TW201829796A - 焊料材料及電子零件 - Google Patents

Abstract

一種焊料材料，其包含Sn、Sb、Cu、Ag及In，且減輕所述焊料材料固化後的低熔點相的影響。焊料材料包含25質量%～45質量%的Sn、30質量%～40質量%的Sb、3質量%～8質量%的Cu、25質量%以下的Ag、1.5質量%～4質量%的In。進而分別包含0.1質量%以下的Si及Ti。所述焊料材料實質上不含低熔點相。所述焊料材料例如可為混合焊劑後而得的膏狀、或者在加工為箔狀後經衝壓的預成型體。

Description

焊料材料及電子零件

本發明是關於一種焊料材料（solder material）及使用所述焊料材料而製造的電子零件。

在例如彈性表面波裝置（device）或晶體諧振器（crystal resonator）等電子零件中，在所述電子零件的製造時大多使用焊料材料。例如，在將彈性表面波晶片或晶體振片收納於容器中並利用蓋構件將所述容器氣密密封時，使用焊料材料作為氣密密封材料。另外，以所述方式進行了氣密密封的電子零件被安裝於配線基板（wiring board）上而使用，也使用焊料材料作為此時的連接材料。另外，以所述方式安裝於配線基板上的電子零件有時也與其他零件一起通過樹脂鑄模而模組化。在將所述模組安裝於電子裝置的基板上時，使用焊料材料作為連接材料。

作為之前的焊料材料的典型例，有以鉛與錫作為主成分者、以金與錫作為主成分者、以錫-銅-銀作為主成分者等。以錫-銅-銀作為主成分者由於符合無鉛化的要求、且不使用昂貴的金而受到期待。例如專利文獻1中公開了包含銻-銀-銅、以及選自鋁、鐵及鈦中的至少一種、以及剩餘部分為錫的焊料材料。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開WO2014/024715

[發明所要解決的課題] 另一方面，本申請的發明者還開始推進了對包含Sn（錫）、Sb（銻）、Cu（銅）、Ag（銀）及In（銦）的焊料材料的努力研究。原因在於所述材料也具有符合無鉛化的要求、且不使用金等優點。 然而，在發明者的研究中，在所述焊料材料的情況下詳情將後述，但若不使所述焊料材料的組成合理化，則已明確可知存在如下所述的課題。 即，已明確可知在使用所述焊料材料來對例如收納晶體振片的容器與蓋構件進行氣密密封時，根據焊接後的冷卻條件而在固化的焊料中會產生無法忽視的低熔點相（low-melting-point phase）。所述低熔點相例如成為產生如下所說明那樣的不良情況的原因。例如晶體諧振器大多情況下是利用焊料材料（不考慮組成）安裝於配線基板上而使用。進而，有時也在安裝於配線基板上的狀態下進行模組化。因此，例如在使用焊料材料作為氣密密封材料的晶體諧振器的情況下，會發生如下情況：所述低熔點相由於在將所述晶體諧振器焊接於配線基板上時產生的熱或進行模組化時產生的熱而受到影響，氣密密封部產生再熔融而破壞晶體諧振器的氣密密封狀態。進而，當在晶體諧振器與配線基板的焊料接合部產生所述低熔點相時，在所述接合部也產生再熔融，因此有時會引起晶體諧振器與配線基板的接合品質的下降。 本申請是鑒於所述方面而成者，因此本發明的目的在於提供一種焊料材料及使用其的電子零件，所述焊料材料包含Sn、Sb、Cu、Ag及In、且可減輕焊料材料固化後的低熔點相的影響。

[解決課題的技術手段] 為了達成所述目的，根據本發明的焊料材料，其特徵在於：包含25質量%～45質量%的Sn、30質量%～40質量%的Sb、3質量%～8質量%的Cu、25質量%以下的Ag、1.3質量%～6質量%的In。 再者，在實施本發明時，優選為將Ag的含量設為15質量%～25質量%。另外，以將In的含量設為優選為1.3質量%～5質量%、更優選為1.5質量%～4質量%為宜。 另外，優選為將使本發明的焊料材料加熱熔融後的冷卻條件設為優選為3.5℃/秒的冷卻速度以上的快的冷卻速度、更優選為5℃/秒的冷卻速度以上的快的冷卻速度。原因在於：若為所述冷卻速度，則可減輕固化物產生低熔點相的可能性。

[發明的效果] 根據本發明的焊料材料，可減少固化後產生低熔點相的情況，因此即便熱波及到使用所述焊料材料進行了氣密密封或者與基板的連接的電子零件等，也可防止所述不良情況。因此，可提供一種可靠性高、且符合無鉛的要求的廉價的焊料材料。

以下，參照圖式對本發明的實施方式進行說明。再者，用於說明的各圖僅以可理解這些發明的程度來概略性地表示。另外，用於說明的各圖中，對相同的構成成分有時也附上同一編號來表示，並省略其說明。另外，以下的實施方式中敘述的含有率、溫度、冷卻速度等僅為本發明的範圍內的較佳例。因此，本發明並不僅限定於以下的實施方式。

1.關於使焊料材料固化的冷卻條件 通過發明者的實驗明確可知：在包含Sn、Sb、Cu、Ag及In的焊料材料中，根據用以使焊料材料在熔融後固化的冷卻速度的差異而在固化後的焊料中會產生無法忽視的低熔點相。 具體而言，對如下兩種情況各自的冷卻條件下獲得的各試樣的示差掃描熱量（Differential scanning calorimetry，DSC）特性進行測定，結果明確可知冷卻速度越慢，越會產生無法忽視的低熔點相，所述兩種情況為：在使焊料材料熔融後立即與熱容量大的金屬接觸並迅速進行冷卻的情況（推測為50℃/秒以上的冷卻速度），另外對回流爐的形狀（profile）進行各種變更，以不同的冷卻速度20℃/秒、10℃/秒、5℃/秒、3.5℃/秒、1℃/秒進行冷卻的情況。

使用焊料材料而製造電子零件時的焊料材料的冷卻條件可根據回流爐或焊料密封裝置等製造裝置而設定。但是，雖說為了不易產生低熔點相而儘量使冷卻速度快，但若考慮對裝置的負荷，則存在限度，因此即便快也以5℃/秒、優選為3.5℃/秒為宜。因此，在焊料材料中，在所述程度的冷卻速度下也以不產生低熔點相者為宜。 此時，明確可知在本發明的焊料材料的組成中，尤其若使In的含有率合理化，則即便使將焊料材料熔融後的冷卻速度慢至5℃/秒、進而3.5℃/秒為止，固化物實質上也不會產生無法忽視的低熔點相。

2.焊料材料的構成 根據所述見解，本發明的焊料材料包含25質量%～45質量%的Sn、30質量%～40質量%的Sb、3質量%～8質量%的Cu、15質量%～25質量%的Ag、1.3質量%～6質量%（優選為1.3質量%～5質量%，更優選為1.5質量%～4質量%）的In。以下進行具體的說明。 在所述焊料材料中，Sn具有控制作為焊料材料開始熔化的溫度的固相線溫度的作用，因此其含量根據使用目的而自25質量%～45質量%（25質量%以上、45質量%以下）的範圍決定。 另外，Sb具有控制所述焊料材料的共晶點的作用。具體而言，例如在包含Ag、Cu的所述焊料材料中，共晶點容易變高，但若添加Sb，則可降低共晶點。但是，若Sb的含量過多，則在熔融的焊料中Sb發生再晶體化而分散，焊料材料的品質下降。因此，考慮到這些情況，Sb的含量自30質量%～40質量%（30質量%以上、40質量%以下）的範圍決定。

另外，Cu具有將所述焊料材料的固化物融合的作用。此處，所謂融合是指使焊料材料中的各金屬彼此的鍵結牢固。若Cu的量過多，則焊料材料的熔融溫度大幅上升，以及焊接後的固化物的硬度變高，因此欠佳。因此，考慮到這些情況，Cu的含量自3質量%～8質量%（3質量%以上、8質量%以下）的範圍決定。 另外，Ag具有保持焊料材料的接合的穩定性的作用。此處，所謂接合的穩定性良好是指使用所述焊料材料進行了焊接後的固化物具有高的機械強度。進而，具體而言是指當在晶體諧振器等電子零件中使用所述焊料材料將容器與蓋構件氣密密封時，容器與蓋構件的接合強度強。其中，若Ag的含量過多，則在固化物的內部容易引起Ag的晶體化，因此焊料的潤濕性變差。而且，Ag的含量越多，成本越高。另外，若Ag的含量過多，則具有作為焊料材料開始融化的溫度的固相線溫度容易受到Sn的熔點的溫度的影響的性質。換言之，若使Ag的量變少，則可控制所述焊料材料的固相線溫度的下降。因此，考慮這些情況，Ag的含量以25質量%以下為宜，優選為自15質量%～25質量%（15質量%以上、25質量%以下）的範圍決定。

另外，In具有控制作為焊料材料完全融化的溫度的液相線溫度的作用。具體而言隨著使In的含量增多而顯示出液相線溫度提高的傾向。但是，隨著使In的含量增多而顯示出液相線溫度變得不穩定的傾向。另一方面，若In的含量過少，則焊料材料的潤濕性下降，因此例如使氣密密封時的容器與蓋構件的接合性變差，而使密封良品率下降。另外，作為應特別記載的事項，所述焊料材料隨著熔融後的冷卻速度變慢而在固化物中容易產生低融點相，但通過使所述In的含量合理化，可獲得不易產生所述低融點相的效果。即，通過使In的含量合理化，可擴大使焊料材料冷卻·固化的作業時的冷卻條件的自由度。因此，若考慮這些事項、及後述的實施例及比較例的實驗結果，則In的含量X以1.3質量%≦X≦6質量%、優選為1.3質量%≦X≦5質量%、更優選為1.5質量%≦X≦4質量%為宜。

另外，本發明的焊料材料除了Sn、Sb、Cu、Ag及In以外，可進而包含其他材料。 首先，作為較佳的形態，可包含Si（矽）及Ti（鈦）。通過包含Si及Ti，示差掃描熱量曲線的傾斜度變陡。認為其原因在於：通過添加Si及Ti，構成焊料的晶體變細，因此構成焊料的粒子變細，自固體向液體的變化變得明瞭。關於Si及Ti的含量，若過少則無法獲得所述粒子的微細化，若過多則Si及Ti自身容易作為晶體而殘留。因此，考慮這些情況來決定Si及Ti的量。根據發明者的實驗，Si及Ti的含量以分別為0.1質量%以下為宜，優選為以0.05質量%以下為宜。再者，Ti由於硬而具有容易成為浮渣的性質，因此若其量增多，則有焊料材料的黏性變高的可能性。因此，Ti的含量如上所述以0.1質量%以下、優選為0.05質量%以下為宜，更優選為以0.03質量%以下為宜。 如上所述，在包含Si及Ti的本發明的焊料材料中，由於自固體向液體的變化明瞭，因此焊料材料的熔融變得不充分的可能性、或者未充分固化而應利用焊料材料固化的部分發生剝離的可能性變得更少。

另外，作為添加元素的其他形態，為了使焊料的流動性提高、或者焊料材料的機械強度提高，本發明的焊料材料也可以不超過1質量%的範圍（在多種元素的情況下為分別不超過1質量%的範圍）包含選自例如Ni、Fe、Mo、Cr、Mn、Ge、Ga中的一種或多種元素。

3.焊料材料的製造例 其次，對本發明的焊料材料的製造方法的一例進行說明。首先，分別使用例如渦輪研磨機、輥研磨機、離心力粉碎機、粉碎機（pulverizer）等已知的粉碎機將Sn、Sb、Cu、Ag及In分別粉碎而獲得各金屬材料的粉末。

其次，以本發明中所述的規定的含量、具體而言以分別滿足後述的表1所示的組成的方式來秤量以所述方式製造的各金屬材料的粉末，並將這些粉末混合。 其次，將所述混合物例如在進行了加熱的坩堝內熔融而形成熔融金屬，其次例如利用已知的離心噴霧霧化法造粒。離心噴霧霧化法對以高速旋轉的旋轉盤上連續供給所述坩堝的熔融金屬，並利用旋轉盤的離心力將熔融金屬向周圍噴霧。通過在規定的環境中將所噴霧的熔融金屬冷卻並固化，可獲得進行了微粒子化的焊料材料。再者，若所述微粒子的直徑過大，則生成的焊料膏對基板的印刷性變差，若過小，則在焊料膏被加熱時焊料膏對被塗布物的潤濕性變差。因此，以在例如粒子圖像計測或ζ電勢測定等中，使用已知的細微性分佈測定法，利用以球相當徑計成為平均粒徑為5 μm～50 μm的範圍的粒徑的方式管理所述加工物的完成狀態，來製造各微粒子為宜。 通過將以所述方式進行了微粒子化的焊料材料與焊劑混合，可獲得作為本發明的焊料材料的膏狀的焊料材料。作為構成焊料膏的情況下所使用的焊劑，例如可使用包含松香等增稠材樹脂、觸變劑、活性劑、溶劑等者。另外，不論焊劑的活性度的差異如何，可使用各種焊劑。

4.電子零件的例子 其次，對使用以所述方式製備的膏狀的焊料材料而製造的電子零件的例子進行說明。 圖1是用以對作為電子零件的晶體諧振器的第1例進行說明的晶體諧振器的分解立體圖。所述第1例的晶體諧振器1具備例如陶瓷製的平面形狀為長方形狀的基體11、與所述基體11連接的蓋構件12、將這些基體11及蓋構件12接合的本發明的焊料材料2、以及晶體振片3。蓋構件12為具有凹部且周圍為緣部13的帽形狀者。利用基體11與蓋構件12而構成收納晶體振片3的容器10。晶體振片3在表背具有激振用電極30，在晶體振片3的一端通過導電性黏著劑4而固定於基體11上。在基體11的導電性黏著劑4的位置設置有未圖示的通孔配線。而且，所述通孔配線連接於設置於基體11的背面的未圖示的安裝端子。

圖2是用以對作為電子零件的晶體諧振器的第2例進行說明的晶體諧振器的分解立體圖。所述第2例的晶體諧振器與第1例的主要差異是基體21為具有收容晶體振片3的凹部的結構者的方面、以及蓋構件22為平板狀者的方面。利用這些基體21與蓋構件22構成容器20。在所述第2例中，也利用本發明的焊料材料2將基體21與蓋構件22接合。再者，圖2中，以5所示者為固定晶體振片3的墊片。在基體21的墊片5的位置設置有未圖示的通孔配線。而且，所述通孔配線連接於設置於基體21的背面的未圖示的安裝端子。

以如下方式進行這些晶體諧振器的基體與蓋構件的接合。例如利用絲網印刷法將本發明的焊料材料的膏塗布於安裝了晶體振片3的基體11或基體21的緣部附近。其次，在所述基體11或基體21上放置蓋構件12或蓋構件22。其次，將所述試樣設置於可進行加熱的密封裝置上，例如一面對蓋構件與基體進行加壓一面施加規定的熱而將兩者密封。密封環境設為減壓環境或氮氣環境等規定的氣體環境。如此，本發明可獲得作為利用焊料材料進行氣密密封的電子零件的晶體諧振器。再者，也可在預先將焊料材料塗布於蓋構件上並進行熔融的狀態下使用。 再者，可應用本發明的電子零件並不限於晶體諧振器，可為彈性表面波濾波器、感測器等欲進行焊料密封的各種電子零件。 另外，所謂本發明中所述的電子零件並不限於使用本發明的焊料材料作為密封材料的所述晶體諧振器等。還包含利用本發明的焊料材料將晶體諧振器等電子零件焊接於配線基板上而構成的、安裝有電子零件的基板。例如，利用本發明的焊料材料將圖1或圖2的晶體諧振器的未圖示的安裝端子與未圖示的配線基板上的連接端子連接的電子零件安裝基板也包含在本發明的電子零件中。進而，對安裝有此種電子零件的基板進行樹脂鑄模而構成的模組也包含在本發明的電子零件中。

5.實施例及比較例 5-1.利用DSC測定的實驗 為了確認可減輕本發明的焊料材料所具有的再熔融的危險這一效果，而進行以下的實施例及比較例的實驗。 利用所述製造方法準備表1所示的組成的實施例及比較例的焊料材料。 其次，將這些實施例及比較例的焊料材料分別在475℃的溫度下熔融後，以5℃/秒的冷卻速度進行冷卻並固化。再者，此處在475℃的溫度下熔融的理由在於為了可使實施例及比較例的各焊料材料確實地熔融。因此，所述溫度僅為一例。 其次，對進行了固化的各試樣實施示差掃描熱量測定。而且，求出各試樣各自的固相線溫度、液相線溫度、280℃下的液相率及固相率。將這些結果示於表1中。再者，測定中使用的DSC裝置為森姆拉斯（Thermo Plus）EVOII/DSC8230（理學製造）。另外，測定是利用日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）Z3198-1中進行了標準化的方法來進行。另外，液相率、固相率是將DSC測定結果的整體的峰值面積設為100%，將未滿280℃的峰值面積比設為液相率，將280℃以上的峰值面積比設為固相率。再者，在液相率、固相率的計算中設定為280℃這一溫度的理由在於：由於現在通用的金/錫合金的熔點為280℃，因此容易判斷利用本發明的焊料材料能否保障與金/錫合金的耐熱性為同等程度以上的耐熱性。 將比較例1的試樣的DSC特性圖作為比較例的DSC測定的結果的一例而示於圖3中，將實施例1的試樣的DSC特性圖作為實施例的DSC測定的結果的一例而示於圖4中。再者，圖3、圖4中，橫軸為溫度（℃），縱軸為熱流（mW）。

根據圖3而明確般，在比較例1的情況下，222℃的低熔點相的吸收峰值大，所述定義的液相率為1.8%。關於比較例2、比較例3的各試樣，雖省略特性圖，但也與比較例1相同，低熔點相的吸收峰值大，另外，根據表1可知結果為與比較例1相同，液相率也超過1%。另外，作為比較例4、比較例5、比較例6，如表1所示般，分別對In的含量為1質量%、1.3質量%、0.5質量%的焊料材料進行評價。這些比較例4、比較例5、比較例6的各試樣中，液相率顯示出了0.1%、0.2%、0.5%的小值，但在後述的「5-2.利用電子零件的實驗」中的密封的可靠性評價中，未顯示出優選的結果，因此設為本發明的範圍外（詳情將後述）。

另一方面，根據圖4而明確般，在實施例1的情況下，實質上不存在低熔點相的吸收峰值，液相率為0.1%。在其他的實施例的試樣的情況下，雖省略特性圖，但也與實施例1相同，實質上不存在低熔點相的吸收峰值，根據表1可知與實施例1相同，液相率即便大也為0.7%，大部分為0.5%以下。 因此，可知實施例的試樣中，即便在熔融·固化後再次施加熱也不易產生再熔融。即，可知即便在將第1次的熔融·固化時的冷卻速度設為可實現的比較快的速度5℃/秒的情況下，也可防止再加熱時的再熔融。另外，雖省略DSC的特性圖，但利用發明者的實驗可確認在將作為各實施例的焊料材料的焊料材料的熔融後的冷卻速度設為3.5℃/秒的情況下，與冷卻速度為5℃/秒的情況相同，實質上也不會產生低熔點相。

[表1]

5-2.利用電子零件進行的實驗 其次，對利用參照圖2而說明的第2例的晶體諧振器來確認本發明的效果的結果進行說明。 首先，分別各製造20個圖2所示的第2例的晶體諧振器、即使用實施例13、實施例1、實施例3的焊料材料、比較例6、比較例4、比較例5、比較例1、比較例2、比較例3的焊料材料作為焊料材料而進行氣密密封的晶體諧振器。即，若著眼於In的含量（質量%），則使用相當於0.5、1、1.3、1.5、2、4、6、7、8的焊料材料來製造各試樣。其次，分別調查剛密封後的密封良品率、以及將密封後判定為良品的試樣在規定的回流爐中多次通過後的良品率。再者，剛密封後的密封良否判定是利用基體21與蓋構件22的接合情況的顯微鏡觀察、以及已知的He洩露試驗進行。另外，每次通過回流爐後的進行的良否判定是利用已知的He洩露試驗及氣泡洩漏試驗進行。另外，回流是使用如下回流爐進行，所述回流爐具有將210℃以上的溫度維持80秒±20秒，且將作為峰值溫度的255℃的溫度維持30秒的溫度分佈。

圖5是表示實施例及比較例的晶體諧振器的剛密封後的評價結果的圖。在橫軸上取In的含量（質量%），在縱軸上取剛密封後的良品率。根據圖5可知若In的含有率為0.5質量%則良品率為0%，若In的含有率為1質量%則良品率為70%，若In的含有率為1.3質量%則良品率為90%，在In的含有率為1.5質量%以上至8質量%時良品率為100%。 另外，表2中示出將密封後的良品在回流爐中多次通過的每次的良品率。根據表2可知，若In的含有率為1.5質量%以上且4質量%以下，則即便增加回流次數，良品率也維持為100%。另外，可以說即便In的含有率為1.3質量%以上且6質量%以下，也可以某種程度確保良品率且通過製造條件的合理化等可應用於製品中。與此相對，可知在In含量超過7質量%的試樣中，在回流次數為第1次後也會產生不良，隨著回流次數增加而產生不良，若In含量為6質量%，則在回流5次後產生不良。 在考察這些圖5、表2的結果時，若In的含量為1.3質量%以上且6質量%以下則可獲得本發明的效果。可知優選為以In的含量為1.3質量%以上且5質量%以下為宜，更優選為以In的含量為1.5質量%以上且4質量%以下為宜。

[表2]

5-3．潤濕性的確認實驗 使用所述密封實驗中使用的比較例及實施例的焊料材料，依照JISZ3284-4：204中進行了標準化的方法進行焊料潤濕性的評價。 圖6是表示其結果的圖。在橫軸上取In的含量（質量%），在縱軸上取所述JIS標準中所規定的潤濕速度（μm/sec）。 根據所述圖6的結果，若In的含量為0.5質量%，則潤濕性差，為-2.1，若為1質量%，則相對於0.5質量%而改善3倍以上的程度，若為1.5質量%以上則進一步改善而大致以實用上無問題的水準得以維持。 因此，自潤濕性的觀點來看，可知In的含量的下限以1.3質量%為宜，更優選為以1.5質量%為宜。若潤濕性差，則例如在晶體諧振器的氣密密封時無法良好地進行焊料的熔融·接合，因此可以說密封後的良品率也變差，故與圖5或表2的結果對照也可知In的含量的下限以1.3質量%為宜，更優選為以1.5質量%為宜。

5-4.添加了Si及Ti的實驗結果 其次，對添加了Si及Ti作為微量添加元素的實驗結果進行說明。使實施例1的焊料材料中含有0.05質量%的Si與0.05質量%的Ti來代替減少0.01質量%的Ag的含量，而調整實施例15的焊料材料。 其次，使所述材料與所述實施例1相同，在475℃的溫度下熔融後，以5℃/秒的冷卻速度進行冷卻並固化。其次，對固化的試樣實施示差掃描熱量測定。

可知含有Si及Ti者相較於不含Si及Ti者而言，熱流的峰值大，而且示差掃描熱量曲線的傾斜度變陡。所述情況是指自固體向液體的變化變得明瞭，因此可以說能更良好地進行焊料材料的熔融·固化。

1‧‧‧晶體諧振器

2‧‧‧焊料材料

3‧‧‧晶體振片

4‧‧‧導電性黏著劑

5‧‧‧墊片

10、20‧‧‧容器

11、21‧‧‧基體

12、22‧‧‧蓋構件

13‧‧‧緣部

30‧‧‧激振用電極

圖1是對使用本發明的焊料材料而製造的電子零件的第1例進行說明的圖。 圖2是對使用本發明的焊料材料而製造的電子零件的第2例進行說明的圖。 圖3是表示對在規定的熔融·冷卻條件下使比較例的焊料材料固化者進行示差掃描熱量測定的結果的圖。 圖4是表示對在與比較例相同的規定的熔融·冷卻條件下使實施例的焊料材料固化者進行示差掃描熱量測定的結果的圖。 圖5是表示使用實施例及比較例的焊料材料而製造的晶體諧振器在密封後的良品率的圖。 圖6是表示In的含量與焊料潤濕性的關係的圖。

Claims (11)

1. 一種焊料材料，其特徵在於：包含25質量%～45質量%的Sn、30質量%～40質量%的Sb、3質量%～8質量%的Cu、25質量%以下的Ag、1.3質量%～6質量%的In。
2. 一種焊料材料，其特徵在於：包含25質量%～45質量%的Sn、30質量%～40質量%的Sb、3質量%～8質量%的Cu、25質量%以下的Ag、1.3質量%～5質量%的In。
3. 一種焊料材料，其特徵在於：包含25質量%～45質量%的Sn、30質量%～40質量%的Sb、3質量%～8質量%的Cu、25質量%以下的Ag、1.5質量%～4質量%的In。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的焊料材料，其特徵在於：Ag的含量為15質量%～25質量%。
5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的焊料材料，其特徵在於：分別包含0.1質量%以下的Si及Ti。
6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的焊料材料，其特徵在於：其為混合焊劑後而得的膏狀。
7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的焊料材料，其特徵在於：其為在加工為箔狀後經衝壓的預成型體。
8. 一種電子零件，其具有氣密密封結構，且所述電子零件的特徵在於：使用如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的焊料材料作為氣密密封材料。
9. 一種電子零件，其特徵在於：具有構成容器的基體及蓋構件，且這些基體及蓋構件是通過如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的焊料材料而接合。
10. 一種電子零件，其特徵在於：具備內部包含電子元件的容器與安裝有所述容器的配線基板，且使用如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的焊料材料作為容器及配線基板的連接材料。
11. 、一種電子零件，其特徵在於：具有利用樹脂將如申請專利範圍第8項至第10項中任一項所述的電子零件鑄模的模組結構。