JP5834900B2 - 電子機器、コネクタ、及びコネクタの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子機器、コネクタ、及びコネクタの製造方法に関する。

半導体パッケージ等の電子部品と回路基板との電気的な接続方法の一つに、LGA（Land Grid Array）コネクタを用いるLGA方式がある。LGAコネクタは、シート状のフレームと、当該フレームを貫通してその両面から突出する複数の突起電極とを有する。

このようなLGAコネクタが電子部品と回路基板との間に挟まれ、上記の突起電極の一端と他端とがそれぞれ電子部品と回路基板とに当接する。そして、バネなどの付勢力を利用して電子部品を回路基板に向けて押圧することにより、突起電極を介して電子部品と回路基板とが電気的に接続される。

ここで、突起電極は上記の電子部品の複数のランドに応じて複数設けられるが、ランドと非接触の突起電極が存在すると、電子部品と回路基板との電気的な接続が不良となってしまう。

特開平６−１１１８８５号公報 特開２０１０−２６２８６９号公報

電子機器、コネクタ、及びコネクタの製造方法において、コネクタによって電子部品と回路基板とを電気的に良好に接続することを目的とする。

以下の開示の一観点によれば、表面に導電性の第１のランドが形成された回路基板と、前記回路基板の前記表面に対向して配置され、前記回路基板と対向する表面に導電性の第２のランドが形成された電子部品と、前記回路基板と前記電子部品とを接続するコネクタを備え、前記コネクタは、前記第１のランドに当接する第１の突起電極を有する第１の可撓性基材と、前記第２のランドに当接する第２の突起電極を有するとともに、前記第１の可撓性基材から間隔を置いて配置された第２の可撓性基材と、前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材の間の空間に封止された流体と、前記流体の中に設けられ、前記第１の突起電極と前記第２の突起電極とを接続する導体パターンを有するとともに、前記導体パターンの横にスリットが形成されたことにより厚さ方向に弾性変形可能となった中間基材とを備え、前記中間基材において前記導体パターンと前記第１の突起電極とが接続されている部分が弾性変形により前記第１の可撓性基材側に反り、前記中間基材において前記導体パターンと前記第２の突起電極とが接続されている部分が弾性変形により前記第２の可撓性基材側に反った電子機器が提供される。

また、その開示の他の観点によれば、第１の突起電極を有する第１の可撓性基材と、第２の突起電極を有するとともに、前記第１の可撓性基材から間隔を置いて配置された第２の可撓性基材と、前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材の間の空間に封止された流体と、前記流体の中に設けられ、前記第１の突起電極と前記第２の突起電極とを接続する導体パターンを有するとともに、前記導体パターンの横にスリットが形成されたことにより厚さ方向に弾性変形可能となった中間基材とを備え、前記中間基材において前記導体パターンと前記第１の突起電極とが接続されている部分が弾性変形により前記第１の可撓性基材側に反り、前記中間基材において前記導体パターンと前記第２の突起電極とが接続されている部分が弾性変形により前記第２の可撓性基材側に反ったコネクタが提供される。

更に、その開示の別の観点によれば、スリットが形成されたことにより厚さ方向に弾性変形可能となり、かつ前記スリットの横に導体パターンが設けられた中間基材の一方の面側に、第１の突起電極を備えた第１の可撓性基材を配置する工程と、前記導体パターンの第１の部分における前記中間基材を前記第１の可撓性基材側に反らすことにより、前記第１の部分と前記第１の突起電極とを接続する工程と、前記中間基材の他方の面側に、第２の突起電極を備えた第２の可撓性基材を配置する工程と、前記導体パターンの第２の部分における前記中間基材を前記第２の可撓性基材側に反らすことにより、前記第２の部分と前記第２の突起電極とを接続する工程と、前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材の間の空間を流体で封止する工程とを備えるコネクタの製造方法が提供される。

以下の開示によれば、第１の可撓性基材と第２の可撓性基材の間に封止された流体が流動することによりコネクタの外形が電子部品や回路基板の凹凸に追従するので、コネクタによって電子部品と回路基板とを電気的に確実に接続することができる。

図１は、電子機器の断面図である。 図２（ａ）、（ｂ）は、反りが生じたパッケージ基板とLGAコネクタの拡大断面図である。 図３は、本実施形態に係る電子機器の断面図である。 図４は、本実施形態に係るLGAコネクタの分解斜視図である。 図５（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係るLGAコネクタの第１の可撓性基材の平面図及び断面図である。 図６（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係るLGAコネクタの中間基材の平面図及び断面図である。 図７（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係るLGAコネクタの突起電極付近の拡大断面図である。 図８（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係るLGAコネクタのシール部付近の拡大断面図である。 図９（ａ）、（ｂ）は、パッケージ基板及び回路基板と本実施形態に係るLGAコネクタとの拡大断面図である。 図１０（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係るLGAコネクタの可撓性基材の製造途中の拡大断面図である。 図１１（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係るLGAコネクタの中間基材の製造途中の拡大斜視図である。 図１２（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係るLGAコネクタの製造途中の拡大断面図である。 図１３は、本実施形態に係るLGAコネクタの製造途中の平面図である。

本実施形態の説明に先立ち、本実施形態の基礎となる予備的事項について説明する。

図１は、電子機器の断面図である。

この電子機器９０は、回路基板１０、補強版５０、LGAコネクタ１００、半導体パッケージ３０、及びヒートシンク４０を有する。

このうち、回路基板１０は、サーバ等の電子機器においてはシステムボードとして供せられるものであって、その一方の主面には銅膜をパターニングしてなる導電性の第１のランド１０ａが形成され、他方の主面には補強板５０が固着される。

補強板５０は、半導体パッケージ３０を取り付ける際に回路基板１０の変形を防ぐためのものであり、その材料は特に限定されない。ここでは、半導体パッケージ３０で発生した熱を速やかに外部に逃がすべく、補強板５０の材料としてステンレス等の熱伝導率の高い金属を用いるのが好適である。

その補強板５０には、ねじ穴５１ａが形成されており、そのねじ穴５１ａに連通する貫通孔１１が回路基板１０に設けられる。

一方、LGAコネクタ１００は、フレーム１０１と突起電極１０２とを有する。このうち、フレーム１０１は、樹脂を材料とするものであって、複数の貫通孔１０１ａを備える。そして、その貫通孔１０１ａの各々に上記の突起電極１０２が挿入される。

突起電極１０２は、ゴムに銀等の導電性フィラーを分散させた導電性ゴムや導電性エラストマを材料とし、第１のランド１０ａと対向する位置に設けられる。

半導体パッケージ３０は、LGAコネクタ１００と接続される電子部品の一例であって、パッケージ基板３１ａと、半導体チップ３１ｂと、ヒートスプレッダ３２とを有する。

このうち、パッケージ基板３１ａは、セラミック製又はプラスチック製のコア基材上に配線層を形成してなる回路基板であって、その表面に銅膜をパターニングしてなる導電性の第２のランド３０ａを備える。

一方、半導体チップ３１ｂは、例えばCPU等の能動素子であって、図示しないはんだバンプを介してパッケージ基板３１ａに接続される。

パッケージ基板３１ａ及び半導体チップ３１ｂの上には、凹状に形成されたヒートスプレッダ３２が接着剤により接合されている。そして、半導体チップ３１ｂから発生した熱は、ヒートスプレッダ３２及びヒートシンク４０を介して外部に逃がされる。

ヒートシンク４０は、例えばアルミニウム板を加工してなる。なお、そのヒートシンク４０の表面に複数の放熱フィンを設けてもよい。このヒートシンク４０には、貫通孔４０ａが形成され、その貫通孔４０ａとバネ４２とにネジ６０が挿入される。

使用時には、補強板５０のねじ穴５１ａにネジ６０を締め込み、バネ４２の付勢力によってヒートシンク４０を回路基板１０側に押し付ける。これにより、第１のランド１０ａと第２のランド３０ａとが突起電極１０２を介して電気的に接続されることになる。

ところで、上記のように回路基板１０と半導体パッケージ３０とはLGAコネクタ１００により電気的に接続されるが、実際の使用時にはこれらの間に接続不良が発生することがある。

このように接続不良が発生する一因として半導体パッケージ３０や回路基板１０の反りがある。また、ランド１０ａ、３０ａの高さが製造時にばらつくことによって接続不良が起きることもある。

図２（ａ）、（ｂ）は、半導体パッケージ３０と回路基板１０の各々に反りが生じた場合のLGAコネクタ１００とその周囲の拡大断面図である。

突起電極１０２は、円錐の頂点を平坦化した形状の突出部１０２ａを有し、本来ならその突出部１０２ａの平坦な端部１０２ｂが第１のランド１０ａ及び第２のランド３０ａに当接する。

しかし、半導体パッケージ３０や回路基板１０は、内部に含まれる材料の熱膨張率の差等によって図２（ａ）のように反りが生じる場合がある。そのため、一部の突起電極１０２がランド１０ａ、３０ａから離れてしまい、突起電極１０２を用いて第１のランド１０ａと第２のランド３０ａとを電気的に接続することができなくなってしまう。

この例のように半導体パッケージ３０が上に凸状に反り、回路基板１０が下に凸状に沿った場合には、半導体パッケージ３０の中央付近においてこのような接続不良が発生しやすい。

このような接続不良を防ぐために、図２（ｂ）に示すように、ネジ６０（図１参照）の締め込み量を増加させることも考えられる。この場合は、突起電極１０２が圧縮されて、LGAコネクタ１００の中央付近の突起電極１０２が第１のランド１０ａ及び第２のランド３０ａと当接する。

しかし、このようにすると、LGAコネクタ１００の周辺付近の突起電極１０２に加わる圧力が過大になり、突起電極１０２が破損するなどして接続部分の信頼性が低下する。

以下、本実施形態について説明する。

（本実施形態）
図３は、本実施形態に係る電子機器の断面図である。なお、図３において、図１で説明したのと同じ要素には図１におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。

この電子機器１においては、流体２４を封入してなるLGAコネクタ２０を介してパッケージ基板３１ａと回路基板１０とが電気的に接続される。

図４は、LGAコネクタ２０の分解斜視図である。

図４に示すように、LGAコネクタ２０は、複数の突起電極２２を備えた第１の可撓性基材２１ａ及び第２の可撓性基材２１ｂとを備え、これらの可撓性基材２１ａ、２１ｂの間に中間基材２３が設けられている。

この中間基材２３は、銅等の金属膜をパターニングしてなる導体パターン２３ｃを備え、この導体パターン２３ｃを介して第１の可撓性基材２１ａの突起電極２２と第２の可撓性基材２１ｂの突起電極２２とを接続する。

また、第１の可撓性基材２１ａ及び第２の可撓性基材２１ｂの周縁部にはシール部２５が設けられている。このシール部２５は、スペーサ２５ｃと、そのスペーサ２５ｃを上下から加圧する第１のフレーム２５ａ及び第２のフレーム２５ｂと、それらを締め付けるためのネジ２５ｄとを有する。

スペーサ２５ｃは、第１の可撓性基材２１ａ及び第２の可撓性基材２１ｂの間に配置され、第１のフレーム２５ａ及び第２のフレーム２５ｂと共働して、第１の可撓性基材２１ａ及び第２の可撓性基材２１ｂの間の空間を封止する。

以下、LGAコネクタ２０の各部の構成について更に説明する。

図５（ａ）は第１の可撓性基材２１ａの平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。

図５（ａ）に示すように、第１の可撓性基材２１ａは、可撓性を有する材料によって形成されたシート２１ｃと、そのシート２１ｃに取り付けられた複数の突起電極２２とを有する。シート２１ｃは、例えば平面視で一辺が５０ｍｍ程度の正方形であり、その厚さは例えば０．３ｍｍ程度である。特に限定されないが、シート２１ｃの材料としては、ゴムやエラストマ等を用いることができる。

図５（ｂ）に示すように、シート２１ｃには複数の貫通孔２１ｈが形成されており、その貫通孔２１ｈには突起電極２２の基端部２２ｃ側が挿入されている。この基端部２２ｃの底面はシート２１ｃの下面と略同じ高さに形成されており、基端部２２ｃの底面上には例えば銅膜等をパターニングしてなる内側電極２２ｄが形成されている。

突起電極２２の材料は特に限定されないが、銀粉等の導電性フィラーをゴムやエラストマ等に分散させた導電性ゴム、又は導電性エラストマをその材料として使用するのが好ましい。

なお、第２の可撓性基材２１ｂも上記の第１の可撓性基材２１ａと同様の構造であり、その説明は省略する。

次に、中間基材２３について説明する。

図６（ａ）は中間基材２３の一部を拡大した平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＥ−Ｅ線に沿った断面図であり、図６（ｃ）は図６（ａ）のＦ−Ｆ線に沿った断面図である。

図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、中間基材２３は、例えばポリイミド樹脂等を材料とする第１の樹脂フィルム２３ａ及び第２の樹脂フィルム２３ｂを備えており、可撓性を有する。また、それらの樹脂フィルム２３ａ、２３ｂの間には、例えば銅等の金属膜をパターニングしてなる導体パターン２３ｃが突起電極２２（図４参照）に対応して複数設けられている。

図６（ａ）に示すように、各導体パターン２３ｃは平面視でＳ字状に形成されており、その両端に円形の第１のパッド２３ｄ及び第２のパッド２３ｅを備える。

また、第１のパッド２３ｄ及び第２のパッド２３ｅの横には、導体パターン２３ｃの輪郭に沿ってスリット２３ｆが形成されている。このスリット２３ｆは、第１の樹脂フィルム２３ａ及び第２の樹脂フィルム２３ｂを貫通する深さに形成されており、これによりパッド２３ｄ、２３ｅ付近の導体パターン２３ｃが中間基材２３の厚さ方向に柔軟に弾性変形できる。

図６（ｂ）に示すように、第１のパッド２３ｄは、第１の樹脂フィルム２３ａに形成された開口２３ｇを通じて第１の樹脂フィルム２３ａから露出している。また、図６（ｃ）に示すように第２のパッド２３ｅは、第２の樹脂フィルム２３ｂの開口２３ｈを通じて第２の樹脂フィルム２３ｂから露出している。

図７（ａ）は、LGAコネクタ２０の第１のパッド２３ｄ付近の断面図であり、図７（ｂ）はLGAコネクタ２０の第２のパッド２３ｅ付近の断面図である。

図７（ａ）に示すように、中間基材２３の導体パターン２３ｃの第１のパッド２３ｄは、第１の可撓性基材２１ａに設けられた突起電極２２と電気的に接続される。また、図７（ｂ）に示すように、第２のパッド２３ｅは、第２の可撓性基材２１ｂに設けられた突起電極２２と電気的に接続される。このようにして、上下の突起電極２２同士が導体パターン２３ｃを介して電気的に接続されている。

本実施形態の中間基材２３では、パッド２３ｄ、２３ｅ付近の導体パターン２３ｃが柔軟に弾性変形できるため、第１の可撓性基材２１ａ及び第２の可撓性基材２１ｂが変形した場合であっても、上下の突起電極２２同士が電気的に接続された状態を維持できる。

図８（ａ）は、シール部２５付近の拡大断面図であり、図８（ｂ）はシール部２５の流体注入口付近の拡大断面図である。

図８（ａ）に示すように、第１の可撓性基材２１ａと第２の可撓性基材２１ｂとの間にシール部２５のスペーサ２５ｃが配置される。このスペーサ２５ｃの上下の主面には凸部２５ｆが形成されており、この凸部２５ｆの頂面が第１の可撓性基材２１ａ及び第２の可撓性基材２１ｂと当接している。

そして、スペーサ２５ｃが配置された部分の第１の可撓性基材２１ａ及び第２の可撓性基材２１ｂを挟むように、第１のフレーム２５ａ及び第２のフレーム２５ｂが設けられている。なお、第１のフレーム２５ａ、第２のフレーム２５ｂ及びスペーサ２５ｃの材料は特に限定されないが、その材料として例えばステンレス等を用いることができる。

第１のフレーム２５ａ及び第２のフレーム２５ｂにはネジ２５ｄが設けられる。このネジ２５ｄを締め込むことで、第１の可撓性基材２１ａ及び第２の可撓性基材２１ｂがスペーサ２５ｃ側に押圧される。これにより、スペーサ２５ｃの凸部２５ｆが第１及び第２の可撓性基材２１ａ、２１ｂに圧入されて、第１及び第２の可撓性基材２１ａ、２１ｂの間の空間が封止される。

上記のようにして封止された第１及び第２の可撓性基材２１ａ、２１ｂの間の空間には電気絶縁性の流体２４が封入されている。この流体２４の材料としては、ゴム、エラストマーシート及び金属を腐食しないものを使用するのが好ましい。そのような材料には、例えば、パーフルオロエーテル等のフッ素系の液体やシリコーンオイルがある。また、流体２４として加圧した不活性ガスを用いてもよい。

なお、図８（ｂ）に示すように、シール部２５のスペーサ２５ｃには、流体２４を導入するための流体導入管２５ｅが設けられている。使用時においては、その流体導入管２５ｅは、樹脂やはんだ等の栓２５ｈで塞がれる。

ここで、既述のように半導体パッケージ３０や回路基板１０には反りが生ずることがある。また、製造時に第２のランド３０ａの高さがばらつくこともある。これらの場合であっても、本実施形態では半導体パッケージ３０と回路基板１０との間の接続不良が以下のようにして防止される。

図９（ａ）は、回路基板１０と半導体パッケージ３０の各々に反りが生じた場合における本実施形態に係るLGAコネクタの拡大断面図である。

図９（ａ）に示すように、この例では、半導体パッケージ３０及び回路基板１０の間隔がそれらの中央部で広くなり、周縁部で狭くなる。この場合は、第１の可撓性基材２１ａと第２の可撓性基材２１ｂが撓んでこれらの間に封止された流体２４が流動するため、LGAコネクタ２４の外形がパッケージ基板３１と回路基板１０の反りに追従して変形する。

この結果、各突起状電極２２の高さもパッケージ基板３０等の反りに追従して変化し、全ての突起電極２２が第１ランド１０ａ及び第２のランド３０ａと接触するので、LGAコネクタ１０を介して半導体パッケージ３０と回路基板１０とを確実に接続できる。

しかも、LGAコネクタ２０の内部に封入された流体２４が流動することにより、突起電極２２と第２のランド３０ａ等との接触圧が突起電極２２毎にばらつくのを抑制できるので、一部の突起電極２２のみに過剰な圧力が加わるのを防ぐことができる。

一方、図９（ｂ）は、第２のランド３０ａの高さがばらついた場合における本実施形態に係るLGAコネクタの拡大断面図である。

この例では、パッケージ基板３０の面内において第２のランド３０ａの高さＨがばらついている。この場合にも、LGAコネクタ２０の内部に封入された流体２４が流動することで、第１の可撓性基材２１ａが第２のランド３０ａの高さに応じて変形する。

これにより、全ての突起電極２２が第２のランド３０ａと接触して半導体パッケージ３０と回路基板１０との接続信頼性が向上する。更に、各突起電極２２の接触圧のばらつきが低減されるため、一部の突起電極２２に過剰な圧力が加わるのを防ぐことができる。

以上のように、本実施形態によれば、半導体パッケージ３０等の電子部品や回路基板１０にLGAコネクタ２０を確実に接触させることができるので、これらの接続信頼性を向上させることができる。

以下、本実施形態のLGAコネクタ２０の製造方法について説明する。

図１０（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係るLGAコネクタの可撓性基材の製造途中の拡大断面図である。

まず、図１０（ａ）に示すように、例えばシリコーンゴム等を材料とするシート２１ｃを用意する。

次に、そのシート２１ｃの所定位置にパンチング等の機械加工により複数の貫通孔２１ｈを形成する。なお、射出成型により貫通孔２１ｈ及びシート２１を同時に形成してもよい。

次に、図１０（ｂ）に示すように、シート２１ｃの貫通孔２１ｈに連通する凹部７１ａが形成された金型７１をシート２１ｃの一方の面に配する。そして、銀等の導電性フィラーを含んだエラストマを、シート２１ｃの貫通孔２１ｈ及び金型７１の凹部７１ａに射出成型することにより、突起電極２２を形成する。

その突起電極２２において、貫通孔２１ｈ内に形成された部分は、既述の基端部２２ｃとなる。

その後、金型７１を除去する。

次に、図１０（ｃ）に示すように、シート２１ｃの他方の面にフォトレジストを塗布した後、そのフォトレジストをフォトリソグラフィ法によりパターンニングして、突起電極２２の基端部２２ｃ上に開口７２ａを有するレジストパターン７２を形成する。

次いで、レジストパターン７２をマスクにしたスパッタ法により銅等の金属膜を堆積させて突起電極２２の基端部２２ｃの上に内側電極２２ｄを形成する。なお、内側電極２２ｄは、めっき法又は蒸着法等で形成してもよい。

その後、レジストパターン７２を除去する。

以上により、第１の可撓性基材２１ａが完成する。

また、上記の図１０（ａ）〜（ｃ）に示したのと同様の工程を行うことで、第２の可撓性基材２１ｂを作製する。

次に、中間基材２３を以下のようにして作製する。

図１１（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係るLGAコネクタの中間基材の製造途中の拡大斜視図である。

先ず、図１１（ａ）に示すように、主面上に銅等の金属膜２３ｎが形成された第２の樹脂フィルム２３ｂを用意する。

次に、図１１（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法により金属膜２３ｎをパターニングして、端部に第１及び第２のパッド２３ｄ、２３ｅを有するＳ字状の導体パターン２３ｃを形成する。

次に、図１１（ｃ）に示すように、導体パターン２３ｃ及び第２の樹脂フィルム２３ｂの上に、ポリイミド樹脂等を材料とする第１の樹脂フィルム２３ａを貼着する。

その後、導体パターン２３ｃの第１のパッド２３ｄの上の第１の樹脂フィルム２３ａを除去して開口２３ｇを形成する。

次いで、導体パターン２３ｃの第２のパッド２３ｅの上の第２の樹脂フィルム２３ｂを除去して開口２３ｈを形成する。これらの開口２３ｇ、２３ｈの形成方法は特に限定されず、レーザ加工やエッチングにより各開口２３ｇ、２３ｈを形成し得る。

その後、図１１（ｄ）に示すように、レーザ加工により、第１のパッド２３ｄ及び第２のパッド２３ｅの横の樹脂フィルム２３ａ、２３ｂにスリット２３ｆを形成する。なお、スリット２３ｆはエッチング又は機械加工で形成してもよい。

以上の工程により、中間基材２３が完成する。

次に、上記のように作製された第１及び第２の可撓性基材２１ａ、２１ｂと中間基材２３とを次のように接続する。

図１２（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係るLGAコネクタの製造途中の拡大断面図である。

図１２（ａ）に示すように、中間基材２３の第１の樹脂フィルム２３ａ側に、第１の可撓性基材２１ａを配置する。そして、内側電極２２ｄと第１のパッド２３ｄとをハンダペースト等により接合してこれらを互いに電気的に接続する。

その後、図１２（ｂ）に示すように、中間基材２３の第２の樹脂フィルム２３ｂ側に第２の可撓性基材２１ｂを配置する。そして、第２の可撓性基材２１ｂの内側電極２２ｄと第２のパッド２３ｅとをハンダペーストにより接合することにより、内側電極２２ｄと第２のパッド２３ｅとを電気的に接続する。

次に、図１２（ｃ）に示すように、第１の可撓性基材２１ａ及び第２の可撓性基材２１ｂの周縁部に、スペーサ２５ｃ、第１のフレーム２５ａ、及び第２のフレーム２５ｂから形成されるシール部２５を取り付ける。

そして、シール部２５の角部に設けられたネジ２５ｄ（図８（ａ）参照）を締め込むことで、第１のフレーム２５ａと第２のフレーム２５ｂとを機械的に接続する。これにより、スペーサ２５ｃによって第１の可撓性基材２１ａと第２の可撓性基材２１ｂとの間の空間が封止される。

その後、図１３の平面図に示すように、シール部２５の流体導入管２５ｅと流体排出管２５ｇとの間で例えばパーフルオロエーテル等の流体２４を流して、第１の可撓性基材２１ａ及び第２の可撓性基材２１ｂの間の空間に流体２４を満たす。このとき、余分な空気等は流体排出部２５ｇから排出される。その後、流体導入管２５ｅ及び流体排出部２５ｇを樹脂やはんだ等の栓２５ｈ（図８（ｂ）参照）で封止する。

以上により、LGAコネクタ２０が完成する。

以上説明した実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１）表面に導電性の第１のランドが形成された回路基板と、
前記回路基板の前記表面に対向して配置され、前記回路基板と対向する表面に導電性の第２のランドが形成された電子部品と、
前記回路基板と前記電子部品とを接続するコネクタを備え、
前記コネクタは、
第１の突起電極を有する第１の可撓性基材と、
前記第１の突起電極と電気的に接続された第２の突起電極を有するとともに、前記第１の可撓性基材から間隔を置いて配置される第２の可撓性基材と、
前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材の間の空間に封止された流体と、
を備えることを特徴とする電子機器。

（付記２）前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材との間に、前記第１の突起電極と第２の突起電極とを接続する導体パターンを有する中間基材を備えることを特徴とする付記１に記載の電子機器。

（付記３）前記導体パターンの横の前記中間基材にスリットが形成されており、前記導体パターンの前記第１の突起電極との接続部分及び第２の突起電極との接続部分が前記中間基材の厚さ方向に弾性変形可能なことを特徴とする付記２に記載の電子機器。

（付記４）前記第１の可撓性基材及び前記第２の可撓性基材の周縁部には、前記第１の可撓性基材及び前記第２の可撓性基材の間に充填された流体を封止するシール部が設けられていることを特徴とする付記１乃至付記３の何れか１項に記載の電子機器。

（付記５）前記第１の可撓性基材及び第２の可撓性基材は貫通孔を備え、前記第１の突起電極及び第２の突起電極の基端部は前記可撓性基材の貫通孔に挿入されていることを特徴とする付記１に記載の電子機器。

（付記６）前記第１の可撓性基材及び第２の可撓性基材はゴム又はエラストマにより形成されていることを特徴とする付記５に記載の電子機器。

（付記７）前記第１の突起電極及び第２の突起電極は導電性フィラーを含有するエラストマによって形成されることを特徴とする付記５に記載の電子機器。

（付記８）前記流体は、絶縁性であり且つ不活性な液体又は気体であることを特徴とする付記１乃至付記７の何れか１項に記載の電子機器。

（付記９）第１の突起電極を有する第１の可撓性基材と、
前記第１の突起電極と電気的に接続された第２の突起電極を有するとともに、前記第１の可撓性基材から間隔を置いて配置された第２の可撓性基材と、
前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材の間の空間に封止された流体と、
を備えることを特徴とするコネクタ。

（付記１０）第１の可撓性基材の第１の突起電極と、前記第１の可撓性基材から間隔をおいて設けられた第２の可撓性基材の第２の突起電極とを電気的に接続する工程と、
前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材との間の空間を流体で封止する工程と、
を備えるコネクタの製造方法。

１、９０…電子機器、１０…回路基板、１０ａ…第１のランド、１１、２１ｈ、４０ａ、１０１ａ…貫通孔、２０、１００…LGAコネクタ、２１ａ…第１の可撓性基材、２１ｂ…第２の可撓性基材、２１ｃ…シート、２２、１０２…突起電極、２２ｃ…基端部、２２ｄ…内側電極、２３…中間基材、２３ａ…第１の樹脂フィルム、２３ｂ…第２の樹脂フィルム、２３ｃ…導体パターン、２３ｄ…第１のパッド、２３ｅ…第２のパッド、２３ｆ…スリット、２３ｇ、２３ｈ、７２ａ…開口、２３ｎ…金属膜、２５…シール部、２５ａ…第１のフレーム、２５ｂ…第２のフレーム、２５ｃ…スペーサ、２５ｄ…ネジ、２５ｅ…流体導入管、２５ｆ…凸部、２５ｇ…流体排出部、３０…半導体パッケージ、３０ａ…第２のランド、３１ａ…パッケージ基板、３１ｂ…半導体チップ、３２…ヒートスプレッダ、４０…ヒートシンク、４２…バネ、５０…補強板、５１ａ…ネジ穴、６０…ネジ、７１…金型、７１ａ…凹部、７２…レジストパターン、１０１…フレーム、１０２ａ…突出部、１０２ｂ…端部。

Claims (3)

1. 表面に導電性の第１のランドが形成された回路基板と、
   前記回路基板の前記表面に対向して配置され、前記回路基板と対向する表面に導電性の第２のランドが形成された電子部品と、
   前記回路基板と前記電子部品とを接続するコネクタを備え、
   前記コネクタは、
   前記第１のランドに当接する第１の突起電極を有する第１の可撓性基材と、
   前記第２のランドに当接する第２の突起電極を有するとともに、前記第１の可撓性基材から間隔を置いて配置された第２の可撓性基材と、
   前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材の間の空間に封止された流体と、
   前記流体の中に設けられ、前記第１の突起電極と前記第２の突起電極とを接続する導体パターンを有するとともに、前記導体パターンの横にスリットが形成されたことにより厚さ方向に弾性変形可能となった中間基材とを備え、
   前記中間基材において前記導体パターンと前記第１の突起電極とが接続されている部分が弾性変形により前記第１の可撓性基材側に反り、前記中間基材において前記導体パターンと前記第２の突起電極とが接続されている部分が弾性変形により前記第２の可撓性基材側に反ったことを特徴とする電子機器。
2. 第１の突起電極を有する第１の可撓性基材と、
   第２の突起電極を有するとともに、前記第１の可撓性基材から間隔を置いて配置された第２の可撓性基材と、
   前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材の間の空間に封止された流体と、
   前記流体の中に設けられ、前記第１の突起電極と前記第２の突起電極とを接続する導体パターンを有するとともに、前記導体パターンの横にスリットが形成されたことにより厚さ方向に弾性変形可能となった中間基材とを備え、
   前記中間基材において前記導体パターンと前記第１の突起電極とが接続されている部分が弾性変形により前記第１の可撓性基材側に反り、前記中間基材において前記導体パターンと前記第２の突起電極とが接続されている部分が弾性変形により前記第２の可撓性基材側に反ったことを特徴とするコネクタ。
3. スリットが形成されたことにより厚さ方向に弾性変形可能となり、かつ前記スリットの横に導体パターンが設けられた中間基材の一方の面側に、第１の突起電極を備えた第１の可撓性基材を配置する工程と、
   前記導体パターンの第１の部分における前記中間基材を前記第１の可撓性基材側に反らすことにより、前記第１の部分と前記第１の突起電極とを接続する工程と、
   前記中間基材の他方の面側に、第２の突起電極を備えた第２の可撓性基材を配置する工程と、
   前記導体パターンの第２の部分における前記中間基材を前記第２の可撓性基材側に反らすことにより、前記第２の部分と前記第２の突起電極とを接続する工程と、
   前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材の間の空間を流体で封止する工程と、
   を備えるコネクタの製造方法。

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