実施形態及び比較例について説明する。本実施形態では図1の領域内外の各種組成のAu−Ga−Sn合金からなるろう材を製造して、それぞれの特性を検討した。試料の製造においては、所定の組成となるように秤量した各金属を溶解・鋳造し、圧延加工、打ち抜き加工を行い、枠状(外枠:3.4mm□、内枠:3.1mm□、厚さ0.03mm)のろう材とした。
製造した各ろう材について、まず、硬度、加工性、及び、溶融特性(液相線、固相線)を評価した。硬度については、ビッカース硬度計により、加工性の評価は、加工後のろう材について、割れ、亀裂の発生の有無を実体顕微鏡(10倍)で観察して評価した。また、溶融特性については示差熱分析により測定した。これらの結果を表1に示す。尚、この評価は、対比のため、Snを含まないAu−Ga(15.2%)についても行った(試料No.9)。
Figure 2010023110
表1から、図1の領域内にある組成のAu−Ga−Snろう材は、固相線又は液相線が280超340℃未満の範囲内にあり、また、固相線と液相線との差が45℃未満である。そして、試料3、4、6のように、より好ましい溶融特性として、300〜340℃の範囲で溶融し、固相線と液相線との差もより狭い30℃未満のものもある。試料3、4、6に関しては、固相線と液相線との差だけを見れば、試料3が最も良好であるといえるが、液相線自体の数値を見ると、試料4、6は300℃以上となっており、パッケージ封止時の封止温度との差を考慮すると、試料4、6の方がその差は小さくなると予測されるため、これらも好適なろう材であるといえる。
上記試料1〜6に対し、図1の領域外の組成である試料7、8は、固相線と液相線との差が広く、それぞれの温度も高い傾向にあることがわかる。また、Snを含まないAu−Geろう材(試料9)については、共晶組成に近いために固相線と液相線との差は狭いものの、融点が高くなっており好適なものとはいえなかった。
本発明に係る材料の組成を示すAu−Ga−Sn三元系状態図。 本発明に係る材料の好ましい組成を示すAu−Ga−Sn三元系状態図。

Claims (7)

  1. Au−Ga−Sn三元系合金からなり、これらの元素の重量濃度が、Au−Ga−Sn三元系状態図におけるA点(Au:85%、Ga:15%、Sn:0%)、B点(Au:72.5%、Ga:20%、Sn:7.5%)、C点(Au:72.5%、Ga:5%、Sn:22.5%)、D点(Au:85%、Ga:0%、Sn:15%)を頂点とする多角形の領域内(但し、Sn又はGaが0%となる点を除く)にあるろう材。
  2. Au、Ga、Snの重量濃度が、三元系状態図におけるE点(Au:85%、Ga:15%、Sn:0%)、F点(Au:70%、Ga:15%、Sn:15%)、G点(Au:75%、Ga:5%、Sn:20%)、H点(Au:85%、Ga:5%、Sn:10%)を頂点とする多角形の領域内(但し、Snが0%となる点を除く)にある請求項1記載のろう材。
  3. 更に、In、Ge、Zn、Sb、Si、Biの少なくとも1の添加元素を含む請求項1又は請求項2記載のろう材。
  4. 添加元素の添加量は、0.1〜3.0重量%である請求項3記載のろう材。
  5. その材料組織が、溶融状態からの急冷凝固組織からなる請求項1〜請求項4のいずれかに記載のろう材。
  6. 請求項1〜請求項5のいずれかに記載のろう材を備える気密封止用のパッケージ部品。
  7. 請求項1〜請求項5のいずれかに記載のろう材を用いた封止方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997041572A1 (en) * 1996-05-02 1997-11-06 Parker-Hannifin Corporation Heat-shrinkable jacket for emi shielding
JP2012206142A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Nichia Corp 半田及び半田を用いた半導体装置並びに半田付け方法
CN103231180A (zh) * 2013-05-15 2013-08-07 郑州机械研究所 铝合金低温钎焊钎料及其制备方法
JP2014142591A (ja) * 2012-12-28 2014-08-07 Ricoh Co Ltd ベルト制御装置、ローラユニット、及び画像形成装置
CN104148823A (zh) * 2014-07-23 2014-11-19 昆明贵金属研究所 新型金合金材料及其制备方法
WO2015087588A1 (ja) * 2013-12-10 2015-06-18 住友金属鉱山株式会社 Au-Sn-Ag系はんだ合金並びにこのAu-Sn-Ag系はんだ合金を用いて封止された電子部品及び電子部品搭載装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997041572A1 (en) * 1996-05-02 1997-11-06 Parker-Hannifin Corporation Heat-shrinkable jacket for emi shielding
JP2012206142A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Nichia Corp 半田及び半田を用いた半導体装置並びに半田付け方法
JP2014142591A (ja) * 2012-12-28 2014-08-07 Ricoh Co Ltd ベルト制御装置、ローラユニット、及び画像形成装置
CN103231180A (zh) * 2013-05-15 2013-08-07 郑州机械研究所 铝合金低温钎焊钎料及其制备方法
WO2015087588A1 (ja) * 2013-12-10 2015-06-18 住友金属鉱山株式会社 Au-Sn-Ag系はんだ合金並びにこのAu-Sn-Ag系はんだ合金を用いて封止された電子部品及び電子部品搭載装置
JP2015131340A (ja) * 2013-12-10 2015-07-23 住友金属鉱山株式会社 Au−Sn−Ag系はんだ合金並びにこのAu−Sn−Ag系はんだ合金を用いて封止された電子部品及び電子部品搭載装置
CN105813801A (zh) * 2013-12-10 2016-07-27 住友金属矿山株式会社 Au-Sn-Ag系焊料合金以及使用该Au-Sn-Ag系焊料合金进行密封的电子部件和电子部件搭载装置
CN104148823A (zh) * 2014-07-23 2014-11-19 昆明贵金属研究所 新型金合金材料及其制备方法

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